JPS60212839A - 光記録デイスクおよびその製造方法 - Google Patents
光記録デイスクおよびその製造方法Info
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- JPS60212839A JPS60212839A JP59069384A JP6938484A JPS60212839A JP S60212839 A JPS60212839 A JP S60212839A JP 59069384 A JP59069384 A JP 59069384A JP 6938484 A JP6938484 A JP 6938484A JP S60212839 A JPS60212839 A JP S60212839A
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- JP
- Japan
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- thin film
- light
- recording
- transparent resin
- resin layer
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- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、映像・音声・デジタルデータ等の信従来例の
構成とその問題点 レーザ光をレンズ系によって収束させると直径がその光
の波長のオーダの小さな光スポットを作ることが出来る
。従って小さい出力の光源からでも単位面積あたりのエ
ネルギ密度の高い光スポットを作ることが可能である。
構成とその問題点 レーザ光をレンズ系によって収束させると直径がその光
の波長のオーダの小さな光スポットを作ることが出来る
。従って小さい出力の光源からでも単位面積あたりのエ
ネルギ密度の高い光スポットを作ることが可能である。
これを情報の記録・再生に利用したのが光記録ディスク
である。
である。
光記録ディスクの基本的な構造は表面が平坦な円板状の
基板上にレーザスポット光照射によって何らかの状態が
変化する記録薄膜を設けたものである。信号の記録・再
生は以下のような方法を用いる。すなわち、ディスクを
モータ等による回転手段により回転させ、このディスク
の記録薄膜面上にレーザ光をレンズ系によって収束し照
射する。
基板上にレーザスポット光照射によって何らかの状態が
変化する記録薄膜を設けたものである。信号の記録・再
生は以下のような方法を用いる。すなわち、ディスクを
モータ等による回転手段により回転させ、このディスク
の記録薄膜面上にレーザ光をレンズ系によって収束し照
射する。
記録薄膜はレーザ光を吸収し昇温する。レーザ光の出力
をある閾値以上に大きくすると記録薄膜の状態が変化し
て情報が記録される。この閾値は記録薄膜自体の特性の
他に基材の熱的な特性・ディスクの光スポットに対する
相対速度等に依存する量である。記録された情報は記録
部に前記閾値よりも十分低い出力のレーザ光スポットを
照射し、その透過光強度あるいは反射光強度あるいはそ
れらの偏光方向等何らかの光学的特性が記録部と未記録
部で異なることを検出して再生する。記録薄膜としては
Ｂｉ 、Ｔｅ ｌ）るいはこれらを主成分とする金属薄
膜、Ｔｅを含む化合物薄膜が知られている。これらはレ
ーザ光照射により薄膜が溶融あるいは蒸発させ小孔を形
成して記録を行ない、この記録部からの反射光量が変化
することを検出して再生を行なう。また他にアモルファ
スカルコゲン化物薄膜、ＴｏおよびＴ ｅ Ｏ２からな
るＴｅ０ｘ（０くｘく２）を主成分とする酸化物系薄膜
等がある・これらはレーザ光照射により薄膜の吸収係数
あるいは屈折率のうち少くともいずれか１つが変化して
記録を行ない、この部分で透過率あるいは反射率が変化
することを検出して信号を検出する。中でもＴｅＯｘを
主成分とする薄膜は、感度・変化量とも良好かつ安定性
に優れた材料である。
をある閾値以上に大きくすると記録薄膜の状態が変化し
て情報が記録される。この閾値は記録薄膜自体の特性の
他に基材の熱的な特性・ディスクの光スポットに対する
相対速度等に依存する量である。記録された情報は記録
部に前記閾値よりも十分低い出力のレーザ光スポットを
照射し、その透過光強度あるいは反射光強度あるいはそ
れらの偏光方向等何らかの光学的特性が記録部と未記録
部で異なることを検出して再生する。記録薄膜としては
Ｂｉ 、Ｔｅ ｌ）るいはこれらを主成分とする金属薄
膜、Ｔｅを含む化合物薄膜が知られている。これらはレ
ーザ光照射により薄膜が溶融あるいは蒸発させ小孔を形
成して記録を行ない、この記録部からの反射光量が変化
することを検出して再生を行なう。また他にアモルファ
