JPS60234212A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドや半導体装置等において、多
層配線を施す際の絶縁層に対するエツチング方法に関す
るものである。

〔背景技術とその問題点〕

薄膜磁気ヘッドや半導体装置等においては、その構成上
、あるいは高密度化の要請等に伴って、薄膜技術を用い
て例えば配線パターンを２層あるいは３層以上形成する
等、所謂多層配線構造とするのが一般的である。

例えば上記薄膜磁気ヘットでは、第１図に示すように、
あらかじめ第１の絶縁層を形成した基板１０１上に所定
のパターンの第１の導電金属層１０２を設け、二酸化ケ
イ素Ｓ　ｉ　Ｏ２等の透明材料により第２の絶縁層１０
３を形成した後、この第２の絶縁層１０３に対してエツ
チングを施してこの絶縁層の所定の部分、すなわち上記
第１の導電金属層１０２と後述の第２の導電金属層の電
気的導通を図る必要かある部分に接続窓１０４及び１０
５を形成し、さらに第２の導電金属層１０６を被着して
これら第１の導電金属層１０２と第２の導電金属層１０
６とをＪ″８０接続窓１°４及ｏ′ｉｏｓ　、・の部分
で接続するというように、順次絶縁層を介して導電金属
層を積層し多層配線構造としている。　（そして、この
ような多層配線を採用することによ　□り高密度配線が
可能となり、装置の小型化や性能の向上等が可能となっ
ている。　）］ ところで、上述のような多層配線構造のものを製造する
場合には、特に上記絶縁層１０３に対するエツチング方
法が問題となっている。すなわち、上記絶縁層１０３に
設けられる接続窓は、上記第１の導電金属層１０２と第
２の導電金属層１０６間の接続抵抗を極力小さくするた
めにできる限り大きくするのが一般的であり、したかっ
てこの接続窓を形成する位置によって接続窓の大きさが
大きく異なっている。例えば、微細なコイルパターン部
での接続を図るための接続窓１０４の大きさが１５μ×
５０μ程度であるのに対して、幅広の電極部での接続を
図るための接続窓１０５の大きさは５０μ×７０μ程度
であり、さらに例えば共通電極により各導体コイルのア
ースを図るような場合にはこの共通電極部分での接続窓
の大きさが３５０μ×４００μ程度にも達する。このよ
うに、谷接続窓の大きさが異なると、例えばイオンエツ
チングにより上記接続窓を抜こうとしたときに、各接続
窓におけるエツチング速度の差が問題となる。すなイつ
ぢ、例えば接続窓１０４と接続窓１０５とを同時ｌこエ
ツチングすると、大きい方の接続窓１０５が小さい接続
窓１０４に比べて速く抜けてしまい、この小さい接続窓
１０４が抜けるまでには、上記大きい方の接続窓１（ｊ
５において、この部分に露出する第１の導電金属層１０
２までオーバーエツチングされてしまう。このため、上
記導電金属層１０２が薄くなってしまい、極端な場合に
は上記導電金属層１０２に膜切れか生ずる虞れもある。

そこで、上記オーバーエツチングによる導電金属層１０
２の膜切れを防止するために、」皿上導電金属層１０２
の厚さを厚くすることも考えられるが、この導電金属層
１０２は通常スパッタや蒸着等の手法ｌこより被着形成
されるので、あまり厚くするとこの導電金属層１０２を
形成するのに長時間を要し、生産性を低下してしまうの
で好ましくない。

し発明の目的］ そこで本発明は、前述の従来技術の有する欠点を解消す
るために提案されたものであって、窓部の大きさにかか
わらずエツチング速度をほぼ等しくし、下地層に対する
オーバーエツチングを防止することが可能なエツチング
速度を提供すること３− を目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、上述の如き目的を達成するために、大きさの
異なる２以上の窓部をエツチングにより形成するにあた
り、上記窓部をこれら窓部の幅が最小の窓部の幅と略一
致するような幅を有する複数の分割窓部に分割して形成
することを特徴とするものである。

〔実施例〕

以下、本発明を薄膜磁気ヘッドの製造に適用した一実施
例について、図面を参照しながら説明する。

第２図ないし第６図は薄膜磁気ヘッドの製造工程をその
工程順序に従って示すものである。

薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず第２図に示すよう
にあらかじめ二酸化ケイ素Ｓ　ｉ　０２等の透明絶縁材
料からなる第１の絶縁層２をその表面に被着形成した磁
性基板１を用意し、上記第１の絶縁層２を覆うように第
１の導電金属層３を蒸着あるいはスバンクにより被着形
成する。

