JPS60224356A - Bus circuit - Google Patents

Bus circuit

Info

Publication number
JPS60224356A
JPS60224356A JP8135084A JP8135084A JPS60224356A JP S60224356 A JPS60224356 A JP S60224356A JP 8135084 A JP8135084 A JP 8135084A JP 8135084 A JP8135084 A JP 8135084A JP S60224356 A JPS60224356 A JP S60224356A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
level
output
data
circuit
pass line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8135084A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Miyata
宮田 真司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP8135084A priority Critical patent/JPS60224356A/en
Publication of JPS60224356A publication Critical patent/JPS60224356A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L12/00Data switching networks
    • H04L12/28Data switching networks characterised by path configuration, e.g. LAN [Local Area Networks] or WAN [Wide Area Networks]
    • H04L12/40Bus networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Small-Scale Networks (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance the data transmission speed of a large scale integrated circuit by providing a small quantity of additional circuit in a bus circuit and reducing the delay of data. CONSTITUTION:When a precharging signal 9 goes to the high level, the output point of a bus line rises after a delay due to the output impedance of a P- channel transistor TR4 itself. When the precharging signal 9 goes to the low level, either of output buffers 1 and 12 outputs data to the bus line. If data outputted at this time is in the high level, the level of the bus line is not changed from the high level. If output data from the output buffer 1 or 12 is in the low level, the fall is slow; but the level of an output point 15 reaches a threshold A of an inverter 6 of an additional circuit 10, the inverter 6 outputs the high level, and it falls quickly.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はバス回路に関し、特に集積回路等に使用される
バス回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a bus circuit, and particularly to a bus circuit used in an integrated circuit or the like.

(従来技術) (以下L19I)は集積就が高くなシその機能も高くな
ってきている。またこれに伴いLSI内のデータバス、
アドレスバス等の内部パスラインは分布抵抗1分布容麓
、負荷容jitI#が大きくなってきている。特にパス
ラインが電詠ライン、接地ラインや他の配線と交差する
場合はパスラインをアルミ配線からポリシリコンや拡散
層の配線に変えるが、このポリシリコンや拡散層の抵抗
や容量はアルミニウムに比較して大きくなる。このよう
に容量や抵抗が大きくなるとパスラインのデータの遅延
が大きくなるので、LSIのデータ伝送速度が低下する
という問題がある。
(Prior art) (hereinafter referred to as L19I) has a high integration rate and its functions are also becoming higher. Also, along with this, the data bus inside the LSI,
Internal path lines such as address buses are becoming larger in distributed resistance 1 distribution volume and load capacity jitI#. Especially when the pass line intersects with the power line, ground line, or other wiring, the pass line is changed from aluminum wiring to polysilicon or diffusion layer wiring, but the resistance and capacitance of this polysilicon and diffusion layer are compared to aluminum wiring. and grow bigger. As the capacitance and resistance increase as described above, the data delay of the pass line increases, resulting in a problem that the data transmission speed of the LSI decreases.

従来これを改善する方法としては、パスラインの低抵抗
化、低容量化を計ったシ、出力バッ7アのドライブ能力
増大等でデータの遅延を少なくすることが考えられてき
た。しかしパスラインの低抵抗化を行うため、金属とし
ては中程匿の抵抗のアルミニウムからもっと低抵抗の金
等に配線材料を変えれば良いがコストが高くなシ、また
配線幅その容量も増加し、巣に多層配線にするとLSI
製造の工程数が増えるなどの欠点があった。一方、パス
ラインの低容量化を行うため、配綜間の間隔すため層間
膜を厚くすると層間の段差が大きくなうfcシ、スルー
ホールがあかなくなるなど製造上の問題が生じるという
欠点があった。更にノくスライン上の各出カバソファの
ドライブ能力を増大させればチップの面積が増加するば
かシでなく、出力バッファ自体の出力容量も増加するの
でノ(スラインの容量が増加するなど、パスラインのデ
ータ遅延を小さくする点での効果が得られないという欠
点があった。
Conventionally, methods to improve this have been considered to reduce the data delay by lowering the resistance and capacitance of the pass line, increasing the drive capacity of the output buffer, and the like. However, in order to lower the resistance of the pass line, it is possible to change the wiring material from aluminum, which has a medium resistance, to gold, which has a lower resistance, but this will increase the cost, and also increase the wiring width and capacitance. , LSI with multilayer wiring in the nest
There were drawbacks such as an increase in the number of manufacturing steps. On the other hand, in order to reduce the capacitance of the pass line, there is a drawback that if the interlayer film is made thicker to increase the spacing between the healds, manufacturing problems will occur such as increasing the level difference between layers and through holes. Ta. Furthermore, increasing the drive capacity of each output buffer on the pass line will not only increase the area of the chip, but also increase the output capacity of the output buffer itself. The disadvantage is that it is not effective in reducing data delay.

(発明の目的) 本発明の目的は、従来のバス回路にわずかな回路を付加
することによシ上記欠点を解決し、ノくスラインC>デ
ータ遅硯ミを少なくできるバス回路を千に供することに
おる。
(Object of the Invention) The object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks by adding a small number of circuits to the conventional bus circuit, and to provide a bus circuit that can reduce the delay of the line C>data. It's in particular.

(発明の構成) 本発明によれば、M l (Diば号に同期してパスラ
インを第1のレベルにあらかじめ充電する光電手段と、
前記第1の1J号でリセットさ扛罰記パスラインが第2
のレベルになるとセットiれる一時記憶手坂と、該一時
記憶手段がセットδれた時前記パスラインに第3のレベ
ルを出力する出力十反とを備えることを特徴とするバス
回路が侍らnる。
(Structure of the Invention) According to the present invention, photoelectric means for precharging the pass line to a first level in synchronization with the M l (Di bus);
The pass line reset in the first 1J is the second
The bus circuit is characterized by comprising a temporary memory device that is set when the level is reached, and an output device that outputs a third level to the pass line when the temporary memory device is set to the level δ. Ru.

(実施例) 次に図面を参照して本発明について説明する。(Example) Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明のバス回路の一実施例を示すブロック図
及び第2図は第1図における動作波形の一例を簡略化し
て示した波形図である。なおデータバス等のパスライン
は通常複数本で構成されるが、第1図ではその1本の一
部分を図示しである。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the bus circuit of the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram showing a simplified example of the operating waveforms in FIG. 1. It should be noted that a pass line such as a data bus is usually composed of a plurality of lines, and FIG. 1 only shows a portion of one of them.

第1図において、バス回路はパスラインにデータを出力
する出力パッファ1,12と、パスライン上のデータを
入力する入力バッファ2,13と、PチャネルMO8)
ランジスタ(以下PTr)4と、NチャネルMO8)ラ
ンジスタ(以下N Tr)8と、インバータ5,6と、
R−87リツプ70ツブ(以下R−8FF)7とから成
シ、斜線で曲んだ回路即ちインバータ6 、R−8FF
7及びN−’rrsで構成される回路は本発明によシ従
来のバス回路に付加された付加回路10である。なお参
照符号3,11はパスラインの分布容量と分布抵抗を等
測的に示した等価分布容量抵抗であり、参照符号9はパ
スラインのプリチャージ信号を示し、また参照符号14
,15.16はそれぞれパスライン上の出力バッ7ア1
の出力点、付加回路10の出力点、入力バッファ130
入力点を示す。
In FIG. 1, the bus circuit includes output buffers 1 and 12 that output data to the pass lines, input buffers 2 and 13 that input data on the pass lines, and a P channel MO8).
transistor (hereinafter referred to as PTr) 4, N-channel MO8) transistor (hereinafter referred to as NTr) 8, inverters 5 and 6,
Consisting of R-87 lip 70 tube (hereinafter referred to as R-8FF) 7, the circuit curved with diagonal lines, that is, inverter 6, R-8FF
7 and N-'rrs is an additional circuit 10 added to the conventional bus circuit according to the present invention. Reference numerals 3 and 11 are equivalent distributed capacitance resistances that isometrically represent the distributed capacitance and distributed resistance of the pass line, reference numeral 9 is a precharge signal of the pass line, and reference numeral 14 is
, 15 and 16 are the output buffers 7 and 1 on the pass line, respectively.
output point, output point of the additional circuit 10, input buffer 130
Indicates the input point.

続いて第1図、第2図を用いて本実施例の動作について
一兄明する。
Next, the operation of this embodiment will be explained in detail using FIGS. 1 and 2.

プリチャージ信号9がハイレベル(以下Hレベル)にな
るとR−8FF7かリセットされ、N Tr8はオフす
る。これと同時にP−Tr4はオンし、パスラインを電
源電位VCCレベル即ちHレベルにプリチャージする。
When the precharge signal 9 becomes high level (hereinafter referred to as H level), the R-8FF7 is reset and the NTr8 is turned off. At the same time, the P-Tr4 is turned on, precharging the pass line to the power supply potential VCC level, that is, the H level.

パスラインの立ち上がシは、第2図に示すようにパスラ
イン上の出力点15ではP−Tr4自体の出力インピー
ダンス(−オン抵抗)による遅れケ本って立1M1l−
,−バスラインドの出力点14及び入力点16では、前
記出力点15の遅れに等価分布容量抵抗3及び11によ
る遅れがそれぞれ加わるので立ち上が9が遅れる。パス
ラインはプリチャージ信号9がローレベル(以下Lレベ
ル)になるまでに電源電位VCCレベルになればよい。
As shown in Fig. 2, the rise of the pass line is delayed by the output impedance (on-resistance) of the P-Tr4 itself at the output point 15 on the pass line.
, - At the output point 14 and input point 16 of the bus line, the rise 9 is delayed because the delay caused by the equivalent distributed capacitance resistors 3 and 11 is added to the delay at the output point 15, respectively. The pass line only needs to reach the power supply potential VCC level before the precharge signal 9 becomes low level (hereinafter referred to as L level).

次いでプリチャージ信号9がLレベルニナリ、出力パッ
ファ1,120いずれ炉カバスラインにデータを出力す
る。このどき出力するデータがHレベルであれば、プリ
チャージレベルと同シであるのでパスラインのレベルは
Hレベルで変化しない。従って出力バッファがHレベル
のデータを出力する時のパスラインの遅延は見かけ上全
くない。
Next, when the precharge signal 9 reaches the L level, the output buffer 1, 120 outputs data to the furnace cover line. If the data to be output at this time is at H level, it is the same as the precharge level, so the level of the pass line remains at H level and does not change. Therefore, there appears to be no delay in the pass line when the output buffer outputs H level data.

次に出力バッファからの出力データがLレベルの場合に
ついて説明する。第2図の動作波形は出力バッファ1が
Lレベルのデータを出力し、入力バッファ13がデータ
を入力する場合を示している。出力バッ7ア1がLレベ
ルのデータを出力すると、バスラ・イン上の出力点14
では出力バッファ1自体の出力インピーダンスによる遅
れをもって立ち下がる。またパスライン上の出力点15
では前記出力点14の遅れに等価分布容量砥抗3による
遅れも加わる。更にパスライン上の入力点16では該出
力点15の遅れに等価分布容量抵抗11による遅れが加
わって立ち下が)が遅くなる。
Next, a case where the output data from the output buffer is at L level will be explained. The operating waveforms in FIG. 2 show a case where the output buffer 1 outputs L level data and the input buffer 13 inputs data. When output buffer 7 outputs L level data, output point 14 on bus line
Then, the signal falls with a delay due to the output impedance of the output buffer 1 itself. Also, output point 15 on the pass line
Then, the delay caused by the equivalent distributed capacitance grinding resistor 3 is added to the delay at the output point 14. Furthermore, at the input point 16 on the pass line, the fall is delayed due to the delay caused by the equivalent distributed capacitance resistor 11 added to the delay at the output point 15.

ここで付加回路10のインバータ6のしきい値がレベル
A(第2図に図示)であるとすれば、前記出力点150
レベルがレベルAに達した時、インバータ6はHレベル
を出力しR−8)’F7はセットされる。このR−8F
F7がセットされると、N−Tr8はオンして前記出力
点15に地気レベル即ちLレベルを出力する。その結果
数出力点15はレベルAに達する時点以前のように出力
バッファlでディスチャージされるだけでなく、N T
r8でもディスチャージされるので、はばN Tr8の
出力インピーダンスで決まる遅れだけで急速に立ち下が
る。第2図において出力点150波形の破線は付加回路
10がない場合1!oち従来のバス回路の場合を示す。
If the threshold value of the inverter 6 of the additional circuit 10 is level A (shown in FIG. 2), the output point 150
When the level reaches level A, inverter 6 outputs H level and R-8)'F7 is set. This R-8F
When F7 is set, N-Tr8 is turned on and outputs the earth level, that is, L level, to the output point 15. As a result, the number output point 15 is not only discharged in the output buffer l as before reaching the level A, but also N T
Since r8 is also discharged, it falls rapidly with only a delay determined by the output impedance of NTr8. In FIG. 2, the broken line of the output point 150 waveform is 1! when there is no additional circuit 10! The case of a conventional bus circuit is shown below.

また前記入力点16は前記出力点15のレベルが前記レ
ベルAに達する時点以前には出力バッファ1が出力して
いるLレベルが等価分布容量抵抗3と11を合わせた遅
れをもって伝わシ立ち下がってきたが、前記出力点15
がレベルAK達した時点以降は該出力点15がNTr8
でもディスチャージされるので単に等価分布容魚抵抗1
1による遅れだけで立ち下がる。第2図において、入力
点16の波形の破線は付加回路10のない場合を示す。
In addition, before the level of the output point 15 reaches the level A, the input point 16 receives the L level output from the output buffer 1 with a delay equal to the sum of the equivalent distributed capacitance resistors 3 and 11, and falls. However, the output point 15
After reaching the level AK, the output point 15 becomes NTr8.
But since it is discharged, it is simply the equivalent distribution capacity fish resistance 1
It falls only with a delay due to 1. In FIG. 2, the broken line of the waveform at the input point 16 shows the case without the additional circuit 10.

ここで入力バッファ13のしきい値がインバータ6のし
きい値と同じレベル人であるとすると、付加回路10が
ある場合に比べ時間t(第2図に図示)だけ立ち下がシ
が速くなる。
Assuming that the threshold of the input buffer 13 is at the same level as the threshold of the inverter 6, the fall will be faster by the time t (shown in FIG. 2) than in the case where the additional circuit 10 is provided. .

本実施例ではインバータ6の入力のしきい値と入力バッ
ファ130入力のしきい値を同じレベルとして説明した
が、ここでインバータ6の入力のしきい([を高くして
おき速くLレベルを検出するようにすれば、よシ一層パ
スラインの立ち下がシを速くすることができる。
In this embodiment, the threshold value of the input of the inverter 6 and the threshold value of the input of the input buffer 130 have been explained as being at the same level. By doing so, the fall of the pass line can be made even faster.

