JPS6022451B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6022451B2 JPS6022451B2 JP56204211A JP20421181A JPS6022451B2 JP S6022451 B2 JPS6022451 B2 JP S6022451B2 JP 56204211 A JP56204211 A JP 56204211A JP 20421181 A JP20421181 A JP 20421181A JP S6022451 B2 JPS6022451 B2 JP S6022451B2
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- H—ELECTRICITY
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶粒径がきわめて微細で寿命が長く、かつ温
度特性の改善された容量値が得られる誘電体磁器組成物
に関する。
度特性の改善された容量値が得られる誘電体磁器組成物
に関する。
従来高誘電率軍体磁器組成物として、チタン酸バリウム
にシフターとしてチタン酸ストロンチウム、錫酸バリウ
ム、錫酸カルシウム、ジルコン酸バリウム等を添加し、
そのキューリー点を室温付近に移動させ用いている。
にシフターとしてチタン酸ストロンチウム、錫酸バリウ
ム、錫酸カルシウム、ジルコン酸バリウム等を添加し、
そのキューリー点を室温付近に移動させ用いている。
しかしながら、その結晶粒径は５仏ｍ以上で大きく、積
層コンデンサな ／どのように電界強度の大きい製品に
は不適当である。。すなわち、結晶粒径が大きい場合に
は結晶粒子１個あたりにかかる電界強度は大きくなり、
そのため破壊電圧は低くなり、粒界に集まるボィドの欠
陥も増加し、寿命も短くなり、従って信頼性が低下する
という欠点があった。本発明者らは上記の組成物の欠点
を解決し、結晶粒径が５仏ｍ未満のきわめて微細で寿命
の長い誘電体磁器組成物を提供すべく検討した結果、前
記シフターに代えてチタン酸バリウムにセリウム、ジル
コニウムおよびカルシウムの酸化物を添加すると、得ら
れた誘電体磁器組成物の結晶粒子が微細化すことを見出
し、本発明に到達した。
層コンデンサな ／どのように電界強度の大きい製品に
は不適当である。。すなわち、結晶粒径が大きい場合に
は結晶粒子１個あたりにかかる電界強度は大きくなり、
そのため破壊電圧は低くなり、粒界に集まるボィドの欠
陥も増加し、寿命も短くなり、従って信頼性が低下する
という欠点があった。本発明者らは上記の組成物の欠点
を解決し、結晶粒径が５仏ｍ未満のきわめて微細で寿命
の長い誘電体磁器組成物を提供すべく検討した結果、前
記シフターに代えてチタン酸バリウムにセリウム、ジル
コニウムおよびカルシウムの酸化物を添加すると、得ら
れた誘電体磁器組成物の結晶粒子が微細化すことを見出
し、本発明に到達した。
すなわち、本発明の基本的な要旨とするところは、母○
，２４．５〜５３．４ｍｏ夕とＣｅ０２，１．０〜３．
５ｈｏ夕とＺｒ〇２，０．１〜２．仇ｈ。夕とＣａ〇○
‐５〜１０．０仇ｈ。そとＴｉ０２４５．０〜６０．０
ｈｏそとからなることを特徴とする誘電体磁器組成物、
にある。本発明の組成物は上記横成によって、実施例に
示すように、結晶粒蓬はきわて微細であるので、積層コ
ンデンサなどのように電界強度の大きい製品には最適で
ある。
，２４．５〜５３．４ｍｏ夕とＣｅ０２，１．０〜３．
５ｈｏ夕とＺｒ〇２，０．１〜２．仇ｈ。夕とＣａ〇○
‐５〜１０．０仇ｈ。そとＴｉ０２４５．０〜６０．０
ｈｏそとからなることを特徴とする誘電体磁器組成物、
にある。本発明の組成物は上記横成によって、実施例に
示すように、結晶粒蓬はきわて微細であるので、積層コ
ンデンサなどのように電界強度の大きい製品には最適で
ある。
すなわち、結晶粒径が微細であるので結晶粒子１個あた
りにかかる電界強度が小さくなり、それによって破壊電
圧が高くなり、寿命はのびて信頼性が向上する。また、
本発明の組成物は誘電率が高くかつ譲竜正藤が低く、更
に温度特性の改善された容量値が得られ十分実用的であ
ることは実施例が示す通りである。このように、本発明
の組成物の結晶粒径が微細であるのは、上記組成となる
ように配合された原料配合物を焼成する際に液相が生じ
、それによって焼結温度を低くし、結晶の過度の成長を
抑制するためである。
りにかかる電界強度が小さくなり、それによって破壊電
圧が高くなり、寿命はのびて信頼性が向上する。また、
本発明の組成物は誘電率が高くかつ譲竜正藤が低く、更
に温度特性の改善された容量値が得られ十分実用的であ
ることは実施例が示す通りである。このように、本発明
の組成物の結晶粒径が微細であるのは、上記組成となる
ように配合された原料配合物を焼成する際に液相が生じ
、それによって焼結温度を低くし、結晶の過度の成長を
抑制するためである。
本発明の組成物の組成において、酸化バリウムの量が２
