JPS60153604A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- H01G4/06—Solid dielectrics
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、誘電体共振器等の材料として使用される誘
電体磁器組成物に関する。
電体磁器組成物に関する。
（発明の背景及び従来技術）
最近、いわゆるパーソナル無線器、自動車用電話器環、
数Ｇ、Ｈｚの周波数帯域で使用される無線機器が広く普
及されるにようになってきた。
数Ｇ、Ｈｚの周波数帯域で使用される無線機器が広く普
及されるにようになってきた。
こうした無線機器に内蔵されている誘電体共振器用の誘
電磁器には、これまでＭｇＯ−Ｃａ０−Ｔ ｉ ０２系
やＢａＯ−ＴｉＯ２系磁器が使用されている。これらの
磁器の比誘電率８１．２０〜４０．岸面、粗さＲｍ＠ｘ
は、３〜４μであり、これを用いて作られた共振器の共
振周波数の温度特性は、＋ １００〜−１００ ｐｐ＋
ｎ／ ’Ｃである。またこの無負荷のＱは、 ４０００
〜７０００程度であり、従ってこれら磁器自体の特性に
おいては、実用上殆ど問題を含んでいない。
電磁器には、これまでＭｇＯ−Ｃａ０−Ｔ ｉ ０２系
やＢａＯ−ＴｉＯ２系磁器が使用されている。これらの
磁器の比誘電率８１．２０〜４０．岸面、粗さＲｍ＠ｘ
は、３〜４μであり、これを用いて作られた共振器の共
振周波数の温度特性は、＋ １００〜−１００ ｐｐ＋
ｎ／ ’Ｃである。またこの無負荷のＱは、 ４０００
〜７０００程度であり、従ってこれら磁器自体の特性に
おいては、実用上殆ど問題を含んでいない。
しかしながら、上記従来の磁器においては。
挿入損が大きいという問題があっｈ□。これは。
磁器の表面に被着させる導体の表面抵抗Ｒｓが。
表面の平滑な磁器に被着させた導体の表面抵抗Ｒ５Ｇに
比べて５０〜６０％も高いことによるものである。この
界面抵抗Ｒｓを低くするには、磁器の表面粗さＲ＋＋ａ
ｘを小さくすることが必要であり。
比べて５０〜６０％も高いことによるものである。この
界面抵抗Ｒｓを低くするには、磁器の表面粗さＲ＋＋ａ
ｘを小さくすることが必要であり。
この点から従来の磁器に比べてより良好な表面状態の磁
器を得ることができる誘電体磁器組成物の開発が望まれ
ているところである。
器を得ることができる誘電体磁器組成物の開発が望まれ
ているところである。
この発明は上記従来の要望に鑑みてなされたもので、特
に９表面粗さＲｍａｘが２μ以下という良好な表面状態
の磁器を得ることができ、また同磁器を用いて作られた
誘電体共振器において＋２５〜＋８５℃の温度範囲で−
３０〜＋３０ （ｐｐａ＋／℃）という共振周波数の温
度特性ηｆが得られる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的としたものである。
に９表面粗さＲｍａｘが２μ以下という良好な表面状態
の磁器を得ることができ、また同磁器を用いて作られた
誘電体共振器において＋２５〜＋８５℃の温度範囲で−
３０〜＋３０ （ｐｐａ＋／℃）という共振周波数の温
度特性ηｆが得られる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的としたものである。
、〔発明の構成〕
以下この発明の詳細な説明すると、先ず第一の発明によ
る磁器組成物は、ｘＺｒｏ・ｙＣｅ０２ ・ｚＳｉＯ２
・ＴｉＯ２なる組成式において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌでｒ
Ｘ、＋ ｙ＋ ２が三元図においてそれぞれ次に示され
る多角形Ａ、Ｂ、Ｃ。
る磁器組成物は、ｘＺｒｏ・ｙＣｅ０２ ・ｚＳｉＯ２
・ＴｉＯ２なる組成式において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｌでｒ
Ｘ、＋ ｙ＋ ２が三元図においてそれぞれ次に示され
る多角形Ａ、Ｂ、Ｃ。
Ｄで囲まれるモル比の範囲にあるものである。
ｘ ｙ ｚ
Ａ Ｏ，９Ｂ・ ０．０１ ０．０１
Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１
ＣＯ，６００，１８０，２２
Ｄ Ｏ，７７０，０１０，２２
また第二の発明による磁器組成物は、上記モル比の範囲
にあるＺｒＯ，ＣｅＯ２、Ｓ ｉ、０２及びＴｉＯ２を
主成分とし、これとＡｌ２Ｏ３及びＬａ２Ｏ３の一種以
上のものを上記同主成分１００重量部に対して０．０５
〜１．０重量部含んだ成分とからなるものである。 ・ 別添の図面は、上記多角形Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ。
にあるＺｒＯ，ＣｅＯ２、Ｓ ｉ、０２及びＴｉＯ２を
主成分とし、これとＡｌ２Ｏ３及びＬａ２Ｏ３の一種以
上のものを上記同主成分１００重量部に対して０．０５
〜１．０重量部含んだ成分とからなるものである。 ・ 別添の図面は、上記多角形Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ。
Ｅを示す三元図である。こ゛の三元図に示した符合を引
用ししつ〜各成分の組成比を上記のように限定した理由
について説明すると次の通りである。
用ししつ〜各成分の組成比を上記のように限定した理由
について説明すると次の通りである。
（１１１側の領域では、共振周波数の温度特性ηｆが一
例で上記目標値より大きくなる。
例で上記目標値より大きくなる。
’（２１Ｊ側の領域で□は、′基板の表面粗さＲ＋ｗａ
ｘが上記目標値より大きく′な□る。 ゛ （３）Ｋ側の領域では、共振周波数の温度特性ηｆが＋
側で上記目標値より大きくな葛。”（４）Ｌ側の′悄域
では、基板の表面粗さＲ１１１）ＩＸが□上記目標値よ
り大きくなる。 ・ − （５）第二の発明において＋ Ａ Ｉ ’ ２ ′０３
とｌ、ａ２０３の一種以上を含む成分は、基板の表面粗
さＲｅ１ａｘを小さくする作用を有するが、これがＺｒ
Ｏ，Ｃｅ ０２ 、’ Ｓ ｆ ０２及びＴｉＯ２から
なる主成分１００重量部に対して０．０５重量部未満で
あるとその作用に乏しい。他方この成分が上記主成分１
００重量部に対して１．０重量部を越えると上記各特性
においてそれぞれの目標値を満足し得なくなる。即ちＡ
ｌ２Ｏ３の組成比が増加すると共振周波数の温度特性η
ｆが一側で上記目標値より大きくなり、他方Ｌａ２Ｏ３
の組成比が増加すると６表面粗さＲｍｍｘが上記目標値
より大きくなり、しかも誘電損失が増大する傾向がある
。（旨 〔実施例〕 次にこの発明の実施例について説明する。
ｘが上記目標値より大きく′な□る。 ゛ （３）Ｋ側の領域では、共振周波数の温度特性ηｆが＋
側で上記目標値より大きくな葛。”（４）Ｌ側の′悄域
では、基板の表面粗さＲ１１１）ＩＸが□上記目標値よ
り大きくなる。 ・ − （５）第二の発明において＋ Ａ Ｉ ’ ２ ′０３
とｌ、ａ２０３の一種以上を含む成分は、基板の表面粗
さＲｅ１ａｘを小さくする作用を有するが、これがＺｒ
Ｏ，Ｃｅ ０２ 、’ Ｓ ｆ ０２及びＴｉＯ２から
なる主成分１００重量部に対して０．０５重量部未満で
あるとその作用に乏しい。他方この成分が上記主成分１
００重量部に対して１．０重量部を越えると上記各特性
においてそれぞれの目標値を満足し得なくなる。即ちＡ
ｌ２Ｏ３の組成比が増加すると共振周波数の温度特性η
ｆが一側で上記目標値より大きくなり、他方Ｌａ２Ｏ３
の組成比が増加すると６表面粗さＲｍｍｘが上記目標値
より大きくなり、しかも誘電損失が増大する傾向がある
。（旨 〔実施例〕 次にこの発明の実施例について説明する。
（実施例１）
この実施例では、第一の発明による磁器組成物から８種
類の試料を作製した。即ち、ｘＺｒＣ１ｙＣｅ０２ ・
ｚＳｉＯ２・Ｔｉ０２−なる組成式において＋ Ｘ＊
ｙ＋ ２がそれぞれ表１の１〜８欄に示すような組成比
になるよう純度９９％のＺ ｒ Ｏ＋ Ｃｅ ０２１
Ｓ ｉ Ｏ２及びＴ ｉ ０２を秤量し、これをアル−
コールと共にボールミルで２０時間混合・した。この混
合物を乾燥し、 １１００℃の温度で２時間仮焼きした
後、これを粉砕した。
類の試料を作製した。即ち、ｘＺｒＣ１ｙＣｅ０２ ・
ｚＳｉＯ２・Ｔｉ０２−なる組成式において＋ Ｘ＊
ｙ＋ ２がそれぞれ表１の１〜８欄に示すような組成比
