JPS60232272A - カ−ボンテ−プへの多結晶シリコン層デポジツト装置 - Google Patents

カ−ボンテ−プへの多結晶シリコン層デポジツト装置

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JPS60232272A
JPS60232272A JP59179147A JP17914784A JPS60232272A JP S60232272 A JPS60232272 A JP S60232272A JP 59179147 A JP59179147 A JP 59179147A JP 17914784 A JP17914784 A JP 17914784A JP S60232272 A JPS60232272 A JP S60232272A
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tape
carbon tape
polycrystalline silicon
bath
silicon layer
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Alcatel Lucent SAS
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Societe National Elf Aquitaine
Compagnie Generale dElectricite SA
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
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    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カーボンテープに多結晶シリコン層をデポジ
ットする装置であって、シリコン融浴を収容したるつぼ
と、シリコン融浴に少なくとも部分的に浸漬され、かつ
この浴の平衡表面を貫通して自身の長手方向へ鉛直に移
動するカーポｙ−ｙ−ゾと、カーボンテープの両面に多
結晶シリコン層をデポジットするべく該テープを上方へ
鉛直に漸進させる手段とを含む型のデポジット装置に係
わる。
フランス国特許公開第２３８６３５９号に記載されたこ
の型の公知装置ではるつぼの底部が狭隘な開口部を具備
しており、この開口部から浴に進入したテープは上方へ
と前記浴を鉛直に通過する。
上記の装置には欠点が有る。即ちテープ両面にデポジッ
トされるシリコン層の厚みがテープの両側縁に向かって
急激に減少することが判明している。その結果、デポジ
ットされたシリコン層はテープの両側縁各々に沿って、
物理特性が層中央部に比べて劣るストリップ状側部を有
することになる。これらのストリップ状側部は、特に太
陽′醒池の製造には実質的に使用不能である。
本発明は、上記の欠点の克服を目的とする。
本発明によって、カーボンテープに多結晶シリコン層を
デポジットする装置であって、−シリコン照温を収容す
るべく構成されたるつぼと、 一シリコン照温に少なくとも部分的に浸漬され、かつこ
の浴の平衡表面を貫通して自身の長手方３− は狭隘なスリット３を具備しており、このスリツ向へ鉛
直に移動し、それによって多結晶シリコン層をデポジッ
トされるカーボンテープを上方へ鉛直に移動させる手段
と、 一シリコン照温にＡ３分的に浸漬されるべく構成された
半円形横断面を有する２個の縦溝形部材であって、各々
カーボンテープの各側縁を囲繞し、それによって浴の表
面がカーボンテープ側縁近傍で毛管現象により上昇する
縦溝形部材と、−るつぼ壁部によって支持される、縦溝
形部材の取付けられた支持体 とを含む装置が提供される。
本発明の一具体例を、添付図面を参照しつつ以下に説明
し、それによって本発明の他の目的及び利点を明らかに
する。
新規な諸特徴については、特許請求の範囲において特に
指摘する。
第１図に、シリコン照温２を収容した平行六面体形のシ
リカ製るつぼｌを示す。るつぼｌの底部４− へ急激に下降し、二つの下側に湾曲した部分９及ト３を
鉛直に通過して浴２に進入したカーボンテープ４は、浴
の水平な平衡表面を貫通して該層２から出てゆく。スリ
ットの幅は、スリット内の液体シリコンのメニスカスが
常に安定であるように決定される。
第１図に示した装置は、るつぼ１の周囲に配置されてシ
リコンを液状に維持する加熱手段（図示せず）を更に含
む。
運転時、テープ４が矢印６の方向へ移動されると、浴を
出てゆくテープの両面に多結晶シリコン層７がデポジッ
トされる。
第２図は、テープ４上の結晶化等温線、即ち液体シリコ
ンのメニスカスとデポジットされたシリコン層との接合
線の形状を示す。層中央部では前記等温線は実質的に、
浴の水平面２４上方に水平に位置する直線８であること
が知見される。他方層の両側部では、結晶化等温線は浴
の水平面の方び１０を生じている。
この結果として、デポジットされるシリコンの厚みはテ
ープの両側縁１１及び１２に向かって急激に減少する。
この減少は第３図において、テープ４にデポジットされ
た二つのシリコン層のストリップ状の両側部１３及び１
４として認められる。
冷却の際、シリコンとテープのカーボンとの熱膨張率差
に起因する熱弾性応力がシリコン層に加わるが、この応
力はシリコン層の厚みに逆比例する。
前記応力によってシリコン層のストリップ状側部には微
小な割れが生じ、この割れは、通常層のデポジションに
続いて実施される切断工程の間に広がるおそれがある。
更に、接合線がストリップ状側部において湾曲すること
でデポジットされるシリコン層の粒子の整列が乱され、
このことは該層の電気的特性の劣化を招く。
第４図〜第６図に示した装置は第１図〜第３図に示した
装置と同じ構成要素を含み、それらの要素は同じ参照符
号を有する。本発明の一特徴によれば、第４図〜第６図
の装置は半円形の横断面を有する２個の縦溝形部材１５
及び１６を更に含む。
前記部材１５及び１６は例えば、円形横断面を有する管
を軸平面で二分することによって形成され得る。例えば
石英製であり得るこれらの縦溝形部材はそれぞれその凸
面において各石英ロッド１７及び１８に溶接され、前記
ロッド１７及び１８の端部はるつぼ１の側壁縁部に増付
けられる。石英ロッド１７及び１８は縦溝形部材１５及
び１６をテープ４の両側縁１１及び１２各々の横に鉛直
に保持し、その際部材１５及び１６の凹面が側縁１１及
び１２の方へ向けられる。縦溝形部材１５及び１６は浴
２に部分的に浸漬されており、その結果浴水平面を毛管
現象によりテープ両側縁の近傍で上昇させる。第４図〜
第６図の装置において縦溝形部材１５及び１６は、結晶
化等温線１９（第６図参照）がテープ４の全幅にわたっ
て直線状となるようにテープ両側縁に対して配置される
。
液体シリコンが毛管現象によって縦溝形部材沿いに上昇
する程度は、次のパラメータ、即ち一縦溝形部材の内径 一縦溝形部材のテープ両側縁に関する距離及び向き を変更することによって制御可能である。
第７図は、上記の・？ラメータの調整によってテープ両
側縁部の結晶化等温線を先行技術において得られる曲線
２０に比して上昇させ、実質的に２１゜２２及び２３と
いった曲線とし得ることを示している。曲線２１はなお
浴水平面２４の方へ落込んでいるが、曲線２２は既に直
線状であシ、また曲線２３は僅かに上方を指向している
。
本発明装置はカーボンテープにシリコンをデポジットす
るのに使用され得、その際形成されるプアー ポジットは先行技術において生じるような割れを有しな
い。しかも、デポジットの有用な表面積が著しく増大す
る。最後に、デポジットされたシリコン層の電気的特性
が高まる。
本発明による装置は、太陽電池の製造に適用され得る。
本発明の詳細な説明するために本明細書に記述しかつ添
付図面に示した構成要素の細部、材料及び配置は、当業
者によって、特許請求の範囲に記載した本発明の原理及
び範囲内で様々に変更され得ると了解される。
【図面の簡単な説明】
第１図はフランス国特許公開第２３８０３５９号から公
知である装置の部分的横断面を示す斜視図、第２図は第
１図に示した型の装置における結晶化するシリコンの描
く等温線の形状と浴の水平面との関係を概略的に示す説
明図、第３図は第１図の装置を使用する公知方法でシリ
コン８− 被覆されたカーボンテープの横断面図、第４図は本発明
による装置の一具体例の部分的横断面を示す酬視図、第
５図は第４図の装置の上方から見た平面図、第６図は第
４図の装置の縦断面図、第７図は本発明装置において結
晶化するシリコンの描き得る等温線の様々な形状を概略
的に示す説明図である。 １・・・るつぼ、　２・・・シリコン融層、３・・・ス
リット、４・・・カーボンテープ、７・・・多結晶シリ
コン層、　１１．１２・・・側縁、１３．１４・・・ス
トリップ状側部、　１５．１６・・・縦溝形部材、１７
．１８・・・ロッド、　１９・・・結晶化等温線、討・
・・水平面。 代理人弁珊士今　村　几

