JPS60211608A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS60211608A JPS60211608A JP6715784A JP6715784A JPS60211608A JP S60211608 A JPS60211608 A JP S60211608A JP 6715784 A JP6715784 A JP 6715784A JP 6715784 A JP6715784 A JP 6715784A JP S60211608 A JPS60211608 A JP S60211608A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- ion beam
- chamber
- stage
- gap length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は磁気ヘッドコアのガラス融着前のギャップ突き
合わせ面の最終仕上げ加工法に関する。
合わせ面の最終仕上げ加工法に関する。
磁気へラドコアのコアのギャップ突き合わせ面の加工は
次の加工を順に行なっていく。即ち、（１）研削平面加
工、（１１）ラッピング加工、（ト）−次ボリッンング
加工、（１ｖ）最終ポリッシング加工、である〇７エラ
イトコアの場合、（１）のラッピング加工は通常は２〜
５μｍのダイヤモンドパウダーにより、（１１）の−次
ポリッシング加工は１／４〜１μｍのダイヤモンドパウ
ダーにより行なわれる。近年、平面研削加工機の精度が
向上してきた結果、（１１）の工程を省略することが可
能となってきた。（Ｉｌ＋）の−次ポリッシング加工に
よりかなり程度の良い鏡面が得られる。しかしながら加
工変質層が加工面に生じている＠その厚みは１μｍのダ
イヤモンドパウダーによるフェライトの加工の場合で１
０００Ｘ〜２０００Ｘ程度である。この値は磁気ヘッド
のギャップ長が小さいと無視できない。つまり、〈有効
ギャップ長〉ユ〈見かけのギャップ長〉＋２×〈加工変
質層厚〉 であるので、例えば見かけのギャップ長が０
．３μｍのとき加工変質層が０１μｍであったとしたら
有効ギャップ長は０５μｍにもなってしまう。そのため
（ｌｖ）の最終ポリッシング加工が必要となってくる。
次の加工を順に行なっていく。即ち、（１）研削平面加
工、（１１）ラッピング加工、（ト）−次ボリッンング
加工、（１ｖ）最終ポリッシング加工、である〇７エラ
イトコアの場合、（１）のラッピング加工は通常は２〜
５μｍのダイヤモンドパウダーにより、（１１）の−次
ポリッシング加工は１／４〜１μｍのダイヤモンドパウ
ダーにより行なわれる。近年、平面研削加工機の精度が
向上してきた結果、（１１）の工程を省略することが可
能となってきた。（Ｉｌ＋）の−次ポリッシング加工に
よりかなり程度の良い鏡面が得られる。しかしながら加
工変質層が加工面に生じている＠その厚みは１μｍのダ
イヤモンドパウダーによるフェライトの加工の場合で１
０００Ｘ〜２０００Ｘ程度である。この値は磁気ヘッド
のギャップ長が小さいと無視できない。つまり、〈有効
ギャップ長〉ユ〈見かけのギャップ長〉＋２×〈加工変
質層厚〉 であるので、例えば見かけのギャップ長が０
．３μｍのとき加工変質層が０１μｍであったとしたら
有効ギャップ長は０５μｍにもなってしまう。そのため
（ｌｖ）の最終ポリッシング加工が必要となってくる。
加工品質が磁気ヘッドの品質に直接間るのでこの工程は
重要である。最終ポリッシングとしては様々な研磨法が
提唱されているが、主に行なわれているのはメカノケミ
カルポリッシングと呼ばれる化学反応の要素を加味した
研磨法である。その方法により１００χ程度にまで加工
変質層は減少される。
重要である。最終ポリッシングとしては様々な研磨法が
提唱されているが、主に行なわれているのはメカノケミ
カルポリッシングと呼ばれる化学反応の要素を加味した
研磨法である。その方法により１００χ程度にまで加工
変質層は減少される。
これらの加工工程により得られる鏡面の品質における要
求項目は平坦度が良いこと、表面粗さが小さいこと、及
び加工変質層厚が小さいことである。上述した工程にお
いては表面粗さと加工変質層厚は正の相関があり、表面
粗さが小さいと加工変質層厚も小さい。また、平坦度と
表面粗さは負の相関があり、表面粗さが小さくなるに従
かい平坦度は一般に悪化する。
求項目は平坦度が良いこと、表面粗さが小さいこと、及
び加工変質層厚が小さいことである。上述した工程にお
いては表面粗さと加工変質層厚は正の相関があり、表面
粗さが小さいと加工変質層厚も小さい。また、平坦度と
表面粗さは負の相関があり、表面粗さが小さくなるに従
かい平坦度は一般に悪化する。
メカ７ケミカルボリノシングにおける現状の技術状況・
とじては次にまとめることができる。即ち、１）加工変
質層厚は満足するレベルにまで薄くすることができる、
しかしＩ）加工条件の許容幅が狭いため加工品質の安定
性が低い（研磨物の種類が限定され、室温、湿度に極め
て敏感である）、Ｉｌｌ ）欠陥が存在すると表面粗さ
は逆に大きくなる・ｌｖ ）ブレが大きく平坦度５０謡
角の研磨物上２〜３μｍ程度となる。
とじては次にまとめることができる。即ち、１）加工変