スカルコゲン化物薄膜、ＴｏおよびＴ ｅ Ｏ２からな
るＴｅ０ｘ（０くｘく２）を主成分とする酸化物系薄膜
等がある・これらはレーザ光照射により薄膜の吸収係数
あるいは屈折率のうち少くともいずれか１つが変化して
記録を行ない、この部分で透過率あるいは反射率が変化
することを検出して信号を検出する。中でもＴｅＯｘを
主成分とする薄膜は、感度・変化量とも良好かつ安定性
に優れた材料である。
通常光記録ディスクの基板には透明な材質すなわちガラ
ス、ポリメチルメタアクリレート樹脂。
ス、ポリメチルメタアクリレート樹脂。
ポリカーボネート樹脂等の樹脂からなる円板を用い、デ
ィスクへの記録・再生には、レーザ光をこの透明基板の
記録薄膜が設けられた面とは反対の面側から入射させて
、この透明基板を通して記録薄膜上に収束させる。これ
は基板自身に記録薄膜を保護する機能を持たせかつ光の
入射側に存在するゴミ・ホコリ等の異物をレンズ系の焦
点深度内に（透明基板の厚さによって）侵入させないよ
うにする為である。このような構成を取った場合にも基
板上の記録薄膜は何らかの方法で機械的な損傷、外気に
さらすことによって生ずる物理的・化学的な劣化等から
保護する必要がある。前記の記録薄膜の溶融・蒸発によ
る小孔形成による記録を行なう材料を用いる場合には記
録薄膜に直接保護層を設けることは難しく、通常、スペ
ーサを介して保護板を記録薄膜からある距離だけ離れた
位置に設け、基板上の記録薄膜とこの保護板およびスペ
ーサで囲１れた密閉された空間を設けて記録薄膜を外気
から遮断するいわゆるエア・ツンドイノチ構造の保護構
造を取るが、これは構造が複雑でディヌク全体の体積・
重量が太きいためディスクの回転への負担が大きくなり
、製法も複雑であり実用には適さない。これに対して前
記の吸収係数あるいは屈折率もしくはその双方を変化さ
せて（記録薄膜の形状を変化させずに）記録を行なう材
料を用いる場合には記録薄膜を直接保護層でグうことが
可能である。次に図面を用いてこの直接保護層を密着さ
せて設ける構造（以下密着保護構造と記述する）を説明
する。第１図ａはこのような構造のディスクの部分断面
図である。１は透明基板、２は記録薄膜、３は密着保護
層である。このようなディスクへの記録・再生に用いる
手段としてレーザ光は、Ａｒ レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレー
ザ。
ィスクへの記録・再生には、レーザ光をこの透明基板の
記録薄膜が設けられた面とは反対の面側から入射させて
、この透明基板を通して記録薄膜上に収束させる。これ
は基板自身に記録薄膜を保護する機能を持たせかつ光の
入射側に存在するゴミ・ホコリ等の異物をレンズ系の焦
点深度内に（透明基板の厚さによって）侵入させないよ
うにする為である。このような構成を取った場合にも基
板上の記録薄膜は何らかの方法で機械的な損傷、外気に
さらすことによって生ずる物理的・化学的な劣化等から
保護する必要がある。前記の記録薄膜の溶融・蒸発によ
る小孔形成による記録を行なう材料を用いる場合には記
録薄膜に直接保護層を設けることは難しく、通常、スペ
ーサを介して保護板を記録薄膜からある距離だけ離れた
位置に設け、基板上の記録薄膜とこの保護板およびスペ
ーサで囲１れた密閉された空間を設けて記録薄膜を外気
から遮断するいわゆるエア・ツンドイノチ構造の保護構
造を取るが、これは構造が複雑でディヌク全体の体積・
重量が太きいためディスクの回転への負担が大きくなり
、製法も複雑であり実用には適さない。これに対して前
記の吸収係数あるいは屈折率もしくはその双方を変化さ
せて（記録薄膜の形状を変化させずに）記録を行なう材
料を用いる場合には記録薄膜を直接保護層でグうことが
可能である。次に図面を用いてこの直接保護層を密着さ
せて設ける構造（以下密着保護構造と記述する）を説明
する。第１図ａはこのような構造のディスクの部分断面
図である。１は透明基板、２は記録薄膜、３は密着保護
層である。このようなディスクへの記録・再生に用いる
手段としてレーザ光は、Ａｒ レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレー
ザ。
Ｈｅ−Ｎｅレーザ、ＧａＡ／Ａｓ 系半導体レーザ等が
用いられる。従って通常光の波長は３００ ｎｍ−１μ
ｍの範囲を用いる。レンズ系のＮＡは０．３〜０．７程
度が通常用いられる。基板１の厚さはレンズ系の設計値
にもよるが、０．５ｍｍ〜５酎くらい（また基板の直径
は数ｍ〜数１００国の範囲）を通常用いる。これに対し
て記録薄膜の厚さは１０ｎｍ〜１μｍ くらいの範囲で
ある。保護層３は記録薄膜の保護の機能を有するもので
あればどのようなものでも用いることが出来、その厚さ
も前記の保護機能を保持する範囲内であれば特に制限は
ない。しかし、ディスクの体積・重量の点から言えは保
