JPH068937B2 - 表示装置 - Google Patents
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- JPH068937B2 JPH068937B2 JP59055356A JP5535684A JPH068937B2 JP H068937 B2 JPH068937 B2 JP H068937B2 JP 59055356 A JP59055356 A JP 59055356A JP 5535684 A JP5535684 A JP 5535684A JP H068937 B2 JPH068937 B2 JP H068937B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は非線形素子と液晶等の表示素子を用いたマトリ
クス型表示装置の改良に関し、詳しくは非線型素子の特
性変化によらず常に最適の表示品質を保障する調節手段
に関する。
クス型表示装置の改良に関し、詳しくは非線型素子の特
性変化によらず常に最適の表示品質を保障する調節手段
に関する。
〔発明の背景〕 液晶表示パネルは既に広く用いられ、高密度表示化が盛
んである。高密度表示の方法の一つとして非線形抵抗素
子を用いた方法が公知である（参照文献１．Ｂ．Ｊ．Le
chiner．etal．Proc．ＩＥＥＥ Vol 59.p1566〜157
9）。非線形素子としてはバリスタを用いた例（参照文
献２．Ｄ．Ｅ．Castleberry。ＩＥＥＥ ＥＤ−26 p.1
123〜1128）やＭＩＭ素子を用いた例（参照文献３．
Ｄ．Ｒ。Baraftetal ＩＥＥＥ ＥＤ−28 ｐ．736〜7
39）等が公知である。我々は前出願の特願昭５７−１６
７９４４号（特開昭５９−５７２８７号公報）および特
願昭５７−１６７９４５号（特開昭５９−５７２７３号
公報）に於いてアモーファスＳｉダイオードリングによ
る非線形抵抗素子が表示パネル用としては最適である事
を示した。
んである。高密度表示の方法の一つとして非線形抵抗素
子を用いた方法が公知である（参照文献１．Ｂ．Ｊ．Le
chiner．etal．Proc．ＩＥＥＥ Vol 59.p1566〜157
9）。非線形素子としてはバリスタを用いた例（参照文
献２．Ｄ．Ｅ．Castleberry。ＩＥＥＥ ＥＤ−26 p.1
123〜1128）やＭＩＭ素子を用いた例（参照文献３．
Ｄ．Ｒ。Baraftetal ＩＥＥＥ ＥＤ−28 ｐ．736〜7
39）等が公知である。我々は前出願の特願昭５７−１６
７９４４号（特開昭５９−５７２８７号公報）および特
願昭５７−１６７９４５号（特開昭５９−５７２７３号
公報）に於いてアモーファスＳｉダイオードリングによ
る非線形抵抗素子が表示パネル用としては最適である事
を示した。
すなわち、特願昭５７−１６７９４４号（特開昭５９−
５７２８７号公報）には、２組の整流性素子（ダイオー
ド）を、それぞれ並列に且つ逆方向にリング接続した構
成であるダイオードリングを、非線形素子として用いる
ことが示されており、更に、ダイオードリングを構成す
るダイオードに、例えば、アモーファスＳｉダイオード
を用いれば、極めて優れたスイッチング特性とその制御
性、均一性のよい非線抵抗素子が実現可能となることも
示されている。
５７２８７号公報）には、２組の整流性素子（ダイオー
ド）を、それぞれ並列に且つ逆方向にリング接続した構
成であるダイオードリングを、非線形素子として用いる
ことが示されており、更に、ダイオードリングを構成す
るダイオードに、例えば、アモーファスＳｉダイオード
を用いれば、極めて優れたスイッチング特性とその制御
性、均一性のよい非線抵抗素子が実現可能となることも
