JPS60221570A - スパツタリング用タ−ゲツト電極 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツト電極Info
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- JPS60221570A JPS60221570A JP7824884A JP7824884A JPS60221570A JP S60221570 A JPS60221570 A JP S60221570A JP 7824884 A JP7824884 A JP 7824884A JP 7824884 A JP7824884 A JP 7824884A JP S60221570 A JPS60221570 A JP S60221570A
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- JP
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- sputtering
- metal
- saturation magnetization
- target
- metals
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はメタルテープ等の製造に使用するスパッタリン
グ用のターゲットに係り、％に高速スパッタリングに適
した強磁性ターゲット電極に関するものである。
グ用のターゲットに係り、％に高速スパッタリングに適
した強磁性ターゲット電極に関するものである。
（ロ）従来技術
Ｃｏ−Ｃｒ等の強磁性合金の薄膜をスパッタ法によシ非
磁性基板上に形成して得られる磁気テープ等の記録媒体
は残留磁束密度が大きく高密度記録に適している。とこ
ろが、強磁性材料をスパッタ法によって膜形成する場合
、一般に膜形成速度が遅く量産性の点で問題がある。こ
の様な欠点を改善して高速スパッタを実現する方氷とし
て最近第３図のようなターゲット構造が提案されている
。（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡ
ＧＮＥＴＩＣ８，ＶＯＬ、ＭＡＧ−１８Ｎ０．６ ＮＯ
ＶＥＭＢＥＲ１９８２，第１０８０頁乃至１０８２頁、
表題−ＡＮＥＷＨＩＧＨＲＡＴＥ ５ＰＵＴＴＲＩＮＧ
ＴＡＲＧＥＴ ＯＦ Ｍ人ＧＮＥＴＩＣＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ′なる論文参照） 周知の如く高速スパッタを行う［は、ターゲット表面上
にその表面に垂直な電界と水平な磁界が必要となる。こ
れらの電界と磁界の効果によシ、ターゲットから発生し
た二次電子を、この領域に閉じ込めここにプラズマを集
中させてよシ効率よくスパッタさせることによシ膜形成
速度を高速化する。しかしターゲットが強磁性材料の場
合ターゲット裏面の永久磁石からの磁束が強磁性材料で
おるターゲットによシ短絡されて、ターゲット表面上に
水平磁界が有効に現われなくなるため、高速スパッタ化
が困難となる。
磁性基板上に形成して得られる磁気テープ等の記録媒体
は残留磁束密度が大きく高密度記録に適している。とこ
ろが、強磁性材料をスパッタ法によって膜形成する場合
、一般に膜形成速度が遅く量産性の点で問題がある。こ
の様な欠点を改善して高速スパッタを実現する方氷とし
て最近第３図のようなターゲット構造が提案されている
。（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡ
ＧＮＥＴＩＣ８，ＶＯＬ、ＭＡＧ−１８Ｎ０．６ ＮＯ
ＶＥＭＢＥＲ１９８２，第１０８０頁乃至１０８２頁、
表題−ＡＮＥＷＨＩＧＨＲＡＴＥ ５ＰＵＴＴＲＩＮＧ
ＴＡＲＧＥＴ ＯＦ Ｍ人ＧＮＥＴＩＣＭＡＴＥＲＩ
ＡＬＳ′なる論文参照） 周知の如く高速スパッタを行う［は、ターゲット表面上
にその表面に垂直な電界と水平な磁界が必要となる。こ
れらの電界と磁界の効果によシ、ターゲットから発生し
た二次電子を、この領域に閉じ込めここにプラズマを集
中させてよシ効率よくスパッタさせることによシ膜形成
速度を高速化する。しかしターゲットが強磁性材料の場
合ターゲット裏面の永久磁石からの磁束が強磁性材料で
おるターゲットによシ短絡されて、ターゲット表面上に
水平磁界が有効に現われなくなるため、高速スパッタ化
が困難となる。
第３図のターゲットにおいては、強磁性材料からなるタ
