JPS60210884A - 受光面 - Google Patents
受光面Info
- Publication number
- JPS60210884A JPS60210884A JP59133139A JP13313984A JPS60210884A JP S60210884 A JPS60210884 A JP S60210884A JP 59133139 A JP59133139 A JP 59133139A JP 13313984 A JP13313984 A JP 13313984A JP S60210884 A JPS60210884 A JP S60210884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- film
- hydrogen
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 244000046146 Pueraria lobata Species 0.000 description 1
- 235000010575 Pueraria lobata Nutrition 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、水素を含む非晶質シリコン薄膜を光電変換部
として使用する受光面、およびそのような受光面を有す
る撮像装置に関するものである。
として使用する受光面、およびそのような受光面を有す
る撮像装置に関するものである。
水素を含む非晶質シリコンは、光導電性を有するうえに
、低温条件で均質な大面積薄膜が得られることから特開
昭５４−１５０９９５号公報に示されるように、撮像デ
バイスなどに使用できる受光面として使用することが試
みられた。
、低温条件で均質な大面積薄膜が得られることから特開
昭５４−１５０９９５号公報に示されるように、撮像デ
バイスなどに使用できる受光面として使用することが試
みられた。
その結果、可視光領域で高い感度を持つことがわかった
ものの、非晶質シリコンはそれを堆積する下地基板の影
響を受けて膜質、とくにその平担性が変化するために、
実際に撮像デバイスを作製する時の障害となっていた。
ものの、非晶質シリコンはそれを堆積する下地基板の影
響を受けて膜質、とくにその平担性が変化するために、
実際に撮像デバイスを作製する時の障害となっていた。
本発明は、この材料を撮像デバイスに応用するにあたっ
ての、このような膜質の平坦性が変化するという欠点を
解消するためのものである。
ての、このような膜質の平坦性が変化するという欠点を
解消するためのものである。
上記の目的を達成するために１本発明の撮像デバイス用
受光面では、以下に述べるような物理特性をもった非晶
質シリコンを光電変換部分に使用することを特徴とする
。
受光面では、以下に述べるような物理特性をもった非晶
質シリコンを光電変換部分に使用することを特徴とする
。
すなわち、詳しく特性検討を行なった結果、水素を少く
とも５原子％以上、２５原子％を越えぬ景含む非晶質シ
リコンにおいて、光学的禁止帯幅が１．５ｅｖ以上、１
．９ ｅＶ以下の値をもつものについて、シリコンと水
素の結合の伸縮振動モードに起因する赤外吸収ピークで
波数２０００ｃｍ−’の成分の強度が波数２１００ｃｍ
−’成分と同等もしくはそれ以上の強度に観測される状
態の簿膜を使用すると、非晶質シリコンの膜質は下地基
板によらず平坦で均質なものになることが判明した。
とも５原子％以上、２５原子％を越えぬ景含む非晶質シ
リコンにおいて、光学的禁止帯幅が１．５ｅｖ以上、１
．９ ｅＶ以下の値をもつものについて、シリコンと水
素の結合の伸縮振動モードに起因する赤外吸収ピークで
波数２０００ｃｍ−’の成分の強度が波数２１００ｃｍ
−’成分と同等もしくはそれ以上の強度に観測される状
態の簿膜を使用すると、非晶質シリコンの膜質は下地基
板によらず平坦で均質なものになることが判明した。
第１図に水素を含む非晶質シリコンの赤外吸収スペクト
ル曲線を示す。観測されるピークとしては、水素とシリ
コンの結合の伸縮（ｓｔｒｅｃｈｉｎｇ ）振動モード
ａ、変角（ｂｅｎｄｉｎｇ ）振動モードｂ、ゆれ（ｗ
ａｇｇｉｎｇ、ｒｏｃｋｉｎｇ ）振動モードＣに起因
するものがある。ところで図かられかるように、伸縮振
動モードは、波数２０００ｃｍ−’付近と２１００ｃｍ
−’付近にわかれたピークを持つ吸収スペクトル曲線と
なっている。これらの各ピークは水素とシリコンの異な
る結合状態に対応しており、この振動ピークの形として
は、波数２０００ｃｍ−１，２１００ｃａ＋−’の両方
が観測され、しかも波数２０００ ｃｍ −’のピーク
が大きい場合と（便宜的に第１領域と呼称する）、波数
２０００ｃｍ −１のピークが小さくなり波数２１００
ｃｍ−’のピークが優勢になる場合（便宜的に第２領域
と呼称する）とがあることがわかった。そして、これら
双方の膜の面状態には歴然とした差があることがわかっ
た。すなわち、第２領域の膜では下地基板の材質によっ
て面状態が大きく影響を受け。
ル曲線を示す。観測されるピークとしては、水素とシリ
コンの結合の伸縮（ｓｔｒｅｃｈｉｎｇ ）振動モード
ａ、変角（ｂｅｎｄｉｎｇ ）振動モードｂ、ゆれ（ｗ
ａｇｇｉｎｇ、ｒｏｃｋｉｎｇ ）振動モードＣに起因
するものがある。ところで図かられかるように、伸縮振
動モードは、波数２０００ｃｍ−’付近と２１００ｃｍ
−’付近にわかれたピークを持つ吸収スペクトル曲線と
なっている。これらの各ピークは水素とシリコンの異な
る結合状態に対応しており、この振動ピークの形として
は、波数２０００ｃｍ−１，２１００ｃａ＋−’の両方
が観測され、しかも波数２０００ ｃｍ −’のピーク
が大きい場合と（便宜的に第１領域と呼称する）、波数
２０００ｃｍ −１のピークが小さくなり波数２１００