護層厚は少さい方が好ましく、製造法から見てもスピナ
塗布法、スプレー塗布法等で簡単に形成できる樹脂材料
でかつ厚さも５００ｎｍ〜２００μｍ程度の範囲が好捷
しい。
用いられる。従って通常光の波長は３００ ｎｍ−１μ
ｍの範囲を用いる。レンズ系のＮＡは０．３〜０．７程
度が通常用いられる。基板１の厚さはレンズ系の設計値
にもよるが、０．５ｍｍ〜５酎くらい（また基板の直径
は数ｍ〜数１００国の範囲）を通常用いる。これに対し
て記録薄膜の厚さは１０ｎｍ〜１μｍ くらいの範囲で
ある。保護層３は記録薄膜の保護の機能を有するもので
あればどのようなものでも用いることが出来、その厚さ
も前記の保護機能を保持する範囲内であれば特に制限は
ない。しかし、ディスクの体積・重量の点から言えは保
護層厚は少さい方が好ましく、製造法から見てもスピナ
塗布法、スプレー塗布法等で簡単に形成できる樹脂材料
でかつ厚さも５００ｎｍ〜２００μｍ程度の範囲が好捷
しい。
シカシ、前記のアモルファス・カルコゲン系記録薄膜や
、ＴｅとＴ ｅ Ｏ２からなるＴｅ０ｘ（○＜Ｚ＜２）
を主成分とする酸化物系薄膜のような記録薄膜はかなり
の透過率があり（膜厚にもよるが６チ〜め％）、照射さ
れたレーザ光のうち記録薄膜を透過した光が保護層の表
面（外気に接した面）に反射して戻って来る。従来この
反射光が原因で記録・再生時にノイズが発生するという
現象があった。
、ＴｅとＴ ｅ Ｏ２からなるＴｅ０ｘ（○＜Ｚ＜２）
を主成分とする酸化物系薄膜のような記録薄膜はかなり
の透過率があり（膜厚にもよるが６チ〜め％）、照射さ
れたレーザ光のうち記録薄膜を透過した光が保護層の表
面（外気に接した面）に反射して戻って来る。従来この
反射光が原因で記録・再生時にノイズが発生するという
現象があった。
以下図面を用いて詳述する。第２図において１は透明基
板、２は記録薄膜、３は密着保護層、４はレンズ系の最
終段の絞りレンズである。レーザ光はレンズ４によって
光路６を通って透明基板１を通して記録薄膜２上の１点
１０１に収束され一部は反射され光路５を逆行して再び
レンズ４を通ってレーザ光の検出系（図示せず）に向う
。またレーザ光の他の一部は記録薄膜２を透過して、密
着保護層３と外気の界面２０１で反射される。この反射
光は、点１０１の面２０１に対して対称な点１０２から
発したごとく光路５ａに従ってレンズに入射する。この
点１０１から反射した光と点１０２から発したごとき戻
り光は互いに干渉し合って強度が変化する。
板、２は記録薄膜、３は密着保護層、４はレンズ系の最
終段の絞りレンズである。レーザ光はレンズ４によって
光路６を通って透明基板１を通して記録薄膜２上の１点
１０１に収束され一部は反射され光路５を逆行して再び
レンズ４を通ってレーザ光の検出系（図示せず）に向う
。またレーザ光の他の一部は記録薄膜２を透過して、密
着保護層３と外気の界面２０１で反射される。この反射
光は、点１０１の面２０１に対して対称な点１０２から
発したごとく光路５ａに従ってレンズに入射する。この
点１０１から反射した光と点１０２から発したごとき戻
り光は互いに干渉し合って強度が変化する。
スピナ法やスプレー法で形成した樹脂層の厚さは光の波
長のオーダで制御することは難かしく、この点１０１か
らの反射光と点１０２からの戻り光の位相差はディスク
−Ｆの位置によって異なりその結果レーザ光の検出系に
入射する光強度が変化する。従ってディスクを回転しな
からレーザ光を照射しディスク上の各位置を連続的に再
生した場合再生光強度が変化し、これがノイズとなる。
長のオーダで制御することは難かしく、この点１０１か
らの反射光と点１０２からの戻り光の位相差はディスク
−Ｆの位置によって異なりその結果レーザ光の検出系に
入射する光強度が変化する。従ってディスクを回転しな
からレーザ光を照射しディスク上の各位置を連続的に再
生した場合再生光強度が変化し、これがノイズとなる。
１だ記録の場合にもディスク上の位置によって記録薄膜
に吸収されるレーザ光量に差が生じ、同じレーザ光出力
で記録しても記録状態が異なるいわゆるムラ書きとなり
再生時のノイズとなる。
に吸収されるレーザ光量に差が生じ、同じレーザ光出力
で記録しても記録状態が異なるいわゆるムラ書きとなり
再生時のノイズとなる。
従来このような現象を避けるため第１図Ｃｂ）のように
十分厚い（基板の厚さと同程度の０．５ｗａｎ〜Ｓ鴎く
らい）密着保護層３ａを設は密着保護層の表面では透過
光が十分拡って戻り反射光がほとんど再生光検出系に入
射しないような構造を用いていたが、ディスク全体の体
積・重量が大きくなるという欠点があった。”またこの
ような構造の密着保材料も高価となりディスクのコスト
・アップの要因となっていた。
十分厚い（基板の厚さと同程度の０．５ｗａｎ〜Ｓ鴎く
らい）密着保護層３ａを設は密着保護層の表面では透過
