JPS60227390A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS60227390A JPS60227390A JP59082970A JP8297084A JPS60227390A JP S60227390 A JPS60227390 A JP S60227390A JP 59082970 A JP59082970 A JP 59082970A JP 8297084 A JP8297084 A JP 8297084A JP S60227390 A JPS60227390 A JP S60227390A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- emitting
- stage
- transparent conductive
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は歩留りを向上し寿命を長くすることができる薄
膜ＥＬ素子に関する。
膜ＥＬ素子に関する。
（ロ）従来技術
最近薄＠ＥＬ素子が表示装置に用いられる傾向にあり・
特に高輝度表示、階調表示、中間色表示を行なうために
発光層を２つ重ねて設けた薄膜ＥＬ素子が実開昭５８−
１１３０７８などで知られている。第１図は従来のこの
種の薄膜ＥＬ素子の構造を示しており、１は透明な基板
ガラスで、その上に１Ｔｏ（酸化インジウムと酸化すず
との混合物）などの透明導電膜２ 、Ｙ２Ｏ３などの絶
縁膜３、ＺｎＳを母体とし赤色を発光させるための発光
中心として若干のＳｍＦｇを添加した発光膜４ 、Ｙ２
Ｏ５などの絶縁膜５が順次５０００〜８０００Ａの膜厚
で真空蒸着され、絶縁膜５の上にｉＴ。
特に高輝度表示、階調表示、中間色表示を行なうために
発光層を２つ重ねて設けた薄膜ＥＬ素子が実開昭５８−
１１３０７８などで知られている。第１図は従来のこの
種の薄膜ＥＬ素子の構造を示しており、１は透明な基板
ガラスで、その上に１Ｔｏ（酸化インジウムと酸化すず
との混合物）などの透明導電膜２ 、Ｙ２Ｏ３などの絶
縁膜３、ＺｎＳを母体とし赤色を発光させるための発光
中心として若干のＳｍＦｇを添加した発光膜４ 、Ｙ２
Ｏ５などの絶縁膜５が順次５０００〜８０００Ａの膜厚
で真空蒸着され、絶縁膜５の上にｉＴ。
などの透明導電膜６が蒸着で形成され、これらの膜２〜
６で１段目のＥＬ素子を形成している。
６で１段目のＥＬ素子を形成している。
さらに透明導電膜６の上に再びＹ２Ｏ３などの絶縁膜７
と、ｚｎＳを母体とし緑色を発光させるための発光中心
として若干のＴｂＦｓを添加した発光膜８と、Ｙ２Ｏ３
などの絶縁膜９とを順次真空蒸着し、その上に蒸着でに
１電極１０を形成する。これらの膜６〜９とＡｔ１ｌＥ
極１０とで２段目のＥＬ素素子影形成ている。１段目の
ＥＬ素子と２段目のＥＬ素子は表面パターンが完全に重
なるように、電極となる透明導電膜２と６とに１電極１
０とがペターニングされている。１ｔｆｉ封止用ガラス
板で、ガラス基板１とガラス板１１とはスペーサ１２で
支持でれ、両ガラス板ｌ、１１とスペーサ１２とにより
形成される空間に耐湿性を向上させるためシリコ／油１
３が充填されている。
と、ｚｎＳを母体とし緑色を発光させるための発光中心
として若干のＴｂＦｓを添加した発光膜８と、Ｙ２Ｏ３
などの絶縁膜９とを順次真空蒸着し、その上に蒸着でに
１電極１０を形成する。これらの膜６〜９とＡｔ１ｌＥ
極１０とで２段目のＥＬ素素子影形成ている。１段目の
ＥＬ素子と２段目のＥＬ素子は表面パターンが完全に重
なるように、電極となる透明導電膜２と６とに１電極１
０とがペターニングされている。１ｔｆｉ封止用ガラス
板で、ガラス基板１とガラス板１１とはスペーサ１２で
支持でれ、両ガラス板ｌ、１１とスペーサ１２とにより
形成される空間に耐湿性を向上させるためシリコ／油１
３が充填されている。
このような構造の薄膜ＥＬ素子の透明導電膜２と６との
間に数ＫＨｚ百数１０Ｖ程度の交流電圧Ｅ＋を印加する
と、発光膜４中の色中心が励起されて赤色発光する。印
加電圧を変えることによって発光輝度を任意に変えるこ
