JPS60200229A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JPS60200229A JPS60200229A JP59055356A JP5535684A JPS60200229A JP S60200229 A JPS60200229 A JP S60200229A JP 59055356 A JP59055356 A JP 59055356A JP 5535684 A JP5535684 A JP 5535684A JP S60200229 A JPS60200229 A JP S60200229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- holding
- display panel
- selection
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非線形素子と液晶等の表示素子を用いたマトリ
クス型表示パネルの駆動方法の改良に関し、詳しくは非
線形素子の特性変化によらず常に最適の表示品質を保障
する調節手段に関する。
クス型表示パネルの駆動方法の改良に関し、詳しくは非
線形素子の特性変化によらず常に最適の表示品質を保障
する調節手段に関する。
液晶表示パネルは既に広（用いられ、高密度表示化が盛
んである。高密度表示の方法の一つとして非線形抵抗素
子を用いた°方法が公知である（参照文献１． Ｂ 、
Ｊ 、 Ｌｅｃｈｊｎｅｒ 、 ｅｔａ４ Ｐｒｏｃ
、 Ｉ ＥＥＥＶｏｌ ５９ 、 ｐ１５６６〜１５７
９ ） 。非線形Ｘ子トＬ テ）！ハＩＪ スｐを用イ
タ例（参照文献２． Ｄ 、 Ｅ 、 Ｃａ５ｔＩｌｅ
ｂｅｒｒｙ。
んである。高密度表示の方法の一つとして非線形抵抗素
子を用いた°方法が公知である（参照文献１． Ｂ 、
Ｊ 、 Ｌｅｃｈｊｎｅｒ 、 ｅｔａ４ Ｐｒｏｃ
、 Ｉ ＥＥＥＶｏｌ ５９ 、 ｐ１５６６〜１５７
９ ） 。非線形Ｘ子トＬ テ）！ハＩＪ スｐを用イ
タ例（参照文献２． Ｄ 、 Ｅ 、 Ｃａ５ｔＩｌｅ
ｂｅｒｒｙ。
ＴＥＥＥ ＥＤ−２６ｐ、１１２３〜１１２８ ）やＭ
ＩＭ素子を用いた例（参照文献３． Ｄ 、 ＲｏＢａ
ｒａｆｔｅｔａＪ ＩＥＥＥＥＤ−２８ｐ、７３６〜７
３９）等が公知である。我々は前出願（ｆＦ願昭５７−
１６７９４４．５７−１６７９４５）に於いてアモーフ
ァスＳｉダイオードリングによる非線形抵抗素子が表示
パネル用としては最適である事を示した。
ＩＭ素子を用いた例（参照文献３． Ｄ 、 ＲｏＢａ
ｒａｆｔｅｔａＪ ＩＥＥＥＥＤ−２８ｐ、７３６〜７
３９）等が公知である。我々は前出願（ｆＦ願昭５７−
１６７９４４．５７−１６７９４５）に於いてアモーフ
ァスＳｉダイオードリングによる非線形抵抗素子が表示
パネル用としては最適である事を示した。
又その駆動方法として選択位相と保持位相を有し、保持
位相に於いて走査信号に保持電位±ｖｂというバイアス
を持たせる方法を提案した（特願昭５７−１６７９４３
）。この様な方法を用いる事により高密度の液晶表示
パネルが比較的容易な手段で可能となる。
位相に於いて走査信号に保持電位±ｖｂというバイアス
を持たせる方法を提案した（特願昭５７−１６７９４３
）。この様な方法を用いる事により高密度の液晶表示
パネルが比較的容易な手段で可能となる。
しかし液晶表示パネルの使用条件は必ずしも一定でなく
例えば温度や経時変化等様々な要因によって表示品質が
変化する。その様な変化に対して１従来用〜・ら′れて
いる方法は必ずしも非線形素子を用いた表示パネルに有
効とは言えない。本発明は非線形素子を用いた表示パネ
ルに最適な調整方法を提供する。以下図面に基づいて詳
細に説明する。
例えば温度や経時変化等様々な要因によって表示品質が
変化する。その様な変化に対して１従来用〜・ら′れて
いる方法は必ずしも非線形素子を用いた表示パネルに有
効とは言えない。本発明は非線形素子を用いた表示パネ
ルに最適な調整方法を提供する。以下図面に基づいて詳
細に説明する。
まず前出願（特願昭５７−１６７９４３）で詳述した保
持位相付駆動法につき説明する。第１図は非線形素子Ｎ
