JPS60218469A - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
- Publication number
- JPS60218469A JPS60218469A JP7497084A JP7497084A JPS60218469A JP S60218469 A JPS60218469 A JP S60218469A JP 7497084 A JP7497084 A JP 7497084A JP 7497084 A JP7497084 A JP 7497084A JP S60218469 A JPS60218469 A JP S60218469A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- substrate
- inclination
- evaporation
- holder
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野１
本発明はプラネタリ−治具を用いて行なう真空蒸着方法
に関するものである。
に関するものである。
し発明の背景」
一般に真空蒸着法では、蒸発源が微小平面の場合その膜
厚面は微小平面の上に乗ぜた球面となシ１、被蒸着基板
をこの球面上に配置すれば均一な膜厚が得られるが、現
実には基板は平面状であるだめ上記球面とは一致せず、
理想的な膜厚分布とはならない。特に、大量の基板を処
理する場合には、基板間のばらつきも考慮しなければな
らない。
厚面は微小平面の上に乗ぜた球面となシ１、被蒸着基板
をこの球面上に配置すれば均一な膜厚が得られるが、現
実には基板は平面状であるだめ上記球面とは一致せず、
理想的な膜厚分布とはならない。特に、大量の基板を処
理する場合には、基板間のばらつきも考慮しなければな
らない。
このような膜厚のばらつきをなくすため、実際の製造に
あたっては、通常第１図に示すようなプラネタリ−治具
が用いられることが多い。これは、チャンバー１内で、
内面に被蒸着基板２を固定した凹面状のホルダ３を、蒸
発源４の中心軸のまわシに回転させながら蒸着を行なう
もので、各ホルダ回転部３′はリング状のレール５との
摩擦によシそれぞれの中心軸のまわりに自転しながら公
転する。なお、６はシャッタである。
あたっては、通常第１図に示すようなプラネタリ−治具
が用いられることが多い。これは、チャンバー１内で、
内面に被蒸着基板２を固定した凹面状のホルダ３を、蒸
発源４の中心軸のまわシに回転させながら蒸着を行なう
もので、各ホルダ回転部３′はリング状のレール５との
摩擦によシそれぞれの中心軸のまわりに自転しながら公
転する。なお、６はシャッタである。
ここで、基板２は、各ホルダ３の内面に、その周方、向
に沿って複数枚ずつ配置され、例えば第２図に示すよう
に固定ビン３ａと、ばねなどによりホルダ３の中心軸方
向に付勢された可動ピン３ｂとで挾持される珍で、基板
台７に固定される。
に沿って複数枚ずつ配置され、例えば第２図に示すよう
に固定ビン３ａと、ばねなどによりホルダ３の中心軸方
向に付勢された可動ピン３ｂとで挾持される珍で、基板
台７に固定される。
ところが、このような治具を用いて均一化をはかつても
、従来、特に基板２の直径が１０ｃＩｎ以上の場合には
基板内膜厚分布がばらつくという欠点があった。
、従来、特に基板２の直径が１０ｃＩｎ以上の場合には
基板内膜厚分布がばらつくという欠点があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、蒸着膜厚分布のばらつきを／Ｊ％さくすること
が可能な真空蒸着ブ１去を提供することにある。
目的は、蒸着膜厚分布のばらつきを／Ｊ％さくすること
が可能な真空蒸着ブ１去を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、被蒸着基
板を、グラネタリー治具のホルダ内面に対し所定の角度
をもって固定するようにしたものである。
板を、グラネタリー治具のホルダ内面に対し所定の角度
をもって固定するようにしたものである。
すなわち、従来は基板は第１図に示したようにホルダ３
の内面に沿うような形で固定させているが、上述したよ
うな膜厚分布のはらつきは、このような基板２とホルダ
３の自転中心との傾斜角に起因すること、および基板２
とホルダ３の内面との間に適当な傾斜を設けることによ
シ上記傾斜角が補正されて均一なり＜ｉ ｔｗ分布が得
られることが明らかとなった。
の内面に沿うような形で固定させているが、上述したよ
うな膜厚分布のはらつきは、このような基板２とホルダ
３の自転中心との傾斜角に起因すること、および基板２
とホルダ３の内面との間に適当な傾斜を設けることによ
シ上記傾斜角が補正されて均一なり＜ｉ ｔｗ分布が得
られることが明らかとなった。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
微小平面蒸発源としてタングステンコニカルノ（スケッ
トを用い、蒸着母材としてＮｉ −Ｆｅ合金を搭載して
通常の真空蒸着装置にセットした。被蒸着基板にはシリ
コン基板番用い、周知の抵抗加熱法によｊ）Ｎｉ−Ｆｅ
合金膜をシリコン基板上に被着した。
トを用い、蒸着母材としてＮｉ −Ｆｅ合金を搭載して
通常の真空蒸着装置にセットした。被蒸着基板にはシリ
コン基板番用い、周知の抵抗加熱法によｊ）Ｎｉ−Ｆｅ
合金膜をシリコン基板上に被着した。
ここで、上記シリコン基板は、第３図に示すように当該
基板２下に板状に折シ曲けたアルミ箔１１を部分的に挾
み、その厚みによって、基板台Ｔと基板２、すなわちホ
ルダ３の内面と基板２との間に適当な傾斜をもたせた。
基板２下に板状に折シ曲けたアルミ箔１１を部分的に挾
み、その厚みによって、基板台Ｔと基板２、すなわちホ