とができる。
間に数ＫＨｚ百数１０Ｖ程度の交流電圧Ｅ＋を印加する
と、発光膜４中の色中心が励起されて赤色発光する。印
加電圧を変えることによって発光輝度を任意に変えるこ
とができる。
また透明導電膜６とｄ電極１０との間に交流電圧Ｅ２を
印加すると、発光膜８中の色中心が励起されて緑色発光
する。１段目の赤色発光ＥＬ素子と２段目の緑色発光Ｅ
Ｌ素子を適当な輝度比で同時に点灯させることによって
、発光色を緑→黄緑→黄→橙→赤と連続的に変化する中
間°色が得られる。
印加すると、発光膜８中の色中心が励起されて緑色発光
する。１段目の赤色発光ＥＬ素子と２段目の緑色発光Ｅ
Ｌ素子を適当な輝度比で同時に点灯させることによって
、発光色を緑→黄緑→黄→橙→赤と連続的に変化する中
間°色が得られる。
このような構成の従来の薄膜ＥＬ素子においては、１枚
の基板ガラス上に２つのＥＬ素子（赤と緑）を２段積層
する構造であるために、一方のＥＬ素子の製造上の歩留
りが他方のＥＬ素子の歩留りに影響を与えるので歩留り
が著しく低い。また２段のＥＬ素子のいずれか一方のピ
ンホール破壊が他方のＥＬ素子のピンホール破壊を誘発
するため全体のピンホール破壊の発生率が高い。その結
果として発光層がシリコン油中に微量に含有する有害な
水分やアルカリに侵逼れる確率が高まり、寿命が短くな
るという問題がある。
の基板ガラス上に２つのＥＬ素子（赤と緑）を２段積層
する構造であるために、一方のＥＬ素子の製造上の歩留
りが他方のＥＬ素子の歩留りに影響を与えるので歩留り
が著しく低い。また２段のＥＬ素子のいずれか一方のピ
ンホール破壊が他方のＥＬ素子のピンホール破壊を誘発
するため全体のピンホール破壊の発生率が高い。その結
果として発光層がシリコン油中に微量に含有する有害な
水分やアルカリに侵逼れる確率が高まり、寿命が短くな
るという問題がある。
に）発明の目的および構成
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、中間色
が発色可能な薄膜ＥＬ素子の歩留りを向上し長寿命化を
図ることを目的とし、この目的を達成するために２つの
ＥＬ素子を別々の透明基板に形成し、両ＥＬ素子の表示
パターンどうしが一致するように対向して配置したもの
である。
が発色可能な薄膜ＥＬ素子の歩留りを向上し長寿命化を
図ることを目的とし、この目的を達成するために２つの
ＥＬ素子を別々の透明基板に形成し、両ＥＬ素子の表示
パターンどうしが一致するように対向して配置したもの
である。
に）実施例
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第２図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一実施例の構造を
示しており、薄膜ＥＬ素子は透明基板を構成する基板ガ
ラス２１上に形成された赤色発光ＥＬ素子２０と、基板
ガラス３１上に形成された緑色発光ＥＬ素子３０とを対
向して配置したものである。
示しており、薄膜ＥＬ素子は透明基板を構成する基板ガ
ラス２１上に形成された赤色発光ＥＬ素子２０と、基板
ガラス３１上に形成された緑色発光ＥＬ素子３０とを対
向して配置したものである。
１段目のＥＬ素子２０け、ガラス基板２１上にｉＴｏな
どの透明導電膜２２と、Ｙ２Ｏ２などの絶縁膜２３と、
ＺｎＳに若干のＳｍＦ３を添加した発光膜２４と、Ｙ２
（ｈなどの絶縁膜２５とをガラス基板２１のほぼ全面に
わたって５０００ Ａ〜８０００ Ａの膜厚で順次真空
蒸着することにより形成される。真空蒸着後ｉＴｏなど
の透明導電膜２６をエツチングで所望のパターンに形成
する。同様に２段目のＥＬ素子３０は、ガラス基板３１
上にｉＴｏなどの透明導電膜３２と、Ｙ２Ｏ３などの絶
縁膜３３と、Ｚｎ８に若干のＴｂＦｓを添加した発光膜
３４と、ｙ、ｏ、などの絶縁膜３５とをガラス基板３１
のほぼ全面にわたって５０００ Ａ〜８０００ Ａの膜
厚で順次真空蒸着し、その上に透明導電膜３６をエツチ
ングによりパターン形成することにより形成される。こ
の２段目の素子ＥＬ３０の透明導電膜３２および３６の