Ｌ（ｉ、ｊ）と表示素子１．Ｃ（ｉ、ｊ）を単位画素Ｍ
（ｉ、ｊ）として複数の走査電極Ｓ（Ｓ、、Ｓ、・・・
・・・）とデータ電極Ｄ（Ｄ＋、Ｄｚ・・・・・・）の
間にマトリクス配置してなる表示パネルである。第２図
は非線形素子特性の概念図であり閾値電圧Ｖｔｈの前後
で抵抗かＲｏ、。
持位相付駆動法につき説明する。第１図は非線形素子Ｎ
Ｌ（ｉ、ｊ）と表示素子１．Ｃ（ｉ、ｊ）を単位画素Ｍ
（ｉ、ｊ）として複数の走査電極Ｓ（Ｓ、、Ｓ、・・・
・・・）とデータ電極Ｄ（Ｄ＋、Ｄｚ・・・・・・）の
間にマトリクス配置してなる表示パネルである。第２図
は非線形素子特性の概念図であり閾値電圧Ｖｔｈの前後
で抵抗かＲｏ、。
からＲｏ、と大きく減少している。
第３図は保持位相付駆動法の駆動波形である。
フレームＴ、、Ｔ、・・・・・・はそれぞれの走査信号
φｎ１ φｎ＋１・・・・・・毎に選択位相ｔ、、ｔ、
ｌと保持位相ｔｈ、ｔｈを有する。
φｎ１ φｎ＋１・・・・・・毎に選択位相ｔ、、ｔ、
ｌと保持位相ｔｈ、ｔｈを有する。
選択位相では走査信号φ。、φ。＋１、・・・・・・は
選択電位±Ｖａを、保持位相では保持電位±ｖｂをとっ
ている。データ信号！ｍはデータ電位±Ｖ、ｃを映像に
応じて選択している。
選択電位±Ｖａを、保持位相では保持電位±ｖｂをとっ
ている。データ信号！ｍはデータ電位±Ｖ、ｃを映像に
応じて選択している。
第３図ｖｍはデジタル映像の信号例であるがアナログ映
像信号の場合はデータ電位上Ｖｃの２値ではな（十Ｖ
ｃと−Ｖｃ間の任意の値をとる。
像信号の場合はデータ電位上Ｖｃの２値ではな（十Ｖ
ｃと−Ｖｃ間の任意の値をとる。
以上の如き信号を両電極に与えた場合両電極間に接続さ
れた単位画素Ｍ（ｎ＋ｘ、ｍ）、Ｍ（ｎ、ｍ）にはそれ
ぞれφｎ＋１−？ ｍ 、φｎ −？ｍの差信号が印加
され、非線形素子Ｎ Ｌ （ｎ＋１． ｍ）、Ｎｌ、（
ｎ、ｍ）の非線形性によって他の走査電°極の選択時間
におけるデータ信号の変化に吸収され表示要素Ｃ（ｎ＋
ｒ、ｍ）、Ｃ（ｎ、ｍ）には斜視部の電圧が印加される
。
れた単位画素Ｍ（ｎ＋ｘ、ｍ）、Ｍ（ｎ、ｍ）にはそれ
ぞれφｎ＋１−？ ｍ 、φｎ −？ｍの差信号が印加
され、非線形素子Ｎ Ｌ （ｎ＋１． ｍ）、Ｎｌ、（
ｎ、ｍ）の非線形性によって他の走査電°極の選択時間
におけるデータ信号の変化に吸収され表示要素Ｃ（ｎ＋
ｒ、ｍ）、Ｃ（ｎ、ｍ）には斜視部の電圧が印加される
。
φｎ＋１−’Ｐｍの斜線部は点灯電圧、φｎ −９ｍの
斜線部は非点灯電圧に対応している。
斜線部は非点灯電圧に対応している。
ここで示した保持位相付駆動法の利点は前出願でも詳述
したが、第１に非晶質Ｓｉダイオードの順方向非線形性
の如き低い閾値電圧ｖｔｈを持った非線形素子でも使用
可能となった点であり、第２に閾値電圧ｖｔｈのばらつ
き、変動に対し強い点にある。保持位相付駆動法によっ
て初めて従来の最大の欠点であった、バリスタ、ＭＩＭ
等にみられる素子自身の不均一性、不安定性と、それに
相乗する駆動法の余裕度の低さが解消されるのである。
したが、第１に非晶質Ｓｉダイオードの順方向非線形性
の如き低い閾値電圧ｖｔｈを持った非線形素子でも使用
可能となった点であり、第２に閾値電圧ｖｔｈのばらつ
き、変動に対し強い点にある。保持位相付駆動法によっ
て初めて従来の最大の欠点であった、バリスタ、ＭＩＭ
等にみられる素子自身の不均一性、不安定性と、それに
相乗する駆動法の余裕度の低さが解消されるのである。
しかし単に保持位相付駆動を用いれば常に安定な表示が
可能というわけではない。特に非線形素子は温度や経時
的な現象で特性が微妙に変化し、その影響で表示コント
ラストが変動する。本発明はこの様な素子特性の変動を
効果的に補償する方法を提供する。
可能というわけではない。特に非線形素子は温度や経時
的な現象で特性が微妙に変化し、その影響で表示コント
ラストが変動する。本発明はこの様な素子特性の変動を
効果的に補償する方法を提供する。
素子特性の変動に対する従来の方法を第４．５図に示す
。
。
第４図は従来の液晶表示装置のブロック図である。表示
パネル４１の走査電極Ｓ、、Ｓ、、・・曲・、ＳＮは走
査ドライバ４６により、データ電極り１、Ｄｌ、・・・
・・・、ＤＭはデータドライバ４２により信号が供給さ