になるよう純度９９％のＺ ｒ Ｏ＋ Ｃｅ ０２１
Ｓ ｉ Ｏ２及びＴ ｉ ０２を秤量し、これをアル−
コールと共にボールミルで２０時間混合・した。この混
合物を乾燥し、 １１００℃の温度で２時間仮焼きした
後、これを粉砕した。
次いでこれにバインダーとしてポリビニルアルコールを
加え、 ３ｔｏｎ／ｃｄの圧力で円板形に加圧成形した
後、それぞれの組成比に応じた適当な温度（１３００〜
１３８０℃）で焼成し、直径８ｕ、厚さ４＋ｍの磁器（
試料１〜８）を得た。
加え、 ３ｔｏｎ／ｃｄの圧力で円板形に加圧成形した
後、それぞれの組成比に応じた適当な温度（１３００〜
１３８０℃）で焼成し、直径８ｕ、厚さ４＋ｍの磁器（
試料１〜８）を得た。
そしてこれら試料を、直径２４１１−の真鍮に銅鍍金を
施して鏡面仕上げをした２枚の金属板で挟んで誘電体共
振器を構成し、これについてそれぞれ比誘電率ε、無負
荷のＱ、共振周波数の温度特性ηｆ及び表面粗さＲｗａ
ｘを測定し、この結果を表１に示した。
施して鏡面仕上げをした２枚の金属板で挟んで誘電体共
振器を構成し、これについてそれぞれ比誘電率ε、無負
荷のＱ、共振周波数の温度特性ηｆ及び表面粗さＲｗａ
ｘを測定し、この結果を表１に示した。
比誘電率εは、温度２５℃における共振周波数ｒ、を誘
電体共振法により測定しく共振周波数は、何れの試料も
８．２０ＩＩＺ前後であった）、この測定値と、試料の
直径と厚さの実測値をもとにめた。無負荷のＱは、温度
２５℃における電力半値幅（ｆ２ ｆｌ）及び挿入損ル
□ （ｄＢ）を誘電体共振法により測定し、この測定値
と上記共振周波数ｆ、をもとに計算でめた。共振周波数
の温度特性ηｆは、２５〜８５℃の温度範囲における共
振周波数を測定し、１℃当たりに換算してめた。表面粗
さＲｍａｘについてはＪＩＳ Ｂ１２Ｏ３に従い、試料
の表面を深針式表面粗さ１＋で測定した。
電体共振法により測定しく共振周波数は、何れの試料も
８．２０ＩＩＺ前後であった）、この測定値と、試料の
直径と厚さの実測値をもとにめた。無負荷のＱは、温度
２５℃における電力半値幅（ｆ２ ｆｌ）及び挿入損ル
□ （ｄＢ）を誘電体共振法により測定し、この測定値
と上記共振周波数ｆ、をもとに計算でめた。共振周波数
の温度特性ηｆは、２５〜８５℃の温度範囲における共
振周波数を測定し、１℃当たりに換算してめた。表面粗
さＲｍａｘについてはＪＩＳ Ｂ１２Ｏ３に従い、試料
の表面を深針式表面粗さ１＋で測定した。
−１またこれら実施例と比較のため９表１の■〜＠欄に
示すよう←、この発明と異なる組成比を有する磁器組成
物から上記と同じ方法１条件でそれぞれ試料を作製し、
さらにこれから上記と同様の誘電体共振器を作り、これ
らについても上記と同じ方法及び条件で各特性を測定し
た。
示すよう←、この発明と異なる組成比を有する磁器組成
物から上記と同じ方法１条件でそれぞれ試料を作製し、
さらにこれから上記と同様の誘電体共振器を作り、これ
らについても上記と同じ方法及び条件で各特性を測定し
た。
なお、これら１〜８及び■〜＠の試料の原料となった磁
器組成物の組成比について１図示の三元図において対応
する符合Ａ−’Ｌをそれぞれ表１に示した。
器組成物の組成比について１図示の三元図において対応
する符合Ａ−’Ｌをそれぞれ表１に示した。
同表に示された結果から明らかなように、この実施例、
即ち試料１〜８では、比誘電率８が３８．２〜４２．７
．無負荷のＱが６４００〜７４００．共振周波数の温度
特性ηｆが−１９〜＋２８ （ｐｐ＋ｎ／ｌ） 。
即ち試料１〜８では、比誘電率８が３８．２〜４２．７
．無負荷のＱが６４００〜７４００．共振周波数の温度
特性ηｆが−１９〜＋２８ （ｐｐ＋ｎ／ｌ） 。
表面粗さＲｍａｘが１．５〜２．０μであった。これに
対して図示の三元図において１にある試料［Ｆ］は。
対して図示の三元図において１にある試料［Ｆ］は。
共振周波数の温度特性ηｆが−４０（ｐｐｍ／’ｅ）で
あり、一方Ｋにある試料■は、同温度特性ｙｆが−１０
９（ｐｐｍ７℃） トそＪｔぞｈ＊４−Ｊ−スとプラス
側で前掲の目標値を上回った。またそれぞれＪ、 Ｋ、
Ｌにある試料［相］、同■、同Ｏは。
