JPS6238031B2 - - Google Patents

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JPS6238031B2
JPS6238031B2 JP59179147A JP17914784A JPS6238031B2 JP S6238031 B2 JPS6238031 B2 JP S6238031B2 JP 59179147 A JP59179147 A JP 59179147A JP 17914784 A JP17914784 A JP 17914784A JP S6238031 B2 JPS6238031 B2 JP S6238031B2
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JP
Japan
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bath
tape
silicon
carbon tape
depositing
Prior art date
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Application number
JP59179147A
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English (en)
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JPS60232272A (ja
Inventor
Berue Kurisuchan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JENERARU DEREKUTORISHITE CO
NASHIONARU ERUFU AKITEENU PURODEYUKUSHION SOC
Original Assignee
JENERARU DEREKUTORISHITE CO
NASHIONARU ERUFU AKITEENU PURODEYUKUSHION SOC
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Publication date
Application filed by JENERARU DEREKUTORISHITE CO, NASHIONARU ERUFU AKITEENU PURODEYUKUSHION SOC filed Critical JENERARU DEREKUTORISHITE CO
Publication of JPS60232272A publication Critical patent/JPS60232272A/ja
Publication of JPS6238031B2 publication Critical patent/JPS6238031B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/007—Pulling on a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
    • B05C3/02—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material
    • B05C3/12—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material for treating work of indefinite length
    • B05C3/125—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material for treating work of indefinite length the work being a web, band, strip or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/14—Removing excess of molten coatings; Controlling or regulating the coating thickness
    • C23C2/22—Removing excess of molten coatings; Controlling or regulating the coating thickness by rubbing, e.g. using knives, e.g. rubbing solids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/34—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the shape of the material to be treated
    • C23C2/36—Elongated material
    • C23C2/40—Plates; Strips
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カーボンテープに多結晶シリコン層
をデポジツトする装置であつて、シリコン融浴を
収容したるつぼと、シリコン融浴に少なくとも部
分的に浸漬され、かつこの浴の平衡表面を貫通し
て自身の長手方向へ鉛直に移動するカーボンテー
プと、カーボンテープの両面に多結晶シリコン層
をデポジツトするべく該テープを上方へ鉛直に漸
進させる手段とを含む型のデポジツト装置に係わ
る。
フランス国特許公開第2386359号に記載された
この型の公知装置ではるつぼの底部が狭隘な開口
部を具備しており、この開口部から浴に進入した
テープは上方へと前記浴を鉛直に通過する。
上記の装置には欠点が有る。即ちテープ両面に
デポジツトされるシリコン層の厚みがテープの両
側縁に向かつて急激に減少することが判明してい
る。その結果、デポジツトされたシリコン層はテ
ープの両側縁各々に沿つて、物理特性が層中央部
に比べて劣るストリツプ状側部を有することにな
る。これらのストリツプ状側部は、特に太陽電池
の製造には実質的に使用不能である。
本発明は、上記の欠点の克服を目的とする。
本発明によつて、カーボンテープに多結晶シリ
コン層をデポジツトする装置であつて、 − シリコン融浴を収容するべく構成されたるつ
ぼと、 − シリコン融浴に少なくとも部分的に浸漬さ
れ、かつこの浴の平衡表面を貫通して自身の長
手方向へ鉛直に移動し、それによつて多結晶シ
リコン層をデポジツトされるカーボンテープを
上方へ鉛直に移動させる手段と、 − シリコン融浴に部分的に浸漬されるべく構成
された半円形横断面を有する２個の縦溝形部材
であつて、各々カーボンテープの各側縁を囲繞
し、それによつて浴の表面がカーボンテープ側
縁近傍で毛管現象により上昇する縦溝形部材
と、 − るつぼ壁部によつて支持される、縦溝形部材
の取付けられた支持体 とを含む装置が提供される。
