JPS60216534A - 半導体ウエハの識別方法 - Google Patents

半導体ウエハの識別方法

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Publication number
JPS60216534A
JPS60216534A JP7185984A JP7185984A JPS60216534A JP S60216534 A JPS60216534 A JP S60216534A JP 7185984 A JP7185984 A JP 7185984A JP 7185984 A JP7185984 A JP 7185984A JP S60216534 A JPS60216534 A JP S60216534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cassette
wafers
wafer
controller
semiconductor wafers
Prior art date
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Pending
Application number
JP7185984A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Matsuzawa
松沢 浩
Hiroshi Kinoshita
博 木下
Yasuhisa Yoshida
康久 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7185984A priority Critical patent/JPS60216534A/ja
Publication of JPS60216534A publication Critical patent/JPS60216534A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野J この発明は半導体ウェハの識別方法に関し、さらに詳細
にはウェハプロセスに−おける半導体つエバの識別方法
に関するものである。
[発明の技術的背景] 従来の半導体装置の製造工程では、半導体ウェハの表面
や裏面に英数字やバーコード等の識別記号をホトエツチ
ングやレーザーマーキング等の方法で刻印しておき、各
半導体ウェハの加工や仕分番ノは該半導体ウェハを一枚
ずつ識別しながら行っていた。
[背景技術の問題点] 前記のごとき従来の識別方法では、■半導体ウェハの表
面もしくは裏面の識別記号を刻印すると素子形成面積が
少なくなり、歩留りが低くなる、■半導体ウェハの表面
もしくは裏面に識別記号が刻印されていると半導体ウニ
への識別及び取扱いはウェハ一枚毎に行うことになるの
で半導体ウェハの処理速度が遅い、■半導体ウェハの表
面もしくは裏面に識別用記号を刻印すると、半導体ウェ
ハをカセ″シト(カートリッジ゛)に収容した時に該カ
セットの各半導体ウェハの識別ができないため、半導体
装置製造用設備において各カセット毎に最適な処理を行
うことが困難となり、また完全なカセット単位の自動化
処理は不可能である等の問題点があった。
[発明の目的] この発明の目的は、前記の問題点を解決し、素子歩留り
が向上し、かつカセット単位のウェハプロセスによる処
理速度の向上と自動化とを可能にする半導体ウェハの識
別方法を提供することである。
[発明の概要] この発明による方法は、特許請求の範囲に記載したよう
に、外周面の特定位置にバーコード等の識別記号を刻印
した多数の半導体ウェハを該識別記号が同一方向を向い
て整列するようにカセット内に収容し、該カセット内の
半導体ウェハをウェハプロセスの任意の工程で識別する
ことを特徴とするものである。
この発明の方法によれば、ウェハプロセスにおける処理
速度の向上及び処理の自動化並びにウェハの素子形成面
積の増大が可能となる。 勿論、この発明による方法に
おいて従来方法のように半導体ウェハを一枚毎に識別及
び取扱いを行うことも可能である。
[発明の実施例] 以下に添付図面を参照して本発明の一実施例について説
明する。
第1図は本発明の方法の一構成要件、すなわち半導体ウ
ェハ1の外周面1aの特定個所にバーコード等の識別記
号2を刻印した状態を示したものである。 この識別記
号2としてはバーコードが最も好ましいが、バーコード
のみでなく英数字等であってもよい。
また、該識別記号2を刻印する場所は半導体ウェハ1の
オリエント−ジョンフラットの部分が各半導体ウェハの
識別記号の位置がそろえられる点で最も好適であるが、
これ以外の場所であってもよい。 また識別記号2を刻
印する方法としてはエツチングもしくはレーザーマーキ
ング等の方法が好ましい。
第2図は本発明の方法を実施する場合の一実施例の概念
図である。 第2図において、3は第1図のごとく外周
面に識別記号2を刻印した半導体ウェハ1を積み重ね状
態に収容したカセットである。 カセット3は自動搬送
装置(図示せず)により搬送路4に沿って所定の半導体
装置製造機器5(例えば、エツチング装置もしくは現像
及び乾燥装置)に送り込まれるようになっている。 半
導体装置製造機器5の出口側に設けられた搬送路6の終
端には検査ステーションもしくは分別ステーション等の
最終ステーション7が接続されている。 8は搬送路4
の側方に設置された読取装置であり、この読取装置8の
