JPS6022606Y2 - 筒状チツプコンデンサ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、リード線を具備しないコンデンサに関し、更
に詳細には筒状に形成されたチップコンデンサに関する
。

混成集積回路又はその他の回路に使用されるチップコン
デンサとして、第１図に示す板状チップコンデンサと第
２図に示す積層チップコンデンサとが知られている。

第１図に示す板状チップコンデンサは、誘電体磁器基板
１に第１の電極２と第２の電極３とを設けたものであり
、上面の第２の電極３と第１の電極２の上面導出部２ａ
とを利用して配線導体に接着されるように構成されてい
る。

第２図に示す積層チップコンデンサは、電極金属４と磁
器５とを交互に積層し、両側に接続電極部６及び７を設
けたものである。

ところで、板状チップコンデンサを小形に保って所望の
容量を得るためには磁器基板１を薄くする必要があり、
機械的強度が小になることが免れなかった。

このため、チップを自動的に製造すること及びチップを
回路基板に自動的に装着することが困難であった。

これに対して、積層チップコンデンサは、小形にして大
きな容量を得ることが出来るという利点を有する反面、
製作が面倒で高価になるという欠点及び磁器５が薄いた
めに熱クラツクが発生し、高信頼性を得ることが難しい
という欠点を有している。

そこで、本考案の目的は、チップを自動的に製作するこ
とが容易であると共に、チップを自動装着することも容
易であり、更に中空部への半田の進入を防止して電極の
銀くわれ等を阻止することが可能である構造のチップコ
ンデンサを提供スることにある。

上記目的を遠戚するための本考案は、筒状誘電体と、前
記筒状誘電体の内周面部分及び該内周面部分に連続する
前記筒状誘電体の一端及び該一端に連続する前記筒状誘
電体の外周面の一部に形戒された第１の電極と、前記第
１の電極との間に第１及び第２の分離領域を有して前記
筒状誘電体の外周面に形成された第２の電極と、前記筒
状誘電体の外周面上に設けられた前記第１の電極の外部
接続領域は被覆しないが、前記第１の電極の少なくとも
前記筒状誘電体の一端上部分は被覆するように形成され
た第１の絶縁被膜と、前記筒状誘電体の他端を少なくと
も被覆するように形成された第２の絶縁被膜と、前記第
２の電極の外部接続領域を除いて少なくとも前記第２の
電極を被覆するように形成された第３の絶縁被膜とから
戊る筒状チップコンデンサに係わるものである。

上記本考案によれば、積層構造とせずに筒状にして容量
の増大を図っているので、量産性が向上し、コストの低
減が可能である。

また積層構造としないので、熱クラツク等による欠陥も
少なくなる。

また筒状であるのでチップの自動装着の際のチップの自
動移送等が容易になる。

また第１及び第２の絶縁被膜によって筒状誘電体の両端
を被覆しているので、チップコンデンサを回路基板に接
着する際に半田浸漬されても、第１及び第２の絶縁被膜
に於ける半田の表面張力の関係で、溶融半田が筒内に進
入することが阻止され、第１の電極が銀焼付であったと
しても、半田による銀くわれ現象が生じない。

また第３の絶縁被膜が設けられているので、回路基板の
配線導体から絶縁することが可能になり、交叉配線が可
能になる。

以下、図面を参照して本考案の実施例に付いて述べる。

本考案の１実施例に係わる筒状チップコンデンサ１０を
示す第３図〜第５図に於いて、円筒状磁器誘電体１１上
に第１の電極１２と第２の電極１３とが銀ペーストを焼
付けることによって形成されている。

尚第１の電極１２は第５図から明らかなように誘電体１
１の内周面１４及び誘電体１１の一端１５及び誘電体１
１の外周面１６の左側一部１７に形成され、また第２の
電極１３は、第１の電極１２との間に第１及び第２の分
離領域１８及び１９を有して誘電体１１の外周面１６に
形成されている。

上記第２の分離領域１９は誘電体１１の他端２０と内周
面１４の右端近傍領域２１と外周面１６の右端近傍領域
２２とを含む。

換言すれば、第１の電極１２と第２の電極１３との分離
を確実にするために、内周面右端近傍領域２１には第１
の電極１２が設けられず、また外周面近傍領域２２には
第２の電極１３が設けられていない。

２３は第１の絶縁被膜であって、誘電体１１の一端１５
に於ける第１の電極１２上即ち第１の電極１２の筒状誘
電体一端部分に形成されていると共に、第１の電極１２
の内周面及び外周面にも僅かに被着されている。