ーゲット（ＩＩＩＣ斜めギャップＧを設けることにより
永久磁石ｔ３Ｈ４１（５１から発生する磁束をターゲッ
ト表面にも導いて、高速スパッタ化を実現している。＋
６）Ｖｉ軟磁性材料のヨークである。このターゲットは
非磁性のバッキングプレート［２に貼シ付けて補強した
構造であるが、バッキングプレートのスパッタを回避す
るためにターゲットに斜めギャップＧを多数形成するこ
とが不可欠でめり、ターゲット製作上このような斜めギ
ャップ形成の困難さ及び複雑な加工に伴うターゲット価
格の高騰、その他ターゲット強度の弱さ等多くの問題を
かかえている。
ーゲット（ＩＩＩＣ斜めギャップＧを設けることにより
永久磁石ｔ３Ｈ４１（５１から発生する磁束をターゲッ
ト表面にも導いて、高速スパッタ化を実現している。＋
６）Ｖｉ軟磁性材料のヨークである。このターゲットは
非磁性のバッキングプレート［２に貼シ付けて補強した
構造であるが、バッキングプレートのスパッタを回避す
るためにターゲットに斜めギャップＧを多数形成するこ
とが不可欠でめり、ターゲット製作上このような斜めギ
ャップ形成の困難さ及び複雑な加工に伴うターゲット価
格の高騰、その他ターゲット強度の弱さ等多くの問題を
かかえている。
（ハ）発明の目的
本発明はこの様な従来例のもつ課題の解決をはかシ、高
速スパッタリングが可能で低廉且つ強度的にも信頼性の
めるスパッタリング用ターゲット電極を提供することを
目的とするものである。
速スパッタリングが可能で低廉且つ強度的にも信頼性の
めるスパッタリング用ターゲット電極を提供することを
目的とするものである。
に）発明の構成
強磁性の第１金属とこの金属に比して十分小さい飽和磁
化を有する第２金属とを交互に積層した複合板の側面を
非磁性のバックプレートで固定し、前記パックプレート
の裏面に配した磁石から発生する磁束が前記第２金属を
漏洩して上記複合板の他側面上に水平方向の磁束を形成
する様に構成する。
化を有する第２金属とを交互に積層した複合板の側面を
非磁性のバックプレートで固定し、前記パックプレート
の裏面に配した磁石から発生する磁束が前記第２金属を
漏洩して上記複合板の他側面上に水平方向の磁束を形成
する様に構成する。
（ホ）実 施 例
以下本発明の詳細な説明
面図を表わす第１図及びＣｏ−Ｃｒ合金中のＣｒの含有
率と飽和磁化との関係を示す第２図を参照しつ２説明す
る。
率と飽和磁化との関係を示す第２図を参照しつ２説明す
る。
この実施例は、ポリエステル等のテープベース上ＶＣ．
ｃｏ−Ｃｒ合金膜をスパッタリングによシ形成するため
のターゲット電極に関するものである。
ｃｏ−Ｃｒ合金膜をスパッタリングによシ形成するため
のターゲット電極に関するものである。
第１図において、ｔ［ｌはスパッタリングすべきターゲ
ットを形成する複合板である。この複合板は、テープベ
ース上にスパッタリング法によりて形成場るべき強磁性
合金膜を組成する１若しくは２以上の強磁性金属（以下
第１金属と称す）製の各個体が巾ａ１厚みｔなるブロッ
クα１ＪｃＬ１ｌ・・・（１１）と、同じく前記強磁性
合金膜を組成する１若しくは２以上の磁性金属（以下第
２金属と称す）でろって、前記第１金属に比して十分小
さい飽和磁化を有する金属！ｌ！を素材とし、各個体が
巾ａ厚みｔなるブロックｎ加ｚ・・・１１′！Ｊの交互
の積層体として構成される。
ットを形成する複合板である。この複合板は、テープベ
ース上にスパッタリング法によりて形成場るべき強磁性
合金膜を組成する１若しくは２以上の強磁性金属（以下
第１金属と称す）製の各個体が巾ａ１厚みｔなるブロッ
クα１ＪｃＬ１ｌ・・・（１１）と、同じく前記強磁性
合金膜を組成する１若しくは２以上の磁性金属（以下第
２金属と称す）でろって、前記第１金属に比して十分小
さい飽和磁化を有する金属！ｌ！を素材とし、各個体が
巾ａ厚みｔなるブロックｎ加ｚ・・・１１′！Ｊの交互
の積層体として構成される。
前記ターゲット電極は、この複合板１１［１の一側面分
固着するバッキングプレート０３とその背面に配置され
、前記複合板の他の側面が形成するスノくツタリング面
に水平の磁界を形成するための永久磁石（１４ＣＩ５１
＋１６１及びこれらの磁石から発生する磁束の磁路の一
部を形成するための軟磁性材製ヨーク鰭で構成される。
固着するバッキングプレート０３とその背面に配置され
、前記複合板の他の側面が形成するスノくツタリング面
に水平の磁界を形成するための永久磁石（１４ＣＩ５１
＋１６１及びこれらの磁石から発生する磁束の磁路の一