ｃｍ−’のピークが優勢になる場合（便宜的に第２領域
と呼称する）とがあることがわかった。そして、これら
双方の膜の面状態には歴然とした差があることがわかっ
た。すなわち、第２領域の膜では下地基板の材質によっ
て面状態が大きく影響を受け。
例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯｚ ）を基板とした場合、
膜の部分的剥離や欠陥の発生、面素地の荒れなどが観測
される。しかし、第１領域の膜では下地基板の材料によ
らず、鏡面状態となることがわかった。
膜の部分的剥離や欠陥の発生、面素地の荒れなどが観測
される。しかし、第１領域の膜では下地基板の材料によ
らず、鏡面状態となることがわかった。
非晶質シリコンの禁止帯幅は１．２ｅＶ付近から水素含
有量の増大とともに増加する。しかし、本特許の第１領
域の膜について光学的禁止帯幅を測定すると、１．５ｅ
ｖから１．９ ｅＶの範囲の値をとることがわかった。
有量の増大とともに増加する。しかし、本特許の第１領
域の膜について光学的禁止帯幅を測定すると、１．５ｅ
ｖから１．９ ｅＶの範囲の値をとることがわかった。
上記の様な第１領域の非晶質シリコンは、例えば反応性
スパッタリング法を用いる場合１反応ガス中の濃度をあ
る程度以下に低くおさえることで実現できる。水素濃度
を分圧として２０％以下、多くは１０％以下となすのが
良い。
スパッタリング法を用いる場合１反応ガス中の濃度をあ
る程度以下に低くおさえることで実現できる。水素濃度
を分圧として２０％以下、多くは１０％以下となすのが
良い。
第１図に示したスペクトル曲線の１は、反応性スパッタ
リングガス中の水素濃度を１０％とした場合、２は水素
濃度を３０％とした場合の結果であり、■が第１領域に
、２が第２領域に対応する。
リングガス中の水素濃度を１０％とした場合、２は水素
濃度を３０％とした場合の結果であり、■が第１領域に
、２が第２領域に対応する。
それぞれ領域が変化する時の水素濃度の値は、基板温度
や放電パワーなどスパッタリング条件により若干変化す
る。
や放電パワーなどスパッタリング条件により若干変化す
る。
とにかく、本発明の要点は前述の如き物理特性を有する
非晶質シリコンを光電変換膜として使用して、面状態の
よい受光面を作成することにありその効果は製法の如何
を問わない。すなわち、モノシランガスのグロー放電分
解法や、活性化された水素雰囲気中での蒸着などの方法
でも、作られた膜が上記の条件を満たせば、光導電膜と
して使用できる。
非晶質シリコンを光電変換膜として使用して、面状態の
よい受光面を作成することにありその効果は製法の如何
を問わない。すなわち、モノシランガスのグロー放電分
解法や、活性化された水素雰囲気中での蒸着などの方法
でも、作られた膜が上記の条件を満たせば、光導電膜と
して使用できる。
さらに各領域の非晶質シリコン膜について、その電気的
特性を調べたところ、第１領域の膜では電子の寿命がｌ
ＯμＳ程度と、第２領域の０．１μＳにくらべ２桁も大
きく、電子を信号電流の主たるキャリアとして使用すれ
ば出力信号が大きく、画質の均一性も良い撮像特性を得
られることがわかった。
特性を調べたところ、第１領域の膜では電子の寿命がｌ
ＯμＳ程度と、第２領域の０．１μＳにくらべ２桁も大
きく、電子を信号電流の主たるキャリアとして使用すれ
ば出力信号が大きく、画質の均一性も良い撮像特性を得
られることがわかった。
この効果をさらシこ高めるため、第２図に示すような素
子構造を選ぶとよい。第２図は素子のバンド構造を示し
ており１図中、３は下地電極、４は第１領域の性質を持
つ非晶質シリコン光導電膜、５は非晶質シリコンと接触
してショットキ接合を形成する金属、６は入射光、７，
８は入射光により発生した電子および正孔である。４の
光導電膜のバンドは５の金属により図のように曲がり、
このために発生した電子および正孔がスムーズに膜内を
走行する。キャリア発生は表面付近でおこるので、膜中
を主として走行するのは電子である。
子構造を選ぶとよい。第２図は素子のバンド構造を示し
ており１図中、３は下地電極、４は第１領域の性質を持
つ非晶質シリコン光導電膜、５は非晶質シリコンと接触
してショットキ接合を形成する金属、６は入射光、７，
８は入射光により発生した電子および正孔である。４の
光導電膜のバンドは５の金属により図のように曲がり、
このために発生した電子および正孔がスムーズに膜内を
走行する。キャリア発生は表面付近でおこるので、膜中
を主として走行するのは電子である。
第１領域の膜では低電界で電子を引き出すことができる
が、とくに図のような工夫を施すことにより、電界強度
は５Ｘ１０’Ｖ／ｍ以下、すなわち膜厚２μｍの場合に
５ｖ程度の低電圧で駆動させることができる。
が、とくに図のような工夫を施すことにより、電界強度
は５Ｘ１０’Ｖ／ｍ以下、すなわち膜厚２μｍの場合に
５ｖ程度の低電圧で駆動させることができる。
第３図を参照して説明する。
非晶質シリコン膜を堆積させる下地基板として光学研磨
されたガラス板りｌ上に約３００ｎｍの厚さの酸化スズ
膜などの透明１！ｔ！ｉ１２を設けたものを使用する。
されたガラス板りｌ上に約３００ｎｍの厚さの酸化スズ
膜などの透明１！ｔ！ｉ１２を設けたものを使用する。
この基板を、スパッタ装置内に原料のシリコンターゲッ
トと向き合うようにセットする。
トと向き合うようにセットする。
容器内を残留ガスの影響が無くなるまで真空排気した後
、水素とアルゴンの混合ガスを導入して容器内部をＩ
０−２−１０−” Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。この
状態で約３００Ｗの高周波電力をターゲットにかけると
、ターゲットと基板の間に放電が発生して、基板１１上
に非晶質シリコン１３が堆積する。この際、基板温度を