れる。両ドライバ４２，４３はコントローラ４４からタ
イミング信号及び映像データが供給され、電源回路４５
よりデータ電位±Ｖｃ及び選択電位±ｖａ、Ｑが供給さ
れる。従来法では保持位相に於ける保持電位土ｖｂは必
要ないので基準電位０が与えられている。
パネル４１の走査電極Ｓ、、Ｓ、、・・曲・、ＳＮは走
査ドライバ４６により、データ電極り１、Ｄｌ、・・・
・・・、ＤＭはデータドライバ４２により信号が供給さ
れる。両ドライバ４２，４３はコントローラ４４からタ
イミング信号及び映像データが供給され、電源回路４５
よりデータ電位±Ｖｃ及び選択電位±ｖａ、Ｑが供給さ
れる。従来法では保持位相に於ける保持電位土ｖｂは必
要ないので基準電位０が与えられている。
第５図は電源回路の一例である。主電源５１と電圧調節
手段５２により設定された±Ｖａの電位を分割抵抗Ｒａ
、Ｒｃを用いて分割し±Ｖｃ、Ｑを得ている。
手段５２により設定された±Ｖａの電位を分割抵抗Ｒａ
、Ｒｃを用いて分割し±Ｖｃ、Ｑを得ている。
以上の様な全電位を比例的に変動させる方法は非線形素
子を用いない所謂パッシブマトリクスでは一応有効であ
る。しかし、保持位相付駆動法を用いた非線形素子付マ
トリクスでは問題が大きい。
子を用いない所謂パッシブマトリクスでは一応有効であ
る。しかし、保持位相付駆動法を用いた非線形素子付マ
トリクスでは問題が大きい。
第６図７１は非晶質Ｓｉダイオード・リングによる非線
形抵抗素子の電流■対電圧Ｖ特性である。
形抵抗素子の電流■対電圧Ｖ特性である。
図の如く低電圧側では対数側ＩｏｃｅＸｐ（Ｖ）、高電
圧側では比例則Ｉｏｃ■で変化し、第２図に示した理想
的特性とは異なる。この様な場合の電圧閾値Ｖｒｈは流
れる電流によって実効的に決定される。
圧側では比例則Ｉｏｃ■で変化し、第２図に示した理想
的特性とは異なる。この様な場合の電圧閾値Ｖｒｈは流
れる電流によって実効的に決定される。
例えば保持位相で問題となる電流値■１は保持位相の長
さｔ、ｈ、負荷容量Ｃ，、負荷印加電圧■。
さｔ、ｈ、負荷容量Ｃ，、負荷印加電圧■。
に対し１１’：Ｃ，Ｖ、／Ｔｈで表わされる。ここで負
荷容量Ｃ，とは表示要素容量ＣＬｃと必要に応じて設け
られる付加容４Ｃａの和である。よって保持位相で重要
な閾値電圧Ｖｔｈ 、は第６図の如（決定され、データ
電位振巾２ＶＣは次の関係２ Ｖ ｃ ＫＶｔｈ ｔを
守る様に設定される。
荷容量Ｃ，とは表示要素容量ＣＬｃと必要に応じて設け
られる付加容４Ｃａの和である。よって保持位相で重要
な閾値電圧Ｖｔｈ 、は第６図の如（決定され、データ
電位振巾２ＶＣは次の関係２ Ｖ ｃ ＫＶｔｈ ｔを
守る様に設定される。
−力選択位相で問題となる電流値Ｉ２は選択位相の長さ
ｔ８に対し同様に’ ｔ 〉Ｃｇ Ｖ ｇ ／ ｔ ａ
で表わされ図より閾値電圧ｖｔｈ２が決定される。
ｔ８に対し同様に’ ｔ 〉Ｃｇ Ｖ ｇ ／ ｔ ａ
で表わされ図より閾値電圧ｖｔｈ２が決定される。
選択電位Ｖａと保持電位ｖｂの差Ｖａ−Ｖｂは次の関係
ＩＶａ−Ｖｂｌ″： ｖｔｈ 、を満足すべく設定され
ねばならない。
ＩＶａ−Ｖｂｌ″： ｖｔｈ 、を満足すべく設定され
ねばならない。
以上の如く保持位相付駆動法で重要な事はデータ電位振
巾２Ｖｃと選択電位と保持電位の差である１Ｖａ−ｖｂ
ｌの２つの値が非線形素子特性によって決定されている
点にある。特に非晶質シリコンダイオードを非線形素子
として使用する場合には閾値電圧ｖｔｈ 、が電流印加
によって大きく変動する事が知られている。このため従
来法の如く全電位を比例的に変動させたのでは２ＶＣ。
巾２Ｖｃと選択電位と保持電位の差である１Ｖａ−ｖｂ
ｌの２つの値が非線形素子特性によって決定されている
点にある。特に非晶質シリコンダイオードを非線形素子
として使用する場合には閾値電圧ｖｔｈ 、が電流印加
によって大きく変動する事が知られている。このため従
来法の如く全電位を比例的に変動させたのでは２ＶＣ。
Ｖ ａ −Ｖ ｂも比例的に変化してしまい、書き込み
特性、保持特性ともに最適値からずれてしまう。
特性、保持特性ともに最適値からずれてしまう。
以上述べた如く、従来の方法では最適な駆動は難しかっ
た。
た。
