KR100501110B1 - 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 결함을 분석하는 방법에 관한 것으로, 특히, 실리콘 웨이퍼의 표면 근방에 분포하는 결함을 분석하는 방법에 관한 것이다.
이를 위한 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법은 실리콘웨이퍼를 준비하는 제 1단계와; 상기 실리콘웨이퍼를 RIE(Reactive Ion Etching) 장비의 챔버에 장입하고, 상기 챔버 내부를 5E-5 내지 5E-6 토르(torr)의 진공 상태로 조절하는 제 2단계와; 상기 챔버 내부에 에칭 가스로 CF4 가스를 주입함과 동시에 에칭 타겟(Target)인 상기 실리콘웨이퍼에 플라즈마 발생 전압을 걸어 주어 상기 실리콘웨이퍼를 내부에 함유된 결함에 대해 실리콘 성분만이 선택적으로 제거되도록 에칭하는 제 3단계와; 상기 에칭된 실리콘웨이퍼를 파티클 카운터(particle counter) 검사하는 제 4단계와; 상기 실리콘웨이퍼의 표면에 나타난 표면 근방 결함을 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 검사하는 제 5단계를 포함한다.
Description
본 발명은 실리콘웨이퍼의 결함을 분석하는 방법에 관한 것으로, 특히, 실리콘웨이퍼의 표면 근방에 분포하는 결함을 분석하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조를 위해 사용되는 실리콘웨이퍼는 그 표면으로부터 약 20㎛의 깊이 이내에 존재하는 결함 즉, 표면 근방 결함(Near Surface Micro-Defect)이 존재할 경우에, 반도체 디바이스의 소자 불량에 치명적인 원인이 될 수 있다. 이와 같은 표면 근방 결함은 실리콘웨이퍼의 제조를 위한 실리콘 단결정 잉곳의 성장 시, 실리콘 단결정 잉곳의 내부에 COP(Crystal Originated Particle), 산소 적층 결함(OiSF) 등과 같은 형태의 결정 결함이 발생하거나, 반도체 디바이스 제조를 위한 열처리 과정 중 실리콘웨이퍼에 포함되어 있는 산소가 표면 근방에 석출되어 형성되는 산소 석출 결함인 경우가 일반적이다. 이러한 표면 근방 결함은 반도체 디바이스 제조 시 게이트 산화막(Gate Oxide) 및 P/N Junction 영역의 누설전류 특성을 열화시킴으로서 반도체 디바이스의 불량을 초래하는 원인이 되는 것이다.
따라서 실리콘웨이퍼의 표면 근방에 존재하거나 발생할 수 있는 표면 근방 결함의 제어는 실리콘웨이퍼의 제조에 있어서 필수적인 기술이며, 이러한 표면 근방 결함을 제어하기 위하여 먼저 표면 근방 결함의 존재 여부 및 분포 형태를 분석해야 한다.
실리콘웨이퍼의 표면 근방에 존재하는 결함을 분석하기 위한 종래의 방법을 살펴보면 다음과 같다.
실리콘웨이퍼를 작은 시편으로 만들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 앵글 폴리싱(Angle Polishing)한 후 에칭 용액에 침적하여 표면 근방 결함이 존재하는 위치를 에칭하고 전자 현미경 또는 광학 현미경 등으로 검출하는 방법, 실리콘웨이퍼 표면을 일정 두께만큼 경면 연마하여 산소 석출 결함을 노출시킨 후, 파티클 카운터(Particle Counter) 및 원자 현미경(Atomic Microscope)을 이용하여 검출하는 방법, 또, 레이저(Laser)를 실리콘웨이퍼의 표면에 조사하여 실리콘웨이퍼의 내부에 존재하는 결함 위치에서의 레이저 빔 산란에 의한 결함 분석 방법 등의 다양한 방법들로 실리콘 웨이퍼의 표면 근방 결함이 분석되고 있다.
이 중, 상기 첫 번째 방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
반도체 열처리가 된 폴리시드(Polished) 실리콘웨이퍼를 통상의 방법에 따라 작은 시편 조각으로 절단한 후, 앵글 폴리싱하고, 라이트 에칭(Wright Etching) 용액에 약 3분간 침적하여 실리콘웨이퍼의 내부에 존재하는 산소 석출 결함을 에칭 한다. 즉, 도 3a에 도시된 바와 같이, 실리콘웨이퍼의 표면에 존재하는 산소 석출 결함이 라이트 에칭 용액에 의하여 선택적으로 에칭되어 실리콘웨이퍼의 표면에는 산소 석출 결함이 존재하였다가 에칭되어 사라진 흔적(20-1)이 남게되는 것이다. 그리고, 이를 광학 현미경을 통하여 검사하여 보면 도 3b에 나타난 사진과 같이 나타나는 것이다. 즉, 여기에서 광학 현미경을 통하여 검사하는 표면 근방 결함이란 실리콘웨이퍼의 표면에 존재하였던 산소 석출 결함이 에칭되고 난 흔적인 것이다.