パターンは１段目の素子ＥＬ２０の透明導電膜２２およ
び２６のパターンと同じにする。
どの透明導電膜２２と、Ｙ２Ｏ２などの絶縁膜２３と、
ＺｎＳに若干のＳｍＦ３を添加した発光膜２４と、Ｙ２
（ｈなどの絶縁膜２５とをガラス基板２１のほぼ全面に
わたって５０００ Ａ〜８０００ Ａの膜厚で順次真空
蒸着することにより形成される。真空蒸着後ｉＴｏなど
の透明導電膜２６をエツチングで所望のパターンに形成
する。同様に２段目のＥＬ素子３０は、ガラス基板３１
上にｉＴｏなどの透明導電膜３２と、Ｙ２Ｏ３などの絶
縁膜３３と、Ｚｎ８に若干のＴｂＦｓを添加した発光膜
３４と、ｙ、ｏ、などの絶縁膜３５とをガラス基板３１
のほぼ全面にわたって５０００ Ａ〜８０００ Ａの膜
厚で順次真空蒸着し、その上に透明導電膜３６をエツチ
ングによりパターン形成することにより形成される。こ
の２段目の素子ＥＬ３０の透明導電膜３２および３６の
パターンは１段目の素子ＥＬ２０の透明導電膜２２およ
び２６のパターンと同じにする。
このようにして形成した赤色発光素子ＥＬ２０と緑色発
光素子ＥＬ３０とを蒸着面どうしを向い合わせ、互いの
表示７ぐターンが重なるように平行ニ装置し、スペーサ
３７を介して接着する。
光素子ＥＬ３０とを蒸着面どうしを向い合わせ、互いの
表示７ぐターンが重なるように平行ニ装置し、スペーサ
３７を介して接着する。
スペーサの厚さは１００μｍ以下が望ましい。両ＥＬ素
子２０．３０とスペーサ３７とで囲まれる空間に透明な
シリコン油３８を充填し１シリコン油（あるいｌｄ Ａ
ｒ ｓ Ｈｚなどの不活性ガスまたは真空にする）がも
れないように密封する。
子２０．３０とスペーサ３７とで囲まれる空間に透明な
シリコン油３８を充填し１シリコン油（あるいｌｄ Ａ
ｒ ｓ Ｈｚなどの不活性ガスまたは真空にする）がも
れないように密封する。
各ＥＬ素子に各部回路から交流電圧を印加するための電
極取り出し口（斜線で示しである）を第３図（イ）に示
すように基板をずらすか、同図仲）に示すように基板の
寸法を変える、または同図（ハ）に示すように基板の向
きを変えるかして設ける０ このような構成の薄膜ＥＬ素子の透明導電膜２２と２６
との間に数ＫＨｚ百数１０ｖの交流電圧Ｅ１を印加する
と赤色を発光し、透明導電膜３２と３６との間に同様の
交流電流Ｅ２を印加すると緑色を発光する。従って両Ｅ
Ｌ素子を同時に任意の輝度で発光させると任意の中間色
が発色でき、従来の薄膜ＥＬ素子と全く同等の表示機能
が得られる。
極取り出し口（斜線で示しである）を第３図（イ）に示
すように基板をずらすか、同図仲）に示すように基板の
寸法を変える、または同図（ハ）に示すように基板の向
きを変えるかして設ける０ このような構成の薄膜ＥＬ素子の透明導電膜２２と２６
との間に数ＫＨｚ百数１０ｖの交流電圧Ｅ１を印加する
と赤色を発光し、透明導電膜３２と３６との間に同様の
交流電流Ｅ２を印加すると緑色を発光する。従って両Ｅ
Ｌ素子を同時に任意の輝度で発光させると任意の中間色
が発色でき、従来の薄膜ＥＬ素子と全く同等の表示機能
が得られる。
薄膜ＥＬ素子をこのような構成にすると以下に説明する
理由で従来のものに比べて格段に歩留りを向上させるこ
とができる。
理由で従来のものに比べて格段に歩留りを向上させるこ
とができる。
従来の可変色薄膜ＥＬ素子の製造工程において、１段目
の赤色発光ＥＬ素子における不良率をＮｌＲ５２段目の
緑色発光ＥＩ、素子における不良率ＮＩＧとすると、従
来の歩留りＳｌはＳ＋＝（１−ＮＩＲ）（１−Ｎｔｃ）
ＩＮ、Ｒ１〈１、ＩＮ、、ｌ≦１となる。一方、本発
明による薄膜ＥＬ素子の゛製造工程において、赤色発光
ＥＬ素子の製造における不良率をＮ２Ｒ％緑色発光ＥＬ
素子における不良率をＮ２Ｇとすると、両ＥＬ素子を別
の基板ガラスに形成するため歩留りＳ２は ８２ ＝ （１−ＮＯＲ）またＦｉ（ｔ Ｎ２（１）の
小さい方となる。
の赤色発光ＥＬ素子における不良率をＮｌＲ５２段目の
緑色発光ＥＩ、素子における不良率ＮＩＧとすると、従
来の歩留りＳｌはＳ＋＝（１−ＮＩＲ）（１−Ｎｔｃ）
ＩＮ、Ｒ１〈１、ＩＮ、、ｌ≦１となる。一方、本発