質層厚は満足するレベルにまで薄くすることができる、
しかしＩ）加工条件の許容幅が狭いため加工品質の安定
性が低い（研磨物の種類が限定され、室温、湿度に極め
て敏感である）、Ｉｌｌ ）欠陥が存在すると表面粗さ
は逆に大きくなる・ｌｖ ）ブレが大きく平坦度５０謡
角の研磨物上２〜３μｍ程度となる。
従って最終ポリッシング技術の課題として、容易に加工
が行なえ、かつ平坦度の向上した品質を確保できる技術
を見出すことであると言える。
が行なえ、かつ平坦度の向上した品質を確保できる技術
を見出すことであると言える。
本発明はこのような課題をうけ、新規な最終ポリッシン
グ技術を提供し、有効ギャップ長と見かけのギャップ長
の差の小さい磁気ヘッドを安定かつ容易に製造すること
ができることを目的とする。
グ技術を提供し、有効ギャップ長と見かけのギャップ長
の差の小さい磁気ヘッドを安定かつ容易に製造すること
ができることを目的とする。
本発明は磁気ヘッドのギャップ突き合わせ面の最終仕上
げ加工法として、一方向性のイオンビームを加工面に照
射し、エツチングを行ない加工変質層を除去する工程を
採用することを特徴とする。
げ加工法として、一方向性のイオンビームを加工面に照
射し、エツチングを行ない加工変質層を除去する工程を
採用することを特徴とする。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第１図に示すのが本発明の加工装置のレイアウトである
。真空チャンバー１内にイオンガン２及びステージ４が
配置されており、イオンガン２とステージ４の間にニュ
ートラライガ３が配置されている０加工面がイオンビー
ムにさらされるように被加工物５がステージ上に置かれ
ている０イオンガンの型式は問わないが通常はカウフマ
ン型である。第１図では加工物はステージの上に置くだ
けでよいが、ゴミなどが加工面に付着する状況が起きや
すい。これを改善するためのレイアウトが第２図である
。この例では加工物をステージに固定する治具が必要な
ので作業性は悪い・次に加工手順を述べる。加工物をス
テージ上にセットした後、真空チャンバー内を真空引き
する。
。真空チャンバー１内にイオンガン２及びステージ４が
配置されており、イオンガン２とステージ４の間にニュ
ートラライガ３が配置されている０加工面がイオンビー
ムにさらされるように被加工物５がステージ上に置かれ
ている０イオンガンの型式は問わないが通常はカウフマ
ン型である。第１図では加工物はステージの上に置くだ
けでよいが、ゴミなどが加工面に付着する状況が起きや
すい。これを改善するためのレイアウトが第２図である
。この例では加工物をステージに固定する治具が必要な
ので作業性は悪い・次に加工手順を述べる。加工物をス
テージ上にセットした後、真空チャンバー内を真空引き
する。
ｉ 〜７ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒまで真空度を上げｔた
後、Ａｒガスの導入を行ない真空度をＩ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｐ５Ｔｏｒｒ程度にする。し
かる後イオンビームを発生させる０イオンの加速電圧は
通常５００ｖ１最大でｉＫＶ程度である。イオンの電流
密度は通常０．５ ＢＡ／ｄ・最大で１ｍＡ／−程度で
ある０７エライトのエツチングレートは通常で２００Ｘ
／ｉ程度である０次にステージを回転させながらイオン
ビームを照射するＯ加工変質層を除去するまでイオンビ
ームを照射し続ける０工ツチング時間によってエツチン
グ量をコントロールする。あるいは、例えば前工程のラ
シピング定盤がＳｎである場合Ｓｎ原子を四重極質量分
析装置によって検出し、検出しなくなった時を加工変質
層の除去終了点としてエツチングを行なっていってもよ
いエツチング後、真空を破って加工物を取り出す。
後、Ａｒガスの導入を行ない真空度をＩ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｐ５Ｔｏｒｒ程度にする。し
かる後イオンビームを発生させる０イオンの加速電圧は
通常５００ｖ１最大でｉＫＶ程度である。イオンの電流
密度は通常０．５ ＢＡ／ｄ・最大で１ｍＡ／−程度で
ある０７エライトのエツチングレートは通常で２００Ｘ
／ｉ程度である０次にステージを回転させながらイオン
ビームを照射するＯ加工変質層を除去するまでイオンビ
ームを照射し続ける０工ツチング時間によってエツチン
グ量をコントロールする。あるいは、例えば前工程のラ
シピング定盤がＳｎである場合Ｓｎ原子を四重極質量分
析装置によって検出し、検出しなくなった時を加工変質
層の除去終了点としてエツチングを行なっていってもよ
いエツチング後、真空を破って加工物を取り出す。
この方法により４５１ＢＸ３５１Ｂのフェライトを研磨
した状況を第１表に示す。
した状況を第１表に示す。
第 １ 表
第１表の場合、イオンビームはステージに対して垂直に
入射している。この結果によればイオンビームによる最
終仕上げは加工面の平坦度を全く悪化させていない。イ
オンビームによる加工はほとんど加工変質層を形成しな
い（数１ｏＸ程度と推察している）ので表面粗さは向上