本発明は以上のような従来の欠点を解決するものであり
、温度変動や経時的な現象によって非線形素子特性が変
化しても常に最適な駆動を可能とするものである。
、温度変動や経時的な現象によって非線形素子特性が変
化しても常に最適な駆動を可能とするものである。
本発明は前記目的を達成するために、選択電位±Ｖａと
保持電位上ｖｂの差ＩＶａ−Ｖｂｌを独立に調節する手
段が設けられており、常に最適駆動を可能としている。
保持電位上ｖｂの差ＩＶａ−Ｖｂｌを独立に調節する手
段が設けられており、常に最適駆動を可能としている。
更に、本発明では参照用の非線形素子やダイオードを表
示パネル上に塔載し、その特性に基づいて前記ＩＶａ−
ｖｂｌを調節する事により自動的に駆動電圧を最適化し
ている。
示パネル上に塔載し、その特性に基づいて前記ＩＶａ−
ｖｂｌを調節する事により自動的に駆動電圧を最適化し
ている。
第７図は本発明の表示パネルの実施例のブロック図であ
る。表示パネル４１、データドライバ４２、走査ドライ
バ４３、コントローラ４４は第４図の従来例と同一であ
る。
る。表示パネル４１、データドライバ４２、走査ドライ
バ４３、コントローラ４４は第４図の従来例と同一であ
る。
本発明の特徴は電源回路８５にある。第８図は電源回路
８５のブロック図である。
８５のブロック図である。
１３４は電源、１６１は１Ｖａ−Ｖｂｌ設定回路、１６
２はｖｂ設定回路、１６３は演算回路である。８８は第
７図にも示したが表示パネル上に塔載された参照用素子
であり、信号線８６，８７を通じて１Ｖａ−Ｖｂｌ設定
回路１３１に接続されている。
２はｖｂ設定回路、１６３は演算回路である。８８は第
７図にも示したが表示パネル上に塔載された参照用素子
であり、信号線８６，８７を通じて１Ｖａ−Ｖｂｌ設定
回路１３１に接続されている。
１Ｖａ−ｖｂｌ設定回路は参照用素子８８の特性に応じ
て電圧ＩＶａ−Ｖｂｌを設定し演算回路１６６に入力す
る。
て電圧ＩＶａ−Ｖｂｌを設定し演算回路１６６に入力す
る。
ｖｂ設定回路１３２は例えば第８図に示した可変抵抗等
であり、最適コントラストを得る保持電位ｖｂを設定し
演算回路１６６に供給する。
であり、最適コントラストを得る保持電位ｖｂを設定し
演算回路１６６に供給する。
演算回路１６３はＶａ−Ｖｂとｖｂから選択電位±Ｖａ
と保持電位±ｖｂを演算し、走査ドライバに供給する。
と保持電位±ｖｂを演算し、走査ドライバに供給する。
第９図は１Ｖａ−ｖｂｌ設定回路１６１の一実施例であ
る。参照用素子９１は表示パネルの各画素に用いられた
と同じ構成の非線形素子である。
る。参照用素子９１は表示パネルの各画素に用いられた
と同じ構成の非線形素子である。
８９は該参照用非線形素子と電源１３４に対し直列に接
続された負荷抵抗である。
続された負荷抵抗である。
第１０図は縦軸は電流Ｉ、横軸は電圧■であり曲線１０
１は非線形素子特性、直線１０２は負荷抵抗８９の特性
である。交点１０３が非線形素子９１と負荷抵抗８９を
直列に接続した時流れる電流と分割される電圧を示す。
１は非線形素子特性、直線１０２は負荷抵抗８９の特性
である。交点１０３が非線形素子９１と負荷抵抗８９を
直列に接続した時流れる電流と分割される電圧を示す。
系を流れる電流が前述した選択位相で流れる電流Ｉ２と
なる様にすると自動的に最適な１■ａ−ｖｌ）１が９６
の点に得られる。負荷抵抗８９を可変属しておくと直線
１０２を矢印１０４の様に変える事ができ、電流Ｉ２を
微調できる。
なる様にすると自動的に最適な１■ａ−ｖｌ）１が９６
の点に得られる。負荷抵抗８９を可変属しておくと直線
１０２を矢印１０４の様に変える事ができ、電流Ｉ２を
微調できる。
第１１図（ａ）は前出願（特願昭５７−１６７９４３．
５７−１６７９４４．５７−１６７９４５）で明らかに
した並列逆方向接続された２つのダイオード１１１．１
１２による非線形素子である。このような非線形素子を
用いる時は参照用素子として（ａ）の構成の非線形素子
を用いてもよいが（ｂ）の如く単・：゛ −のダイオード１１０を用いてもよい。（ｂ）の点線内
８８を第９図の点線内８８と置き換えても全く同様の効
果が得られる。
５７−１６７９４４．５７−１６７９４５）で明らかに