２４は第２の絶縁被膜であって、誘電体１１の他端２０
に被着されていると共に第２の分離領域１９全体に被着
され、更に第１の電極１２と第２の電極１３との右端に
も被着されている。

２５は第３の絶縁被膜であって、第１及び第２の電極１
２及び１３に第１及び第２の外部接続領域２６及び２７
を残した状態に形成されている。

即ち、この第３の絶縁被膜２５は第２の外部接続領域２
７を除いた第２の電極１３の全部及び第１の分離領域１
８及び第１の電極１２の一部に形成されている。

上述の筒状チップコンデンサ１０の幾何学的大きさを例
示すると、誘電体１１の円筒の長さが３．５ｍｍ、円筒
の内径が１．−１円筒の外径が１．５ｍｍ、第１の絶縁
被膜２３の左側即ち円筒体左端から第１の外部接続領域
２６までの長さ０．］ｒｒｖｎ 、第１の外部接続領域
２６の幅が０．３順、第２の絶縁被膜２４の右端即ち円
筒体右端から第２の外部接続領域２７までの長さが０．
１ｍｍ、第２の外部接続領域２７の幅が０．３ｍｍ、□
第１の分離領域１８の幅が０．２馴である。

従って、第１の外部接続領域２６は第２の外部接続領域
２７と対称的に設けられており、方向性を考慮しないで
使用することが可能な形態になっている。

上述の如き筒状チップコンデンサの製造方法に付いて述
べると、まず、磁器材料をボールミルにて配合し、脱水
、乾燥した後にポリ・ビニール・アルコールのような有
機結合剤を添加して造粒する。

次に、粉末冶金的手段にて焼上り寸法１．５φＸ３．５
７Ｆ＋７１１になる様に底型し、これを約１３５０℃で
焼成する。

次に、銀ペーストの付いたピンを円筒形磁器誘電体１１
の中空部に挿入し、また誘電体１１の外周面には銀ペー
ストの付いた転写ローラを当接させ、転写ローラを回転
させることによってピンを軸にして円筒形磁器誘電体１
１も回転させ、誘電体１１の内周面１４及び外周面１６
の所定領域に銀ペースト焼付を転写印刷する。

勿論この時誘電体１１の一端１５にも銀ペーストを塗布
する。

次に、乾燥し、更に８００％で、１時間の焼付をなす。

次に、ガラス、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の絶縁
物をインク状にして約２０μ汎程度の厚さに塗布し、し
かる後焼付することによって第１、第２及び第３の絶縁
被膜２３，２４，２５を形成する。

第６図は第３図〜第５図に示す筒状チップコンデンサ１
０の使用例を示すものであって、回路基板２８上の配線
導体２９及び３０に第１及び第２の外部接続領域２６及
び２７を半田３１にて接着した状態を示している。

この場合、チップコンデンサ１０の下を別の配線導体３
２が通過していても差支えない。

尚筒状チップコンデンサ１０は極めて小さいものである
から、絶縁性接着剤で弱く仮り固定した後に半田リフロ
ー法又は半田浸漬法にて半田接着する。

上述の如くチップコンデンサを構成すれば、積層チップ
コンデンサと同様に比較的小形なチップコンデンサを低
コストで提供することが可能になる。

これは筒形に形成して容量の増大を図ると共に自動化を
容易にしたためである。

また第１及び第２の絶縁被膜２３及び２４を設けたので
チップコンデンサ１０が融溶半田に接しても、絶縁被膜
２３及び２４に於ける半田の表面張力の関係で、溶融半
田が円筒内部に入り込まない。

従って、第１の電極１２の銀が半田に吸収されてくわれ
たような状態になる所謂銀くわれが発生さす、コンデン
サの特性を安定的に保持することが出来る。

勿論、第１の電極１２の内周面領域全部に絶縁被膜を設
けて銀くわれを防ぐことも可能であるが、絶縁被膜の形
成が面倒になるばかりではなく、絶縁材料の使用量の増
大を招く。

また本実施例のチップコンデンサ１０は第１及び第２の
外部接続領域２６及び２７を除いて円筒外周面が主とし
て第３の絶縁被膜２５で被覆されているので、第６図に
示すように交叉配線が可能になる。