光が十分拡って戻り反射光がほとんど再生光検出系に入
射しないような構造を用いていたが、ディスク全体の体
積・重量が大きくなるという欠点があった。”またこの
ような構造の密着保材料も高価となりディスクのコスト
・アップの要因となっていた。
またこのような現象をさける為の他の方法として不透明
な保護層を設けることが試みられたが、金属等で形成し
た保護層では熱伝導率が大きく、記録薄膜がレーザ光照
射により昇温することを妨げるという点で実用に耐えな
かった。寸だ樹脂中に顔料を混入して不透明にすること
も試みられだが、記録薄膜と保護層の界面で記録膜と顔
料が接触する部分と樹脂本体が接触する部分で、光学的
・熱的特性が異なり記録・再生時にノイズが発生し実用
に供するに至らなかった。
な保護層を設けることが試みられたが、金属等で形成し
た保護層では熱伝導率が大きく、記録薄膜がレーザ光照
射により昇温することを妨げるという点で実用に耐えな
かった。寸だ樹脂中に顔料を混入して不透明にすること
も試みられだが、記録薄膜と保護層の界面で記録膜と顔
料が接触する部分と樹脂本体が接触する部分で、光学的
・熱的特性が異なり記録・再生時にノイズが発生し実用
に供するに至らなかった。
発明の目的
本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、記録・再生時の
ノイズが少なく、体積・重量が小ａ＜、製造が容易で安
価な光記録ディスクおよびその製造方法を提供すること
にある。
ノイズが少なく、体積・重量が小ａ＜、製造が容易で安
価な光記録ディスクおよびその製造方法を提供すること
にある。
発明の構成
本発明の光記録ディスクは、前記目的を達成する為に、
透明な基板上に設けられたレーザ光等の光の照射により
何らかのその状態が変化する記録薄膜を設け、さらにこ
の記録薄膜上に透明な樹脂による保護層を設け、この透
明樹脂からなる保護層の表面を光散乱面としたもので、
このような構成を取ることにより前記従来例において詳
述したような記録薄膜を透過した光は保護層表面で散乱
され再生光検出系に戻って来す、再生時のノイズが発生
しないものである。
透明な基板上に設けられたレーザ光等の光の照射により
何らかのその状態が変化する記録薄膜を設け、さらにこ
の記録薄膜上に透明な樹脂による保護層を設け、この透
明樹脂からなる保護層の表面を光散乱面としたもので、
このような構成を取ることにより前記従来例において詳
述したような記録薄膜を透過した光は保護層表面で散乱
され再生光検出系に戻って来す、再生時のノイズが発生
しないものである。
なお、ここで言う散乱面とは記録薄膜上に収束されたレ
ーザ光のうち記録薄膜を透過した光が保護層表面で拡が
る面積内において十分光を散乱させる機能を持つものを
言う。通常ＮＡ０．３〜０．７程度の収束レンズでレー
ザ光を収束する場合、この面積は保護層の厚さｔに対し
て、０．６〜１．４ｘｔ程度の円の面積に相当する。従
ってこの面積よりも十分小さい光散乱機能を有した部分
が均一に保護層表面に分布していることが必要である。
ーザ光のうち記録薄膜を透過した光が保護層表面で拡が
る面積内において十分光を散乱させる機能を持つものを
言う。通常ＮＡ０．３〜０．７程度の収束レンズでレー
ザ光を収束する場合、この面積は保護層の厚さｔに対し
て、０．６〜１．４ｘｔ程度の円の面積に相当する。従
ってこの面積よりも十分小さい光散乱機能を有した部分
が均一に保護層表面に分布していることが必要である。
実施例の説明
第３図に本発明の実施例の一形態を示す。１は透明な基
板で、光学的に均質かつ内部異物の少ない材質を用いる
。例えばノーダガラス、ホウケイ酸ガラス、パイレック
スガラス、石英ガラス等のガラス板、ポリエチルテレフ
タレ−１・樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリメチルメタ
アクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテ
ルサルホン樹脂等の樹脂板を用いることが出来る。厚さ
は０ 、５ ＋＋ｍ〜６叫程度の範囲が通常用いられる
。２は光照射により状態の変化する記録薄膜であり、例
えば、Ｇｅ−Ｔｅ−３ｂ−３系薄膜（Ｐｈｙｓ 、Ｒｅ
ｖ 、Ｌｅｔｔｅｒｓ２１ （１９６８）１４５０参ｆ
ｌｐ ） 、 Ａｓ−３ｅ−Ｇｅ−Ｓ系薄膜（特開昭５
２−４６４６４参照）のようなアモルファス、カルコゲ
／化物薄膜、あるイＩｄ ＴｅおよびＴａＯ２からなる
Ｔｅ０ｘ（０＜ｘ＜２）を主成分とする酸化物系薄膜（
特公昭６４−３７２５゜５４−７４６７．５４−７６５
８参照）等が用いられる。これらの材料は光照射により
形状変化を伴なわずに屈折率、吸収係数のうち少くとも
いずれか１つが変化する。３ｂは透明樹脂による密着保
護層で材質としては透明で平滑な層を形成するコーティ