示されている。
また、特願昭５７−１６７９４５号（特開昭５９−５７
２７３号公報）にはダイオードリングを構成するダイオ
ードを積層構造とする事により、小面積で十分な閾値電
圧を確保する手法が示されている。更にそれぞれのダイ
オードをほぼ対称な構造とする事で、アモーファスＳｉ
ダイオードのような光起電力を有する素子であっても、
発生する光電流を自動的にキャンセルし得る方法も示さ
れている。
２７３号公報）にはダイオードリングを構成するダイオ
ードを積層構造とする事により、小面積で十分な閾値電
圧を確保する手法が示されている。更にそれぞれのダイ
オードをほぼ対称な構造とする事で、アモーファスＳｉ
ダイオードのような光起電力を有する素子であっても、
発生する光電流を自動的にキャンセルし得る方法も示さ
れている。
上記の両出願に開示された技術を用いると、従来用いら
れていたバリスタやＭＩＭと比べ、スイッチング特性と
その均一性、制御性の格段に良好な非線形抵抗素子が実
現可能となる。
れていたバリスタやＭＩＭと比べ、スイッチング特性と
その均一性、制御性の格段に良好な非線形抵抗素子が実
現可能となる。
又その駆動方法として選択位相と保持位相を有し、保持
位相に於いて走査信号に保持電位±Ｖｂというバイアス
を持たせる方法を特願昭５７−１６７９４３号（特開昭
５９−５７２８８号公報）に於いて提案した。この様な
方法を用いる事により高密度の液晶表示パネルが比較的
容易な手段で可能となる。
位相に於いて走査信号に保持電位±Ｖｂというバイアス
を持たせる方法を特願昭５７−１６７９４３号（特開昭
５９−５７２８８号公報）に於いて提案した。この様な
方法を用いる事により高密度の液晶表示パネルが比較的
容易な手段で可能となる。
すなわち、参考文献１〜３で用いられた従来の駆動法で
は、ダイオードリングのような閾値電圧の小さな非線形
抵抗素子を、アクティブマトリクスに適用する事が困難
である。これらの駆動法では正負の選択位相では正負独
立の選択電位±Ｖａをとり、保持位相では正負とも保持
電位は同一の０レベルである。しかし、特願昭５７−１
６７９４３号（特開昭５９−５７２８８号公報）に示す
駆動方法では、正負の選択位相では正負の選択電位±Ｖ
ａをとるが、正負の保持期間では正負独立のバイアスを
有する保持電位±Ｖｂをとる。この事により、アモーフ
ァスＳｉダイオードリングのような低い閾値電圧の非線
形抵抗素子であっても、液晶表示素子には十分な駆動電
圧のダイナミックレンジを確保する事が可能となる。
は、ダイオードリングのような閾値電圧の小さな非線形
抵抗素子を、アクティブマトリクスに適用する事が困難
である。これらの駆動法では正負の選択位相では正負独
立の選択電位±Ｖａをとり、保持位相では正負とも保持
電位は同一の０レベルである。しかし、特願昭５７−１
６７９４３号（特開昭５９−５７２８８号公報）に示す
駆動方法では、正負の選択位相では正負の選択電位±Ｖ
ａをとるが、正負の保持期間では正負独立のバイアスを
有する保持電位±Ｖｂをとる。この事により、アモーフ
ァスＳｉダイオードリングのような低い閾値電圧の非線
形抵抗素子であっても、液晶表示素子には十分な駆動電
圧のダイナミックレンジを確保する事が可能となる。
しかし液晶表示パネルの使用条件は必ずしも一定でなく
例えば温度や経時変化等様々な要因によって表示品質が
変化する。その様な変化に対して従来用いられている方
法は必ずしも非線形素子を用いた表示パネルに有効とは
言えない。本発明は非線形素子を用いた表示パネルに最
適な調整方法を提供する。以下図面に基づいて詳細に説
明する。
例えば温度や経時変化等様々な要因によって表示品質が