あり、一方Ｋにある試料■は、同温度特性ｙｆが−１０
９（ｐｐｍ７℃） トそＪｔぞｈ＊４−Ｊ−スとプラス
側で前掲の目標値を上回った。またそれぞれＪ、 Ｋ、
Ｌにある試料［相］、同■、同Ｏは。
表面粗さＲｅ１ａｘが３．３μ＋’４．１＋ｕ＋４−Ｏ
ｕと何れも前掲の目標値を越えた。
ｕと何れも前掲の目標値を越えた。
（実施例２）
この実施例は９表２において１〜９．１１〜１４及び１
６〜１９の試料番号で示すように、第二の発明において
、ＺｒＯ，ＣｅＯ２，５１０２及びＴｌＯ２からなる成
分１００重量部に対して０．０５〜１．０重量部のＡｌ
２Ｏ３を含む磁器組成物から実施例１と同じ方法及び条
件でそれぞれ同形の試料を作製した。さらにこの試料か
ら実施例１と同形の誘電体共振器を作り、これらについ
て同様に特性試験を行った。またこれと比較のため、同
表において試料番号［相］、■、［相］で示すように、
この発明と異なる組成比を有する磁器組成物、即ち上記
主成分１００重量部に対して２．０重量部のＡｌ２Ｏ３
を含む磁器組成物からそれぞれ同形の試料を作製し、こ
れらについても同様に特性試験を行った。
６〜１９の試料番号で示すように、第二の発明において
、ＺｒＯ，ＣｅＯ２，５１０２及びＴｌＯ２からなる成
分１００重量部に対して０．０５〜１．０重量部のＡｌ
２Ｏ３を含む磁器組成物から実施例１と同じ方法及び条
件でそれぞれ同形の試料を作製した。さらにこの試料か
ら実施例１と同形の誘電体共振器を作り、これらについ
て同様に特性試験を行った。またこれと比較のため、同
表において試料番号［相］、■、［相］で示すように、
この発明と異なる組成比を有する磁器組成物、即ち上記
主成分１００重量部に対して２．０重量部のＡｌ２Ｏ３
を含む磁器組成物からそれぞれ同形の試料を作製し、こ
れらについても同様に特性試験を行った。
各試料の組成比及び試験結果を表２にそれぞれ示した。
また上記各試料における主成分の組成比については１図
示の三元図において対応する符合Ａ−Ｈを同表に示した
。
示の三元図において対応する符合Ａ−Ｈを同表に示した
。
同表に示された結果から明らかな通り、この実施例（試
料１〜９．１１−１４及び１６〜１９）では。
料１〜９．１１−１４及び１６〜１９）では。
比誘電率♂が３５．０〜４２．４．無負荷のＱが６００
０〜７１００、共振周波数の温度特性ηｆが−２０〜＋
２６（ｐｐ＋ｉ／℃） 、表面粗さＲｍａｘが１．−０
〜１．９μであった。これに対して上記主成分１００重
量部に対して２．０重量部のＡｌ２Ｏ３を含む試料［相
］。
０〜７１００、共振周波数の温度特性ηｆが−２０〜＋
２６（ｐｐ＋ｉ／℃） 、表面粗さＲｍａｘが１．−０
〜１．９μであった。これに対して上記主成分１００重
量部に対して２．０重量部のＡｌ２Ｏ３を含む試料［相
］。
同［相］、同［相］を使用した誘電体共振器では、共振
周波数の温度特性４ｆがそれぞれ−３３，−３６゜−３
７（ｐｐｗ＋／ｌ）とマイナス側で前掲の目標値を上回
った。
周波数の温度特性４ｆがそれぞれ−３３，−３６゜−３
７（ｐｐｗ＋／ｌ）とマイナス側で前掲の目標値を上回
った。
（実施例３）
この実施例は９表３において１〜９，１１〜１４及び１
６〜１９の試料番号で示すように、第二の発明において
、ＺｒＯ，ｑｅ０２．’ ５ｉ０２及びＴ ｉ Ｏ２か
らなる成分１００重量部に対して０．０５〜１．０重量
部のＬａ２Ｏ３を含む磁器組成物から実施例１と同じ方
法及び条件でそれぞれ同形の試料を作製した。さらにこ
の試料から実施例１と同形の誘電体共振器を作り、これ
らについて同様に特性試験を行った。またこれと比較の
ため、同表において試料番号ｅ、ｏ、ｏで示すように、
この発明と異なる組成比を有する磁器組成物、即ち上記
主成分１００重量部に対して２．０重量部のＬａ２Ｏ３
を含む磁器組成物からそれぞれ同形の試料を作製し、こ
れらについても同様に特性試験を行った。
６〜１９の試料番号で示すように、第二の発明において
、ＺｒＯ，ｑｅ０２．’ ５ｉ０２及びＴ ｉ Ｏ２か
らなる成分１００重量部に対して０．０５〜１．０重量
部のＬａ２Ｏ３を含む磁器組成物から実施例１と同じ方
法及び条件でそれぞれ同形の試料を作製した。さらにこ
の試料から実施例１と同形の誘電体共振器を作り、これ