ング剤であれば使用できるが、機械的強度、記録薄膜と
の密着性等を考慮して選択をする必要がある。例えばニ
トロセルロースラッカー。
板で、光学的に均質かつ内部異物の少ない材質を用いる
。例えばノーダガラス、ホウケイ酸ガラス、パイレック
スガラス、石英ガラス等のガラス板、ポリエチルテレフ
タレ−１・樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリメチルメタ
アクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテ
ルサルホン樹脂等の樹脂板を用いることが出来る。厚さ
は０ 、５ ＋＋ｍ〜６叫程度の範囲が通常用いられる
。２は光照射により状態の変化する記録薄膜であり、例
えば、Ｇｅ−Ｔｅ−３ｂ−３系薄膜（Ｐｈｙｓ 、Ｒｅ
ｖ 、Ｌｅｔｔｅｒｓ２１ （１９６８）１４５０参ｆ
ｌｐ ） 、 Ａｓ−３ｅ−Ｇｅ−Ｓ系薄膜（特開昭５
２−４６４６４参照）のようなアモルファス、カルコゲ
／化物薄膜、あるイＩｄ ＴｅおよびＴａＯ２からなる
Ｔｅ０ｘ（０＜ｘ＜２）を主成分とする酸化物系薄膜（
特公昭６４−３７２５゜５４−７４６７．５４−７６５
８参照）等が用いられる。これらの材料は光照射により
形状変化を伴なわずに屈折率、吸収係数のうち少くとも
いずれか１つが変化する。３ｂは透明樹脂による密着保
護層で材質としては透明で平滑な層を形成するコーティ
ング剤であれば使用できるが、機械的強度、記録薄膜と
の密着性等を考慮して選択をする必要がある。例えばニ
トロセルロースラッカー。
メラミン樹脂系塗料、エポキシ樹脂系塗料、ポリウレタ
ン樹脂系塗料、アミノ樹脂系塗料、ポリエステル樹脂系
塗料、ポリノロキサン系樹脂塗料等が用いられる。塗布
方法としては材料に応じてスピナコート法、ディッピン
グ法、スプレー法、バーコード法、ロールコート法等が
適用できる。透明樹脂による保護層の表面１０２ｂは表
面がこの樹脂層の厚さｔに対して％を以下の周期で荒ら
された凹凸面を形成している。このような面は前記透明
樹脂層を形成後その表面を粗い研磨処理を施すことによ
って形成することが出来る。例えばサンドペーパー処理
、サンドブラスト処理等が有効である。特にサンドブラ
スト処理はディスク全面を同時にかつ均一に処理するこ
とが可能な為特に有効である。捷だ他の方法として密着
保′護層表面を有機溶剤で短時間処理して表面を侵し散
乱面を作る方法がある。使用する有機溶剤は保護層の材
質によって選択しなければならないが、一般的にハトリ
フロルエチレン、パーク口ルエチレン、メチルエチルケ
トン等が用いられる。
ン樹脂系塗料、アミノ樹脂系塗料、ポリエステル樹脂系
塗料、ポリノロキサン系樹脂塗料等が用いられる。塗布
方法としては材料に応じてスピナコート法、ディッピン
グ法、スプレー法、バーコード法、ロールコート法等が
適用できる。透明樹脂による保護層の表面１０２ｂは表
面がこの樹脂層の厚さｔに対して％を以下の周期で荒ら
された凹凸面を形成している。このような面は前記透明
樹脂層を形成後その表面を粗い研磨処理を施すことによ
って形成することが出来る。例えばサンドペーパー処理
、サンドブラスト処理等が有効である。特にサンドブラ
スト処理はディスク全面を同時にかつ均一に処理するこ
とが可能な為特に有効である。捷だ他の方法として密着
保′護層表面を有機溶剤で短時間処理して表面を侵し散
乱面を作る方法がある。使用する有機溶剤は保護層の材
質によって選択しなければならないが、一般的にハトリ
フロルエチレン、パーク口ルエチレン、メチルエチルケ
トン等が用いられる。
次に具体的な実施例による実験結果を示す、。
実施例１
基材にキャスティング法によって作られたポリメチルメ
タアクリレートＰＭＭＡ板の厚さ１．２＋Ｍｌ。
タアクリレートＰＭＭＡ板の厚さ１．２＋Ｍｌ。
直径３００ｍ＋ｎの円板を用いる。この基板をＸ空蒸着
装置中で回転させ、ＴｅとＴ ｅ Ｏ２をそれぞれ別の
２個の蒸発源から真空蒸着を行ない、この２個の蒸発源
からの蒸着速度を独立に制御し、基板上で７６１０Ｘ（
Ｘ丑１．２）薄膜を形成する。このＴｅＯｘ薄膜が蒸着
された面にウレタ／アクリレ−１・系のオリゴマー（例
えば日本合成化学工業製商品名ＸＰ−４２００Ｂ）を主
成分とする紫外線硬化性塗料をスピナコ−１・法で厚さ
約１５μｍに塗イ１〕シた後、４ＫＷ高圧水銀ランプで
約３０９間紫外線を照射し、重合硬化させる。紫外線硬
化性樹脂は硬化速度が速く、小規模な装置で簡便に硬化
するこから記録薄膜に物理的、化学的な影響を与えずに
硬化を行なうことが出来、光記録の保護層には特に有用
である。この密着保護層表面を１００００番程度の研磨
剤を用いたサンドブラストで約６０秒間処理すると表面
に平均周期約１μｍ深さ約０．５μｍ程度の細いキズが
つき表面が光散乱面となる。捷だ１０００番程鹿の研磨