４．５ｈｏ〆％未満では巨大結晶が発生し素地熔着が起
こり、５３．４ｍｏそ％を越えると糠結困難となり、酸
化セリウムの量が１．仇ｈｏク％未満では結晶の粒子径
が大となり、３．５ｈｏそ％を越えると、キューリー点
が移動しすぎて実用性に乏しくなり、また酸化ジルコニ
ウムの量が０．１ｍｏク％未満では誘電正薮が大となり
、２．皿ｏ〆％を越えると巨大結晶が発生する。
４．５ｈｏ〆％未満では巨大結晶が発生し素地熔着が起
こり、５３．４ｍｏそ％を越えると糠結困難となり、酸
化セリウムの量が１．仇ｈｏク％未満では結晶の粒子径
が大となり、３．５ｈｏそ％を越えると、キューリー点
が移動しすぎて実用性に乏しくなり、また酸化ジルコニ
ウムの量が０．１ｍｏク％未満では誘電正薮が大となり
、２．皿ｏ〆％を越えると巨大結晶が発生する。
酸化カルシウムは磁器化を促進するとともにシフターと
しての効果も有するそのであり、その量が０．５ｈｏ〆
％未満では添加効果なく、１０。瓜ｈｏ〆％を越えると
、結晶粒径が大きくなり、酸化チンの量が４５．皿ｏ〆
％未満では焼結困難となりし ６０．仇ｈｏそ％を越え
ると巨大結晶が発生し、素地漆着が起こる。本発明はさ
らに「上記バリウム、セリウム、ジルコニウム、カルシ
ウムおよびチタンの酸化物よりなる主成分に対し、マン
ガン、クロム、鉄、ニッケルおよびコバルトの酸化物か
らなる群の中から選ばれた少くとも１種を、それぞれＭ
Ｎ０２，Ｃｒ２０３，Ｆｅ○，Ｎｊ○およびＣｏｏに換
算して該主成分の０．０５〜０．６重量％添加せしめた
構成とすることができる。
しての効果も有するそのであり、その量が０．５ｈｏ〆
％未満では添加効果なく、１０。瓜ｈｏ〆％を越えると
、結晶粒径が大きくなり、酸化チンの量が４５．皿ｏ〆
％未満では焼結困難となりし ６０．仇ｈｏそ％を越え
ると巨大結晶が発生し、素地漆着が起こる。本発明はさ
らに「上記バリウム、セリウム、ジルコニウム、カルシ
ウムおよびチタンの酸化物よりなる主成分に対し、マン
ガン、クロム、鉄、ニッケルおよびコバルトの酸化物か
らなる群の中から選ばれた少くとも１種を、それぞれＭ
Ｎ０２，Ｃｒ２０３，Ｆｅ○，Ｎｊ○およびＣｏｏに換
算して該主成分の０．０５〜０．６重量％添加せしめた
構成とすることができる。
これら添加剤は磁器の競絹性の向上および誘電正綾なら
びに容量値の温度特性の改善の効果を有するものであり
、その添加量が０．０５重登％未満では添加効果なく、
０．鑓重量％を越えると誘電率が低下する。本発明の組
成物は、例えば、焼成後に本発明の組成物の組成になる
ように秒取された原料を、ボールミルで緑式混合．粉砕
し、得られた混合．粉砕物を脱水・乾燥後、所定の形状
に加圧成形して焼成することとにより得ることができる
。
びに容量値の温度特性の改善の効果を有するものであり
、その添加量が０．０５重登％未満では添加効果なく、
０．鑓重量％を越えると誘電率が低下する。本発明の組
成物は、例えば、焼成後に本発明の組成物の組成になる
ように秒取された原料を、ボールミルで緑式混合．粉砕
し、得られた混合．粉砕物を脱水・乾燥後、所定の形状
に加圧成形して焼成することとにより得ることができる
。
この場合、原料として使用するバリウム化合物は母Ｃ０
３，欧Ｃ２０４、セリウム化合物はＣｅ０２，Ｃｅ２（
Ｃ２０４）３．餌２０，ジルコニウム化合物はＺｒ０２
，泣ｒ０２，Ｃ０２８日２０、カルシウム化合物はＣａ
Ｃ０３，Ｃａ○，チタン化合物はＴｉ０２，Ｔｉ２（Ｃ
２０４）３．１０日２０が好適であり、かつ添加剤の原
料としてはＭｎＣ０３，Ｍｍ０２，Ｃｒ２０３Ｃ＾〕３
，Ｆｅ○，Ｆｅ２０３，Ｎｊ０？ Ｎｉ０２，Ｃｏｏ，
Ｃｏ２０３が好ましい。
３，欧Ｃ２０４、セリウム化合物はＣｅ０２，Ｃｅ２（
Ｃ２０４）３．餌２０，ジルコニウム化合物はＺｒ０２
，泣ｒ０２，Ｃ０２８日２０、カルシウム化合物はＣａ
Ｃ０３，Ｃａ○，チタン化合物はＴｉ０２，Ｔｉ２（Ｃ
２０４）３．１０日２０が好適であり、かつ添加剤の原
料としてはＭｎＣ０３，Ｍｍ０２，Ｃｒ２０３Ｃ＾〕３
，Ｆｅ○，Ｆｅ２０３，Ｎｊ０？ Ｎｉ０２，Ｃｏｏ，
Ｃｏ２０３が好ましい。
次に本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが
、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定
されるものではない。実施例 １ 原料としてそれぞれ試薬１級のＢａＣ０３，Ｃｅ０２，
Ｚの２，ＣａＣ０３およびＴｉ０２を焼成後に第１表に
示す主成分配合比になるように娩取し、ボールミル中で
２時間溢式混合．粉砕し、脱水、乾燥後、成形圧力３ｏ
ｎ／めで直径１６柳厚さ０．６柳に加圧成形し、成形物
を第１表に示す焼成温度で１時間焼成し、試料番号１〜
６を得た。
、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定
されるものではない。実施例 １ 原料としてそれぞれ試薬１級のＢａＣ０３，Ｃｅ０２，
Ｚの２，ＣａＣ０３およびＴｉ０２を焼成後に第１表に