してないが、加工変質層は極めて減少している。ギャッ
プ長精度は、突き合わせ面の平坦度と突き合わせ面の加
工変質層厚できまる。そのため３５鵬長のヘッドコアブ
ロックを突き合わせた場合のギャップ長はイオンビーム
によ４加ニブロックの場合±０１５μｍの範囲内に、メ
カノケミカルポリッシュのブロックの場合は±０４μｍ
の範囲内にノくうついており、イオンビームによる加ニ
ブロックの方がギャップ長精度が高い。
入射している。この結果によればイオンビームによる最
終仕上げは加工面の平坦度を全く悪化させていない。イ
オンビームによる加工はほとんど加工変質層を形成しな
い（数１ｏＸ程度と推察している）ので表面粗さは向上
してないが、加工変質層は極めて減少している。ギャッ
プ長精度は、突き合わせ面の平坦度と突き合わせ面の加
工変質層厚できまる。そのため３５鵬長のヘッドコアブ
ロックを突き合わせた場合のギャップ長はイオンビーム
によ４加ニブロックの場合±０１５μｍの範囲内に、メ
カノケミカルポリッシュのブロックの場合は±０４μｍ
の範囲内にノくうついており、イオンビームによる加ニ
ブロックの方がギャップ長精度が高い。
以上、述べてきたように本発明により得られる磁気ヘッ
ドはギャップ長精度が極めて高く安定している。
ドはギャップ長精度が極めて高く安定している。
また、本発明の大きな特徴としてドライなプロセスであ
る、という点が挙げられる。そのため、従来のウェット
な研磨の場合のような治具への貼り付け、貼り付はワッ
クスや砥粒を除去するための複雑な洗浄工程が省略でき
るため製造工程の簡略化に寄与するところ大である。
る、という点が挙げられる。そのため、従来のウェット
な研磨の場合のような治具への貼り付け、貼り付はワッ
クスや砥粒を除去するための複雑な洗浄工程が省略でき
るため製造工程の簡略化に寄与するところ大である。
第１図は本発明の加工装置のレイアウトである。
第２図は本発明の加工装置のレイアウトの別の例である
。 １・・・・・・真空チャンバー ２・・・・・・イオンガン ６・・・・・・ニュートラライザ ４・・・・・・ステージ ５・・・・・・被加工物（磁気ヘッドコアブロック）以
上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
。 １・・・・・・真空チャンバー ２・・・・・・イオンガン ６・・・・・・ニュートラライザ ４・・・・・・ステージ ５・・・・・・被加工物（磁気ヘッドコアブロック）以
上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 磁気へラドコアのギャップ突き合わせ面の最終仕上げ加
工法として、一方向性のイオンビームを前記ギャップ突
き合わせ面に照射する工程を含むこと）特徴とする磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6715784A JPS60211608A (ja) | 1984-04-04 | 1984-04-04 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6715784A JPS60211608A (ja) | 1984-04-04 | 1984-04-04 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211608A true JPS60211608A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13336775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6715784A Pending JPS60211608A (ja) | 1984-04-04 | 1984-04-04 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211608A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121124A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6043210A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Tdk Corp | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-04-04 JP JP6715784A patent/JPS60211608A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121124A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6043210A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Tdk Corp | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
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