また円筒状に形成されているので、チップの移送及び配
列を円滑に行うことが可能になる。

また第１の外部接続領域２６と第２の外部接続領域２７
とが円筒の両端から略等しい所に設けられているので、
使用する際に方向性が問題にならない。

また第１の分離領域１８に第３の絶縁被膜２５が設けら
れ、第２の分離領域１９に第２の絶縁被膜２４が設けら
れているので、この幅を小さくすることが可能になり、
チップを小形にすることが可能になる。

耐湿特性を調べるために、第１の分離領域１８の幅を０
．１．０．３．０．５．１．０ｍｍとし、第２の分離領
域１９の幅は第１の分離領域よりも犬にし、絶縁被膜２
３，２４，２５を設けないもの、シリコーン樹脂にて絶
縁被膜２３． ２４． ２５を設けたもの、エポキシ樹
脂にて絶縁被膜２３．２４．２５を設けたもの、ガラス
で絶縁被膜２３．２４，２５を設けたものを夫々用意し
、湿度４０℃±２°Ｃ１湿度９０〜９５％の雰囲気中で
直流５０Ｖを印加し、１００Ｃｔｆ間後の良品率を調べ
たところ、絶縁被膜を設けない場合には、０．３ｒｒｒ
ｔｎ以下では良品率が０％となり、０．５間で１５％、
１．ｏｌｒｒｌｙＬで３２％となった。

これに対して、シリコーン樹脂の場合は、０．１咽で４
８％、０．３ｍｍ〜１．−で５０％の良品率となり、ま
たエポキシ樹脂の場合は、０．ＩＴｒｒＩＩ４で３０％
、０．３ｒＩｒ！ｆｔで４１％、０．５ｗ１Ｌで４９％
、■、−で５０％の良品率となり、ガラスの場合は、０
．１で４５％、０．３〜１．０ｍｍで５０％の良品率と
なった。

以上、本考案の１実施例に付いて述べたが、本考案は上
述の実施例に限定されるものではなく、更に変形可能な
ものである。

例えば、第７図に示す如く第１の電極１２及び第２の電
極１３を誘電体１１の右端に及ぶように設けてもよい。

また第７図に示す如く第３の絶縁被膜２５を第１の分離
領域１８の全体に設けずに一部に設けるのみでもよい。

また第１及び第２の絶縁被膜２３及び２４を第７図に示
す如く内周面及び外周面に殆んど設けないような状態と
してもよい。

しかし、誘電体１１の一端１５の第１の電極１２の厚さ
は他の部分に比較して一般に薄いので、誘電体１１の端
部に相当する部分まで絶縁被膜２３を設けることが望ま
しい。

また電極を銀ペーストに限らず、Ａｇ−Ｐｄ及びＡｇ−
Ｐｄ−Ａｕペーストで形成してもよいし、ニッケルで形
成してもよい。

また誘電体１１は円筒に限ることなく、楕円又は多角形
又はその他の形状の筒状であってもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の板状チップコンデンサを示す断面図、第
２図は従来の積層チップコンデンサを示す断面図、第３
図は本考案のｌ実施例に係わる筒状チップコンデンサの
正面図、第４図は第３図の左側面図、第５図は第３図の
■−Ｖ線断面図、第６図は第３図の筒状チップコンデン
サを回路基板に装着した状態を説明的に示す一部縦断正
面図、第７図は変形例を示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、１１は磁器誘電
体 １２は第１の電極、１３は第２の電極、１４は内周
面、１５は一端、１６は外周面、１８は第１の分離領域
、１９は第２の分離領域、２０は他端、２３は第１の絶
縁被膜、２４は第２の絶縁被膜、２５は第３の絶縁被膜
、２６は第１の外部接続領域 ２７は第Ｚの外部接続領
域である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 筒状誘電体と、 前記筒状誘電体の内周面及び該内周面に連続する前記筒
   状誘電体の一端及び該一端に連続する前記筒状誘電体の
   外周面の一部に形成された第１の電極と、 前記第１の電極との間に第１及び第２の分離領域を有し
   て前記筒状誘電体の外周面に形成された第２の電極と、 前記筒状誘電体の外周面上に設けられた前記第１の電極
   の外部接続領域は被覆しないが、前記第１の電極の少な
   くとも前記筒状誘電体の一端上部分は被覆するように形
   成された第１の絶縁被膜と、 少なくとも前記筒状誘電体の他端を被覆するように形成
   された第２の絶縁被膜と、 前記第２の電極の外部接続領域を除いて少なくとも前記
   第２の電極を被覆するように形成された第３の絶縁被膜
   と から戒る筒状チップコンデンサ。