示す主成分配合比になるように娩取し、ボールミル中で
２時間溢式混合．粉砕し、脱水、乾燥後、成形圧力３ｏ
ｎ／めで直径１６柳厚さ０．６柳に加圧成形し、成形物
を第１表に示す焼成温度で１時間焼成し、試料番号１〜
６を得た。
これらの試料の結晶粒径は光学顕微鏡により倍率４００
で観察しＬ誘電率、誘電正綾および容量値の温度特性は
試料の両面に銀電極を焼き付け、ＹＨＰデジタルＬＣＲ
メータモデル４２７４Ａを使用し、測定温度２５ｑＣ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数１．０ＫＨＺによ
る測定により求めた。
で観察しＬ誘電率、誘電正綾および容量値の温度特性は
試料の両面に銀電極を焼き付け、ＹＨＰデジタルＬＣＲ
メータモデル４２７４Ａを使用し、測定温度２５ｑＣ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓ、測定周波数１．０ＫＨＺによ
る測定により求めた。
なお、温度特性は２５ｑｏにおける容量値を基準とした
。試験条件および結果を第１表に示す。第１表 得られた試料はいずれも結晶粒径が３．０〆ｍ以下で、
かつ実用的な誘電率、誘電正薮および温度特性を有する
誘電体磁器組成物であり、積層コンデンサのごとき電界
強度の大きい製品には最適である。
。試験条件および結果を第１表に示す。第１表 得られた試料はいずれも結晶粒径が３．０〆ｍ以下で、
かつ実用的な誘電率、誘電正薮および温度特性を有する
誘電体磁器組成物であり、積層コンデンサのごとき電界
強度の大きい製品には最適である。
実施例 ２
原料としてそれぞれ試薬１級のＢａＣ２０４，Ｃｅ２（
Ｃ２０４）３．９日２０，Ｚの２・Ｃ０２・８日２０，
Ｃａ０およびＴｉ２（Ｃ２０４）３・１０ＬＯを用い、
これに添加剤マンガン、クロム、鉄、ニッケルおよびコ
バルトの酸化物の原料としてそれぞれ試薬１級のＭｍＣ
０３，Ｃｒ２０３，Ｆｅ○，ＮｉＯおよびＣｏｏを添加
したほかは実施例１の場合と同様に処理して試料番号７
〜１３を得た。
Ｃ２０４）３．９日２０，Ｚの２・Ｃ０２・８日２０，
Ｃａ０およびＴｉ２（Ｃ２０４）３・１０ＬＯを用い、
これに添加剤マンガン、クロム、鉄、ニッケルおよびコ
バルトの酸化物の原料としてそれぞれ試薬１級のＭｍＣ
０３，Ｃｒ２０３，Ｆｅ○，ＮｉＯおよびＣｏｏを添加
したほかは実施例１の場合と同様に処理して試料番号７
〜１３を得た。
これらの試料の試験方法は実施例１と同一であり、試験
結果を第２表に示す。
結果を第２表に示す。
第２表
マンガン、クロム、鉄、ニッケルおよびコバルトの酸化
物の添加により、焼成温度および誘電正綾を低下させる
とともに温度特性を改善させることができた。
物の添加により、焼成温度および誘電正綾を低下させる
とともに温度特性を改善させることができた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バリウム、セリウム、ジルコニウム、カルシウムお
よびチタンの酸化物をそれぞれＢａＯ，ＣｅＯ＿２，Ｚ
ｒＯ＿２，ＣａＯおよびＴｉＯ＿２に換算して、ＢａＯ
２４．５乃至５３．４ｍｏｌ％とＣｅＯ＿２１．０乃至
３．５ｍｏｌ％とＺｒＯ＿２０．１乃至２．０ｍｏｌ％
とＣａＯ０．５乃至１０．０ｍｏｌ％とＴｉＯ＿２４５
．０乃至６０．０ｍｏｌ％とからなることを特徴とする
誘電体磁器組成物。 ２ バリウム、セリウム、ジルコニウム、カルシウムお
よびチタンの酸化物をそれぞれＢａＯ，ＣｅＯ＿２，Ｚ
ｒＯ＿２，ＣａＯおよびＴｉＯ＿２に換算して、ＢａＯ
２４．５乃至５３．４ｍｏｌ％とＣｅＯ＿２１．０乃至
３．５ｍｏｌ％とＺｒＯ＿２０．１乃至２．０ｍｏｌ％
とＣａＯ０．５乃至１０．０ｍｏｌ％とＴｉＯ＿２４５
．０乃至６０．０ｍｏｌ％とからなる主成分に、マンガ
ン、クロム、鉄、ニツケルおよびコバルトの酸化物から
なる群の中から選ばれた少くとも１種を、それぞれＭｎ
Ｏ＿２，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，ＦｅＯ，ＮｉＯおよびＣｏＯ
に換算して、該主成分の０．０５乃至０．６重量％添加
してなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204211A JPS6022451B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 誘電体磁器組成物 |
| US06/449,384 US4468472A (en) | 1981-12-17 | 1982-12-13 | Composition for ceramic dielectrics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204211A JPS6022451B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106702A JPS58106702A (ja) | 1983-06-25 |