した並列逆方向接続された２つのダイオード１１１．１
１２による非線形素子である。このような非線形素子を
用いる時は参照用素子として（ａ）の構成の非線形素子
を用いてもよいが（ｂ）の如く単・：゛ −のダイオード１１０を用いてもよい。（ｂ）の点線内
８８を第９図の点線内８８と置き換えても全く同様の効
果が得られる。
第１２図は１Ｖａ−Ｖｂｌ設定回路１６１の他の実施例
である。１２７は発振回路、１２２はコンデンサ、９１
は参照用非線形素子であり、１２８の点には非線形素子
の閾値電圧ｖｔｈ 、にほぼ比例した片極性振巾を持つ
交流信号が発生する１２６は整流素子１２５、コンデン
サ１２４、抵抗からなる平滑化回路であり、閾値電圧Ｖ
ｔｈ２に比例した直流電圧を増巾回路１２１に供給する
。増巾回路はこの直流電圧を増巾して最適な電圧１Ｖａ
−ｖｂｌを得る。
である。１２７は発振回路、１２２はコンデンサ、９１
は参照用非線形素子であり、１２８の点には非線形素子
の閾値電圧ｖｔｈ 、にほぼ比例した片極性振巾を持つ
交流信号が発生する１２６は整流素子１２５、コンデン
サ１２４、抵抗からなる平滑化回路であり、閾値電圧Ｖ
ｔｈ２に比例した直流電圧を増巾回路１２１に供給する
。増巾回路はこの直流電圧を増巾して最適な電圧１Ｖａ
−ｖｂｌを得る。
第１３図は第８図の演算回路１３６の一例である。９２
はボルテージフォロア回路でｖｂを電流増巾し保持電位
上ｖｂとして出力する。９６は反転増巾器でありｖｂを
極性反転し保持電位−ｖｂとして出力する。９４．９５
はオペアンプでありＶａ−Ｖｂとｖｂから選択電位上Ｖ
ａを出力する。
はボルテージフォロア回路でｖｂを電流増巾し保持電位
上ｖｂとして出力する。９６は反転増巾器でありｖｂを
極性反転し保持電位−ｖｂとして出力する。９４．９５
はオペアンプでありＶａ−Ｖｂとｖｂから選択電位上Ｖ
ａを出力する。
以上の実施例に示した如（、本発明では選択電位±Ｖａ
、保持電位±ｖｂを設定するのではな（，１Ｖａ−Ｖｂ
ｌとｖｂを独立に設定し、そこから選択電位±Ｖａ、保
持電位±ｖｂをめていく所に特徴がある。
、保持電位±ｖｂを設定するのではな（，１Ｖａ−Ｖｂ
ｌとｖｂを独立に設定し、そこから選択電位±Ｖａ、保
持電位±ｖｂをめていく所に特徴がある。
保持型π±ｖｂは表示素子の駆動中心電圧に対応し温度
等によって変えな（てはならない事が多い。一方ＩＶａ
−Ｖｂｌは非線形素子の閾値電圧ｖｔｈ２に対応するも
のであり表示素子特性と変化の様子が異なる場合が多い
。もし選択電位Ｖａと保持電位ｖｂを独立に設定すると
、表示素子又は非線形素子のいずれか一方の特性が変化
した場合でも両電位共動かさねばならず最適に合せ込む
のは極めて困難である。しかし本発明の如（ｌＶａ−ｖ
ｂｉとｖｂを独立に設定すると、表示素子特性の変化に
対してはｖｂを、非線形素子特性の変化に対しては１Ｖ
ａ−ｖｂｌをのみ調節すればよ（極めて易く駆動電圧を
最適化する事ができる。
等によって変えな（てはならない事が多い。一方ＩＶａ
−Ｖｂｌは非線形素子の閾値電圧ｖｔｈ２に対応するも
のであり表示素子特性と変化の様子が異なる場合が多い
。もし選択電位Ｖａと保持電位ｖｂを独立に設定すると
、表示素子又は非線形素子のいずれか一方の特性が変化
した場合でも両電位共動かさねばならず最適に合せ込む
のは極めて困難である。しかし本発明の如（ｌＶａ−ｖ
ｂｉとｖｂを独立に設定すると、表示素子特性の変化に
対してはｖｂを、非線形素子特性の変化に対しては１Ｖ
ａ−ｖｂｌをのみ調節すればよ（極めて易く駆動電圧を
最適化する事ができる。
更に本発明では表示パネル上に参照用素子を塔載し、そ
の特性変化に応じて１Ｖａ−Ｖｂｌを設定している。こ
の事により温度による非線形素子特性の変化等は全く白
！Ｉｈ的１／ｎ補償し得る。又、非晶質シリコンダイオ
ードは電流印加によって閾値電圧ｖｔｈ 、が変動する
ため、長期間の駆動によっては１Ｖａ−Ｖｂｌを設定し
なおさないとならない。しかし本発明の例えば第１２図
の実施例を用い発振器１２７及び容量１２２を適当に設
定して非線形素子に流れる電流を実駆動条件とほぼ等し
くしておけば自動的に最適化される。又電流印加に対す
る特性変化は直流とパルスで異なるが等測的な電流値は