約２００℃とし、混合ガス中の水素濃度を２０％以下、
さらに好ましくは１５％以下とすると、堆積する非晶質
シリコンは前述した第１領域の性質を持つ膜となる。
、水素とアルゴンの混合ガスを導入して容器内部をＩ
０−２−１０−” Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。この
状態で約３００Ｗの高周波電力をターゲットにかけると
、ターゲットと基板の間に放電が発生して、基板１１上
に非晶質シリコン１３が堆積する。この際、基板温度を
約２００℃とし、混合ガス中の水素濃度を２０％以下、
さらに好ましくは１５％以下とすると、堆積する非晶質
シリコンは前述した第１領域の性質を持つ膜となる。
［発明の効果〕
このようにして約２μｍの厚さの非晶質シリコン膜を堆
積し、その上にショットキ接合形成のため、半透明プラ
チナ薄膜１４を真空蒸着法により形成する。この様にし
て作った受光面に１０ルクスの白色光を照射したところ
１２０ｎＡ１０．１ｄの信号電流を５ｖの印加電圧で得
ることができた。
積し、その上にショットキ接合形成のため、半透明プラ
チナ薄膜１４を真空蒸着法により形成する。この様にし
て作った受光面に１０ルクスの白色光を照射したところ
１２０ｎＡ１０．１ｄの信号電流を５ｖの印加電圧で得
ることができた。
第１領域の膜は、下地材料によらず鏡面状になるから、
下地基板としては、上述のガラス基板以外に、研磨した
金属板、さらには各種の材料が表面番；露出している集
積回路の上にも堆積が可能である。
下地基板としては、上述のガラス基板以外に、研磨した
金属板、さらには各種の材料が表面番；露出している集
積回路の上にも堆積が可能である。
第１図は、水素を含む非晶質シリコン膜における赤外吸
収スペクトル曲線を示す図、第２図は水素を含む非晶質
シリコンを光導電膜に使用した撮像装置におけるバンド
構造を説明する図、第３図は実施例を説明するための断
面図である。 １・・・第１領域の含水素非晶質シリコン膜の赤外吸収
スペクトル曲線、２・・・第２領域の含水素非晶質シリ
コン膜の赤外吸収スペクトル曲線、１１・・・基板、１
２・・・透明電極、１３・・・含水素非晶質シリコン、
１４・・・ショットキ電極。 葛１図 シ友 軟（Ｃｆｉ−９ 第２図 第３図
収スペクトル曲線を示す図、第２図は水素を含む非晶質
シリコンを光導電膜に使用した撮像装置におけるバンド
構造を説明する図、第３図は実施例を説明するための断
面図である。 １・・・第１領域の含水素非晶質シリコン膜の赤外吸収
スペクトル曲線、２・・・第２領域の含水素非晶質シリ
コン膜の赤外吸収スペクトル曲線、１１・・・基板、１
２・・・透明電極、１３・・・含水素非晶質シリコン、
１４・・・ショットキ電極。 葛１図 シ友 軟（Ｃｆｉ−９ 第２図 第３図
Claims (1)
- ■、 少なくとも透明導電膜と光導電体層とを具備した
受光面において、前記光導電体層は内部に水素を５原子
％から２５原子％含む非晶質シリコンであって、その光
学的帯゛正帯幅が１．５ｅＶから１．９ｅＶであり、シ
リコンと水素の結合の伸縮振動モードに起因する赤外吸
収ピークの波数約２０００ ｃｍ −’の成分と波数約
２１００ｏｎ−１の成分がほぼ同等の強度、もしくは波
数２０００ｃｍ−１のピークが大であるような物理特性
をもつ非晶質材料であることを特徴とする受光面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133139A JPS60210884A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 受光面 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133139A JPS60210884A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 受光面 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60210884A true JPS60210884A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH051634B2 JPH051634B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15097664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133139A Granted JPS60210884A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 受光面 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60210884A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857973A (en) * | 1987-05-14 | 1989-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Silicon waveguide with monolithically integrated Schottky barrier photodetector |
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120156A (ja) * | 1974-08-09 | 1976-02-18 | Seiichi Akashi | |