４− なお、上記磁性基板１の材料としてば通常の磁気ヘッド
等に用いられる磁性材料であれは如何なるものであって
もよいが、この実施例においてはＭｎ−Ｚｎフェライト
を用いる。また、上記第１の導電金属層３は、銅によっ
て形成される。

次に、第３図Ａ及び第３図Ｈに示すように、上記第１の
導電金属層３に対してエツチングを施し、渦巻状のコイ
ル部４ａと外部への引き出し線となるリード部４ｂとか
らなる第１の配線バグーン４を形成する。

上記第１の導電金属層３に対するエツチング速度として
は、エツチング液を用いる所謂ウエツＩ・エツチングで
もよいし、イオンエツチングの如きドライエツチングで
もよい。

続いて、第４図Ａ及び第４図Ｂに示すように、上記第１
の配線パターン４を覆うように上記基板１上に第２の絶
縁層５を５ｉ０２の如き透明絶縁材料により積層形成す
る。

そして、第５図Ａ及び第５図Ｂに示すように、上記第２
の絶縁層５に対してマスキングを施してパターンエツチ
ングを行なう。このパターンエツチングはイオンエツチ
ングのようなドライエツチンクにより行なう。

上記第２の絶縁層５に対するパターンエツチングにより
、上記第１の配線パターン４上の所定の場所、すなわち
上記第１の配線パターン４と後述の第２の配線パターン
との間で電気的導電を図る必要がある部分に配線パター
ン接続用窓部６，７を設ける。

ここで、上記接続用窓部６は上記第１の配線パターン４
のコイル部４ａと後述の第２の配線パターンとを接続す
るために形成され、したがって上記コイル部４ａの幅よ
りも幅狭に、例えば幅ｄ−１５μ、長さ１−５０μで形
成されて、上記第２の絶縁層５に設けられる接続用窓部
のうち最小の窓部となっている。

一方、上記第１の配線パターン４のリード部４ｂ上に設
けられる接続用窓部７は、通常この部分での接続抵抗を
極力小さくするためにできる限り大きく形成され、例え
ば５ｏμＸ７０μ程度に形成されるか、この実施例にお
いては、上記最小の窓部である接続用窓部６の幅ｄと略
等しい幅を有し７０μ程度の長さＬを有する複数の、こ
の例では２つの分割窓部７ａ、７ａに分割して形成する
。

なお、ここでこの分割窓部７ａの幅は上記接続用窓部６
の幅ｄの１．２倍程度までか限度であり、これ以上大き
くすると後述のエツチング速度に差が生じ、本発明の目
的を達成し得なくなる虞れがある。

このように上記接続用窓部７を分割形成することにより
、上記接続用窓部６に対するエツチング速度と、上記接
続用窓部７を構成するも分割窓部７ａに対するエツチン
グ速度はほぼ等しくなり、上記接続用窓部７に臨むリー
ド部４ｂをオーバーエツチンクすることはない。また、
上記接続用窓部７は分割された複数の分割窓部７ａから
構成されるので、第１の配線パターン４と後述の第２の
配線パターンの接触面積が充分確保され、この接続用窓
部７における接続抵抗が大きくなることはない。

７− このように上記接続用窓部６及び７を形成した後、上記
第２の絶縁層５を覆うように導電金属である銅を蒸着あ
るいはスパッタして第２の導電金属層を被着形成し、第
６図Ａ及び第６図Ｂに示すように、上記第２の導電金属
層に対してパターンエツチングを施し、第２の配線パタ
ーン８を形成する。

この第２の配線パターン８は先の第１の配線パターン４
と同じ巻回方向を有する渦巻状に形成され、その両端部
がそれぞれ上記接続用窓部６，７を介して第１の配線パ
ターン４のコイル部４ａ及びリード部４ｂと接続されて
いる。したがって、上記第１の配線パターン４と第２の
配線パターン８とは合わせて６り〜ンのコイルを構成し
ている。