따라서, 이러한 종래의 실리콘 웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법은 작은 시편을 통한 분석으로 실리콘웨이퍼에 존재하는 결함 분포 및 1um 이하 크기의 결함은 분석하지 못하고, 산소 석출 결함이 아닌 다른 결정 결함은 분석하지 못하는 문제점이 있다. 특히, 실리콘웨이퍼의 표면 근방에 존재하는 결함의 실질적인 모습, 즉 그 원래의 존재 및 형태에 대하여 직접적인 관찰ㆍ분석이 불가능하다는 문제점이 있는 것이다.
그리고, 복잡한 분석 단계로 인해 분석에 장시간 소요되고 고가의 레이저 분석 장비를 이용함으로서 측정비용이 증가하는 등의 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함의 분포와 그 원래의 형상을 직접적으로 분석할 수 있고, 1㎛이하의 미소한 결함도 분석 가능하며, 또한, 산소 석출 결함 이외의 다양한 결함도 분석할 수 있는 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법을 제공하려는 것이다.
그리고, 실리콘웨이퍼 표면 근방의 결함을 분석하는 시간을 짧게 하고, 고가의 장비를 이용하지 않고서도 상술한 실리콘웨이퍼의 표면 근방의 결함을 정밀하게 분석할 수 있는 방법을 제공하려는 것이다.
이를 위한 본 발명에 따른 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법은 실리콘웨이퍼를 준비하는 제 1단계와; 상기 실리콘웨이퍼를 RIE(Reactive Ion Etching) 장비의 챔버에 장입하고, 상기 챔버 내부를 5E-5 내지 5E-6 토르(torr)의 진공 상태로 조절하는 제 2단계와; 상기 챔버 내부에 에칭 가스로 CF4 가스를 주입함과 동시에 에칭 타겟(Target)인 상기 실리콘웨이퍼에 플라즈마 발생 전압을 걸어 주어 상기 실리콘웨이퍼를 내부에 함유된 결함에 대해 실리콘 성분만이 선택적으로 제거되도록 에칭하는 제 3단계와; 상기 에칭된 실리콘웨이퍼를 파티클 카운터(particle counter) 검사하는 제 4단계와; 상기 실리콘웨이퍼의 표면에 나타난 표면 근방 결함을 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 검사하는 제 5단계를 포함한다.
상기 제 3단계에서 상기 실리콘웨이퍼에 걸어주는 플라즈마 발생 전압에 의해 플라즈마를 발생하기 위한 전력 밀도가 0.5 내지 2㎾/㎠가 되도록 하는 것이 바람직하며, 상기 실리콘웨이퍼를 1 내지 25㎛ 두께 에칭하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명은 먼저 도 1에 도시된 바와 같이, 먼제 제 1단계(S1)로서 결함 분석 대상으로서의 샘플인 실리콘웨이퍼를 준비한다. 이는 일반적인 폴리시드(Polished) 실리콘웨이퍼 및 반도체 열처리된 폴리시드(Polished) 실리콘웨이퍼 등으로 준비한다.
그 다음, 2단계(S2)로서, 상기 준비된 실리콘웨이퍼를 RIE(Reactive Ion Etching) 장비의 챔버에 장입하고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 조절한다. 여기에서 상기 챔버 내부의 진공 상태는 5E-5 내지 5E-6 토르(torr)로 조절하는 것이 바람직하다.
그리고, 제 3단계(S3)로서 상기 챔버 내부에 RIE 가스를 주입함과 동시에, RIE 타겟(Target)인 상기 실리콘웨이퍼에 전압을 인가하여 실리콘 웨이퍼를 RIE 방법으로 에칭한다. 이 때, 상기 챔버 내부에 주입하는 RIE 가스는 CF4 가스로 하고, 상기 실리콘웨이퍼에 걸어주는 전압에 의해 플라즈마를 발생하기 위한 전력 밀도가 0.5 내지 2㎾/㎠가 되도록 하는 것이 바람직하다.
RIE 가스로 사용되는 CF4가스는 실리콘웨이퍼의 내부에 산화 화합물(SiOx(x ≤2))의 형태로 존재하는 결정 결함 또는 산소 석출 결함 등은 에칭하지 않고 실리콘(Si) 만을 선택적으로 에칭한다. 따라서, 표면 근방 결함이 없는 실리콘(Si) 부분만 에칭됨으로 인하여, 도 2a에 도시된 바와 같이, 실리콘웨이퍼(10)의 표면 근방에 분포하는 결함(20)이 노출되거나 돌출된 형태로 존재하게 되는 것이다. 그리고, 표면 근방 결함이 산소 석출물이 아닌 다른 결정 결함도 RIE 방법에 의하여 실리콘(Si)만이 선택적으로 에칭되고, 결정 결함은 에칭되지 않음으로 실리콘웨이퍼의 표면에 돌출된 형태로 존재하게 되어 후속되는 검사 단계에 의하여 분석이 가능한 것이다.