らについて同様に特性試験を行った。またこれと比較の
ため、同表において試料番号ｅ、ｏ、ｏで示すように、
この発明と異なる組成比を有する磁器組成物、即ち上記
主成分１００重量部に対して２．０重量部のＬａ２Ｏ３
を含む磁器組成物からそれぞれ同形の試料を作製し、こ
れらについても同様に特性試験を行った。
各試料の組成比及び試験結果を表３にそれぞれ示した。
また上記各試料における主成分の組成比については９図
示の三元図において対応する符合Ａ−Ｈを同表に示した
。
示の三元図において対応する符合Ａ−Ｈを同表に示した
。
同表に示された結果から明らかな通り、この実施例（試
料１〜９．１１〜’１４及び１６〜１９）では。
料１〜９．１１〜’１４及び１６〜１９）では。
比誘電率εが３５．１〜４２．６．無負荷のＱが６１０
０〜７４００、共振周波数の温度特性ηｆが−１９〜＋
２８（ｐｐ＠／ｌ） ｓ表面粗さＲｅｍａｘが１．Ｑ〜
１．９μであった。これに対して上記主成分１００重量
部に対して２．０重量部のＬａ２Ｏ３を含む試料［相］
。
０〜７４００、共振周波数の温度特性ηｆが−１９〜＋
２８（ｐｐ＠／ｌ） ｓ表面粗さＲｅｍａｘが１．Ｑ〜
１．９μであった。これに対して上記主成分１００重量
部に対して２．０重量部のＬａ２Ｏ３を含む試料［相］
。
■、ｏでは１表面粗さＲ＋＋＋ａｘがそれぞれ４．１．
４．５゜４．６μと何れも前掲の目標値を上回った。し
かもこれを使用した誘電体共振器の無負荷のＱがそれぞ
れ３００Ｇ、 ２９００．２１００と上記実施例に比べ
て低い値であった。
４．５゜４．６μと何れも前掲の目標値を上回った。し
かもこれを使用した誘電体共振器の無負荷のＱがそれぞ
れ３００Ｇ、 ２９００．２１００と上記実施例に比べ
て低い値であった。
（実施例４）
この実施例は９表４で示すように、第二の発明において
、ＺｒＯ，ＣｅＯ２，ＳｉＯ２及びＴ ｉ Ｏｊからな
る成分１００重量部に対してＡｌ２Ｏ３とＬａ２Ｏ３か
らなる成分を合計０．２または１．０重量部含む磁器組
成物から実施例１と同じ方法及び条件でそれぞれ同形の
試料を一作製した。さらにこの試料塾ら実施例１と同形
の誘電体共振器を作り、これらについて同様に特性試験
を行った。各試料の組成比及び試験結果を表４にそれぞ
れ示した。また上記各試料における主成分の組成比につ
いては２図示の三元図において対応する符合Ａ−Ｈを同
表に示した。
、ＺｒＯ，ＣｅＯ２，ＳｉＯ２及びＴ ｉ Ｏｊからな
る成分１００重量部に対してＡｌ２Ｏ３とＬａ２Ｏ３か
らなる成分を合計０．２または１．０重量部含む磁器組
成物から実施例１と同じ方法及び条件でそれぞれ同形の
試料を一作製した。さらにこの試料塾ら実施例１と同形
の誘電体共振器を作り、これらについて同様に特性試験
を行った。各試料の組成比及び試験結果を表４にそれぞ
れ示した。また上記各試料における主成分の組成比につ
いては２図示の三元図において対応する符合Ａ−Ｈを同
表に示した。
同表に示された結果から明らかな通り、上記各試料では
、比誘電率８が３５．０〜４２．５．無負荷のＱが６２
００〜７１００．共振周波数の温度特性ηｆが−１９〜
＋ ２７ （ｐｐｍ／ ’Ｃ） ）表面粗さＲ１１１ａ
×が１．３〜１．９μであった。
、比誘電率８が３５．０〜４２．５．無負荷のＱが６２
００〜７１００．共振周波数の温度特性ηｆが−１９〜
＋ ２７ （ｐｐｍ／ ’Ｃ） ）表面粗さＲ１１１ａ
×が１．３〜１．９μであった。
以上説明した通り、この発明による磁器組成物は、高周
波領域においても比誘電率εが３５．０〜４２．７と高
く、これを使用した誘電体、共振器において、無負荷の
Ｑが６０００〜７４００． ＋２５〜＋８５℃の温度範
囲における共振周波数の温度特性ηｆが−１９〜＋２８
（ｐｐａ＋／ ”Ｃ）といったように優れた特性が得
られた。従うて９周囲の温度変化が大きい場合でも、共
振周波数の温度変化が少ないため、温度補償をする他の
部品が不要となり９機器の小型化を図ることができる。
波領域においても比誘電率εが３５．０〜４２．７と高
く、これを使用した誘電体、共振器において、無負荷の
Ｑが６０００〜７４００． ＋２５〜＋８５℃の温度範
