JPS6021030A - 固体型エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
固体型エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS6021030A JPS6021030A JP58128443A JP12844383A JPS6021030A JP S6021030 A JPS6021030 A JP S6021030A JP 58128443 A JP58128443 A JP 58128443A JP 12844383 A JP12844383 A JP 12844383A JP S6021030 A JPS6021030 A JP S6021030A
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- G02F1/15245—Transition metal compounds based on iridium oxide or hydroxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的着消色現象よりなる固体エレクトロ
クロミック（以下１号（シと略す）表示素子に関する。
クロミック（以下１号（シと略す）表示素子に関する。
Ｆ″ＩＣ表示素子は視野角のないことおよび視認性の良
い（表示が明るい）ことを特徴として最近時計その他の
分野での表示素子として注目されている。ＥＣ表示素子
の中で薄膜を積層して成る固体型素子が素子の薄型化等
の有利性から盛んに研究されて来ている。本発明はこの
固体型エレクトロクロミック表示素子の信頼性、とりわ
け耐高温性の改善に関する。
い（表示が明るい）ことを特徴として最近時計その他の
分野での表示素子として注目されている。ＥＣ表示素子
の中で薄膜を積層して成る固体型素子が素子の薄型化等
の有利性から盛んに研究されて来ている。本発明はこの
固体型エレクトロクロミック表示素子の信頼性、とりわ
け耐高温性の改善に関する。
第１図に一般的固体型ＥＣ表示素子の構造を示す断面図
により示す。基板ガラス１１上に下部電極となるインジ
ウム−錫酸化物（ＩＴＯと略す）１２、酸化着色ＥＣ物
質である水酸化イリジウム（Ｉｒ （ＯＨ）ｎ）１３、
固体電解質である五酸化タンタル（Ｔ ａ２ｏ５ ）
１４、還元着色１： Ｃ物１ｊｇｊである三酸化タング
ステン（ＷＯ３）１５および上部ＩＴＯ電極１６を順次
真空蒸着又はイオンブレーティング法により形成する。
により示す。基板ガラス１１上に下部電極となるインジ
ウム−錫酸化物（ＩＴＯと略す）１２、酸化着色ＥＣ物
質である水酸化イリジウム（Ｉｒ （ＯＨ）ｎ）１３、
固体電解質である五酸化タンタル（Ｔ ａ２ｏ５ ）
１４、還元着色１： Ｃ物１ｊｇｊである三酸化タング
ステン（ＷＯ３）１５および上部ＩＴＯ電極１６を順次
真空蒸着又はイオンブレーティング法により形成する。
この構造において還元着色ＥＣ物質であるＷＯ３は
ＷＯ３＋ ｘＨ＋十ｘｅ−−＋ ＨｘＷＯ３で示される
プロトンＨ＋と電子ｅ−の二重注入により着色する。
プロトンＨ＋と電子ｅ−の二重注入により着色する。
また酸化着色ＥＣ物質であるＩ ｒ （ＯＬ＋ ） 、
はＩ ｒ （０ｌ−１） ｎ−ｘＨ”−ｅ−−＋ Ｉｒ
０ｘ（Ｏｌ−１）。−ｘなるプロトンＨ＋と電子ｅ−の
二重放出により着色する。そしてこれら２つのＥＣ物質
は相補的にプロトンのやり取りを行ない゛、同時に着消
色し、透明なＴａ２ ｏ、層を通して二重に着色が観察
される。
はＩ ｒ （０ｌ−１） ｎ−ｘＨ”−ｅ−−＋ Ｉｒ
０ｘ（Ｏｌ−１）。−ｘなるプロトンＨ＋と電子ｅ−の
二重放出により着色する。そしてこれら２つのＥＣ物質
は相補的にプロトンのやり取りを行ない゛、同時に着消
色し、透明なＴａ２ ｏ、層を通して二重に着色が観察
される。
この構造において着消色に寄与するＨ＋はＴａ２Ｏ，、
ＷＯ３等の素子構成層中の水分によって供給される。
ＷＯ３等の素子構成層中の水分によって供給される。
ところでこの固体型＋＞Ｃ素子を高温試験に投入した場
合、素子の水分が減少し着色濃度が低下し、素子特性が
劣化してしまう。従来このような劣化を防ぐために有（
幾接着剤による接着封止等が行なわれているが必づ゛し
も十分な耐高温性は得られてない。
合、素子の水分が減少し着色濃度が低下し、素子特性が
劣化してしまう。従来このような劣化を防ぐために有（
幾接着剤による接着封止等が行なわれているが必づ゛し
も十分な耐高温性は得られてない。
本発明は素子表面に二酸化ケイ素または窒化シリコンを
被覆し、有機接着剤を介して封止ガラス板と貼り合せて
封止することにより素子の耐高温性を改善した。
被覆し、有機接着剤を介して封止ガラス板と貼り合せて
封止することにより素子の耐高温性を改善した。
本発明において二酸化ケイ素および窒化シリコンの被覆
はプラズマＣＶＤ、フォ）ＣＶＤおよび高周波イオンブ
レーティングにより行なったことを特徴とする。固体１
．、 ＣＩ）素子は膜中水分の散失、膜構造の変化等に
よる素子特性劣化を考慮すると素子構成後の二次加工は
出来るだけ低温において行なわれることが女子ましい。
はプラズマＣＶＤ、フォ）ＣＶＤおよび高周波イオンブ
レーティングにより行なったことを特徴とする。固体１
．、 ＣＩ）素子は膜中水分の散失、膜構造の変化等に
よる素子特性劣化を考慮すると素子構成後の二次加工は
出来るだけ低温において行なわれることが女子ましい。
したがって素子表面の無機化合物層の被覆も出来るだけ
低温で行ないたい。低温基板湯度で緻密かつ安定な膜を
得るにはプラズマＣＶ Ｉ）法、フォトＣＶＤ法又は高
周波イオンブレーティング法が最適である。これらプラ
ズマＣＶＤ法およびフォ）ＣＶＤ法は従来半導体素子の
パッシベーション膜形成法としては良く知られてし・る
がＥ Ｃ素子の封止層形成法としての利用は皆無である
。
低温で行ないたい。低温基板湯度で緻密かつ安定な膜を
得るにはプラズマＣＶ Ｉ）法、フォトＣＶＤ法又は高
周波イオンブレーティング法が最適である。これらプラ
ズマＣＶＤ法およびフォ）ＣＶＤ法は従来半導体素子の
パッシベーション膜形成法としては良く知られてし・る
がＥ Ｃ素子の封止層形成法としての利用は皆無である
。
本発明においては従来利用されてないこれらの被覆法を
用い、目的に合致した秀れた無機封止層を得られたこと
を特徴とする。
用い、目的に合致した秀れた無機封止層を得られたこと
を特徴とする。
本発明においてはまた素子表面と被覆膜との密着性を高
めるためにシランカップラー（γ −メタクリロキシプ
ロピル トリメトキシシラン）を介在させ素子の耐高温
性を改善したのももう一つの特徴である。
めるためにシランカップラー（γ −メタクリロキシプ
ロピル トリメトキシシラン）を介在させ素子の耐高温
性を改善したのももう一つの特徴である。
以下実施例により説明する。
実施例１
第２図に従来例の封止構造を示す。基板ガラス２１上に
ＥＣ素子２２を形成し、そのＪ二にエポキシ樹脂２６を
介して封止ガラス２４と貼合わせ接着封止した。
ＥＣ素子２２を形成し、そのＪ二にエポキシ樹脂２６を
介して封止ガラス２４と貼合わせ接着封止した。
第３図に本発明側封止構造を示す。基板ガラス３１上Ｋ
Ｅ Ｃ素子６２を形成し、その上にプラズマＣＶ Ｉ
）法により膜厚１５μの二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）６６
を被覆した。さらにその上にエポキシ樹脂３４を介しソ
月止ガラス６５と貼合わせ接着封止した。ここでＥＣ素
子はいずれも第１図に示される構造から成る。
Ｅ Ｃ素子６２を形成し、その上にプラズマＣＶ Ｉ
）法により膜厚１５μの二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）６６
を被覆した。さらにその上にエポキシ樹脂３４を介しソ
月止ガラス６５と貼合わせ接着封止した。ここでＥＣ素
子はいずれも第１図に示される構造から成る。
このように封止した素子の７０℃高温試験結果を第４図
に示す。第４図においては注入電荷量の試験時間に対し
ての変化を示す。ここで注入電荷量は着色濃度に比例し
、素子の着色濃度を表わす。
に示す。第４図においては注入電荷量の試験時間に対し
ての変化を示す。ここで注入電荷量は着色濃度に比例し
、素子の着色濃度を表わす。
従来例（Ａ）においてを」冒００時間足らずの短時間に
着色濃度が低下してし」：うのに対し本発明例（１３）
では５００１１＆間迄殆んど着色濃度は低下せず十分な
耐高温性を示した。
着色濃度が低下してし」：うのに対し本発明例（１３）
では５００１１＆間迄殆んど着色濃度は低下せず十分な
耐高温性を示した。
実施例２
第５図に示すように基板ガラス４１上にＥＣ素子４２を
形成し、その上にプラズマＣＶＤ法により膜厚１０μの
窒化シリコンＣ８”３Ｎ４）４６を被覆した。さらにそ
の上に不飽和ポリエステル４４を介して封止ガラス４５
を貼り合わせ接着封止した。
形成し、その上にプラズマＣＶＤ法により膜厚１０μの
窒化シリコンＣ８”３Ｎ４）４６を被覆した。さらにそ
の上に不飽和ポリエステル４４を介して封止ガラス４５
を貼り合わせ接着封止した。
このように封止した素子の７０℃高温試験の結果を第６
図に示す。従来例（Ａ）に比べ本発明例（Ｂ）は僅かの
低下はあるものの６００時間経過後も十分な着色濃度を
維持しずぐれた耐高温性を示した。
図に示す。従来例（Ａ）に比べ本発明例（Ｂ）は僅かの
低下はあるものの６００時間経過後も十分な着色濃度を
維持しずぐれた耐高温性を示した。
実施例３
第７図に示すように基板ガラス６１上に１うＣ素子６２
を形成しその上にシランカップラー（ｒ−メタクリロキ
シプロピル トリメトキシシラｙ）６６をスピンナーコ
ートにより、膜厚１．５／ＬのＳ ｉ ０２ をプラズ
マＣＶＤ法により１ｌｌＩ′＋次被４夏した。さらにそ
の上にエポキシ樹脂６５を介して封止ガラス６６と貼合
わせ接着封止した。
を形成しその上にシランカップラー（ｒ−メタクリロキ
シプロピル トリメトキシシラｙ）６６をスピンナーコ
ートにより、膜厚１．５／ＬのＳ ｉ ０２ をプラズ
マＣＶＤ法により１ｌｌＩ′＋次被４夏した。さらにそ
の上にエポキシ樹脂６５を介して封止ガラス６６と貼合
わせ接着封止した。
７０℃高温試験結果を第８図に示す。シランカップラー
により素子表面と’Ｓ ｉ ０２の密着性が強化され５
００時間経過後も全く着色濃度が低下しない極めてすぐ
れた１ｆｌＩｌ高渦性を示した。
により素子表面と’Ｓ ｉ ０２の密着性が強化され５
００時間経過後も全く着色濃度が低下しない極めてすぐ
れた１ｆｌＩｌ高渦性を示した。
実施例４
第７図の封止構造において膜厚１μの５ｉｎ２６４の形
成を高周波イオンブレーティングにより行ない、接着剤
６５に不飽和ポリエステルを用いて封止した。このよう
に封止した素子の７０℃試験結果を第９図に示す。６０
０時間経過後２０％程の注入電荷量の低下はあるものの
ある程度満足すべき耐高温性を示した。
成を高周波イオンブレーティングにより行ない、接着剤
６５に不飽和ポリエステルを用いて封止した。このよう
に封止した素子の７０℃試験結果を第９図に示す。６０
０時間経過後２０％程の注入電荷量の低下はあるものの
ある程度満足すべき耐高温性を示した。
実施例５
第７図の封止構造において膜厚１．５μの５ｉｎ２６４
の形成をンオｌ−ＣＶ Ｄ法により行なｔ・、接着剤６
５にエポキシを用いて封止した。このように封止した素
子の７０℃試験結果を第１０図に示す。
の形成をンオｌ−ＣＶ Ｄ法により行なｔ・、接着剤６
５にエポキシを用いて封止した。このように封止した素
子の７０℃試験結果を第１０図に示す。
５００時間経過後も殆んど注入電荷量の低下がなく極め
て秀れた面１高温性を示した。
て秀れた面１高温性を示した。
このように本発明実施例によれば、ＥＣ表示素子表面を
二酸化ケイ素又は窒化シリコンにより被覆し、接着剤を
介して封止ガラスと貼合わせ封止接着することにより、
さらに素子表面と無機酸化膜の間にシランカップラーを
介することｋｃより素子の耐高温性を改善することがで
きた。固体型エレクトロクロミック素子の実用化にあた
り本発明は有効な改良技術と思われる。
二酸化ケイ素又は窒化シリコンにより被覆し、接着剤を
介して封止ガラスと貼合わせ封止接着することにより、
さらに素子表面と無機酸化膜の間にシランカップラーを
介することｋｃより素子の耐高温性を改善することがで
きた。固体型エレクトロクロミック素子の実用化にあた
り本発明は有効な改良技術と思われる。
第１図は一般的なＥＣ表示素子の断面図、第２図は従来
の封止構造を示す断面図、第３図、第５図、第７図はい
ずれも本発明の封止構造を示す断面図、第４図及び第６
図、第８図、第９図、第１０図はいずれも本発明の表示
素子の特性を従来例と比較して示す←會咎喫老グラフで
ある。 ６１．４１．６１・・・・・・下部基板ガラス、６５．
４５．６６・・・・・・上部基板ガラス、６６・・・・
・・二酸化ケイ素、 ４３・・・・・・窒化シリコン、 ６４．４４．６５・・・・・・有機接着剤。 第１図 懸 第２図 第３図 第４図 Ｂ寺 向 （Ｈｒ ） 第５図
の封止構造を示す断面図、第３図、第５図、第７図はい
ずれも本発明の封止構造を示す断面図、第４図及び第６
図、第８図、第９図、第１０図はいずれも本発明の表示
素子の特性を従来例と比較して示す←會咎喫老グラフで
ある。 ６１．４１．６１・・・・・・下部基板ガラス、６５．
４５．６６・・・・・・上部基板ガラス、６６・・・・
・・二酸化ケイ素、 ４３・・・・・・窒化シリコン、 ６４．４４．６５・・・・・・有機接着剤。 第１図 懸 第２図 第３図 第４図 Ｂ寺 向 （Ｈｒ ） 第５図
Claims (1)
- 下部基板ガラスに４１−１成要素を積層して成る素子表
面上に二酸化ケイ素又＆１、窒化シリコンを被覆し、有
機接着剤を介して上部基板カラスと貼り合わせ封止した
ことを特徴とする固体型エレクトロクロミック表示素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128443A JPS6021030A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 固体型エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128443A JPS6021030A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 固体型エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021030A true JPS6021030A (ja) | 1985-02-02 |
Family
ID=14984847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128443A Pending JPS6021030A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 固体型エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0676059A1 (en) * | 1992-12-24 | 1995-10-11 | Sun Active Glass Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices |
| US5724177A (en) * | 1991-09-04 | 1998-03-03 | Sun Active Glass Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US9782949B2 (en) | 2008-05-30 | 2017-10-10 | Corning Incorporated | Glass laminated articles and layered articles |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58128443A patent/JPS6021030A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5724177A (en) * | 1991-09-04 | 1998-03-03 | Sun Active Glass Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US5757537A (en) * | 1991-09-04 | 1998-05-26 | Sun Active Glass Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| EP0676059A1 (en) * | 1992-12-24 | 1995-10-11 | Sun Active Glass Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices |
| EP0676059A4 (en) * | 1992-12-24 | 1995-11-29 | Sun Active Glass Electrochrom | ELECTROCHROME DEVICE. |
| US9782949B2 (en) | 2008-05-30 | 2017-10-10 | Corning Incorporated | Glass laminated articles and layered articles |
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