本発明の一具体例を、添付図面を参照しつつ以
下に説明し、それによつて本発明の他の目的及び
利点を明らかにする。
新規な諸特徴については、特許請求の範囲にお
いて特に指摘する。
第１図に、シリコン融浴２を収容した平行六面
体形のシリカ製るつぼ１を示す。るつぼ１の底部
は狭隘なスリツト３を具備しており、このスリツ
ト３を鉛直に通過して浴２に進入したカーボンテ
ープ４は、浴の水平な平衡表面を貫通して該浴２
から出てゆく。スリツトの幅は、スリツト内の液
体シリコンのメニスカスが常に安定であるように
決定される。
第１図に示した装置は、るつぼ１の周囲に配置
されてシリコンを液状に維持する加熱手段（図示
せず）を更に含む。
運転時、テープ４が矢印６の方向へ移動される
と、浴を出てゆくテープの両面に多結晶シリコン
層７がデポジツトされる。
第２図は、テープ４上の結晶化等温線、即ち液
体シリコンのメニスカスとデポジツトされたシリ
コン層との接合線の形状を示す。層中央部では前
記等温線は実質的に、浴の水平面２４上方に水平
に位置する直線８であることが知見される。他方
層の両側部では、結晶化等温線は沿の水平面の方
へ急激に下降し、二つの下側に湾曲した部分９及
び１０を生じている。
この結果として、デポジツトされるシリコンの
厚みはテープの両側縁１１及び１２に向かつて急
激に減少する。この減少は第３図において、テー
プ４にデポジツトされた二つのシリコン層のスト
リツプ状の両側部１３及び１４として認められ
る。冷却の際、シリコンとテープのカーボンとの
熱膨張率差に起因する熱弾性応力がシリコン層に
加わるが、この応力はシリコン層の厚みに逆比例
する。前記応力によつてシリコン層のストリツプ
状側部には微小な割れが生じ、この割れは、通常
層のデポジツトに続いて実施される切断工程の間
に広がるおそれがある。
更に、接合線がストリツプ状側部において湾曲
することでデポジツトされるシリコン層の粒子の
整列が乱され、このことは該層の電気的特性の劣
化を招く。
第４図〜第６図に示した装置は第１図〜第３図
に示した装置と同じ構成要素を含み、それらの要
素は同じ参照符号を有する。本発明の一特徴によ
れば、第４図〜第６図の装置は半円形の横断面を
有する２個の縦溝形部材１５及び１６を更に含
む。前記部材１５及び１６は例えば、円形横断面
を有する管を軸平面で二分することによつて形成
され得る。例えば石英製であり得るこれらの縦溝
形部材はそれぞれその凸面において各石英ロツド
１７及び１８に溶接され、前記ロツド１７及び１
８の端部はるつぼ１の側壁縁部に取付けられる。
石英ロツド１７及び１８は縦溝形部材１５及び１
６をテープ４の両側縁１１及び１２各々の横に鉛
直に保持し、その際部材１５及び１６の凹面が側
縁１１及び１２の方へ向けられる。縦溝形部材１
５及び１６は浴２に部分的に浸漬されており、そ
の結果浴水平面を毛管現象によりテープ両側縁の
近傍で上昇させる。第４図〜第６図の装置におい
て縦溝形部材１５及び１６は、結晶化等温線１９
（第６図参照）がテープ４の全幅にわたつて直線
状となるようにテープ両側縁に対して配置され
る。
液体シリコンが毛管現象によつて縦溝形部材沿
いに上昇する程度は、次のパラメータ、即ち − 縦溝形部材の内径 − 縦溝形部材のテープ両側縁に関する距離及び
向き を変更することによつて制御可能である。
第７図は、上記のパラメータの調整によつてテ
ープ両側縁部の結晶化等温線を先行技術において
得られる曲線２０に比して上昇させ、実質的に２
１，２２及び２３といつた曲線とし得ることを示
している。曲線２１はなお浴水平面２４の方へ落
込んでいるが、曲線２２は既に直線状であり、ま
た曲線２３は僅かに上方を指向している。
本発明装置はカーボンテープにシリコンをデポ
ジツトするのに使用され得、その際形成されるデ
ポジツトは先行技術において生じるような割れを
有しない。しかも、デポジツトの有用な表面積が
著しく増大する。最後に、デポジツトされたシリ
コン層の電気的特性が高まる。
本発明による装置は、太陽電池の製造に適用さ
れ得る。
本発明の性質を説明するために本明細書に記述
しかつ添付図面に示した構成要素の細部、材料及
び配置は、当業者によつて、特許請求の範囲に記
載した本発明の原理及び範囲内で様々に変更され
得ると了解される。
【図面の簡単な説明】
第１図はフランス国特許公開第2380359号から
公知である装置の部分的横断面を示す斜視図、第
２図は第１図に示した型の装置における結晶化す
るシリコンの描く等温線の形状と浴の水平面との
関係を概略的に示す説明図、第３図は第１図の装
置を使用する公知方法でシリコン被覆されたカー
ボンテープの横断面図、第４図は本発明による装
置の一具体例の部分的横断面を示す斜視図、第５
図は第４図の装置の上方から見た平面図、第６図
は第４図の装置の縦断面図、第７図は本発明装置
において結晶化するシリコンの描き得る等温線の
様々な形状を概略的に示す説明図である。 １……るつぼ、２……シリコン融浴、３……ス
リツト、４……カーボンテープ、７……多結晶シ
リコン層、１１，１２……側縁、１３，１４……
ストリツプ状側部、１５，１６……縦溝形部材、
１７，１８……ロツド、１９……結晶化等温線、
２４……水平面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ カーボンテープに多結晶シリコン層をデポジ
    ツトする装置であつて、 − シリコン融浴を収容するべく構成されたるつ
    ぼと、 − シリコン融浴に少なくとも部分的に浸漬さ
    れ、かつこの浴の平衡表面を貫通して自身の長
    手方向へ鉛直に移動し、それによつて多結晶シ
    リコン層をデポジツトされるカーボンテープを
    上方へ鉛直に移動させる手段と、 − シリコン融浴に部分的に浸漬されるべく構成
    された半円形横断面を有する２個の縦溝形部材
    であつて、各々カーボンテープの各側縁を囲繞
    し、それによつて浴の表面がカーボンテープ側
    縁近傍で毛管現象により上昇する縦溝形部材
    と、 − るつぼ壁部によつて支持される、縦溝形部材
    の取付けられた支持体と を含むカーボンテープへの多結晶シリコン層デ
    ポジツト装置。
JP59179147A 1983-08-30 1984-08-28 カ−ボンテ−プへの多結晶シリコン層デポジツト装置 Granted JPS60232272A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8313915A FR2550965B1 (fr) 1983-08-30 1983-08-30 Dispositif pour deposer une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone
FR8313915 1983-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60232272A JPS60232272A (ja) 1985-11-18
JPS6238031B2 true JPS6238031B2 (ja) 1987-08-15