明による薄膜ＥＬ素子の゛製造工程において、赤色発光
ＥＬ素子の製造における不良率をＮ２Ｒ％緑色発光ＥＬ
素子における不良率をＮ２Ｇとすると、両ＥＬ素子を別
の基板ガラスに形成するため歩留りＳ２は ８２ ＝ （１−ＮＯＲ）またＦｉ（ｔ Ｎ２（１）の
小さい方となる。
素子の構造を見れば明らかなように、従来例の１段目の
赤色発光ＥＬ素子と、実施例の赤色発光ＥＬ素子および
緑色発光ＥＬ素子の製造工程は全く同じだから不良率は
＃１は等しいので、ＮＩＲ二Ｎ、、 ： Ｎ、ＧＩＮと
置くとＳｓ／Ｓｔ ＝ １／ （１−Ｎｔｃ）となり、
”／（ＩＮＡＧ）だけ歩留りを向上できることがわかる
。実際にＶｉＮｌａは０．２〜０．３の値を取ることが
多いので、これらの値を上式に代入すると８２７３１＝
１．２２〜１．４２となり歩留りを２２％〜４２％向
上させることができる。
赤色発光ＥＬ素子と、実施例の赤色発光ＥＬ素子および
緑色発光ＥＬ素子の製造工程は全く同じだから不良率は
＃１は等しいので、ＮＩＲ二Ｎ、、 ： Ｎ、ＧＩＮと
置くとＳｓ／Ｓｔ ＝ １／ （１−Ｎｔｃ）となり、
”／（ＩＮＡＧ）だけ歩留りを向上できることがわかる
。実際にＶｉＮｌａは０．２〜０．３の値を取ることが
多いので、これらの値を上式に代入すると８２７３１＝
１．２２〜１．４２となり歩留りを２２％〜４２％向
上させることができる。
次に薄膜ＥＬ素子を発光層ぜた場合について考えてみる
と、ＥＬ素子は一般に塵や基板ガラスの傷、レジストの
残し等が原因の弱点を必ず有する。従ってこれらの原因
を除去することも可能だがそのためには膨大な設備投資
を要するのみならず工程が複雑になり製造コストが大幅
に上がるためある程度の妥協が図られる。このような弱
点な有するＥＬ素子に電圧を印加し発光させるとこれら
の弱点のために次々に破壊しピンホール吠の痕が残る。
と、ＥＬ素子は一般に塵や基板ガラスの傷、レジストの
残し等が原因の弱点を必ず有する。従ってこれらの原因
を除去することも可能だがそのためには膨大な設備投資
を要するのみならず工程が複雑になり製造コストが大幅
に上がるためある程度の妥協が図られる。このような弱
点な有するＥＬ素子に電圧を印加し発光させるとこれら
の弱点のために次々に破壊しピンホール吠の痕が残る。
この痕は捷ず第１に非発光点として残り表示の品質を低
下させるため有害である。第２に発光層ＺｎＳに水分や
アルカリイオンが侵入するとＥＬ素子の劣化が加速され
るが、基板ガラスやシリコン油に含まれる水分、アルカ
リイオンの侵入経路となるため極めて有害である。従来
の薄膜ＥＬ素子は赤、緑２つのＥＬ素子を２段積層構造
になっているため・たとえば１段目の赤色発光ＥＬ素子
のある弱点が破壊するとその直上にある緑色発光ＥＬ素
子も同時に破壊する。すなわち２段目の緑色発光ＥＬ素
子は、本来的に有する弱点のほかに１段目の赤色発光Ｅ
Ｌ素子の弱点も共有する（同じことが１段目の赤色発光
ＥＬ素子につ゛いても言える）ので上記有害なピンホー
ル痕が発生する率が高い。これに対して本実施例は赤色
発光ＥＬ素子とが空間的に完全に独立しているためピン
ホール痕の発生率が低い。
下させるため有害である。第２に発光層ＺｎＳに水分や
アルカリイオンが侵入するとＥＬ素子の劣化が加速され
るが、基板ガラスやシリコン油に含まれる水分、アルカ
リイオンの侵入経路となるため極めて有害である。従来
の薄膜ＥＬ素子は赤、緑２つのＥＬ素子を２段積層構造
になっているため・たとえば１段目の赤色発光ＥＬ素子
のある弱点が破壊するとその直上にある緑色発光ＥＬ素
子も同時に破壊する。すなわち２段目の緑色発光ＥＬ素
子は、本来的に有する弱点のほかに１段目の赤色発光Ｅ
Ｌ素子の弱点も共有する（同じことが１段目の赤色発光
ＥＬ素子につ゛いても言える）ので上記有害なピンホー
ル痕が発生する率が高い。これに対して本実施例は赤色
発光ＥＬ素子とが空間的に完全に独立しているためピン
ホール痕の発生率が低い。
上記実施例は異なる２色を発色する２組のＥＬ素子を用
いて２色の中間色を発光する薄膜ＥＬ素子を例示したが
、本発明は同色を発光する２組のＥＬ素子を用いて輝度