ルダ３の内面と基板２との間に適当な傾斜をもたせた。
上記構成において、基板傾斜θを種々に変えて被着した
Ｎｉ−Ｆｅ合金膜厚の分布を調べた結果の一例を第４図
に示す。同図は、第５図に示したように１０ｍの基板２
を用い、その基板中心１２およびそこからホルダ中心１
３を通る直線に沿って内側、外側にそれぞれ２ｃｒｎ１
４ｃＩｎの距離をおいた点の計５個の測定点■〜Ｖにつ
いてれ厚を測定した結果で、膜厚のばらつきは、基板中
心１２（測定点ｍ）における膜厚（例えば、４０００Ａ
）を基準にし、それとのずれをパーセントａ示によシ示
した。図中、実線（イ）は傾斜角が０度（傾斜していな
い従来例に相当する）の場合を示す。これに対し、破線
（ロ）は２度、１点鎖線（ハ）は４度、２点鎖線に）は
６度の各傾斜角を設けた場合を示すが、図から明らかな
ように傾斜角θには最適値（図示の例では４度）を有し
、それより大きくても小さくても（傾斜がない場合を含
め）膜厚のばらつきが大きくなる。しだがって、この傾
斜角θを適当な値に設定することにより、均一な膜厚分
布を得ることができる。
Ｎｉ−Ｆｅ合金膜厚の分布を調べた結果の一例を第４図
に示す。同図は、第５図に示したように１０ｍの基板２
を用い、その基板中心１２およびそこからホルダ中心１
３を通る直線に沿って内側、外側にそれぞれ２ｃｒｎ１
４ｃＩｎの距離をおいた点の計５個の測定点■〜Ｖにつ
いてれ厚を測定した結果で、膜厚のばらつきは、基板中
心１２（測定点ｍ）における膜厚（例えば、４０００Ａ
）を基準にし、それとのずれをパーセントａ示によシ示
した。図中、実線（イ）は傾斜角が０度（傾斜していな
い従来例に相当する）の場合を示す。これに対し、破線
（ロ）は２度、１点鎖線（ハ）は４度、２点鎖線に）は
６度の各傾斜角を設けた場合を示すが、図から明らかな
ように傾斜角θには最適値（図示の例では４度）を有し
、それより大きくても小さくても（傾斜がない場合を含
め）膜厚のばらつきが大きくなる。しだがって、この傾
斜角θを適当な値に設定することにより、均一な膜厚分
布を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、被蒸着基板をプ
ラネタリ−治具のホルダ内面に対して所定角度傾斜させ
るだけで、Ｊ＋ｆｆＪ’Ｆ分布のばらつきを容易に小さ
くすることができる０
ラネタリ−治具のホルダ内面に対して所定角度傾斜させ
るだけで、Ｊ＋ｆｆＪ’Ｆ分布のばらつきを容易に小さ
くすることができる０
氾１図はプラネタリ−治具を用いた真空蒸着装置の構成
図、第２図は従来の被蒸着基板の固定方法を示す断面図
、第３図は本発明の一実施例を示す断面図、第４図は基
板傾斜角と脆厚ばらつきとの関係の一例を示す図、第５
図は第４図の膜厚の測定点を説明するだめの平面図であ
る。 ２・・・・基板、３・・・・ホルダ、４・φ・・蒸発源
、Ｉ・・・・基板台、１１・・・・アルミ箔、θ・・・
・基板傾斜角。 、２〜１しＩ ム７招比１ ｈ 婉５１個 ４＞４４１；ノＩ ＩｎＩＩＩＩＶＶ 膿瘍′３Ｉ）嵐漕、
図、第２図は従来の被蒸着基板の固定方法を示す断面図
、第３図は本発明の一実施例を示す断面図、第４図は基
板傾斜角と脆厚ばらつきとの関係の一例を示す図、第５
図は第４図の膜厚の測定点を説明するだめの平面図であ
る。 ２・・・・基板、３・・・・ホルダ、４・φ・・蒸発源
、Ｉ・・・・基板台、１１・・・・アルミ箔、θ・・・
・基板傾斜角。 、２〜１しＩ ム７招比１ ｈ 婉５１個 ４＞４４１；ノＩ ＩｎＩＩＩＩＶＶ 膿瘍′３Ｉ）嵐漕、
Claims (1)
- 凹面状のホルダ内面に固定した被蒸着基板を微小平面蒸
発源の中心軸のまわシに公転させながら自転させて蒸着
を行なうプラネタリ−治具を用いた真空蒸着方法におい
て、被蒸着基板をホルダ内面に対し所定の傾斜角をもっ
て固定するようにしたことを特徴とする真空落着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7497084A JPS60218469A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 真空蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7497084A JPS60218469A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 真空蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218469A true JPS60218469A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13562656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7497084A Pending JPS60218469A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018006364A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 三菱電機株式会社 | 電子線照射装置 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7497084A patent/JPS60218469A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018006364A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 三菱電機株式会社 | 電子線照射装置 |
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