JPS60218469A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
- Publication number
- JPS60218469A JPS60218469A JP7497084A JP7497084A JPS60218469A JP S60218469 A JPS60218469 A JP S60218469A JP 7497084 A JP7497084 A JP 7497084A JP 7497084 A JP7497084 A JP 7497084A JP S60218469 A JPS60218469 A JP S60218469A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- substrate
- inclination
- evaporation
- holder
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野1
本発明はプラネタリ−治具を用いて行なう真空蒸着方法
に関するものである。
に関するものである。
し発明の背景」
一般に真空蒸着法では、蒸発源が微小平面の場合その膜
厚面は微小平面の上に乗ぜた球面となシ1、被蒸着基板
をこの球面上に配置すれば均一な膜厚が得られるが、現
実には基板は平面状であるだめ上記球面とは一致せず、
理想的な膜厚分布とはならない。特に、大量の基板を処
理する場合には、基板間のばらつきも考慮しなければな
らない。
厚面は微小平面の上に乗ぜた球面となシ1、被蒸着基板
をこの球面上に配置すれば均一な膜厚が得られるが、現
実には基板は平面状であるだめ上記球面とは一致せず、
理想的な膜厚分布とはならない。特に、大量の基板を処
理する場合には、基板間のばらつきも考慮しなければな
らない。
このような膜厚のばらつきをなくすため、実際の製造に
あたっては、通常第1図に示すようなプラネタリ−治具
が用いられることが多い。これは、チャンバー1内で、
内面に被蒸着基板2を固定した凹面状のホルダ3を、蒸
発源4の中心軸のまわシに回転させながら蒸着を行なう
もので、各ホルダ回転部3′はリング状のレール5との
摩擦によシそれぞれの中心軸のまわりに自転しながら公
転する。なお、6はシャッタである。
あたっては、通常第1図に示すようなプラネタリ−治具
が用いられることが多い。これは、チャンバー1内で、
内面に被蒸着基板2を固定した凹面状のホルダ3を、蒸
発源4の中心軸のまわシに回転させながら蒸着を行なう
もので、各ホルダ回転部3′はリング状のレール5との
摩擦によシそれぞれの中心軸のまわりに自転しながら公
転する。なお、6はシャッタである。
ここで、基板2は、各ホルダ3の内面に、その周方、向
に沿って複数枚ずつ配置され、例えば第2図に示すよう
に固定ビン3aと、ばねなどによりホルダ3の中心軸方
向に付勢された可動ピン3bとで挾持される珍で、基板
台7に固定される。
に沿って複数枚ずつ配置され、例えば第2図に示すよう
に固定ビン3aと、ばねなどによりホルダ3の中心軸方
向に付勢された可動ピン3bとで挾持される珍で、基板
台7に固定される。
ところが、このような治具を用いて均一化をはかつても
、従来、特に基板2の直径が10cIn以上の場合には
基板内膜厚分布がばらつくという欠点があった。
、従来、特に基板2の直径が10cIn以上の場合には
基板内膜厚分布がばらつくという欠点があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、蒸着膜厚分布のばらつきを/J%さくすること
が可能な真空蒸着ブ1去を提供することにある。
目的は、蒸着膜厚分布のばらつきを/J%さくすること
が可能な真空蒸着ブ1去を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、被蒸着基
板を、グラネタリー治具のホルダ内面に対し所定の角度
をもって固定するようにしたものである。
板を、グラネタリー治具のホルダ内面に対し所定の角度
をもって固定するようにしたものである。
すなわち、従来は基板は第1図に示したようにホルダ3
の内面に沿うような形で固定させているが、上述したよ
うな膜厚分布のはらつきは、このような基板2とホルダ
3の自転中心との傾斜角に起因すること、および基板2
とホルダ3の内面との間に適当な傾斜を設けることによ
シ上記傾斜角が補正されて均一なり<i tw分布が得
られることが明らかとなった。
の内面に沿うような形で固定させているが、上述したよ
うな膜厚分布のはらつきは、このような基板2とホルダ
3の自転中心との傾斜角に起因すること、および基板2
とホルダ3の内面との間に適当な傾斜を設けることによ
シ上記傾斜角が補正されて均一なり<i tw分布が得
られることが明らかとなった。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
微小平面蒸発源としてタングステンコニカルノ(スケッ
トを用い、蒸着母材としてNi −Fe合金を搭載して
通常の真空蒸着装置にセットした。被蒸着基板にはシリ
コン基板番用い、周知の抵抗加熱法によj)Ni−Fe
合金膜をシリコン基板上に被着した。
トを用い、蒸着母材としてNi −Fe合金を搭載して
通常の真空蒸着装置にセットした。被蒸着基板にはシリ
コン基板番用い、周知の抵抗加熱法によj)Ni−Fe
合金膜をシリコン基板上に被着した。
ここで、上記シリコン基板は、第3図に示すように当該
基板2下に板状に折シ曲けたアルミ箔11を部分的に挾
み、その厚みによって、基板台Tと基板2、すなわちホ
ルダ3の内面と基板2との間に適当な傾斜をもたせた。
基板2下に板状に折シ曲けたアルミ箔11を部分的に挾
み、その厚みによって、基板台Tと基板2、すなわちホ