存在するため、第９図の実施例でも直流電流を実駆動条
件と同等の効果が生じるように設定しておけば自動的に
１Ｖａ−ｖｂｌは最適化される。
の特性変化に応じて１Ｖａ−Ｖｂｌを設定している。こ
の事により温度による非線形素子特性の変化等は全く白
！Ｉｈ的１／ｎ補償し得る。又、非晶質シリコンダイオ
ードは電流印加によって閾値電圧ｖｔｈ 、が変動する
ため、長期間の駆動によっては１Ｖａ−Ｖｂｌを設定し
なおさないとならない。しかし本発明の例えば第１２図
の実施例を用い発振器１２７及び容量１２２を適当に設
定して非線形素子に流れる電流を実駆動条件とほぼ等し
くしておけば自動的に最適化される。又電流印加に対す
る特性変化は直流とパルスで異なるが等測的な電流値は
存在するため、第９図の実施例でも直流電流を実駆動条
件と同等の効果が生じるように設定しておけば自動的に
１Ｖａ−ｖｂｌは最適化される。
勿論、１Ｖａ−Ｖｂｌは参照用素子特性によらず例えば
第８図１６２のｖｂ段設定同様にボリウム等で外部から
設定しても有効である。又第９図の如（自動設定と微調
を併用してもよい。
第８図１６２のｖｂ段設定同様にボリウム等で外部から
設定しても有効である。又第９図の如（自動設定と微調
を併用してもよい。
以上述べた如く、本発明を用いれば非線形素子特性の変
化を表示素子特性の変化と独立して補償する事が可能で
あり駆動電圧が極めて容易に最適化される。又、温度、
経時変化等による影響を自動的に取り除く事が可能であ
る。この様に本発明は非線形素子を用いたアクティブマ
トリクスの表示品質の安定と向上に非常に有効である。
化を表示素子特性の変化と独立して補償する事が可能で
あり駆動電圧が極めて容易に最適化される。又、温度、
経時変化等による影響を自動的に取り除く事が可能であ
る。この様に本発明は非線形素子を用いたアクティブマ
トリクスの表示品質の安定と向上に非常に有効である。
第１図は非線形抵抗素子を用いた表示パネルの等価回路
図、第２図は非線形抵抗素子の特性図、第３図は保持位
相付駆動法の駆動波形図、第４図は従来の液晶表示装置
のブロック図、第５図はその電源回路図、第６図は非晶
質Ｓｉダイオードリングを用いた非線形抵抗素子特性図
、第７図は本発明の液晶表示装置のブロック図、第８図
は本発明の電源回路のブロック図、第９．１２図はＩＶ
ａ−Ｖｂｌ設定回路の実施例で、第９図は電流−電圧特
性図、第１２図は回路図、第１０図は非線形素子と負荷
抵抗の電流−電圧特性図、第１１図は非線形素子及びダ
イオード、第１３図は演算回路の回路図である。 ＮＬ（ｉ、ｊ）・・・・・・・・・非線形素子、ＬＣ（
ｉ、ｊ）・・・・・・・・・表示菓子、Ｓ（Ｓ、、Ｓ２
・・・・・・）・・・・・・・・・走査電極、Ｄ（Ｄ、
、Ｄ２・・・・・・）・・・・・・・・・データ電極、
±Ｖａ・・・・・・・・・選択電位、 ±ｖｂ・・・・・・・・・保持電位、 ±Ｖｃ・・・・・・・・・データ電位。 第１図 第３図 第４図 ４３ 第５図 ■ 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 （Ｑ） （ｂ） 第１２図 −
図、第２図は非線形抵抗素子の特性図、第３図は保持位
相付駆動法の駆動波形図、第４図は従来の液晶表示装置
のブロック図、第５図はその電源回路図、第６図は非晶
質Ｓｉダイオードリングを用いた非線形抵抗素子特性図
、第７図は本発明の液晶表示装置のブロック図、第８図
は本発明の電源回路のブロック図、第９．１２図はＩＶ
ａ−Ｖｂｌ設定回路の実施例で、第９図は電流−電圧特
性図、第１２図は回路図、第１０図は非線形素子と負荷
抵抗の電流−電圧特性図、第１１図は非線形素子及びダ
イオード、第１３図は演算回路の回路図である。 ＮＬ（ｉ、ｊ）・・・・・・・・・非線形素子、ＬＣ（
ｉ、ｊ）・・・・・・・・・表示菓子、Ｓ（Ｓ、、Ｓ２
・・・・・・）・・・・・・・・・走査電極、Ｄ（Ｄ、
、Ｄ２・・・・・・）・・・・・・・・・データ電極、
±Ｖａ・・・・・・・・・選択電位、 ±ｖｂ・・・・・・・・・保持電位、 ±Ｖｃ・・・・・・・・・データ電位。 第１図 第３図 第４図 ４３ 第５図 ■ 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 （Ｑ） （ｂ） 第１２図 −