部を形成するための軟磁性材製ヨーク鰭で構成される。
次に数値例を含めたより具体的な例につ９て説明する。
この例はテープベース上ＫＣｏ７Ｃｒ合金膜をスパッタ
リング形成する場合の実例である。
リング形成する場合の実例である。
第１金属製ブロツクαυ・・・Ｃｏ（コバルト）製、寸
法〔巾ａ：４３ｎ＋．厚 さｔ：８ｉｍ１長さ２００ 鱈、〕 第２金属製プロツク１４・・・ｓｓａｔ＜のＣｒ（クロ
ーム）−Ｃｏ（コバル ト）合金製、寸法【巾ｂ ：２１１１１厚さｔ：８顛、 長さ２００ｆｆ） 複 合 板 −・・・第１、第２金属製ブロツクを交互
に１６枚積層〔中８０ Ｕ，長さ２００ＩｒＭ１厚みＦ３ｍｍ 〕 第２図に図示せる如（、Ｃｏ−Ｃｒ合金中のＣｒの含有
量ａｔ％と飽和磁化の関係は略比例関係にめるから、第
１、第２金属の各飽和磁化の比を適宜選定出来る。例え
ば第１金属としてＣｏ単体を選定するとその飽和磁化（
ｅｍｕ／ｃｃ）は１４００となシ、第２金属としてＣｏ
−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量３３ａｔ＜）を選定するとその
飽和磁化は略４０となる。
法〔巾ａ：４３ｎ＋．厚 さｔ：８ｉｍ１長さ２００ 鱈、〕 第２金属製プロツク１４・・・ｓｓａｔ＜のＣｒ（クロ
ーム）−Ｃｏ（コバル ト）合金製、寸法【巾ｂ ：２１１１１厚さｔ：８顛、 長さ２００ｆｆ） 複 合 板 −・・・第１、第２金属製ブロツクを交互
に１６枚積層〔中８０ Ｕ，長さ２００ＩｒＭ１厚みＦ３ｍｍ 〕 第２図に図示せる如（、Ｃｏ−Ｃｒ合金中のＣｒの含有
量ａｔ％と飽和磁化の関係は略比例関係にめるから、第
１、第２金属の各飽和磁化の比を適宜選定出来る。例え
ば第１金属としてＣｏ単体を選定するとその飽和磁化（
ｅｍｕ／ｃｃ）は１４００となシ、第２金属としてＣｏ
−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量３３ａｔ＜）を選定するとその
飽和磁化は略４０となる。
本発明者等は高速スパッタリング性能を損なわぬための
条件、即ち十分なる水平方向の漏れ磁界を確保するため
の条件としては、第２金属の飽和磁化が第１金属の飽和
磁化の略５分の１以下でろればよいことを実験によシ確
認した。
条件、即ち十分なる水平方向の漏れ磁界を確保するため
の条件としては、第２金属の飽和磁化が第１金属の飽和
磁化の略５分の１以下でろればよいことを実験によシ確
認した。
この様な構成であれば、第２金属製のブロック１ｚ・・
・ｔｔｚｔｒｉいずれも上記永久磁石σａ止霞の磁束に
よシ十分磁気飽和を起すために、複合板部を貫通した磁
束がターゲツト面に水平方向の磁界を形成して高速スパ
ッタリングを可能とする。上記数値例のターゲット電極
を用い、定速移送するポリエステルフィルム１２０）上
ｖｃＣｏ −Ｃｒ膜をスパッタリングした結果、飽和磁
化２８ Ｑ ｅｍｕ／ｃ ｃを有する均一な膜厚のＣｏ
−Ｃｒ合金膜が０．８／ｕｎ／ｍｉｎの膜形成速度で
得られた。
・ｔｔｚｔｒｉいずれも上記永久磁石σａ止霞の磁束に
よシ十分磁気飽和を起すために、複合板部を貫通した磁
束がターゲツト面に水平方向の磁界を形成して高速スパ
ッタリングを可能とする。上記数値例のターゲット電極
を用い、定速移送するポリエステルフィルム１２０）上
ｖｃＣｏ −Ｃｒ膜をスパッタリングした結果、飽和磁
化２８ Ｑ ｅｍｕ／ｃ ｃを有する均一な膜厚のＣｏ
−Ｃｒ合金膜が０．８／ｕｎ／ｍｉｎの膜形成速度で
得られた。
（へ）発明の効果
本発明に依れば、従来例の如く、ターゲット金属ブロッ
ク間にギャップを設ける必要がなく、又バッキングプレ
ートのスパッタリングを防止するためにターゲット金属
ブロック及びギャップを斜めに形成する必要がないから
、スパッタリング速度のバラツキが少く、均一の膜形成
が可能となる効果に加えターゲット強度が確保出来ると
いう効果のみならず、金属ブロックの斜め加工、バッキ
ングプレートへの取付が不要となるので、加工コストを
下げ得るという効果をも享受し得るものである。
ク間にギャップを設ける必要がなく、又バッキングプレ
ートのスパッタリングを防止するためにターゲット金属
ブロック及びギャップを斜めに形成する必要がないから
、スパッタリング速度のバラツキが少く、均一の膜形成
が可能となる効果に加えターゲット強度が確保出来ると
いう効果のみならず、金属ブロックの斜め加工、バッキ
ングプレートへの取付が不要となるので、加工コストを
下げ得るという効果をも享受し得るものである。
第１図、第２図はいずれも本発明に係シ、第１図はター
ゲット電極の断面図、第２図はＣｏ −Ｃｒ合金中のＣ
ｒの含有量と飽和磁化との関係を示すものである。第３
図は従来例の断面図を示すものであるｎ ［１Ｇ・・・複合板、Ｕυ・・・第１金属ブロツク、１
１２１・・・纂２金属ブロック、酩・・・バッキングプ
レート、（１４１［１５１０Ｇ・・・永久磁石、（１７
）・・・ヨーク。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士 佐 野 静 夫
ゲット電極の断面図、第２図はＣｏ −Ｃｒ合金中のＣ
ｒの含有量と飽和磁化との関係を示すものである。第３
図は従来例の断面図を示すものであるｎ ［１Ｇ・・・複合板、Ｕυ・・・第１金属ブロツク、１
１２１・・・纂２金属ブロック、酩・・・バッキングプ
レート、（１４１［１５１０Ｇ・・・永久磁石、（１７
）・・・ヨーク。 出願人三洋電機株式会社 代理人弁理士 佐 野 静 夫
Claims (1)
- （１）スパッタリングすべき強磁性の第１金属とこの金
属に比して十分小さい飽和磁化を有する第２金属とを交
互に積層してなる複合板の側面を非磁性のバックプレー
トで固定し、前記バックプレートの裏面に配した磁石か
ら発生する磁束が前記第２金属を漏洩して上記複合板の
他側面上に水平方向の磁束を形成すべく構成したスパッ
タリング用ターゲット電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7824884A JPS60221570A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | スパツタリング用タ−ゲツト電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7824884A JPS60221570A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | スパツタリング用タ−ゲツト電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221570A true JPS60221570A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13656699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7824884A Pending JPS60221570A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | スパツタリング用タ−ゲツト電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186867A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Toshiba Corp | スパツタリング用タ−ゲツト電極 |
| WO2012011329A1 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202543A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP7824884A patent/JPS60221570A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202543A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186867A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Toshiba Corp | スパツタリング用タ−ゲツト電極 |
| WO2012011329A1 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット |
| CN103080369A (zh) * | 2010-07-23 | 2013-05-01 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 在靶的背面具有沟的磁性材料溅射靶 |
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