囲における共振周波数の温度特性ηｆが−１９〜＋２８
（ｐｐａ＋／ ”Ｃ）といったように優れた特性が得
られた。従うて９周囲の温度変化が大きい場合でも、共
振周波数の温度変化が少ないため、温度補償をする他の
部品が不要となり９機器の小型化を図ることができる。
またこのこの磁器組成物から誘電体共振器を構成する場
合に、その表面粗さＲｍａｘが２μ以下という良好な表
面状態を得ることができるので、これに被着させる導体
の表面抵抗Ｒｓを従来のものに比べて１０〜３０％程度
減少させることがで岩る。
合に、その表面粗さＲｍａｘが２μ以下という良好な表
面状態を得ることができるので、これに被着させる導体
の表面抵抗Ｒｓを従来のものに比べて１０〜３０％程度
減少させることがで岩る。
なお、この発明は、誘電体共振器用の磁器組成物のみな
らず、高周波回路基板や誘電体調整棒用もものにも適用
することができる。
らず、高周波回路基板や誘電体調整棒用もものにも適用
することができる。
図面は、この発明による磁器組成物の組成比の範囲を示
す三元図である。 Ａ−Ｉ）−−一組成範囲を示す多角形の頂点特許出願人
−太陽誘電株式会社 代理人 弁理士 北條和由 ｚ７．ｒｏａ 手続補正書 ” ｍ坪１２月部日 昭和５９年特醪陣１１４８９号 ３、補正をする者 事件との随系 特許出願人 住凧 東京都台東区上野１丁目２番１２号氏名（名称）
太陽誘電株式会社 ４、代理人 補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を次の通り補正します
。 ２、特許請求の範囲 １、ｘＺζαＬ−ｙｃｅ、０２ ・ｚＳ ｉｏ２・Ｔ
ｉ Ｏ２なる組成式にお１いて、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で、ｘ
、ｙ、ｚが三元図、においてそれぞれ次に示される多角
形Ａ、 Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれるモル比の範囲にあること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 ｘ ｙ Ａ Ｏ，９８０，０１０，０１ Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１ ＣＯ，６００，１８０，２２ Ｄ ０．７７ ０．０Ｉ Ｑ、２２ ２、ｘＺｒ没上！ｙｃｅ０２ ・ｚｓｉｏ２ ・ＴｉＯ
２なる組成式において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で＋ １＋ ３
’、Ｚが三元図においてそれぞれ次に示される多角形Ａ
、 Ｂ、 Ｃ，Ｄで囲まれるモル比の範囲にある成分と
、Ａｌ２Ｏ３及びＬａ２Ｏ３の内一種以上を上記成分１
００重量部に対して０．０５〜１．０重量部含む成分と
からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 λ ０．９８ ０．０１ ０．０１ Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１ Ｃ’ ０．６０ ０．１８ ０．２２ Ｄ ０．７７ ０．０１ ０．２２ （２） 明細書第４真上から７行目、同頁下から３行目
、第５頁下から３〜２行目、第６頁下から７〜６行目、
゛同−下から′３３行目、第９下から９行目、第１１頁
上から３行目及び第１２真下から７行目にｒｚｒ６Ｊと
あるのを「ＺｒＯ２」と補正します。 以上 手続補正書 聞銅あα手１月１０日 昭和５９年特鰭梯１１４８９号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都台東区上野１丁目２番１２号氏名（名称）
太陽誘電株式会社 ４、代理人
す三元図である。 Ａ−Ｉ）−−一組成範囲を示す多角形の頂点特許出願人
−太陽誘電株式会社 代理人 弁理士 北條和由 ｚ７．ｒｏａ 手続補正書 ” ｍ坪１２月部日 昭和５９年特醪陣１１４８９号 ３、補正をする者 事件との随系 特許出願人 住凧 東京都台東区上野１丁目２番１２号氏名（名称）
太陽誘電株式会社 ４、代理人 補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を次の通り補正します
。 ２、特許請求の範囲 １、ｘＺζαＬ−ｙｃｅ、０２ ・ｚＳ ｉｏ２・Ｔ
ｉ Ｏ２なる組成式にお１いて、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で、ｘ
、ｙ、ｚが三元図、においてそれぞれ次に示される多角
形Ａ、 Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれるモル比の範囲にあること
を特徴とする誘電体磁器組成物。 ｘ ｙ Ａ Ｏ，９８０，０１０，０１ Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１ ＣＯ，６００，１８０，２２ Ｄ ０．７７ ０．０Ｉ Ｑ、２２ ２、ｘＺｒ没上！ｙｃｅ０２ ・ｚｓｉｏ２ ・ＴｉＯ
２なる組成式において、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で＋ １＋ ３
’、Ｚが三元図においてそれぞれ次に示される多角形Ａ
、 Ｂ、 Ｃ，Ｄで囲まれるモル比の範囲にある成分と
、Ａｌ２Ｏ３及びＬａ２Ｏ３の内一種以上を上記成分１
００重量部に対して０．０５〜１．０重量部含む成分と
からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 λ ０．９８ ０．０１ ０．０１ Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１ Ｃ’ ０．６０ ０．１８ ０．２２ Ｄ ０．７７ ０．０１ ０．２２ （２） 明細書第４真上から７行目、同頁下から３行目
、第５頁下から３〜２行目、第６頁下から７〜６行目、
゛同−下から′３３行目、第９下から９行目、第１１頁
上から３行目及び第１２真下から７行目にｒｚｒ６Ｊと
あるのを「ＺｒＯ２」と補正します。 以上 手続補正書 聞銅あα手１月１０日 昭和５９年特鰭梯１１４８９号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都台東区上野１丁目２番１２号氏名（名称）
太陽誘電株式会社 ４、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、’ ｘＺｒＯ−ｙｃｅ０２ ′−ｚｓｉ０２ ・Ｔ
ｉＯ２なる組成式において、ｚ＋ｙ＋ｚｚｌで。 ｘ、ｙ、ｚが三元図においてそれぞれ次に示される多角
形Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれるモル比の範囲にあることを
特徴とする誘電体磁器組成物。 Ｘ ｙ ｚ Ａ Ｏ，９８６，０１０，０１ Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１ ＣＯ，６００，１８０，２２ Ｄ ０．７７ ０．０１ ０．２２ ２、ｘ□・ＺｒＯ・ｙＣ，ｅ０２ ・ｚＳｉＯ２・Ｔｌ
Ｏ２なる組成式において＋’ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で。 ｘ、ｙ、ｚが三元図においてそれぞれ次に示される多角
形Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄで囲まれるモル比の範囲にある成分と
、Ａｌ２Ｏ３及びＬ ａ’２０３の内一種以上を上記成
分１００重量部に対して０．０５〜１．０重量部含む成
分とからなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 ｘ ｙ ｚ Ａ Ｏ，９８０，０１０，０１ Ｂ Ｏ，６００，３９０，０１ ＣＯ，６００，１８０，２２ Ｄ ０．７７ ０．０１ ０．２２
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011489A JPS60153604A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 誘電体磁器組成物 |