変化する。その様な変化に対して従来用いられている方
法は必ずしも非線形素子を用いた表示パネルに有効とは
言えない。本発明は非線形素子を用いた表示パネルに最
適な調整方法を提供する。以下図面に基づいて詳細に説
明する。
まず前出願の特願昭５７−１６７９４３号（特開昭５９
−５７２８８号公報）で詳述した保持位相付駆動法につ
き説明する。第１図は非線形素子ＮＬ（ｉ、ｊ）と表示
素子ＬＣ（ｉ、ｊ）を単位画素Ｍ（ｉ、ｊ）として複数
の走査電極Ｓ（Ｓ１、Ｓ２……）とデータ電極Ｄ
（Ｄ１、Ｄ２……）の間にマトリクス配置してなる表示
パネルである。第２図は非線形素子特性の概念図であり
閾値電圧Vthの前後で抵抗かＲOFFからＲONと大きく減少
している。
−５７２８８号公報）で詳述した保持位相付駆動法につ
き説明する。第１図は非線形素子ＮＬ（ｉ、ｊ）と表示
素子ＬＣ（ｉ、ｊ）を単位画素Ｍ（ｉ、ｊ）として複数
の走査電極Ｓ（Ｓ１、Ｓ２……）とデータ電極Ｄ
（Ｄ１、Ｄ２……）の間にマトリクス配置してなる表示
パネルである。第２図は非線形素子特性の概念図であり
閾値電圧Vthの前後で抵抗かＲOFFからＲONと大きく減少
している。
第３図は保持位相付駆動法の駆動波形である。フレーム
Ｔ１、Ｔ２……はそれぞれの走査信号 毎に選択位相ｔｓ、ｔｓ′と保持位相th、th′を有す
る。
Ｔ１、Ｔ２……はそれぞれの走査信号 毎に選択位相ｔｓ、ｔｓ′と保持位相th、th′を有す
る。
選択位相では走査信号φｎ、φｎ＋１、……は選択電位
±Ｖａを、保持位相では保持電位±Ｖｂをとっている。
データ信号Ψｍはデータ電位±Ｖｃを映像に応じて選択
している。
±Ｖａを、保持位相では保持電位±Ｖｂをとっている。
データ信号Ψｍはデータ電位±Ｖｃを映像に応じて選択
している。
第３図Ψｍはデジタル映像の信号例であるがアナログ映
像信号の場合はデータ電位±Ｖｃの２値ではなく＋Ｖｃ
と−Ｖｃ間の任意の値をとる。
像信号の場合はデータ電位±Ｖｃの２値ではなく＋Ｖｃ
と−Ｖｃ間の任意の値をとる。
以上の如き信号を両電極に与えた場合両電極間に接続さ
れた単位画素Ｍ（ｎ＋１、ｍ）、Ｍ（ｎ、ｍ）にはそれ
ぞれφｎ＋１−Ψｍ、φｎ−Ψｍの差信号が印加され、
非線形素子ＮＬ（ｎ＋１、ｍ）、ＮＬ（ｎ、ｍ）の非線
形性によって他の走査電極の選択時間におけるデータ信
号の変化に吸収され表示要素Ｃ（ｎ＋１、ｍ）、Ｃ
（ｎ、ｍ）には斜視部の電圧が印加される。
れた単位画素Ｍ（ｎ＋１、ｍ）、Ｍ（ｎ、ｍ）にはそれ
ぞれφｎ＋１−Ψｍ、φｎ−Ψｍの差信号が印加され、
非線形素子ＮＬ（ｎ＋１、ｍ）、ＮＬ（ｎ、ｍ）の非線
形性によって他の走査電極の選択時間におけるデータ信
号の変化に吸収され表示要素Ｃ（ｎ＋１、ｍ）、Ｃ
（ｎ、ｍ）には斜視部の電圧が印加される。
の斜線部は点灯電圧、φｎ−Ψｍの斜線部は非点灯電圧
に対応している。
に対応している。
ここで示した保持位相付駆動法の利点は前出願でも詳述
したが、第１に非晶質Ｓｉダイオードの順方向非線形性
の如き低い閾値電圧Vthを持った非線形素子でも使用可
能となった点であり、第２に閾値電圧Vthのばらつき、
変動に対し強い点にある。保持位相付駆動法によって初
めて従来の最大の欠点であった、バリスタ、ＭＩＭ等に
みられる素子自身の不均一性、不安定性と、それに相乗
する駆動法の余裕度の低さが解消されるのである。
したが、第１に非晶質Ｓｉダイオードの順方向非線形性
の如き低い閾値電圧Vthを持った非線形素子でも使用可
能となった点であり、第２に閾値電圧Vthのばらつき、
変動に対し強い点にある。保持位相付駆動法によって初
めて従来の最大の欠点であった、バリスタ、ＭＩＭ等に
みられる素子自身の不均一性、不安定性と、それに相乗