Claims (4)
- （１） 複数の走査電極と複数のデータ電極と該両電極
の交点毎に配置された画素よりなり、該画素には非線形
素子と表示素子を有する表示パネルの駆動方法に於いて
走査電極には選択位相と保持位相を有する走査信号を供
給し、データ電極には影像に応じたデータ信号を供給し
、前記走査信号は選択位相に於いて選択電位±Ｖａをと
り、保持位相の少なくとも初期には保持電位±ｖｂをと
る信号であり、該選択電位と保持電位の差Ｉ Ｖ ａ
−ｖｂｌを調節する手段を有する事を特徴とする表示パ
ネルの駆動方法。 - （２） 選択電位と保持電位の差Ｉ Ｖ、ａ−Ｖ ｂ
ｌを調節する手段は表示パネル上に設けた参照用非線形
素子の特性を検出し、該特性に基づいて選択電位と保持
電位の差ＩＶａ−Ｖｂｌを調節する手段を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示パネルの駆
動方法。 - （３）非線形素子は複数のダイオードにより構成され、
表示バ・ネルには参照用ダイオードが形成され、該参照
用ダイオードの特性を検出する手段を有−し、該参照用
ダイオードの特性に基づいて選択電位と保持電位の差１
Ｖａ−Ｖｂｌを調節する手段を有することを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の表示パネルの駆動方法。 - （４）選択電位と保持電位の差ＩＶａ−ｖｂｌは表示装
置の外部より調節可能な事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の表示パネルの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055356A JPH068937B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055356A JPH068937B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200229A true JPS60200229A (ja) | 1985-10-09 |
| JPH068937B2 JPH068937B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=12996215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055356A Expired - Lifetime JPH068937B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068937B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184438A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-08-12 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 液晶表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917782A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | Seiko Epson Corp | 液晶表示式受像装置 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59055356A patent/JPH068937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917782A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | Seiko Epson Corp | 液晶表示式受像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184438A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-08-12 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH068937B2 (ja) | 1994-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5892504A (en) | Matrix display device and its method of operation | |