| JPS6022451B2 true JPS6022451B2 (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=16486669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204211A Expired JPS6022451B2 (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468472A (ja) |
| JP (1) | JPS6022451B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS60153604A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US4829032A (en) * | 1986-01-16 | 1989-05-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US4780435A (en) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Tam, Ceramics, Inc. | Dielectric ceramic compositions with linear temperature coefficient characteristics and low dissipation factors |
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| US5202814A (en) * | 1990-03-13 | 1993-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic composition |
| US6034015A (en) * | 1997-05-14 | 2000-03-07 | Georgia Tech Research Corporation | Ceramic compositions for microwave wireless communication |
| US6535342B1 (en) * | 1999-12-09 | 2003-03-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus, system and method for writing information onto magnetic media field of the invention |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3764529A (en) * | 1972-02-17 | 1973-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate |
| JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd | |
| JPS5732898B2 (ja) * | 1975-01-29 | 1982-07-14 | ||
| GB1515987A (en) * | 1975-06-18 | 1978-06-28 | Polska Akademia Nauk Centr Bad | Method and apparatus for synthetic fibre spinning |
| JPS55102292A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Nippon Electric Co | High frequency high output transistor amplifier |
| JPS5674917A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-20 | Tdk Electronics Co Ltd | Nonnlinear dielectric element |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56204211A patent/JPS6022451B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-12-13 US US06/449,384 patent/US4468472A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58106702A (ja) | 1983-06-25 |
| US4468472A (en) | 1984-08-28 |
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