| US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59133139A patent/JPS60210884A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120156A (ja) * | 1974-08-09 | 1976-02-18 | Seiichi Akashi | |
| US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857973A (en) * | 1987-05-14 | 1989-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Silicon waveguide with monolithically integrated Schottky barrier photodetector |
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
| US5789263A (en) * | 1992-03-31 | 1998-08-04 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector and manufacture of same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051634B2 (ja) | 1993-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4196438A (en) | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication | |
| US4285762A (en) | Plasma etching of amorphous silicon (SE-35) | |
| JPS59141278A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| Perrin et al. | Effect of ion bombardment on the growth and properties of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys | |
| US5151255A (en) | Method for forming window material for solar cells and method for producing amorphous silicon solar cell | |
| US5282993A (en) | Light-stable semiconductor material based on amorphous germanium and a method for its production | |
| JPH02155225A (ja) | 非晶質半導体薄膜の形成方法 | |
| JPS60210884A (ja) | 受光面 | |
| Panwar et al. | Effect of annealing on the electrical, optical and structural properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited in an asymmetric RF plasma CVD system at room temperature | |
| US4749588A (en) | Process for producing hydrogenated amorphous silicon thin film and a solar cell | |
| CN115663057A (zh) | 一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法 | |
| EP0045203B1 (en) | Method of producing an image pickup device | |
| Tremsin et al. | UV photoemission efficiency of polycrystalline CVD diamond films | |
| TWI382554B (zh) | 光感測元件及其製作方法 | |
| JP3043956B2 (ja) | 空間光変調素子、その製造方法及び投射型ディスプレイ | |
| US5635707A (en) | Photoelectric conversion device for use in sensing light reflected from medium surface | |
| JPH0587171B2 (ja) | ||
| Mukhopadhyay et al. | Development of low temperature silicon oxide thin films by photo-CVD for surface passivation | |
| KR880002131B1 (ko) | 촬상소자의 제조방법 | |
| JP3099957B2 (ja) | 光導電部材 | |
| US4677249A (en) | Photovoltaic device | |
| JPS5934675A (ja) | 受光素子 | |
| JP2951218B2 (ja) | 非晶質シリコンゲルマニウム膜及びこれを用いた光起電力装置 | |
| EP0137043B1 (en) | Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell | |
| JPS6273624A (ja) | アモルフアスシリコンゲルマニウム薄膜の製造方法 |