JPS60210638A - 二極性膜およびその製造方法 - Google Patents
二極性膜およびその製造方法Info
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- JPS60210638A JPS60210638A JP59247883A JP24788384A JPS60210638A JP S60210638 A JPS60210638 A JP S60210638A JP 59247883 A JP59247883 A JP 59247883A JP 24788384 A JP24788384 A JP 24788384A JP S60210638 A JPS60210638 A JP S60210638A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
二極性の膜(bipolar membranes )
は、交流の整流、脱塩法の改善、生物学的膜としての作
用をし、および塩から酸および塩基な住成する能力があ
るため有用であることは公知である。塩から敵および塩
基を製造できる特性は、例えは食阜塩からBσとNaO
Hの形成のような入手容易な中性塩から画業的にm賛な
敵と塩基との製造ができるため大きな潜在的有用性があ
る。鬼気透析による水の分解として公知の二極性膜によ
るこの傷の転化の実施の可能性は、主として二極性膜自
体の特性の不足並びに6祝性7に有する二極性膜を大旗
俟で製造することが1難なためにまだ工業的方法となっ
ていない。
は、交流の整流、脱塩法の改善、生物学的膜としての作
用をし、および塩から酸および塩基な住成する能力があ
るため有用であることは公知である。塩から敵および塩
基を製造できる特性は、例えは食阜塩からBσとNaO
Hの形成のような入手容易な中性塩から画業的にm賛な
敵と塩基との製造ができるため大きな潜在的有用性があ
る。鬼気透析による水の分解として公知の二極性膜によ
るこの傷の転化の実施の可能性は、主として二極性膜自
体の特性の不足並びに6祝性7に有する二極性膜を大旗
俟で製造することが1難なためにまだ工業的方法となっ
ていない。
文献には各種の方法による二極性膜の製造方法が報告さ
れている。初期には、例えは米国咎針明細誉第2,82
9.[195号に記載されているよ5K、反対の電荷を
有するイオン反換梢脂靭子を含有するポリマーを相互に
結合させることによって二極性膜が製造された。米1%
許明細−V第6,672.1 u 1号および英国特許
明細誉第1.CI 58,777号のように熱と圧力と
によって慣用のアニオンおよびカチオン移動膜を融合(
例えば米国特許1則畳泥2,731,411号および同
第2,860,097号に記載されている)させて二極
性膜を得る方法も報告されている。重合体物質の単一シ
ートであって、一方の側の選択的機能化によってアニオ
ンまたはカチオン透過性を付与し、反対側に反対の゛1
荷のイオンの透過性を付与することによる二極性膜の製
法が、米国特#lF明[誉1g 6,688.u 80
号、同に3,654,125号羞0に最近の米国付針明
細書組4,024.Ll 43号、同ji44.Ll
57,481号および同M4,140,815号に記載
されている。
れている。初期には、例えは米国咎針明細誉第2,82
9.[195号に記載されているよ5K、反対の電荷を
有するイオン反換梢脂靭子を含有するポリマーを相互に
結合させることによって二極性膜が製造された。米1%
許明細−V第6,672.1 u 1号および英国特許
明細誉第1.CI 58,777号のように熱と圧力と
によって慣用のアニオンおよびカチオン移動膜を融合(
例えば米国特許1則畳泥2,731,411号および同
第2,860,097号に記載されている)させて二極
性膜を得る方法も報告されている。重合体物質の単一シ
ートであって、一方の側の選択的機能化によってアニオ
ンまたはカチオン透過性を付与し、反対側に反対の゛1
荷のイオンの透過性を付与することによる二極性膜の製
法が、米国特#lF明[誉1g 6,688.u 80
号、同に3,654,125号羞0に最近の米国付針明
細書組4,024.Ll 43号、同ji44.Ll
57,481号および同M4,140,815号に記載
されている。
後者の方法で製造された二極性膜は、
(1)良好な機械的強度、
(11J 高い選択透過性、
(110低い換亀圧、
吻■] 安定性、および
(VJ 烏い電流密度での作業性
の望ましい特性を有するが、特に大規模−失意では主と
してフィルム中への薬剤の拡散およびフィルムとの反応
を制御することが因難なため品質′#埋が困難である。
してフィルム中への薬剤の拡散およびフィルムとの反応
を制御することが因難なため品質′#埋が困難である。
かような拡散および反応fftlJI11は、小さく、
慎重に選択した均一なフィルムではp」能であるが、大
きなフィルムに同封の不均一性および拡散および反応W
:、請求される厳密な安水条件のため膜の大規模製造は
全く1麹である。
慎重に選択した均一なフィルムではp」能であるが、大
きなフィルムに同封の不均一性および拡散および反応W
:、請求される厳密な安水条件のため膜の大規模製造は
全く1麹である。
前記のような所望の%aを有する尚9:能の二極跣膜馨
製造するための他の方法が木国籍肝明細畳第4,116
,889号に見出される。ゲル化′%:受けるポリマー
糸の溶液流延によって均一な、欠顯のないアニオン透過
性フィルムの形成にはhI)把のポリマーの物理的性質
、混合条件、01を処工程、およびゲル化と乾燥時間の
慎重な′#埋を資するために残念ながらかような換の製
造は1姦であることが立社された。これらの管理からず
れるとキャスティングナイフ、不均一な厚さ、層の組成
物および亀裂によって永久掻ききすを生じるh」能性か
ある。
製造するための他の方法が木国籍肝明細畳第4,116
,889号に見出される。ゲル化′%:受けるポリマー
糸の溶液流延によって均一な、欠顯のないアニオン透過
性フィルムの形成にはhI)把のポリマーの物理的性質
、混合条件、01を処工程、およびゲル化と乾燥時間の
慎重な′#埋を資するために残念ながらかような換の製
造は1姦であることが立社された。これらの管理からず
れるとキャスティングナイフ、不均一な厚さ、層の組成
物および亀裂によって永久掻ききすを生じるh」能性か
ある。
従って、均質なポリマーゲルの制御に依存する二極性膜
の加工の大規模製造を企図する場合は実施が困難である
。
の加工の大規模製造を企図する場合は実施が困難である
。
要約すると、前記に挙げた所望の特性を有する高性能の
二極住換V簡単な信頼できる方法で製造することは従来
技術では不可能である。
二極住換V簡単な信頼できる方法で製造することは従来
技術では不可能である。
本発明の&賛
本発明によって、二極性膜の製造の際従来技術が適過し
た前記の間勉は、先づ少なくとも一層のノニオン柱層含