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 カーボンテープに多結晶シリコン層をデポジットする装
    置であって、 一シリコン融浴を収容するべく構成されたるつぼと、 −シリコン融浴に少なくとも部分的に浸漬され、かつこ
    の浴の平衡表面を貫通して自身の長手方向へ鉛直に移動
    し、それによって多結晶シリコン層をデポジットされる
    カーボンテープを上方へ鉛直に移動させる手段と、−シ
    リコン融浴に部分的に浸漬されるべく構成された半円形
    横断面を有する２個の縦溝形部材であって、各々カーボ
    ンテープの各側縁を囲繞し、それによって浴の表面がカ
    ーボンテープ側縁近傍で毛管現象によシ上昇する縦溝形
    部材と、 −るつぼ壁部によって支持される、縦溝形部材の増付け
    られた支持体と を含むカーボンテープへの多結晶シリコン層デポジット
    装置。
JP59179147A 1983-08-30 1984-08-28 カ−ボンテ−プへの多結晶シリコン層デポジツト装置 Granted JPS60232272A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8313915 1983-08-30
FR8313915A FR2550965B1 (fr) 1983-08-30 1983-08-30 Dispositif pour deposer une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60232272A true JPS60232272A (ja) 1985-11-18
JPS6238031B2 JPS6238031B2 (ja) 1987-08-15

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JP (1) JPS60232272A (ja)
AT (1) ATE25931T1 (ja)
AU (1) AU561637B2 (ja)
CA (1) CA1224027A (ja)
DE (1) DE3462660D1 (ja)
FR (1) FR2550965B1 (ja)

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