剤を用いたサンドブラストで約６０秒間処理すると表面
に平均周期約１０μｍで深さが約６μｍの凹凸キズがつ
き表面が光散乱面となる。これらのディスク回転数１８
０ｏｒｐｍで回転させ波長６３３ ｎｍのＨｅ−Ｎｅ
レーザ光をＮＡ ０．５の収束レンズで収速しで、基板
のＰＭＭＡ板を通して記録薄膜面上に焦点を合わせて収
束させ、その反射光を検出した。Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を
記録薄膜を変化させる閾値よりも十分低い１ｍＷ程度に
して反射光強度をモニターした。サンドブラストを施さ
ないディスクの場合にはスパイク状のノイズが発生した
が１０００番番の研磨剤でサンドブラスト処理したディ
スクではスパイク状のノイズは発生しなかったがホワイ
トノイズ的な時間的に均一なノイズが増大した。
装置中で回転させ、ＴｅとＴ ｅ Ｏ２をそれぞれ別の
２個の蒸発源から真空蒸着を行ない、この２個の蒸発源
からの蒸着速度を独立に制御し、基板上で７６１０Ｘ（
Ｘ丑１．２）薄膜を形成する。このＴｅＯｘ薄膜が蒸着
された面にウレタ／アクリレ−１・系のオリゴマー（例
えば日本合成化学工業製商品名ＸＰ−４２００Ｂ）を主
成分とする紫外線硬化性塗料をスピナコ−１・法で厚さ
約１５μｍに塗イ１〕シた後、４ＫＷ高圧水銀ランプで
約３０９間紫外線を照射し、重合硬化させる。紫外線硬
化性樹脂は硬化速度が速く、小規模な装置で簡便に硬化
するこから記録薄膜に物理的、化学的な影響を与えずに
硬化を行なうことが出来、光記録の保護層には特に有用
である。この密着保護層表面を１００００番程度の研磨
剤を用いたサンドブラストで約６０秒間処理すると表面
に平均周期約１μｍ深さ約０．５μｍ程度の細いキズが
つき表面が光散乱面となる。捷だ１０００番程鹿の研磨
剤を用いたサンドブラストで約６０秒間処理すると表面
に平均周期約１０μｍで深さが約６μｍの凹凸キズがつ
き表面が光散乱面となる。これらのディスク回転数１８
０ｏｒｐｍで回転させ波長６３３ ｎｍのＨｅ−Ｎｅ
レーザ光をＮＡ ０．５の収束レンズで収速しで、基板
のＰＭＭＡ板を通して記録薄膜面上に焦点を合わせて収
束させ、その反射光を検出した。Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を
記録薄膜を変化させる閾値よりも十分低い１ｍＷ程度に
して反射光強度をモニターした。サンドブラストを施さ
ないディスクの場合にはスパイク状のノイズが発生した
が１０００番番の研磨剤でサンドブラスト処理したディ
スクではスパイク状のノイズは発生しなかったがホワイ
トノイズ的な時間的に均一なノイズが増大した。
実施例２
実施例１と同様に作成した光記録ディスクの密着保護層
の表面にメチルエチルケトンを約６０ｃｃスピナー法で
塗布し、自然乾燥させた所、表面が白濁し、光散乱面と
なった。この表面を顕微鏡で観察すると周期約１μｍで
巾１μ以下の細いクラックが一面に観察された。このデ
ィスクを前記実施例１と同様な再生を行なった所、スパ
イク状ノイズの発生もなく、ホワイトノイズの増大もな
かった。
の表面にメチルエチルケトンを約６０ｃｃスピナー法で
塗布し、自然乾燥させた所、表面が白濁し、光散乱面と
なった。この表面を顕微鏡で観察すると周期約１μｍで
巾１μ以下の細いクラックが一面に観察された。このデ
ィスクを前記実施例１と同様な再生を行なった所、スパ
イク状ノイズの発生もなく、ホワイトノイズの増大もな
かった。
次に本発明の実施例の他の形態を第４図を用いて説明す
る。第４図において、１は透明な基板、２は記録薄膜で
ある。３Ｃは透明樹脂による密着保護層でその表面２０
１ｃにはその大きさが密着保護層の厚さｔに対して％を
以下の光散乱性の粒子が均一かつすき間なく埋めこまれ
ている。このを実質的に光散乱性とすることが出来、本
発明の目的を達成することが出来る。以下に具体的な実
施例を示す。
る。第４図において、１は透明な基板、２は記録薄膜で
ある。３Ｃは透明樹脂による密着保護層でその表面２０
１ｃにはその大きさが密着保護層の厚さｔに対して％を
以下の光散乱性の粒子が均一かつすき間なく埋めこまれ
ている。このを実質的に光散乱性とすることが出来、本
発明の目的を達成することが出来る。以下に具体的な実
施例を示す。
実施例３
基材にポリカーボネート樹脂の厚さ１．２ｗｎ、直径１
２０＋＋ｏｎの円板で表面に巾０．６μｍ、深さ７０ｎ
ｍの凹状の溝がピンチ１．６μｍでスパイラル状に形成
され円板を用い、この基板上に実施例１に記述したのと
同様な方法にＴｅとＴ ｅ Ｏ２を主成分とする酸化物
系薄膜Ｔｅｏｘ（ｘ丑１．１）蒸着して記録薄膜を形成
した。
２０＋＋ｏｎの円板で表面に巾０．６μｍ、深さ７０ｎ
ｍの凹状の溝がピンチ１．６μｍでスパイラル状に形成
され円板を用い、この基板上に実施例１に記述したのと
同様な方法にＴｅとＴ ｅ Ｏ２を主成分とする酸化物
系薄膜Ｔｅｏｘ（ｘ丑１．１）蒸着して記録薄膜を形成
した。
この記録薄膜上にアクリルウレタン系のオリゴマー（チ
オコール社製商品名コピサン８９３）を主成分とする紫
外線硬化性塗料を約２０μｍ厚で、スピナコート法で塗
布し、この上に粒径１μｍ以下のＭｑＯ粉末を２０ ｍ
９ ／ ｃ＃１程度の割合で均一に撒布する。約５ｍ１
ｎ放置した後、４ＫＷ高圧水銀ランプにより約６０秒間
紫外線を照射して紫外線硬化性塗料を重合硬化させる。
オコール社製商品名コピサン８９３）を主成分とする紫
外線硬化性塗料を約２０μｍ厚で、スピナコート法で塗
布し、この上に粒径１μｍ以下のＭｑＯ粉末を２０ ｍ
９ ／ ｃ＃１程度の割合で均一に撒布する。約５ｍ１
ｎ放置した後、４ＫＷ高圧水銀ランプにより約６０秒間
紫外線を照射して紫外線硬化性塗料を重合硬化させる。
この場合Ｍ（ＪＯ・粉迷は保護層表面に埋まり込んで固
定され表面が光散乱面となる。顕微鏡で観察するとＭｑ
Ｏ粒子が表面にすき間なく固定されていることが観察さ
れた。
定され表面が光散乱面となる。顕微鏡で観察するとＭｑ
Ｏ粒子が表面にすき間なく固定されていることが観察さ
れた。
このディスクを回転数１２００ｒｐｍで回転させ、波長
８３０ｎｍの半導体レーザ光をＮＡｏ、４５の収束レン
ズで収束して、基板のポリカーボネ−１・根を通して記
録薄膜面に焦点を合わせるように焦点制御を行ない、前
記の巾０．６７ｙｍ、深ｄ ７０ ｎｍのスパイラル溝
上をトラッキングするような制御を加えながら、出カフ
ｍＷで周波数２ＭＨｚ １７．）’ｔａ形波で変調しだ
レーザ光を照射し信号を記録ｌ−だ。
８３０ｎｍの半導体レーザ光をＮＡｏ、４５の収束レン
ズで収束して、基板のポリカーボネ−１・根を通して記
録薄膜面に焦点を合わせるように焦点制御を行ない、前
記の巾０．６７ｙｍ、深ｄ ７０ ｎｍのスパイラル溝
上をトラッキングするような制御を加えながら、出カフ
ｍＷで周波数２ＭＨｚ １７．）’ｔａ形波で変調しだ
レーザ光を照射し信号を記録ｌ−だ。
この信号記録部を再び今度は出力１ ｍＷのレーザ光を
照射してその反射光を検出して信号を再生したところ、
密着保護層表面にＭｑＯ粉末を設けていないディスクで
はスパイク状のノイズが発生して、２ＭＨｚ の再生信
号のＣ／Ｎ 比（バンドｔｊＪ ３０ＫＨｚ）は４５
ｄＢであったのに対して、Ｍ９０粉末を設けた場合はノ
イズが発生せず、Ｃ／Ｎ 比５２ｄＢが得られた。また
このディスクの重量は約１６、？八で従来のディスク構
造に較べて約半分に低減できた。
照射してその反射光を検出して信号を再生したところ、
密着保護層表面にＭｑＯ粉末を設けていないディスクで
はスパイク状のノイズが発生して、２ＭＨｚ の再生信
号のＣ／Ｎ 比（バンドｔｊＪ ３０ＫＨｚ）は４５
ｄＢであったのに対して、Ｍ９０粉末を設けた場合はノ
イズが発生せず、Ｃ／Ｎ 比５２ｄＢが得られた。また
このディスクの重量は約１６、？八で従来のディスク構
造に較べて約半分に低減できた。
以上の実施に示されるように密着保護層表面にその厚さ
の届程度以下の光散乱部をディスク全面にわたって均一
に設けることにより保護層表面からの反射光に起因する
ノイズの発生を防ぐことが出来、高品質の信号再生が可
能であった。またこれら実施例に示される保護層の製造
法は従来の方法に較べて簡便でかつ低コストであると言
える。
の届程度以下の光散乱部をディスク全面にわたって均一
に設けることにより保護層表面からの反射光に起因する
ノイズの発生を防ぐことが出来、高品質の信号再生が可
能であった。またこれら実施例に示される保護層の製造
法は従来の方法に較べて簡便でかつ低コストであると言
える。
発明の効果
以上詳述したように、本発明によれば、（１）記録・再
生時のノイズが少なく高品質の信号の記録再生が行なえ
る、 （２）体積・重量が小さくディスクの回転系、移送系の
負担が小さく、取り扱いも容易で、（３）低コストかつ
製法が容易な、 光記録ディスクおよびその製造法を提供することが出来
る。
生時のノイズが少なく高品質の信号の記録再生が行なえ
る、 （２）体積・重量が小さくディスクの回転系、移送系の
負担が小さく、取り扱いも容易で、（３）低コストかつ
製法が容易な、 光記録ディスクおよびその製造法を提供することが出来
る。
第１図ａ、ｂは光記録ディスクの従来例を示す３部分断
面図、第２図は従来例の問題点を説明する説明図、第３
図は本発明の光記録ディスクの一実施例を示す部分断面
図、第４図は本発明の他の実施例を示す部分断面図であ
る。 １・・・・・透明基板、２・・・・記録薄膜、３，３δ
。 ３ｂ、ｓｃ・ ・密着保護層、４ ・レンズ、６゜５ａ
・・・・光路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