Family

ID=9291888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59179147A Granted JPS60232272A (ja) 1983-08-30 1984-08-28 カ−ボンテ−プへの多結晶シリコン層デポジツト装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4520752A (ja)
EP (1) EP0141941B1 (ja)
JP (1) JPS60232272A (ja)
AT (1) ATE25931T1 (ja)
AU (1) AU561637B2 (ja)
CA (1) CA1224027A (ja)
DE (1) DE3462660D1 (ja)
FR (1) FR2550965B1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2561139B1 (fr) * 1984-03-16 1986-09-12 Comp Generale Electricite Dispositif pour deposer une couche de silicium sur un ruban de carbone
FR2579372B1 (fr) * 1985-03-25 1987-05-07 Comp Generale Electricite Procede et dispositif pour tirer un ruban constitue par un support revetu d'une couche d'un materiau semi-conducteur a partir d'un bain liquide de ce materiau
US4861416A (en) * 1985-04-04 1989-08-29 The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration Ribbon growing method and apparatus
JP2003504295A (ja) * 1999-07-02 2003-02-04 エバーグリーン ソーラー， インコーポレイテッド 結晶リボン成長のエッジメニスカス制御
JP4527538B2 (ja) * 2002-10-18 2010-08-18 エバーグリーン ソーラー， インコーポレイテッド 結晶成長のための方法および装置
US6814802B2 (en) * 2002-10-30 2004-11-09 Evergreen Solar, Inc. Method and apparatus for growing multiple crystalline ribbons from a single crucible
FR2864554B1 (fr) * 2003-12-24 2006-03-10 Solarforce Dispositif pour deposer une couche de silicium polycristallin sur un support
FR2884834B1 (fr) * 2005-04-22 2007-06-08 Solarforce Soc Par Actions Sim Procede de tirage de rubans de semi-conducteur de faible epaisseur
US8092594B2 (en) * 2005-06-17 2012-01-10 Solarforce Carbon ribbon to be covered with a thin layer made of semiconductor material and method for depositing a layer of this type
FR2887262B1 (fr) * 2005-06-17 2007-07-27 Solarforce Soc Par Actions Sim Ruban de carbone destine a etre recouvert d'une couche mince d'un materiau semi-conducteur et procede de depot d'une telle couche
CN101784701A (zh) * 2007-08-31 2010-07-21 长青太阳能股份有限公司 具有经挤出的耐火材料的带状晶体线
FR2959873B1 (fr) * 2010-05-04 2012-04-27 Solarforce Ruban de carbone destine a recevoir une couche d'un materiau semi-conducteur
JP6593093B2 (ja) * 2015-10-22 2019-10-23 東レ株式会社 塗布装置、塗工装置および塗膜付ウェブの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1503128A (en) * 1922-04-17 1924-07-29 L S & N Corp Process and apparatus for coating corset steels
US2577904A (en) * 1948-02-03 1951-12-11 Armco Steel Corp Method for hot dip coating of metal strip
DE1286510B (de) * 1962-11-23 1969-01-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von bandfoermigen, aus Halbleitermaterial bestehenden Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze
US3429734A (en) * 1965-10-24 1969-02-25 Texas Instruments Inc Method and apparatus for coating metal strip
GB1487587A (en) * 1974-12-04 1977-10-05 Metals Res Ltd Crystal growth
US4299648A (en) * 1980-08-20 1981-11-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for drawing monocrystalline ribbon from a melt

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Publication number Publication date
AU3250384A (en) 1985-03-07
EP0141941B1 (fr) 1987-03-18
US4520752A (en) 1985-06-04
DE3462660D1 (en) 1987-04-23
AU561637B2 (en) 1987-05-14
ATE25931T1 (de) 1987-04-15
FR2550965B1 (fr) 1985-10-11
CA1224027A (fr) 1987-07-14
JPS60232272A (ja) 1985-11-18
FR2550965A1 (fr) 1985-03-01
EP0141941A1 (fr) 1985-05-22

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