ルダ3の内面と基板2との間に適当な傾斜をもたせた。
上記構成において、基板傾斜θを種々に変えて被着した
Ni−Fe合金膜厚の分布を調べた結果の一例を第4図
に示す。同図は、第5図に示したように10mの基板2
を用い、その基板中心12およびそこからホルダ中心1
3を通る直線に沿って内側、外側にそれぞれ2crn1
4cInの距離をおいた点の計5個の測定点■〜Vにつ
いてれ厚を測定した結果で、膜厚のばらつきは、基板中
心12(測定点m)における膜厚(例えば、4000A
)を基準にし、それとのずれをパーセントa示によシ示
した。図中、実線(イ)は傾斜角が0度(傾斜していな
い従来例に相当する)の場合を示す。これに対し、破線
(ロ)は2度、1点鎖線(ハ)は4度、2点鎖線に)は
6度の各傾斜角を設けた場合を示すが、図から明らかな
ように傾斜角θには最適値(図示の例では4度)を有し
、それより大きくても小さくても(傾斜がない場合を含
め)膜厚のばらつきが大きくなる。しだがって、この傾
斜角θを適当な値に設定することにより、均一な膜厚分
布を得ることができる。
Ni−Fe合金膜厚の分布を調べた結果の一例を第4図
に示す。同図は、第5図に示したように10mの基板2
を用い、その基板中心12およびそこからホルダ中心1
3を通る直線に沿って内側、外側にそれぞれ2crn1
4cInの距離をおいた点の計5個の測定点■〜Vにつ
いてれ厚を測定した結果で、膜厚のばらつきは、基板中
心12(測定点m)における膜厚(例えば、4000A
)を基準にし、それとのずれをパーセントa示によシ示
した。図中、実線(イ)は傾斜角が0度(傾斜していな
い従来例に相当する)の場合を示す。これに対し、破線
(ロ)は2度、1点鎖線(ハ)は4度、2点鎖線に)は
6度の各傾斜角を設けた場合を示すが、図から明らかな
ように傾斜角θには最適値(図示の例では4度)を有し
、それより大きくても小さくても(傾斜がない場合を含
め)膜厚のばらつきが大きくなる。しだがって、この傾
斜角θを適当な値に設定することにより、均一な膜厚分
布を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、被蒸着基板をプ
ラネタリ−治具のホルダ内面に対して所定角度傾斜させ
るだけで、J+ffJ’F分布のばらつきを容易に小さ
くすることができる0
ラネタリ−治具のホルダ内面に対して所定角度傾斜させ
るだけで、J+ffJ’F分布のばらつきを容易に小さ
くすることができる0
氾1図はプラネタリ−治具を用いた真空蒸着装置の構成
図、第2図は従来の被蒸着基板の固定方法を示す断面図
、第3図は本発明の一実施例を示す断面図、第4図は基
板傾斜角と脆厚ばらつきとの関係の一例を示す図、第5
図は第4図の膜厚の測定点を説明するだめの平面図であ
る。 2・・・・基板、3・・・・ホルダ、4・φ・・蒸発源
、I・・・・基板台、11・・・・アルミ箔、θ・・・
・基板傾斜角。 、2〜1しI ム7招比1 h 婉51個 4>441;ノI InIIIIVV 膿瘍′3I)嵐漕、
図、第2図は従来の被蒸着基板の固定方法を示す断面図
、第3図は本発明の一実施例を示す断面図、第4図は基
板傾斜角と脆厚ばらつきとの関係の一例を示す図、第5
図は第4図の膜厚の測定点を説明するだめの平面図であ
る。 2・・・・基板、3・・・・ホルダ、4・φ・・蒸発源
、I・・・・基板台、11・・・・アルミ箔、θ・・・
・基板傾斜角。 、2〜1しI ム7招比1 h 婉51個 4>441;ノI InIIIIVV 膿瘍′3I)嵐漕、
Claims (1)
- 凹面状のホルダ内面に固定した被蒸着基板を微小平面蒸
発源の中心軸のまわシに公転させながら自転させて蒸着
を行なうプラネタリ−治具を用いた真空蒸着方法におい
て、被蒸着基板をホルダ内面に対し所定の傾斜角をもっ
て固定するようにしたことを特徴とする真空落着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7497084A JPS60218469A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7497084A JPS60218469A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60218469A true JPS60218469A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13562656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7497084A Pending JPS60218469A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60218469A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018006364A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 三菱電機株式会社 | 電子線照射装置 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7497084A patent/JPS60218469A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018006364A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 三菱電機株式会社 | 電子線照射装置 |
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