さらに、上記磁性基板１とともに磁気コアを構成する上
部磁性体や得られる磁気ヘッド部の損傷を防止するため
の保饅板等を設けて薄膜磁気ヘッドを完成する。

以上述べたように、上記実施例においては、大きい方の
接続用窓部７を最小の窓部である接続用−８＝ 窓部６の幅と略等しい幅を有する複数の分割窓部７ａと
して分割形成しているので、これらも窓部６．７に対す
るエツチング速度がほぼ等しくなり、これらも窓部６，
７に臨む下地層である第１の配線パターン４をオーバー
エツチンクしてこの配線パターン４に細りゃ膜切れが生
ずることはなく、したがって品質の筒い薄膜磁気ヘット
を製造することが可能である。

また、上記第１の配線パターン４をオーハーエツチンク
する虞れがないことから、この配線パターン４の厚さを
できる限り薄くすることができ、生産性の点からも有利
である。

ところで、上記実施例では大きさの異なる２種類の接続
用窓部６，７をエツチング速度する場合について述べた
が、例えば大きさの異なる３種類以上の窓部を形成する
場合にも有効であることは言うまでもない。

また、本発明は大きさの大幅に異なる窓部を形成する場
合にも適用することができる。

例えば、第７図に示すような共通電極型の薄膜磁気ヘッ
ドでは、コイル部１１上に設けられる接続用窓部１２の
大きさが３０μ×４０μ程度であるのに対して、共通電
極部１３上には通常３００μ×４００μ程度の接続用窓
部１４が形成される。

したがって、上記共通電極部１３上の接続用窓部１４を
上記コイル部１１上の接続用窓部１２の幅と等しい３０
μ幅で長さ３００μ程度のスリ７Ｉ・状の分割窓ＨＢ　
１４　ａとして形成すればよい。

さらに、第８図に示すように、上記共通電極部１３上に
形成される接続用窓部１４を、コイル部１１上に形成さ
れる接続用窓部１２の幅ｄ及び長さｌの両者が略等しい
複数の分割窓部１４ｂとして形成してもよく、この場合
にはエツチング速度がより一層精度良く一致し、オーバ
ーエツチンクの虞れは皆無となる・ 〔発明の効果〕 上述の実施例の説明からも明らかなように、本発明にお
いては、大きさの異なる２種類以上の窓部を形成する際
に、大きい方の窓部を小さい方の窓部の幅と略等しい窓
部に分割して形成しているので、これら容態部間のエツ
チング速度の差がはととなくなり、下地層のオーバーエ
ッチンクを防止することが可能となっている。

【図面の簡単な説明】 第１図は従来の製法により製造される薄膜磁気ヘッドを
示す要部拡大平面図である。 第２図ないし第６図は本発明を薄膜磁気ヘッドの製造に
適用した実施例の工程順序を示すものであり、第２図は
第］の導電金属層被着形成工程を示す要部拡大断面図、
第３図Ａは第１の配線パターン形成工程を示す概略拡大
平面図、第３図Ｂは第３図ＡのＡ−Ａ線における断面図
、第４図Ａは第２の絶縁層被着形成工程を示す概略拡大
平面図、第４図Ｂは第４図Ａの１３−　［３線におりる
断面図、第５図Ａは第２の絶縁層のパターンエツチンク
工程を示す概略拡大平面図、第５図Ｂは第５図ＡのＣ−
Ｃ線における断面図、第６図Ａは第２の配線パターン形
成工程を示す概略拡大平面図、第６図Ｂは第６図ＡのＤ
−１）線における断面図である。 第７図は本発明の他の実施例を示す要部拡大平面図であ
り、第８図は本発明のさらに他の実施例を示す要部拡大
平面図である。 ６．１２・・・・・・・・・・・・接続用窓部（最小の
窓部）７．１４・・・・・・・・・・・・接続用窓部７
ａ　、　１４ａ・・・・・・分割窓部特許出願人　ソニ
ー株式会社 代理人　弁理士　小　池　晃 同　１）　村　榮　− 第１図 第２図 第６図（Ａ） ’１８開昭Ｇｏ−２３４２１２（６） 第７図 碧 第８図 睡■］　［箕Ｉ。 第６図（Ｂ） １“Ｎ。 ｌ　ＩＩ　ｌ （ Ｌ １＋　−１３ ’ｌ　ｊ”− ギ １２） ００叩＝ｌ］

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 大きさの異なる２以上の窓部をエツチングにより形成す
   るにあたり、上記窓部を最小の窓部の幅と略一致するよ
   うな幅を有する複数の分割窓部に分割して形成すること
   を特徴とするエツチング方法。