여기에서 실리콘웨이퍼(10)의 표면 근방에 분포하는 결함(20)을 명확하게 분석하기 위하여, 상기 실리콘웨이퍼의 RIE 방법으로 인한 에칭은 약 1 내지 15분 정도 함으로서, 상기 실리콘웨이퍼의 표면으로부터 에칭되는 두께(D)가 약 1 내지 25㎛가 되도록 하는 것이 바람직하다.
이 후, 상기 RIE 방법으로 에칭(S3)된 실리콘웨이퍼를 파티클 카운터(particle counter) 검사하는 제 4단계(S4)와, 상기 실리콘웨이퍼의 표면에 나타난 표면 근방 결함을 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 검사하는 제 5단계(S5)를 포함함으로서 상기 실리콘웨이퍼의 표면에 분포하는 표면 근방 결함을 분석할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 의하여 RIE 방법으로 에칭된 실리콘웨이퍼 표면의 파티클 카운터 검사와, 전자 현미경으로 검사한 결과의 사진은 도 2b와 같다.
즉, 본 발명에 의한 RIE 방법에 따른 에칭으로 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함은 도 2a에 도시된 바와 같이 실리콘웨이퍼의 표면에 도출되어 나타나므로, 이를 파티클 카운터 검사할 경우 실리콘웨이퍼의 표면에 실제로 나타나 있는 표면 근방 결함의 분포를 알 수가 있는 것이며, 또한, 이를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 검사함으로서, 표면 근방 결함의 원래의 형태를 직접적으로 관찰ㆍ분석이 가능한 것이다. 또한 종래의 방법으로는 분석할 수 없었던 1㎛이하 크기의 결함까지도 분석할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
본 발명은 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함의 분포와 그 원래의 형상을 직접적으로 관찰ㆍ분석할 수 있고, 1㎛이하의 미소한 결함도 분석 가능하며, 또한, 산소 석출 결함 이외의 다양한 결함도 분석할 수 있는 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법을 제공하였다.
그리고, 실리콘웨이퍼 표면 근방의 결함을 분석하는 시간을 짧게 하고, 고가의 장비를 이용하지 않고서도 상술한 실리콘웨이퍼의 표면 근방의 결함을 정밀하게 분석할 수 있는 방법을 제공하였다.
도 1은 본 발명의 전체 공정의 순서도.
도 2a는 본 발명에 의한 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석의 개념도.
도 2b는 본 발명에 의해 분석된 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 사진.
도 3a는 종래의 방법에 의한 실리콘웨이퍼의 결함 분석 개념도.
도 3b는 종래의 방법에 의한 실리콘웨이퍼의 결함 분석 사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 *
10 : 실리콘웨이퍼
20 : 표면 근방 결함
Claims (3)
- 실리콘웨이퍼를 준비하는 제 1단계와;상기 실리콘웨이퍼를 RIE(Reactive Ion Etching) 장비의 챔버에 장입하고, 상기 챔버 내부를 5E-5 내지 5E-6 토르(torr)의 진공 상태로 조절하는 제 2단계와;상기 챔버 내부에 에칭 가스로 CF4 가스를 주입함과 동시에 에칭 타겟(Target)인 상기 실리콘웨이퍼에 플라즈마 발생 전압을 걸어 주어 상기 실리콘웨이퍼를 내부에 함유된 결함에 대해 실리콘 성분만이 선택적으로 제거되도록 에칭하는 제 3단계와;상기 에칭된 실리콘웨이퍼를 파티클 카운터(particle counter) 검사하는 제 4단계와;상기 실리콘웨이퍼의 표면에 나타난 표면 근방 결함을 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 검사하는 제 5단계를 포함하는 것이 특징인 실리콘웨이퍼의 표면 결함 분석 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 3단계에서 상기 실리콘웨이퍼에 걸어주는 플라즈마 발생 전압에 의해 플라즈마를 발생하기 위한 전력 밀도가 0.5 내지 2㎾/㎠가 되도록 하는 것이 특징인 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 3단계에서 상기 실리콘웨이퍼를 1 내지 25㎛ 두께 에칭하는 것이 특징인 실리콘웨이퍼의 표면 근방 결함 분석 방법.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200632A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板表面の平滑化法及び溝の形成法 |
| KR950004432A (ko) * | 1993-07-27 | 1995-02-18 | 김주용 | 스퍼터 세정에 의한 웨이퍼 오염입자 제거방법 |
| KR19980050972A (ko) * | 1996-12-21 | 1998-09-15 | 양승택 | 리모트 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법 |
| KR20000010388A (ko) * | 1998-07-31 | 2000-02-15 | 정선종 | 실리콘 기판 표면위의 금속 오염물 제거방법 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200632A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板表面の平滑化法及び溝の形成法 |
| KR950004432A (ko) * | 1993-07-27 | 1995-02-18 | 김주용 | 스퍼터 세정에 의한 웨이퍼 오염입자 제거방법 |
| KR19980050972A (ko) * | 1996-12-21 | 1998-09-15 | 양승택 | 리모트 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법 |
| KR20000010388A (ko) * | 1998-07-31 | 2000-02-15 | 정선종 | 실리콘 기판 표면위의 금속 오염물 제거방법 |
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