有するラミネートから成る二極性膜先部#Ie貴を形成
し、次いでこの先駆物質を二極性膜に転換させることに
よって克服できることが用の方法を使用することによっ
て容易に装造できる。この方法は、かなりの程度の工程
震欽かI?I−容できるため制伸が容易である。最も産
資なことは、本発明によって製造された膜は丁くれた機
械的強度を有し、低エネルギー消費、商い選択透過性、
長期安定性および断線することなく尚電流密度での作業
性等の要求I#項を満足させる。
た前記の間勉は、先づ少なくとも一層のノニオン柱層含
有するラミネートから成る二極性膜先部#Ie貴を形成
し、次いでこの先駆物質を二極性膜に転換させることに
よって克服できることが用の方法を使用することによっ
て容易に装造できる。この方法は、かなりの程度の工程
震欽かI?I−容できるため制伸が容易である。最も産
資なことは、本発明によって製造された膜は丁くれた機
械的強度を有し、低エネルギー消費、商い選択透過性、
長期安定性および断線することなく尚電流密度での作業
性等の要求I#項を満足させる。
簡単に云えは、本@明の方法は、少なくとも二層のうち
の第一の層として蔦合体マトリックス中に埋込まれたイ
オン又換樹脂(不均質イオン父侠相脂)か、イオン交換
基χ含有する*mホポリーrル、またはからみ合ったポ
リマーブレンド(均質なイオン交換層)のいずれかから
成るイオン交換層を形成することから成る。この第一の
層として、イオン交換能な有する笑質的にa息の有@ま
たは無機J−または徊脂が使用できる。これも有機また
は無機でもよいが、イオン交換能かない第二の層を前記
のイオン交換層と結合筐たは嵌合させる。かようなイオ
ン交換性層とノニオン性層とから形成された得られた徊
合体フィルムは、本来およびそれ自体が二極性膜ではな
く、力・ような腺の先駆物質に過ぎない。
の第一の層として蔦合体マトリックス中に埋込まれたイ
オン又換樹脂(不均質イオン父侠相脂)か、イオン交換
基χ含有する*mホポリーrル、またはからみ合ったポ
リマーブレンド(均質なイオン交換層)のいずれかから
成るイオン交換層を形成することから成る。この第一の
層として、イオン交換能な有する笑質的にa息の有@ま
たは無機J−または徊脂が使用できる。これも有機また
は無機でもよいが、イオン交換能かない第二の層を前記
のイオン交換層と結合筐たは嵌合させる。かようなイオ
ン交換性層とノニオン性層とから形成された得られた徊
合体フィルムは、本来およびそれ自体が二極性膜ではな
く、力・ような腺の先駆物質に過ぎない。
前記のノニオン性層が、化学的に反工6性であり、過切
な化学的薬剤によって後で処iMされることによってイ
オン交換層となる可能性ヲ有するものであることが本発
明の必須の%似である。1り記の二層の結合または接合
は、熱と圧力による浴融、溶解、接着または一層を他層
上への浴k it ’Aのような慣用の方法によって行
うことができる。
な化学的薬剤によって後で処iMされることによってイ
オン交換層となる可能性ヲ有するものであることが本発
明の必須の%似である。1り記の二層の結合または接合
は、熱と圧力による浴融、溶解、接着または一層を他層
上への浴k it ’Aのような慣用の方法によって行
うことができる。
形成後、その先駆物質を、前8ピの化学的に活性なノニ
オン性層と反応する過当な薬剤と接触させてイオン交換
基またはイオン交侯能馨有する均一なJfiを形成する
。
オン性層と反応する過当な薬剤と接触させてイオン交換
基またはイオン交侯能馨有する均一なJfiを形成する
。
本発明の方法のさらに改良法は、ゴーベての中性層含有
する多層ラミネートを最初に形成し、次いでラミネート
の片狽llの一層をカチオン−またはアニオン−交換層
のいずれかに転化することがら賊る。得られた個合体が
前記の二極性膜の先駆vl)質になる。
する多層ラミネートを最初に形成し、次いでラミネート
の片狽llの一層をカチオン−またはアニオン−交換層
のいずれかに転化することがら賊る。得られた個合体が
前記の二極性膜の先駆vl)質になる。
本発明の別の態様は、アニオン−移’mJNlとカチオ
ン−移#hMとの間に少なくとも一層の界面層を含む新
規の二極性膜である。その界面層は、イオン交換樹脂の
電荷とは反対の電荷を有するイオン状基を有する均質な
、固定されたポリマーマトリックス中に分散されたイオ
ン交換樹脂を含有する。
ン−移#hMとの間に少なくとも一層の界面層を含む新
規の二極性膜である。その界面層は、イオン交換樹脂の
電荷とは反対の電荷を有するイオン状基を有する均質な
、固定されたポリマーマトリックス中に分散されたイオ
ン交換樹脂を含有する。
駕ろくべきことに、かような膜は、かような界面層がな
い従来技術による膜にまさる改畳された性能を示す。
い従来技術による膜にまさる改畳された性能を示す。
本発明の詳細な説明
本発明の利点は、最も簡単には、一層のノニオン性層と
一層のイオン性層とを含有する複合フィルムを形成する
ことによって達成される。例えば、先づジメチルホルム
アミド(DMJi )のような適当な溶剤中のポリ塩化
ビニルと架橋したジビニルベンゼン(DVB )−ビニ
ルベンジルクロライド(VBC)樹脂とのようなポリマ
ーの混合物をガラス板上に流延してフィルムにし、炉中
で溶剤を蒸発させることによって二極性膜の先駆物質を
形成する。次にポリ塩化ビニルのよ5なマトリックスポ
リマー中のカチオン交換樹脂のDMF溶液の5すいコー
ティングを適用する。乾燥によって得られた二極性膜先
駆物質を、次いで、トリメチルアミンのようなアミンで
処理する、このアミンは第一層中のペンシルクロライド
基と反応して次のようにアニオン交換基を形成する: 前記の膜はこれで、一方の側にアニオン透過性層を有し
、他の側にカチオン透過性層を有する二極性膜になる。
一層のイオン性層とを含有する複合フィルムを形成する
ことによって達成される。例えば、先づジメチルホルム
アミド(DMJi )のような適当な溶剤中のポリ塩化
ビニルと架橋したジビニルベンゼン(DVB )−ビニ
ルベンジルクロライド(VBC)樹脂とのようなポリマ
ーの混合物をガラス板上に流延してフィルムにし、炉中
で溶剤を蒸発させることによって二極性膜の先駆物質を
形成する。次にポリ塩化ビニルのよ5なマトリックスポ
リマー中のカチオン交換樹脂のDMF溶液の5すいコー
ティングを適用する。乾燥によって得られた二極性膜先
駆物質を、次いで、トリメチルアミンのようなアミンで
処理する、このアミンは第一層中のペンシルクロライド
基と反応して次のようにアニオン交換基を形成する: 前記の膜はこれで、一方の側にアニオン透過性層を有し
、他の側にカチオン透過性層を有する二極性膜になる。
あるいはまた、架橋したポリスチレンを先駆物質中のノ
ニオン性層として使用することができる。アニオン交換
層としての作用をするポリアミンまたはジアミンによっ
て架橋されたポリビニルベンジルクロライドを、次いで