| US06/692,439 US4584282A (en) | 1984-01-23 | 1985-01-17 | Dielectric ceramic composition |
| DE19853502145 DE3502145A1 (de) | 1984-01-23 | 1985-01-23 | Dielektrische keramikzusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011489A JPS60153604A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153604A true JPS60153604A (ja) | 1985-08-13 |
| JPH0158682B2 JPH0158682B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=11779451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011489A Granted JPS60153604A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4584282A (ja) |
| JP (1) | JPS60153604A (ja) |
| DE (1) | DE3502145A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272562A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4102696A (en) * | 1975-07-31 | 1978-07-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition for high frequencies |
| FR2477137A1 (fr) * | 1980-02-29 | 1981-09-04 | Thomson Csf | Materiau dielectrique stable en temperature utilisable en tres haute frequence, et son procede de fabrication; resonateur dielectrique, oscillateur et filtre utilisant ce materiau |
| JPS6022451B2 (ja) * | 1981-12-17 | 1985-06-01 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP59011489A patent/JPS60153604A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-17 US US06/692,439 patent/US4584282A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-01-23 DE DE19853502145 patent/DE3502145A1/de active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272562A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH0260631B2 (ja) * | 1985-09-27 | 1990-12-17 | Taiyo Yuden Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3502145C2 (ja) | 1988-06-30 |
| JPH0158682B2 (ja) | 1989-12-13 |
| US4584282A (en) | 1986-04-22 |
| DE3502145A1 (de) | 1985-08-29 |
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