出ノj信号S、は該半導体装置製造機器5を制raする
制御装置9の入り信号として印加されるようになってい
る。
tiI1wJ装置9はそれより上位の主制御装置10に
よって支配されており、該主制御装置10は下位の多数
の制御装置9(この実施例では一台のみが示されている
)を介して半導体装置製造ラインの全体を制御するよう
に構成されている。
第2図のごとき構成の設備における動作等を以下に簡単
に説明する。
カセット3はその側方に窓もしくは開口部が設けられて
おり、半導体ウェハ1はその識別記号2がカセットの開
口部に現れるようにカセット3内に積層状態で収容され
ている。 カセット3は搬送路4の上流側に設けられた
ストックステーション等から自動搬送機構(図示せず)
で搬送路4上を半導体装置製造機器5に向って搬送され
、その途中で読取装置8の前を通過する。
読取装置8はカセット3内の半導体ウェハ1の識別記号
2を読取ることができるように構成され℃おり、カセッ
ト3が搬送路4上を半導体装置製造機器5に向って搬送
されつつある間にカセット3内の各半導体ウェハの識別
記号が読取装置8によって読取られ、!IJIII装置
9に入力される。 下位の制御装置9と上位の主制御装
置10との間でカセット3内の半導体ウェハに関する加
工条件等 ・の演算及びデータ処理が行われた後、制御
装[9の信号S2によって半導体装置製造用機器5が所
定の条件にセットされ、該製造用機器5内に送り込まれ
た半導体ウェハに対して所定の加工条件で加工が行われ
る。 加工後の半導体ウェハはカセット3内に収容され
たままで自動搬送機構により搬送路6上を最終ステーシ
ョン7に搬送される。
最終ステーション7が検査ステーションである場合には
、制御装置9と最終ステーション7との間で検査情報及
び制御信号のやり取りが行われて検査が実施される。
なお、前記実施例では、半導体ウェハの面が水平になる
ように各半導体ウェハを上下に整列させて収容する形式
のカセットのみを示したが、半導体ウェハの面が鉛直に
なるように半導体ウェハを互いに並列に(水平方向に整
列させて)収容する形式のカセットを用いてもよいこと
は勿論であり、後者のカセットを用いる場合には読取装
置8を搬送路の上方に設置すればよい。 また、読取装
置8を搬送路沿いに設けない場合には、搬送路に接続さ
れたステーション等に設置してもよい。
[発明の効果] 本発明の方法によれば、(a)半導体ウェハにおける素
子形成面積が向上し、素子歩留りが向上する、(b)半
導体ウェハをカセット内に収容した状態でも半導体ウェ
ハの識別ができる、(0)半導体ウェハをカセット内に
収容したままで取扱うことができるのでウェハプロセス
における処理速度が向上する、(d )ウェハプロセス
における最適な自動処理が可能になる、等の効果が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法による半導体ウェハの一部の外周
面の正面図、第2図は本発明方法の一実施例の構成を示
す概念図である。 1・・・半導体つ1ハ、 2・・・識別記号、 3・・
・カセット、 4,6・・・搬送路、 7・・・最終ス
テーション、 8・・・読取装置、 5・・・半導体装
置製造機器、 9・・・制御装置、10・・・主制御装
置。 特許出願人 株式会社 東 芝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体ウェハの外周面の特定位置にバーコード等の
    識別用記号をエツチングやレーザーマーキング等の方法
    で刻印しておき、該半導体ウェハを該識別用記号が同じ
    方向を向くように複数枚ずつ積み重ねもしくは互いに並
    列に整列させた状態でカセットに収容し、該カセットの
    搬送路の途中もしくはストックステーション等に設置し
    た記号読取装置によって〜該カセット内の半導体ウェハ
    の識別用記号を無接触で読取ることにより半導体ウェハ
    を識別することを特徴とする半導体ウェハの識別方法。
JP7185984A 1984-04-12 1984-04-12 半導体ウエハの識別方法 Pending JPS60216534A (ja)

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ID=13472667

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JP (1) JPS60216534A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01266735A (ja) * 1988-04-18 1989-10-24 Matsushita Electron Corp 半導体基板
JPH05251547A (ja) * 1992-02-27 1993-09-28 Nec Corp プローバ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01266735A (ja) * 1988-04-18 1989-10-24 Matsushita Electron Corp 半導体基板
JPH05251547A (ja) * 1992-02-27 1993-09-28 Nec Corp プローバ

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