| US8031148B2 (en) | Liquid crystal display, apparatus for driving a liquid crystal display, and method of generating gray voltages | |
| US8269705B2 (en) | Liquid crystal display and driving method thereof | |
| JP4776877B2 (ja) | 異なる大きさの共通電圧を生成する液晶表示装置 | |
| JP4730685B2 (ja) | 液晶表示装置のアナログ駆動電圧及び共通電極電圧発生装置及び制御方法 | |
| US20040041778A1 (en) | Driving method and drive control circuit of liquid crystal display device, and liquid crystal display device including the same | |
| US20050088390A1 (en) | Differential amplifier | |
| US5757349A (en) | Liquid crystal display device and a method of driving the same | |
| US6731265B1 (en) | Display apparatus and method for driving the same | |
| US6919869B2 (en) | Liquid crystal display device and a driving method employing a horizontal line inversion method | |
| JPS60200229A (ja) | 表示装置 | |
| US4998170A (en) | Direct current restorer | |
| JPH08146389A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000305063A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH051474B2 (ja) | ||
| JP3253331B2 (ja) | 画像表示装置 | |
| JP2940637B2 (ja) | 液晶表示制御装置 | |
| EP0600096B1 (en) | Two-terminal type active matrix liquid crystal display device and driving method thereof | |
| JP2965822B2 (ja) | 電源回路 | |
| JPH0455889A (ja) | 画像表示装置 | |
| JP3108943B2 (ja) | 液晶パネル | |
| US5666131A (en) | Active matrix liquid-crystal display device with two-terminal switching elements and method of driving the same | |
| JPH0566735A (ja) | 液晶表示素子の駆動方法 | |
| KR100357212B1 (ko) | 액정표시 소자의 게이트 구동제어회로 | |
| JPH0784552A (ja) | 表示装置の駆動回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |