JPS6022375A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6022375A JPS6022375A JP13149683A JP13149683A JPS6022375A JP S6022375 A JPS6022375 A JP S6022375A JP 13149683 A JP13149683 A JP 13149683A JP 13149683 A JP13149683 A JP 13149683A JP S6022375 A JPS6022375 A JP S6022375A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- drain
- type semiconductor
- diffusion layer
- mos type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out
Landscapes
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＭＯ８型半導体装置の構造に関する。
高耐圧ＭＯ８型半導体装置をプルアップ抵抗として用い
る事は、螢光表示管等の高電圧を要するデバイスの駆動
回路中、特に低電圧で駆動されるロジック部と高電圧の
ドライバ部の間のレベルシフト回路に多くみられる。
る事は、螢光表示管等の高電圧を要するデバイスの駆動
回路中、特に低電圧で駆動されるロジック部と高電圧の
ドライバ部の間のレベルシフト回路に多くみられる。
第１因はプルアップ抵抗として用いられる従来の高耐圧
ＭＯＢ型半導体装置を示す図である。高濃度ドレイン拡
散Ｊ１り４の周囲にオフセット拡散層５を形成する皇に
よって高耐圧化されている。図の１はアクティブ領域、
２はゲート配線、３はソース拡散層、６はドレイン配線
を示す。第１図に示すＭＯＢ型半導体装置ではドレイン
拡散層の耐圧がオフセット拡散層５が低濃度の場合支配
的になり百ボルト以上の耐圧を得る事が困難になる。
ＭＯＢ型半導体装置を示す図である。高濃度ドレイン拡
散Ｊ１り４の周囲にオフセット拡散層５を形成する皇に
よって高耐圧化されている。図の１はアクティブ領域、
２はゲート配線、３はソース拡散層、６はドレイン配線
を示す。第１図に示すＭＯＢ型半導体装置ではドレイン
拡散層の耐圧がオフセット拡散層５が低濃度の場合支配
的になり百ボルト以上の耐圧を得る事が困難になる。
上記の欠点を除去するにはドレイン拡散層に対する電界
集中を避ける為チャネル領域でドレイン拡散層を囲む必
要がある。その際ドレイン１Ｌ極下にはチャネルを設け
ない。しかしチャネル部を上記の様にほぼ円形に形成す
るとチャネルｌ子が大きくなりＭＯ８型半導体装置の抵
抗は小さくなりプルアップ抵抗としての用をなさなくな
る。
集中を避ける為チャネル領域でドレイン拡散層を囲む必
要がある。その際ドレイン１Ｌ極下にはチャネルを設け
ない。しかしチャネル部を上記の様にほぼ円形に形成す
るとチャネルｌ子が大きくなりＭＯ８型半導体装置の抵
抗は小さくなりプルアップ抵抗としての用をなさなくな
る。
本発明は上記の欠点を除去する為にチャネルの一部を狭
く長くしたものである。本発明の実施例を第２図に示す
。ゲート配＠Ｊ１２はドレイン端で分岐し、ドレイン電
極１６の部分では切れる為、Ｙ字型のチャネル領域を形
成する。図の１１はアクティブ領域、１３はソース拡散
層、１４は高濃度ドレイン拡散ｎ’ｊ、１５はオフセッ
ト拡ＩＴｈＪＭを示す。
く長くしたものである。本発明の実施例を第２図に示す
。ゲート配＠Ｊ１２はドレイン端で分岐し、ドレイン電
極１６の部分では切れる為、Ｙ字型のチャネル領域を形
成する。図の１１はアクティブ領域、１３はソース拡散
層、１４は高濃度ドレイン拡散ｎ’ｊ、１５はオフセッ
ト拡ＩＴｈＪＭを示す。
本発明のＭＯ８型半導体装置は従来のＭＯ８型半導体装
置では困難であった百ボルト以上の耐圧を容・易に得る
事が出来、螢光表示管の駆動用等の半導体装置として大
いに役立つ。
置では困難であった百ボルト以上の耐圧を容・易に得る
事が出来、螢光表示管の駆動用等の半導体装置として大
いに役立つ。
第１図は従来のＭＯ８型半導体装置を示す図である。
第２図は本発明のＭ ＯＳ ｇ半導体装置４を示す図で
ある。 １．１１・・・・・・アクティブ領域 ２．１２・・・・・・ゲート配線 ３．１３・・・・・・ソース拡散層 ４．１４・・・・・・高濃度ドレイン拡散層５．１５・
・・・・・オフセット拡散層６．１６・・・・・・ドレ
イン配線 具 上 出願人 株式会社霞訪精工舎 第１図 第２図
ある。 １．１１・・・・・・アクティブ領域 ２．１２・・・・・・ゲート配線 ３．１３・・・・・・ソース拡散層 ４．１４・・・・・・高濃度ドレイン拡散層５．１５・
・・・・・オフセット拡散層６．１６・・・・・・ドレ
イン配線 具 上 出願人 株式会社霞訪精工舎 第１図 第２図
Claims (1)
- ゲー）ＩＫ極がドレイン端で分岐したＹ字型をなす小を
特徴とするＭＯ８型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13149683A JPS6022375A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13149683A JPS6022375A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022375A true JPS6022375A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15059359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13149683A Pending JPS6022375A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | Ｍｏｓ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022375A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049491A1 (fr) * | 1998-03-23 | 1999-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Source d'electrons a emission de champ |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13149683A patent/JPS6022375A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049491A1 (fr) * | 1998-03-23 | 1999-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Source d'electrons a emission de champ |
| US6818915B1 (en) | 1998-03-23 | 2004-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-emission electron source |
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