面図、第２図は従来例の問題点を説明する説明図、第３
図は本発明の光記録ディスクの一実施例を示す部分断面
図、第４図は本発明の他の実施例を示す部分断面図であ
る。 １・・・・・透明基板、２・・・・記録薄膜、３，３δ
。 ３ｂ、ｓｃ・ ・密着保護層、４ ・レンズ、６゜５ａ
・・・・光路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (8)
- （１）透明な基板と、この基板上に設けられた光照射に
より状態の変化する記録薄膜と、この記録薄膜上に設け
られた透明な樹脂層を有し、前記透明な樹脂層の表面が
光散乱面であることを特徴とする光記録ディスク。 - （２）記録薄膜は光照射により形状の変化を伴なわずに
屈折率、吸収係数のうち少なくともいずれか１つが変化
する材料からなることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の光記録ディスク。 - （３）光散乱面は、透明な樹脂層の厚さｔに対して％ｊ
以下の周期で前記透明な樹脂層表面が荒らされた凹凸面
からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の光記録ディスク。 - （４）光散乱面は、透明な樹脂層の厚さｔに対して直径
３Ａｊ以下の光散乱性の粒子を前記透明な樹脂層の表面
に均一、かつ互に近接して埋め込捷れた状態からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光記録
ディスク。 - （５）透明な基板上に真空蒸着法により光照射により状
態の変化する記録薄膜を設け、この記録薄膜上に透明樹
脂層を設け、この透明樹脂層の表面をサンドブラスト法
によって光散乱性にすることを特徴とする光記録ディス
クの製造方法。 - （６）透明な基板上に真空蒸着法により光照射により状
態の変化する記録薄膜を設け、この記録薄膜上に透明樹
脂層を設け、この透明樹脂層の表面を有機容剤処理によ
って光散乱性にすることを特徴とする光記録ディスクの
製造方法。 - （７）透明樹脂層を光硬化性樹脂を塗布して光照射によ
り硬化させて形成することを特徴とする特￥ｒ請求の範
囲第（６）項記載の光記録ディスクの製造方法。 - （８）透明な基板上に真空蒸着法により光照射で状態の
変化する記録薄膜を設け、この記録薄膜１−に透明樹脂
層を塗布し、この透明樹脂層の表ＩＫに、この透明樹脂
層の厚さｔに対して、直径が０．１ｔ以下の光散乱性の
粒子を撒布し、しかる後に透明樹脂層を硬化することを
特徴とする光記録ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59069384A JPS60212839A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光記録デイスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59069384A JPS60212839A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光記録デイスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212839A true JPS60212839A (ja) | 1985-10-25 |
| JPH0544738B2 JPH0544738B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=13401031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59069384A Granted JPS60212839A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光記録デイスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60212839A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860443A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59069384A patent/JPS60212839A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860443A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544738B2 (ja) | 1993-07-07 |
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