前記のポリスチレン上に流延してもよい。この前駆物質
を、次に周知の方法によってスルホン化し二極性膜にす
る。スルホン化方法が記載されているフリードリツヒへ
ルファリツヒ(17’riedrich He1fer
rich)のイオン交換(マグロ−ヒル、ニューヨーク
、1962年)を参照されたい。
ニオン性層として使用することができる。アニオン交換
層としての作用をするポリアミンまたはジアミンによっ
て架橋されたポリビニルベンジルクロライドを、次いで
前記のポリスチレン上に流延してもよい。この前駆物質
を、次に周知の方法によってスルホン化し二極性膜にす
る。スルホン化方法が記載されているフリードリツヒへ
ルファリツヒ(17’riedrich He1fer
rich)のイオン交換(マグロ−ヒル、ニューヨーク
、1962年)を参照されたい。
膜性能(特にその透過選択性)とその機械的強度を向上
させるために、多層構造を形成することがしばしば望ま
しい。かような構造が第1図に示されている。例えば、
ポリ塩化ビニル中のジビニルベンゼン−ビニルベンジル
クロライドの低樹脂金蓋の中性層(N−2)の流延に続
いて、ビニルベンジルクロライド−スチレンコポリマー
中に同じ樹脂を含有する高樹脂含量の中性層(N”−1
>を塗被し、次に、ビニルベンジルクロライド−スチレ
ンコポリマー中のカチオン交換樹脂の高樹脂層(C−1
)を塗被する0これらの後にポリ塩化ビニル中のカチオ
ン交換樹脂の低樹脂層(C−2)を流延する。この膜先
駆物質をアミン化によって二極性膜に転化できる。層N
−1とN−2とをアニオン交換層に転化することによっ
て二極性膜が形成される。得られた膜は、追加コーティ
ングN−1、とC−1がない膜に比較すると電位低下が
低い。この膜は強度向上のためにポリプロピレン布また
はスクリム(scrims )のような若干の強化用織
物上に流延することもできる。
させるために、多層構造を形成することがしばしば望ま
しい。かような構造が第1図に示されている。例えば、
ポリ塩化ビニル中のジビニルベンゼン−ビニルベンジル
クロライドの低樹脂金蓋の中性層(N−2)の流延に続
いて、ビニルベンジルクロライド−スチレンコポリマー
中に同じ樹脂を含有する高樹脂含量の中性層(N”−1
>を塗被し、次に、ビニルベンジルクロライド−スチレ
ンコポリマー中のカチオン交換樹脂の高樹脂層(C−1
)を塗被する0これらの後にポリ塩化ビニル中のカチオ
ン交換樹脂の低樹脂層(C−2)を流延する。この膜先
駆物質をアミン化によって二極性膜に転化できる。層N
−1とN−2とをアニオン交換層に転化することによっ
て二極性膜が形成される。得られた膜は、追加コーティ
ングN−1、とC−1がない膜に比較すると電位低下が
低い。この膜は強度向上のためにポリプロピレン布また
はスクリム(scrims )のような若干の強化用織
物上に流延することもできる。
本発明の他の態様は、アニオン交換層とカチオン交換層
およびそれら用の膜先駆物狗の間に界面層を含有する二
極性膜である。この界面層は、混合したアニオン移動領
域とカチオン交換樹脂とを含有する。かような膜は効果
があり、電位低下が特に低い。
およびそれら用の膜先駆物狗の間に界面層を含有する二
極性膜である。この界面層は、混合したアニオン移動領
域とカチオン交換樹脂とを含有する。かような膜は効果
があり、電位低下が特に低い。
本発明より以前には、低電位低下を得るためには反対に
帯電しているイオン交換基の有意の相互浸透はできるだ
け避けるべきであると考えられていたから前記の膜の効
力は特に驚ろくべきことである。米国特許明細誉第4,
116,889号第4欄を参照されたい。
帯電しているイオン交換基の有意の相互浸透はできるだ
け避けるべきであると考えられていたから前記の膜の効
力は特に驚ろくべきことである。米国特許明細誉第4,
116,889号第4欄を参照されたい。
第2図に、本発明のこの態様による膜先駆物質を示す。
この場合、ビニルベンシルクロライドポリマーまたはコ
ポリマーを含有する中性層N−1を流延し、乾燥させる
。その後、カチオン交換樹脂とアニオン交換領域に転化
できる官能基を有するマトリックスとを含有するC−1
層をそのN−1層上に形成する。乾燥後に、最終のC−
2層を流延する。C−i層に対比してC−2層は非−反
応性、すなわち、アニオン交換層の形成に使用される薬
剤に対して実質的に不活性である。従って、アミノ化後
に第3図に示した二極性膜が形成される。前の中性層(
第2図のN−1)は、アニオン交換A−1層になり、第
2図の反応性c−1層は第6図の界面層になる。非反応
性C−2層の例には、PvCまたはPvC−オレフィン
コポリマーマトリックスを含有するものが含まれるであ
ろう。
ポリマーを含有する中性層N−1を流延し、乾燥させる
。その後、カチオン交換樹脂とアニオン交換領域に転化
できる官能基を有するマトリックスとを含有するC−1
層をそのN−1層上に形成する。乾燥後に、最終のC−
2層を流延する。C−i層に対比してC−2層は非−反
応性、すなわち、アニオン交換層の形成に使用される薬
剤に対して実質的に不活性である。従って、アミノ化後
に第3図に示した二極性膜が形成される。前の中性層(
第2図のN−1)は、アニオン交換A−1層になり、第
2図の反応性c−1層は第6図の界面層になる。非反応
性C−2層の例には、PvCまたはPvC−オレフィン
コポリマーマトリックスを含有するものが含まれるであ
ろう。
反応性c−1層の例にはビニルベンジルクロライド−ス
チレンコポリマーマトリックスが含まれるであろう。
チレンコポリマーマトリックスが含まれるであろう。
ノニオン性層の例として、ポリ塩化ビニル、ポリビニリ
デンフルオライド、ナイロン、ポリスルホン、ポリスチ
レンのようなポリマーマトリックス中に埋込まれたジビ
ニルベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂粒子;後
で重合させるジビニルベンゼン、スチレンおよびビニル
ベンジルクロライドを含浸させたポリエチレン、ポリゾ
ロピレンまたは一すテトラフルオロエチレンのようなポ
リマーフィルム;後でガンマ線または亀子ビームの照射
によって重合または架橋させるスチレンを吸収させたポ
リマーフィルムまたはスクリーンもしくはスクリム;前
記の照射によって架橋させたポリスチレン;およびビニ
ルベンジルクロライドのポリマーまたはコポリマーの層
である。
デンフルオライド、ナイロン、ポリスルホン、ポリスチ
レンのようなポリマーマトリックス中に埋込まれたジビ
ニルベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂粒子;後
で重合させるジビニルベンゼン、スチレンおよびビニル
ベンジルクロライドを含浸させたポリエチレン、ポリゾ
ロピレンまたは一すテトラフルオロエチレンのようなポ
リマーフィルム;後でガンマ線または亀子ビームの照射
によって重合または架橋させるスチレンを吸収させたポ
リマーフィルムまたはスクリーンもしくはスクリム;前
記の照射によって架橋させたポリスチレン;およびビニ
ルベンジルクロライドのポリマーまたはコポリマーの層
である。
各種の他のイオン交換層も使用できる。例えば、エマル
ション共重合、次いでスルホン化して製造サレタジビニ
ルベンゼンースチレンラテックスまたはエマルション重
合、次いでアミン化して製造されたジビニルベンゼン−
ビニルベンジルクロライドラテックスのようなイオン交
換樹脂粒子を含有するポリ塩化ビニルまたはポリビニリ
デンフルオライドのようなポリマーの層が使用できる。
ション共重合、次いでスルホン化して製造サレタジビニ
ルベンゼンースチレンラテックスまたはエマルション重
合、次いでアミン化して製造されたジビニルベンゼン−
ビニルベンジルクロライドラテックスのようなイオン交
換樹脂粒子を含有するポリ塩化ビニルまたはポリビニリ
デンフルオライドのようなポリマーの層が使用できる。
あるいはまた、スルホン化した架橋ポリスチレンシート
:ビニルベンジルクロライドのポリマーまたはコポリマ
ーとテトラエチレンペンタミンのようなポリアミンまた
はN、N−ジメチル−1,6−プロパンジアミンのよう
なジアミンもしくは下記に示す他のものとを混合、反応
させることによって形成した層;またはホルムアルデヒ
ドと下記に示すようなポリアミンまたはジアミンとを混
合、反応させることによって形成した層も使用するとと
ができる。
:ビニルベンジルクロライドのポリマーまたはコポリマ
ーとテトラエチレンペンタミンのようなポリアミンまた
はN、N−ジメチル−1,6−プロパンジアミンのよう
なジアミンもしくは下記に示す他のものとを混合、反応
させることによって形成した層;またはホルムアルデヒ
ドと下記に示すようなポリアミンまたはジアミンとを混
合、反応させることによって形成した層も使用するとと
ができる。
ノニオン性ポリマー中に導入することができるイオン交
換基の例は次の通りである: (1)重合スチレンを含有するノニオン性ポリマー(I
I) 重合ビニルベンジルクロライドを含有するノニオ
ン性ポリマー・・・ (III) 重合アクリレートを含有するノニオン性ポ
リ(IV) 31合アクリロニトリルを含有するノニオ
ン性ポリマー・・・ NH2RNR” Br− (vl 重合ビニルアルコールを含有するノニオン性ポ
リマー・・・ 前記の若干の変換で有用なアミンの例はニトリメチルア
ミン、トリエチレアミンまたはジメチルエタノールアミ
ンのような第三アミン、N−メチルゾロビルアミンのよ
うな第三アミン、n−プロピルアミンまたはp−ジチル
アミンのような第一アミン、N、N−ジメチル−1,6
−プロパンジアミン、N、N、N’、N’−テトラメチ
ルキシレンジアミン、N、N−ジメチルブタンジアミン
、N。
換基の例は次の通りである: (1)重合スチレンを含有するノニオン性ポリマー(I
I) 重合ビニルベンジルクロライドを含有するノニオ
ン性ポリマー・・・ (III) 重合アクリレートを含有するノニオン性ポ
リ(IV) 31合アクリロニトリルを含有するノニオ
ン性ポリマー・・・ NH2RNR” Br− (vl 重合ビニルアルコールを含有するノニオン性ポ
リマー・・・ 前記の若干の変換で有用なアミンの例はニトリメチルア
ミン、トリエチレアミンまたはジメチルエタノールアミ
ンのような第三アミン、N−メチルゾロビルアミンのよ
うな第三アミン、n−プロピルアミンまたはp−ジチル
アミンのような第一アミン、N、N−ジメチル−1,6
−プロパンジアミン、N、N、N’、N’−テトラメチ
ルキシレンジアミン、N、N−ジメチルブタンジアミン
、N。
N 、 N’ 、 N’−テトラメチル−1,6−ヘキ
サンジアミンまたはN−メチルビペラジンのようなジア
ミンおよびジエチレントリアミンまたはテトラエチレン
ペンタミンのようなポリアミンである。記号R、R’お
よびR“は、C)(s−1C2H,−のような低級アル
キルなどの有機基を示すのに使用される。
サンジアミンまたはN−メチルビペラジンのようなジア
ミンおよびジエチレントリアミンまたはテトラエチレン
ペンタミンのようなポリアミンである。記号R、R’お
よびR“は、C)(s−1C2H,−のような低級アル
キルなどの有機基を示すのに使用される。
次の実施例1〜■は、本発明の詳細な説明す本実施例1
〜■はまた独特の界面層を有する新規の二極性膜および
それらの先駆物質を説明する。
〜■はまた独特の界面層を有する新規の二極性膜および
それらの先駆物質を説明する。
400印の蒸留水を11の三つロ蒸留フラスコ中で窒素
ガスを通じながら煮沸させた。これを次いで室温に冷却
し、6gのラウリル硫酸すj−IJウムを添加し、かく
はんして溶液にした。7ONのスチレンと55%の市販
のジビルベンゼン40gとの混合物を添加し、次いで1
1のに2S208を添加した。反応混合物を60℃に熱
し、この温度に3時間保った。重合に続いて樹脂を10
%塩化ナトリウム中で凝固させ、濾過し、蒸留水で洗浄
し、メタノールで洗浄し、乾燥させた。この乾燥樹脂2
0.9を200頭のジクロロエタン中に分散させ、はげ
しくかくはんしている120CCのジクロロエタンと8
0頭のクロロスルホン酸の混合物中へ除徐に添加した。
ガスを通じながら煮沸させた。これを次いで室温に冷却
し、6gのラウリル硫酸すj−IJウムを添加し、かく
はんして溶液にした。7ONのスチレンと55%の市販
のジビルベンゼン40gとの混合物を添加し、次いで1
1のに2S208を添加した。反応混合物を60℃に熱
し、この温度に3時間保った。重合に続いて樹脂を10
%塩化ナトリウム中で凝固させ、濾過し、蒸留水で洗浄
し、メタノールで洗浄し、乾燥させた。この乾燥樹脂2
0.9を200頭のジクロロエタン中に分散させ、はげ
しくかくはんしている120CCのジクロロエタンと8
0頭のクロロスルホン酸の混合物中へ除徐に添加した。
スルホン化反応を1時間進め、その後反応混合物を砕い
たIA’の水中に注ぎ、かく・ はんして濾過した。ど
ろどろしたフィルターケーキを次いで蒸留水中に111
!濁させ、煮沸してジクロロエタンを追出した。濾過後
、樹脂を蒸留水中に再分散させ、再び濾過し乾燥させて
N、N−ジメf)LtホJLiム7 ミド(DMF )
中に再分散させた。この樹脂を次の実施例のカチオン交
換樹脂として使用した。
たIA’の水中に注ぎ、かく・ はんして濾過した。ど
ろどろしたフィルターケーキを次いで蒸留水中に111
!濁させ、煮沸してジクロロエタンを追出した。濾過後
、樹脂を蒸留水中に再分散させ、再び濾過し乾燥させて
N、N−ジメf)LtホJLiム7 ミド(DMF )
中に再分散させた。この樹脂を次の実施例のカチオン交
換樹脂として使用した。
400頭の蒸留水を11の三つロ蒸留フラスコ中で窒素
ガスを通じながら煮沸させた。これを次いで室温に冷却
し、6gのラウリル硫酸ナトリムをかくはんして添加し
、次に65,9のビニルベンジルクロライドと77.9
%の市販のジビニルベンゼン5511の混合物、次いで
11のに2820Bを添加した。反応混合物を60’C
に熱し、この温度に3時間保った。かようにエマルショ
ン重合ニよって製造された樹脂を10%塩化ナトリウム
中で凝固させ、濾過し、蒸留水、次いでメタノールで洗
浄した。洗浄後、この樹脂を強制対流炉中室温で乾燥さ
せた。乾燥樹脂をDMF中に分散させ、膜製造用とした
。
ガスを通じながら煮沸させた。これを次いで室温に冷却
し、6gのラウリル硫酸ナトリムをかくはんして添加し
、次に65,9のビニルベンジルクロライドと77.9
%の市販のジビニルベンゼン5511の混合物、次いで
11のに2820Bを添加した。反応混合物を60’C
に熱し、この温度に3時間保った。かようにエマルショ
ン重合ニよって製造された樹脂を10%塩化ナトリウム
中で凝固させ、濾過し、蒸留水、次いでメタノールで洗
浄した。洗浄後、この樹脂を強制対流炉中室温で乾燥さ
せた。乾燥樹脂をDMF中に分散させ、膜製造用とした
。
4[IQcr、の蒸留水を14の三つロ蒸留フラスコ中
で窒素ガス下で煮沸させ、次いで室温に冷却した。6g
のラウリル硫酸ナトリウムを添加し、かくはんして溶解
させた。溶液を15℃にさらに冷却し、59gのビニル
ベンジルクロライドトロ19のスチレンとの混合物をは
げしくかくはんしながら添加し、次いで11のに2S2
08と11のNa28205とを添加した。この混合物
を徐々に35℃まで熱し、この温度に一晩保持した。得
られたコポリマーラテックスを1o%Na9J溶液中で
凝固させ、濾過し、蒸留水、次いでメタノールで洗浄し
た。湿ったコポリマーを強制対流炉中室温で乾燥させた
。DMF中の前記のビニルベンシルクaライP−スチレ
ンコポリマーを膜流延用として調製した。
で窒素ガス下で煮沸させ、次いで室温に冷却した。6g
のラウリル硫酸ナトリウムを添加し、かくはんして溶解
させた。溶液を15℃にさらに冷却し、59gのビニル
ベンジルクロライドトロ19のスチレンとの混合物をは
げしくかくはんしながら添加し、次いで11のに2S2
08と11のNa28205とを添加した。この混合物
を徐々に35℃まで熱し、この温度に一晩保持した。得
られたコポリマーラテックスを1o%Na9J溶液中で
凝固させ、濾過し、蒸留水、次いでメタノールで洗浄し
た。湿ったコポリマーを強制対流炉中室温で乾燥させた
。DMF中の前記のビニルベンシルクaライP−スチレ
ンコポリマーを膜流延用として調製した。
この樹脂は前記の樹脂Bの方法と本質的に同じ方法で製
造した、但し、前記のモノマー混合物の代りに90gの
ビニルベンジルクロライドト55%の市販のジビニルベ
ンゼン10gの混合物を使用し、重合を70℃で1時間
30分で行った。
造した、但し、前記のモノマー混合物の代りに90gの
ビニルベンジルクロライドト55%の市販のジビニルベ
ンゼン10gの混合物を使用し、重合を70℃で1時間
30分で行った。
実施例■
6重量%のポリ塩化ビニル(pvc ) ト9M1k%
のジビニルベンゼン−ビニルベンゼンクロライド樹脂B
とのDMF中の混合物の厚さ15ミルの層をドクターブ
レードによってガラス仮止に流延し、強制対流炉中12
5℃で12分乾燥させた。フィルムを炉から取出し、こ
の第一フィルム上に、DMF中ノ3.75重量%のPV
Cと11.25重量%のジビニルベンゼン−ビニルペン
ジルクロライド樹脂Bの混合物を塗被した。炉中で3分
乾燥後、このフィルムにDMF中の6重景%のPVCと
6重量%のカチオン交換樹脂の混合物を再び塗被した。
のジビニルベンゼン−ビニルベンゼンクロライド樹脂B
とのDMF中の混合物の厚さ15ミルの層をドクターブ
レードによってガラス仮止に流延し、強制対流炉中12
5℃で12分乾燥させた。フィルムを炉から取出し、こ
の第一フィルム上に、DMF中ノ3.75重量%のPV
Cと11.25重量%のジビニルベンゼン−ビニルペン
ジルクロライド樹脂Bの混合物を塗被した。炉中で3分
乾燥後、このフィルムにDMF中の6重景%のPVCと
6重量%のカチオン交換樹脂の混合物を再び塗被した。
さらに125℃で6分乾燥後、ガラス板を炉から取出し
、DMF′中ノア、4重に%のPVCと2.6重量%の
カチオン交換樹脂Aの混合物をドクターブレードによっ
て前記のガラス板上に厚さ22ミルに流延させた。この
複合体を炉中で6分乾燥させ、炉から取出し、室温に冷
却し、水中に浸漬してガラス板から剥がした。
、DMF′中ノア、4重に%のPVCと2.6重量%の
カチオン交換樹脂Aの混合物をドクターブレードによっ
て前記のガラス板上に厚さ22ミルに流延させた。この
複合体を炉中で6分乾燥させ、炉から取出し、室温に冷
却し、水中に浸漬してガラス板から剥がした。
かように製造した膜を次いでトリメチルアミンの24%
水性溶液中に浸漬した。約7日のアミノ化後、膜を取り
出し、アミンがなくなるまで洗浄した。機械的に強い膜
が得られた。電位低下を測定するために膜を横切って位
置する二対のライン(Luggin )チップ(K(J
で飽和させた寒天デル)を有する試験セル中でこの膜を
試験した。1NのNa2804 溶液をセル内を循環さ
せ、100 amp/ft2の電流密度下での膜を横切
る電位低下(溶液からの電圧寄与の適切な補正後)は約
1.8ボルトと測定された。さらに、電流が膜を通過す
る間酸と塩基が生成されたことはこの膜が実際に二極性
であることを示している。
水性溶液中に浸漬した。約7日のアミノ化後、膜を取り
出し、アミンがなくなるまで洗浄した。機械的に強い膜
が得られた。電位低下を測定するために膜を横切って位
置する二対のライン(Luggin )チップ(K(J
で飽和させた寒天デル)を有する試験セル中でこの膜を
試験した。1NのNa2804 溶液をセル内を循環さ
せ、100 amp/ft2の電流密度下での膜を横切
る電位低下(溶液からの電圧寄与の適切な補正後)は約
1.8ボルトと測定された。さらに、電流が膜を通過す
る間酸と塩基が生成されたことはこの膜が実際に二極性
であることを示している。
実施例I
DMF中の5重it%のPvCと10重景%のジビニル
ベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂りとの混合物
の厚さ15ミルの層を、ドクターブレードによってガラ
ス板上に流延させた。流延フィルムを強制対流炉中12
5℃で12分#、燥させた。
ベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂りとの混合物
の厚さ15ミルの層を、ドクターブレードによってガラ
ス板上に流延させた。流延フィルムを強制対流炉中12
5℃で12分#、燥させた。
炉からフィルムを取出した後、DMF中の6.75重量
%のビニルペンシルクロライド−スチレンコポリマー(
樹脂C)と11.25重址%のジビニルベンゼン−ビニ
ルベンジルクーロライド樹脂りとの混合物を前記のフィ
ルム上に塗被した。さらに125℃で6分乾燥後、ガラ
ス板を炉から取出し、DMF中の7.4重量%のPVC
と2.6重量%のカチオン交換樹脂Aとの混合物を、結
合層の合計の厚さが22ミルになるようドクターブレー
ドで前1己のガラス板上に流延させた。この複合体を炉
中でさらに6分乾燥させ、取出し、冷却して、水中に浸
漬してガラスから剥した。
%のビニルペンシルクロライド−スチレンコポリマー(
樹脂C)と11.25重址%のジビニルベンゼン−ビニ
ルベンジルクーロライド樹脂りとの混合物を前記のフィ
ルム上に塗被した。さらに125℃で6分乾燥後、ガラ
ス板を炉から取出し、DMF中の7.4重量%のPVC
と2.6重量%のカチオン交換樹脂Aとの混合物を、結
合層の合計の厚さが22ミルになるようドクターブレー
ドで前1己のガラス板上に流延させた。この複合体を炉
中でさらに6分乾燥させ、取出し、冷却して、水中に浸
漬してガラスから剥した。
かように製造した二極性膜の先駆物質を蒸留水でさらに
すすぎ洗いし、これを100CCの蒸留水と50ccの
アセトンとの混合物中に浸漬した。この膜を約15分膨
潤させた。次に、モル1:1のN、N−ジメチル−1,
6−プロパンジアミン(r+MpnA)とN 、 N
、 N’ 、 N’−テトラメチル−1,6−へ牛サン
ジアミン(TMHDA )との混合物5gをそのアセト
ン浴液に添加し、アミン化を1日行った。アミノ化後、
膜を蒸留水で完全に洗浄した。機械的に強い膜が得られ
、I N Na2SO4I@液液中測定したときこの膜
の電位低下は10100a/ ft2で約1.2ボルト
と測定された。この操作の間、酸と塩基とが生成された
。
すすぎ洗いし、これを100CCの蒸留水と50ccの
アセトンとの混合物中に浸漬した。この膜を約15分膨
潤させた。次に、モル1:1のN、N−ジメチル−1,
6−プロパンジアミン(r+MpnA)とN 、 N
、 N’ 、 N’−テトラメチル−1,6−へ牛サン
ジアミン(TMHDA )との混合物5gをそのアセト
ン浴液に添加し、アミン化を1日行った。アミノ化後、
膜を蒸留水で完全に洗浄した。機械的に強い膜が得られ
、I N Na2SO4I@液液中測定したときこの膜
の電位低下は10100a/ ft2で約1.2ボルト
と測定された。この操作の間、酸と塩基とが生成された
。
実施例I
DMF 中の5重量%のPvCと10重量%のジビニル
ベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂りの混合物の
厚さ15ミルの層をドクターブレードによってガラス板
上に流延させた。流延フィルムを強制対流炉中125℃
で12分乾燥させた。フィルムを炉から取出した後、D
MJ?中の6.75重量%のビニルベンジルクロライド
−スチレンコポリマー(411脂C)と11.25重量
%のジビニルベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂
りとの混合物を前記のフィルム上に塗被しだ。炉中12
5℃で3分乾燥後、ガラス板を取出し、DMI”中の7
.4重量%のPVCと2.6重量%のカチオン交換樹脂
への混合物を、結合j−の合計の厚さが22ミルになる
ようにドクタープレーrによって流延させた。全フィル
ム複合体を炉中でさらに6分乾燥させ、取出し、冷却し
、水中に浸漬してガラスから剥がした0 かように製造された膜を蒸留水でさらにすすぎ洗いして
、100c8の水と50ci−のアセトンとの混合物中
に浸漬した。この膜を約15分膨潤させり。モル比3
: 1 (7) DMPr)AとTMHDAとの混合物
5Iを前記のアセトン溶液に添加し、アミノ化を1日進
めた。アミノ化後、膜を蒸留水で完全にすすぎ洗いした
。機械的に強い膜が得られた。この膜の水分解電位測定
のために試験セル中に入れた。
ベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂りの混合物の
厚さ15ミルの層をドクターブレードによってガラス板
上に流延させた。流延フィルムを強制対流炉中125℃
で12分乾燥させた。フィルムを炉から取出した後、D
MJ?中の6.75重量%のビニルベンジルクロライド
−スチレンコポリマー(411脂C)と11.25重量
%のジビニルベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂
りとの混合物を前記のフィルム上に塗被しだ。炉中12
5℃で3分乾燥後、ガラス板を取出し、DMI”中の7
.4重量%のPVCと2.6重量%のカチオン交換樹脂
への混合物を、結合j−の合計の厚さが22ミルになる
ようにドクタープレーrによって流延させた。全フィル
ム複合体を炉中でさらに6分乾燥させ、取出し、冷却し
、水中に浸漬してガラスから剥がした0 かように製造された膜を蒸留水でさらにすすぎ洗いして
、100c8の水と50ci−のアセトンとの混合物中
に浸漬した。この膜を約15分膨潤させり。モル比3
: 1 (7) DMPr)AとTMHDAとの混合物
5Iを前記のアセトン溶液に添加し、アミノ化を1日進
めた。アミノ化後、膜を蒸留水で完全にすすぎ洗いした
。機械的に強い膜が得られた。この膜の水分解電位測定
のために試験セル中に入れた。
1 N Na28047液中における1漢を横切る゛電
位低下は、100 amp/ft2において約1.2ボ
ルトであった。この操作の間、敵と塩基とが生成された
。
位低下は、100 amp/ft2において約1.2ボ
ルトであった。この操作の間、敵と塩基とが生成された
。
実施例IV
5重量%のPvCと10重蓋%のジビニルベンセン−ビ
ニルベンジルクロライド樹脂r)との混合戦の厚さ15
ミルの層をドクターブレードによってガラス板上に流延
させた。流延フィルムを強制対流炉中125℃で12分
乾燥させた。フィルムを炉から取出し、6,75重量%
のPVCと11.25重蓋%のジビニルベンゼン−ビニ
ルベンジルクロライド樹脂りとの混合物をこのフィルム
に塗被した炉中125℃で6分乾燥後、このフィルムに
DMF中の6軍量%のPVCと6重量%のカチオン交換
樹脂Aとの混合物を塗被した。炉中125℃でさらに6
分乾燥後、ガラス板を炉から取出し、DM1t′呼の7
.4重量%のPvCと2.6電鉦%のカチオン交拌樹脂
Aとの混合物を、結合層の合計厚さ−が22ミルになる
ようにドクターブレードで流延させた。
ニルベンジルクロライド樹脂r)との混合戦の厚さ15
ミルの層をドクターブレードによってガラス板上に流延
させた。流延フィルムを強制対流炉中125℃で12分
乾燥させた。フィルムを炉から取出し、6,75重量%
のPVCと11.25重蓋%のジビニルベンゼン−ビニ
ルベンジルクロライド樹脂りとの混合物をこのフィルム
に塗被した炉中125℃で6分乾燥後、このフィルムに
DMF中の6軍量%のPVCと6重量%のカチオン交換
樹脂Aとの混合物を塗被した。炉中125℃でさらに6
分乾燥後、ガラス板を炉から取出し、DM1t′呼の7
.4重量%のPvCと2.6電鉦%のカチオン交拌樹脂
Aとの混合物を、結合層の合計厚さ−が22ミルになる
ようにドクターブレードで流延させた。
この複合体を炉中でさらに6分乾燥させ、取出しアミン
化した。得られた二極性j摸は、I N Na2SO4
浴液中で測定したとき100 amp/ft”の電流密
度において約2.0ボルトの電位低下を示した0この操
作の間、酸と塩基とが生成された。
化した。得られた二極性j摸は、I N Na2SO4
浴液中で測定したとき100 amp/ft”の電流密
度において約2.0ボルトの電位低下を示した0この操
作の間、酸と塩基とが生成された。
ベンセン−ビニルベンジルクロライド41 脂D (5
,5%DVBを含むンとの混合物を厚さ15ミルの層に
ドクターブレードによってガラス板上に流延させ、た。
,5%DVBを含むンとの混合物を厚さ15ミルの層に
ドクターブレードによってガラス板上に流延させ、た。
この流延フィルムを強制対流炉中125℃で12分乾燥
させた。炉からフィルムを取り出した後、6.75重量
%のPVCと11.25電址%のジビニルベンゼン−ビ
ニルベンジルクロライト4ft脂りとの混合物を前記の
最初のフィルム上に塗被した。
させた。炉からフィルムを取り出した後、6.75重量
%のPVCと11.25電址%のジビニルベンゼン−ビ
ニルベンジルクロライト4ft脂りとの混合物を前記の
最初のフィルム上に塗被した。
炉中125℃で3分乾燥後、このフィルムにrnouF
中の6重量%のビニルベンジルクロライド−スチレンコ
ポリマー(樹8旨C)と6重量%のカチオン交換樹脂A
との混合物を再び塗被した。炉中125℃でさらに3分
乾燥後、ガラス板を炉から取出し、DMI’中の7.4
M 量% I) PVCと2.6重ft%のカチオン
交換樹脂Aとの混合物を、結合層の合計厚さが22ミル
になるようにドクターブレードで流延させた。この複合
体を炉中で6分乾燥させ、炉から取出し、冷却し、水中
に浸漬してガラス板から剥した。
中の6重量%のビニルベンジルクロライド−スチレンコ
ポリマー(樹8旨C)と6重量%のカチオン交換樹脂A
との混合物を再び塗被した。炉中125℃でさらに3分
乾燥後、ガラス板を炉から取出し、DMI’中の7.4
M 量% I) PVCと2.6重ft%のカチオン
交換樹脂Aとの混合物を、結合層の合計厚さが22ミル
になるようにドクターブレードで流延させた。この複合
体を炉中で6分乾燥させ、炉から取出し、冷却し、水中
に浸漬してガラス板から剥した。
かように製造された膜を蒸留水でさらにすすぎ洗いし、
100CCの蒸留水と50CCのアセトンとの混合物中
に浸漬した。この膜を15分膨潤させた。モル比1 :
1 ノr>MpoAとTMHDAとの混合物5Iを次
いでアセトン醸成に添加し、アミン化を1日間進めた。
100CCの蒸留水と50CCのアセトンとの混合物中
に浸漬した。この膜を15分膨潤させた。モル比1 :
1 ノr>MpoAとTMHDAとの混合物5Iを次
いでアセトン醸成に添加し、アミン化を1日間進めた。
アミノ化後、膜を蒸留水で完全にすすぎ洗いした。機械
的に強い膜が得られた。この膜の水−分解電位を測定す
るため試験セル中に膜を入れた。1N Na2SO4浴
液中においてl漢を横切る電位低下は100 amp/
ft”で約1.6ボルトであった。この操作の間、酸
と塩基とが生成された造された膜とは異なる膜が得られ
ることを立証するために次の例を示すニ アニオン交換樹脂を次のように製造した25gのジビニ
ルベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂りを、50
列のアセトン中に分散させ、数時間かくはんした。モル
比1:1のDMPDAとTMHDAとの混合物7gを添
加した。アミン化は約2日間行い、次いて樹脂を濾過し
、蒸留水で洗浄し、室温で乾燥した。
的に強い膜が得られた。この膜の水−分解電位を測定す
るため試験セル中に膜を入れた。1N Na2SO4浴
液中においてl漢を横切る電位低下は100 amp/
ft”で約1.6ボルトであった。この操作の間、酸
と塩基とが生成された造された膜とは異なる膜が得られ
ることを立証するために次の例を示すニ アニオン交換樹脂を次のように製造した25gのジビニ
ルベンゼン−ビニルベンジルクロライド樹脂りを、50
列のアセトン中に分散させ、数時間かくはんした。モル
比1:1のDMPDAとTMHDAとの混合物7gを添
加した。アミン化は約2日間行い、次いて樹脂を濾過し
、蒸留水で洗浄し、室温で乾燥した。
DMI”中の6重量%のPvCと9爪針%のアニオン交
換樹脂の混合物の厚さ15ミルの厚を、ドクターブレー
ドによってガラス板上に流延させた。流延フィルムを強
制対流炉中125℃で12分乾燥させた。フィルムを炉
から取出し、3.75を量%のpvcと11.25重量
%のアニオン交換樹脂の混ニルペンジルクロライドース
チレンコボリマ−(樹脂C)と6重量%のカチオン−交
換樹脂Aとの混合物を塗被した。炉中125℃でさらに
6分乾燥後、ガラス板を取出し、DMF中の7.4重普
%のPVCと2.6重量%のカチオ°ン樹脂Aとの混合
物を結合層の合計厚さが22ミルになるようにドクター
ブレードによって流延させた。複合体を炉中でさらに6
分乾燥させ、炉から取出し、冷却し、水中に浸漬してガ
ラス板から剥した。
換樹脂の混合物の厚さ15ミルの厚を、ドクターブレー
ドによってガラス板上に流延させた。流延フィルムを強
制対流炉中125℃で12分乾燥させた。フィルムを炉
から取出し、3.75を量%のpvcと11.25重量
%のアニオン交換樹脂の混ニルペンジルクロライドース
チレンコボリマ−(樹脂C)と6重量%のカチオン−交
換樹脂Aとの混合物を塗被した。炉中125℃でさらに
6分乾燥後、ガラス板を取出し、DMF中の7.4重普
%のPVCと2.6重量%のカチオ°ン樹脂Aとの混合
物を結合層の合計厚さが22ミルになるようにドクター
ブレードによって流延させた。複合体を炉中でさらに6
分乾燥させ、炉から取出し、冷却し、水中に浸漬してガ
ラス板から剥した。
I N Na2SO4溶液を循環させて試験セル中で膜
の電位低下を測定した。電流密度100 amp/ f
t”において、膜の1圧は約1.6ボルトであった。こ
の操作の量線と塩基とが生成された。
の電位低下を測定した。電流密度100 amp/ f
t”において、膜の1圧は約1.6ボルトであった。こ
の操作の量線と塩基とが生成された。
前記の実施例Vと比較すると、本発明の方法によって製
造された二極性膜は低電圧、すなわち、前記の膜が1.
6ボルトに対して1.34ぐルトであった。従って、本
発明の二極性膜は、慣用の方法によって製造された膜と
異なり、実際にもすぐれていることが分かるであろう。
造された二極性膜は低電圧、すなわち、前記の膜が1.
6ボルトに対して1.34ぐルトであった。従って、本
発明の二極性膜は、慣用の方法によって製造された膜と
異なり、実際にもすぐれていることが分かるであろう。
第1図は、本発明の方法によって製造された二極性膜の
先駆物質を示す。 第2図は、反応性および非−反応性カチオン交換層を含
有する本発明の二極性膜の先組物質を示すO 第6図は、アニオン性およびカチオン性の両領域を有す
る界面層を含有する本発明の二極性膜を示す。 代理人浅村 晧 図−分浄書(内IFk重虹なし) 手続補正書(方式) 昭和2θ年を月13日 特許庁長官殿 り事件の表示 昭和97年特許願第−>47993 号3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 昭和〆Q年q月80日 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 図面
先駆物質を示す。 第2図は、反応性および非−反応性カチオン交換層を含
有する本発明の二極性膜の先組物質を示すO 第6図は、アニオン性およびカチオン性の両領域を有す
る界面層を含有する本発明の二極性膜を示す。 代理人浅村 晧 図−分浄書(内IFk重虹なし) 手続補正書(方式) 昭和2θ年を月13日 特許庁長官殿 り事件の表示 昭和97年特許願第−>47993 号3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 昭和〆Q年q月80日 6、補正により増加する発明の数 7、補正の対象 図面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (II 少なくとも二ノーのポリマー層が含まれる2ミ
ネ一ト構造体であり、そのうちの少なくとも一層は、ア
ニオン性またはカチオン性層のいずれかと接触している
化学的に活性な部位を含有するノニオン性層であり、該
ノニオン性層中の−1」把の粘性な部位は、最長的に反
応して、接触し℃いるポリマー)曽がカチオン性ノ曽の
場合にはアニオン1j+)曽を形成し、接触しているポ
リマーノーかアニオン性層の場合にはカチオン性層を形
成できるようなものであることをq9飯とする二極性族
の製造におい℃有用なラミネート構造体。 (2)^(」記の中間のイオン交換層は、ノニオン性層
と他のイオン交換層との中間にあり、sII把のノニオ
ン性層と前記の中間のイオン交換層とは、句加的のイオ
ン交侯狽域と最長的に反応することができる反応部位を
含有するものであり、他のイオン変換層にはかような反
応性部位か実負的に存在しない特許請求の範囲第1項に
記載のラミネート構造体。 (3) 前記のノニオン性層が、マトリックスポリマー
中のジビニルベンゼン−ビニルペンシルクロライド樹脂
から成り、1ilJ記のイオン又3A鳩かマトリックス
ポリマー中のカチオン交換aJ JjiJから取る臀許
請求の範囲第1項に記載のラミネート構造体。 (4) アニオン性層とカチオン性層、およびマトリッ
クスとイオン交換樹脂とが反対に常′aされるようなイ
オン基な有する均買な固定されたポリマーマトリックス
中に分散されているイオン父換樹脂から成る少なくとも
一層の界面層から城ることン特徴とする二極性Mk構造
体。 (5) 前記の樹脂が、カチオン交換柄側であり、前記
のマトリックスが、ジアミンまたはポリアミンもしくは
混合アミノ化よってアミノ化され、架橋されたビニルベ
ンジルクロライド−スチレンコポリマーである請求、の
範囲亀4項に記載の構造体。 t81 化学的忙反応性の基を含有する一層またはそれ
以上のノニオン性層の構造体を形属し、該構造体にイオ
ン交換層を接合させ、pk望によりnu記の得られたラ
ミネートのイオン交p/fllK一層またはそれ以上の
イオン交換層を接合させるか、または前記の侍られたラ
ミネートのノニオン性層に一層またはそれ以上の膚を接
合させ、その仮に、前記の反応性基をnU記のイオン交
換層中に最初から存在するイオン基と反対のx#v有す
るイオン9:換物實に転化できる架剤と前記の一ノーま
たはそれ以上のノニオン性層とン反応させること’Y%
似とする尚選択透過性と低い膜電位低下性とを何する二
極性膜の製造方法。 (7)前記のノニオン性層を7ミノ化しアニオン交換柚
脂を形成し、MIJ記のイオン5c換鳩がポリマーマト
リックス中のカチオン又換佃脂である%計請求の範囲第
61j4に記載の方法。 (8) Sij記のノニオン性層を、1〜1ouo1−
の炭素原子を有する有機アミンでアミノ化する特許請求
の範囲第6項に記載の方法。 (9)前記のアミンが、少なくとも2個の第一、第二、
または第三アミン基を含有する%#Fl−請求の範囲第
8項に記載の方法。 QI H7i記ノア (7が、li、kJ−シ1f−I
L’−1,5−プロパンジアミンおよびPI 、 Il
l 、 N’ 、 N’−テトラメチル−1,6−ヘキ
サンシアミンから遇はれる化合物の少な(とも1aiで
ある%tl’l−請求のmb第7項に記載の方法。 (III miJ記のノニオン性層をスルホン化してカ
チオン交換相脂層を形成し、llI21dのイオン5c
換餉鵬鳩がアニオン交換層である特許請求の乾−弗6項
に記載の方法。 a々 前記のノニオン層がポリマーマトリックス中の同
じ樹脂の層に接合している不粘性ポリマーマトリックス
中のジビニルベンゼン−ビニルベンゾルクロライド樹脂
の層から成り、iiJ記のイオン性ノーが、前記のノニ
オン性層と接合しているビニルベンジルクロライド−ス
チレンコポリマー中にカチオン交換樹脂を含有する層と
不粘性ポリマーマトリックス中にカチオン交換11に+
脂を含有する追加の層とから成る特許請求の範囲第6項
に記載の方法。 Q3 ポリ塩化ビニルとジビニルベンゼン−ビニルベン
ジルクロライド樹脂とを含有する第一層奢形成し;該層
を乾燥させ;第一層と同じポリマー成分を有するがそれ
よりポリ塩化ビニルの童が少ない第二層を前記の亀一層
上に形成し;該第二層を乾燥させ;ビニルベンジルクロ
ライド−スチレンコポリマーとカチオン変換樹脂とt含
有する亀三層″%:前記の第二]−上に形成し;該第三
層′4I:乾燥させ;ポリ塩化ビニルとカチオン55俣
仙脂とを含有する第四層1に前記の畠三盾上に形成し、
該第四層を117.にさせ、その後に、得られた構造体
tアミノ化して前記の第一層と第二層とをアニオン交換
層に転化させることを%徽とする二極性膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US554792 | 1983-11-23 | ||
US06/554,792 US4584246A (en) | 1983-11-23 | 1983-11-23 | Bipolar membranes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60210638A true JPS60210638A (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=24214733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59247883A Pending JPS60210638A (ja) | 1983-11-23 | 1984-11-22 | 二極性膜およびその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4584246A (ja) |
EP (1) | EP0143582B1 (ja) |
JP (1) | JPS60210638A (ja) |
KR (1) | KR920001623B1 (ja) |
AT (1) | ATE66948T1 (ja) |
CA (1) | CA1249908A (ja) |
DE (1) | DE3485013D1 (ja) |
SG (1) | SG108691G (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01502673A (ja) * | 1986-06-05 | 1989-09-14 | ザ・グレーバー・カンパニー | 両極性膜及びその製造法 |
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DE3642164A1 (de) * | 1986-12-10 | 1988-06-23 | Basf Ag | Verfahren zum entfernen von saeure aus kathodischen elektrotauchlackier-baedern mittels elektrodialyse |
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US5122240A (en) * | 1990-06-08 | 1992-06-16 | Tenneco Canada Inc. | Electrochemical processing of aqueous solutions |
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US5284553A (en) * | 1990-08-22 | 1994-02-08 | Sterling Canada, Inc. | Chlorine dioxide generation from chloric acid |
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DE102009013207A1 (de) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen | Bipolare Membran |
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KR101988951B1 (ko) | 2014-11-19 | 2019-06-13 | 웅진코웨이 주식회사 | 바이폴라 이온교환시트 및 그 제조방법 |
MY181406A (en) * | 2014-11-19 | 2020-12-21 | Coway Co Ltd | Bipolar ion exchange sheet and manufacturing method therefor |
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CN108842164B (zh) * | 2018-09-19 | 2020-02-14 | 太原师范学院 | 以铜-金属有机骨架材料为中间界面层的双极膜及其制备方法 |
CN113401985B (zh) * | 2020-03-16 | 2024-01-26 | 广东栗子科技有限公司 | 膜、膜堆、装置及方法 |
GB202114000D0 (en) * | 2021-09-30 | 2021-11-17 | Fujifilm Mfg Europe Bv | Membranes |
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-
1983
- 1983-11-23 US US06/554,792 patent/US4584246A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-11-14 DE DE8484307912T patent/DE3485013D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-14 AT AT84307912T patent/ATE66948T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-11-14 EP EP84307912A patent/EP0143582B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-19 CA CA000468115A patent/CA1249908A/en not_active Expired
- 1984-11-22 JP JP59247883A patent/JPS60210638A/ja active Pending
- 1984-11-22 KR KR1019840007335A patent/KR920001623B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-12-24 SG SG1086/91A patent/SG108691G/en unknown
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EP0143582A3 (en) | 1986-01-15 |
EP0143582B1 (en) | 1991-09-04 |
KR920001623B1 (ko) | 1992-02-21 |
DE3485013D1 (de) | 1991-10-10 |
US4584246A (en) | 1986-04-22 |
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