(発明の効果) 以上説明したように本発明のバス回路によれば、従来の
バス回路にわずかな付力旧」路を設けることによシバス
ラインの分布容量1分布抵抗等による出力データの立ち
下がり即ちデータの遅れを少なくすることができるので
、LSIのデータ伝送装置が速くなるといり効果か生じ
る。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the bus circuit of the present invention, by providing a slight biasing path in the conventional bus circuit, the fall of output data due to the distributed capacitance 1 distributed resistance of the bus line, etc. In other words, since data delays can be reduced, an effect will be produced as LSI data transmission devices become faster.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明のバス回路の一実施例を示すブロック図
及び第2図は第1図における動作波形の一例を簡略化し
て示した波形図である。 図において、1.12・旧・・出力バッファ、2゜13
°°°°°°入力バツノア、3,11・・・・・・等価
分布容量抵抗、4・・・・・・PチャネルML)8)ラ
ンジスタ、5.6・・・・・・・rンパータ、7・旧・
・R−87リツプフロツプ、δ・・・・・・rJナヤイ
ルMOSトランジスタ、9・・・・・・プリチャージ1
1方、1o・・・・・・付加回路、14.15・・・・
・・出力点、16・・・・・・入力点。 第2図
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the bus circuit of the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram showing a simplified example of the operating waveforms in FIG. 1. In the figure, 1.12・old...output buffer, 2゜13
°°°°°° Input voltage, 3, 11...Equivalent distributed capacitance resistance, 4...P channel ML) 8) Ransistor, 5.6......r patterner ,7・old・
・R-87 lip flop, δ...rJ Nail MOS transistor, 9...Precharge 1
One side, 1o...Additional circuit, 14.15...
...Output point, 16...Input point. Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1の信号に同期してパスラインを第1のレベルにあら
かじめ充電する充電手段と、前記第1の信号でリセット
され前記バスラインガ第2のレベルになるとセットされ
る一時記憶手段と、該一時記憶手段がセットされた時前
記パスラインに第30レベルを出力する出力手段とを備
えることを特徴とするバス回路。
charging means for precharging the pass line to a first level in synchronization with a first signal; temporary storage means that is reset by the first signal and set when the bus line reaches a second level; and output means for outputting a 30th level to the pass line when the means is set.
JP8135084A 1984-04-23 1984-04-23 Bus circuit Pending JPS60224356A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8135084A JPS60224356A (en) 1984-04-23 1984-04-23 Bus circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8135084A JPS60224356A (en) 1984-04-23 1984-04-23 Bus circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60224356A true JPS60224356A (en) 1985-11-08

Family

ID=13743914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8135084A Pending JPS60224356A (en) 1984-04-23 1984-04-23 Bus circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60224356A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6312238U (en) * 1986-05-19 1988-01-27
EP0261620A2 (en) * 1986-09-23 1988-03-30 Alcatel SEL Aktiengesellschaft Circuit arrangement and bus circuit with a large bandwidth, and a component for a broadband switching network
JPH0351904A (en) * 1989-07-19 1991-03-06 Nec Corp Bus circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6312238U (en) * 1986-05-19 1988-01-27
EP0261620A2 (en) * 1986-09-23 1988-03-30 Alcatel SEL Aktiengesellschaft Circuit arrangement and bus circuit with a large bandwidth, and a component for a broadband switching network
AU593382B2 (en) * 1986-09-23 1990-02-08 Alcatel N.V. Bandwidth expanding arrangement
JPH0351904A (en) * 1989-07-19 1991-03-06 Nec Corp Bus circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2564787B2 (en) Gate array large-scale integrated circuit device and manufacturing method thereof
GB2177865A (en) Output buffer circuit
JP3113853B2 (en) Data output buffer circuit
US7433254B2 (en) Accelerated single-ended sensing for a memory circuit
US4853896A (en) Write driver circuit of semiconductor memory device
JPS60224356A (en) Bus circuit
JPH09121026A (en) High-speed logical array device be allowing customizability
US6046931A (en) Method and apparatus for a RAM circuit having N-nary output interface
JP3216409B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS6027118B2 (en) semiconductor memory device
JPS5966218A (en) Delay circuit
JP3402947B2 (en) Address decoder
JPS62120117A (en) Delay circuit
JPH0354899B2 (en)
US5572715A (en) Architecture and circuits for eliminating skews in PLDs
JPH0677806A (en) Output circuit for semiconductor storage device
JPH0612631B2 (en) Semiconductor memory
JP3511908B2 (en) NMOS network logic
JP2689533B2 (en) CMOS buffer circuit
JP2621628B2 (en) Semiconductor memory
US6118716A (en) Method and apparatus for an address triggered RAM circuit
JPS6282817A (en) Logic circuit
JPH01175414A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS62177789A (en) Semiconductor memory
JPH0334366A (en) Cmos circuit