表示や階調表示を行なう薄膜ＥＬ素子にも適用すること
ができる。
いて２色の中間色を発光する薄膜ＥＬ素子を例示したが
、本発明は同色を発光する２組のＥＬ素子を用いて輝度
表示や階調表示を行なう薄膜ＥＬ素子にも適用すること
ができる。
（ホ）発明の詳細
な説明したように、本発明においては、２つのＥＬ素子
をそれぞれ別々の透明基板に形成し蒸着面が互いに向か
い合うように配置する構成としたので、従来の中間色表
示、輝度表示、階調表示などの表示機能をなんら損なう
ことなく、製造の歩留りを少なくとも２０％向上させ、
加えて表示品質の低下や素子の劣化を招くピンホール痕
の発生率を低減できる。
をそれぞれ別々の透明基板に形成し蒸着面が互いに向か
い合うように配置する構成としたので、従来の中間色表
示、輝度表示、階調表示などの表示機能をなんら損なう
ことなく、製造の歩留りを少なくとも２０％向上させ、
加えて表示品質の低下や素子の劣化を招くピンホール痕
の発生率を低減できる。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示す断面図、第２
図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一実施例の構造を示す
断面図、第３図は第２図の実施例における２枚の基板ガ
ラスの位置関係を示す図である。 ２１．３１・・・ガラス基板、２２．２６．３２゜３６
・・・透明導電膜、２３．２５，３３．３５・・・絶縁
膜、２４．３４・・・発光膜 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男 第１図
図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一実施例の構造を示す
断面図、第３図は第２図の実施例における２枚の基板ガ
ラスの位置関係を示す図である。 ２１．３１・・・ガラス基板、２２．２６．３２゜３６
・・・透明導電膜、２３．２５，３３．３５・・・絶縁
膜、２４．３４・・・発光膜 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男 第１図
Claims (2)
- （１） ２枚の平行に配置された透明基板と、該透明基
板のそれぞれの対向面に電極パターンが一致するように
形成された１組のＥＬ素子とから成ることを特徴とする
薄膜ＥＬ素子。 - （２）前記２枚の透明基板に形成される１組のＥＬ素子
が異なる発光色を有する特許請求の範囲第１項に記載の
薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59082970A JPS60227390A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59082970A JPS60227390A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227390A true JPS60227390A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13789072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59082970A Pending JPS60227390A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140699U (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59082970A patent/JPS60227390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140699U (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 |
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