する駆動法の余裕度の低さが解消されるのである。
しかし単に保持位相付駆動を用いれば常に安定な表示が
可能というわけではない。特に非線形素子は温度や径時
的な現象で特性が微妙に変化し、その影響で表示コント
ラストが変動する。本発明はこの様な素子性の変動を効
果的に補償する方法を提供する。
可能というわけではない。特に非線形素子は温度や径時
的な現象で特性が微妙に変化し、その影響で表示コント
ラストが変動する。本発明はこの様な素子性の変動を効
果的に補償する方法を提供する。
素子特性の変動に対する従来の方法を第４、第５図に示
す。
す。
第４図は従来の液晶表示装置のブロック図である。表示
パネル４１は走査電極Ｓ１、Ｓ２、……、ＳＮは走査ド
ライバ４３により、データ電極Ｄ１、Ｄ２、……、ＤＭ
はデータドライバ４２により信号が供給される。両ドラ
イバ４２、４３はコントローラ４４からタイミング信号
及び映像データが供給され、電源回路４５よりデータ電
位±Ｖｃ及び選択電位±Ｖａ、０が供給される。従来法
では保持位相に於ける保持電位±Ｖｂは必要ないので基
準電位０が与えられている。
パネル４１は走査電極Ｓ１、Ｓ２、……、ＳＮは走査ド
ライバ４３により、データ電極Ｄ１、Ｄ２、……、ＤＭ
はデータドライバ４２により信号が供給される。両ドラ
イバ４２、４３はコントローラ４４からタイミング信号
及び映像データが供給され、電源回路４５よりデータ電
位±Ｖｃ及び選択電位±Ｖａ、０が供給される。従来法
では保持位相に於ける保持電位±Ｖｂは必要ないので基
準電位０が与えられている。
第５図は電源回路の一例である。主電源５１と電圧調節
手段５２により設定された±Ｖａの電位を分割抵抗Ｒ
ａ、Ｒｃを用いて分割し±Ｖｃ、０を得ている。
手段５２により設定された±Ｖａの電位を分割抵抗Ｒ
ａ、Ｒｃを用いて分割し±Ｖｃ、０を得ている。
以上の様な全電位を比例的に変動させる方法は非線形素
子を用いない所謂パッシプマトリクスでは一応有効であ
る。しかし、保持位相付駆動法を用いた非線形素子付マ
トリクスでは問題が大きい。
子を用いない所謂パッシプマトリクスでは一応有効であ
る。しかし、保持位相付駆動法を用いた非線形素子付マ
トリクスでは問題が大きい。
第６図７１は非晶質Ｓｉダイオード・リングによる非線
形抵抗素子の電流Ｉ対電圧Ｖ特性である。図の如く低電
圧側では対数則Ｉ∝ｅ×ｐ(V)、高電圧側では比例則Ｉ
∝Ｖで変化し、第２図に示した理想的特性とは異なる。
この様な場合の電圧閾値Vthは流れる電流によって実効
的に決定される。
形抵抗素子の電流Ｉ対電圧Ｖ特性である。図の如く低電
圧側では対数則Ｉ∝ｅ×ｐ(V)、高電圧側では比例則Ｉ
∝Ｖで変化し、第２図に示した理想的特性とは異なる。
この様な場合の電圧閾値Vthは流れる電流によって実効
的に決定される。
例えば保持位相で問題となる電流値Ｉ１は保持位相の長
さth、負荷容量Ｃｓ、負荷印加電圧Ｖｓに対しＩ１Ｃ
ｓＶｓ／Ｔｈで表わされる。ここで負荷容Ｃｓとは表示
要素容量ＣＬＣと必要に応じて設けられる付加容量Ｃａ
の和である。よって保持位相で重要な閾値電圧Vth1は第
６図の如く決定され、データ電位振巾２Ｖｃは次の関係 を守る様に設定される。
さth、負荷容量Ｃｓ、負荷印加電圧Ｖｓに対しＩ１Ｃ
ｓＶｓ／Ｔｈで表わされる。ここで負荷容Ｃｓとは表示
要素容量ＣＬＣと必要に応じて設けられる付加容量Ｃａ
の和である。よって保持位相で重要な閾値電圧Vth1は第
６図の如く決定され、データ電位振巾２Ｖｃは次の関係 を守る様に設定される。
一方選択位相で問題となる電流値Ｉ２は選択位相の長さ
ｔｓに対し同様にＩ２ＣｓＶｓ／ｔｓで表わされ図よ
り閾値電圧Vth2が決定される。選択電位Ｖａと保持電位
Ｖｂの差Ｖａ−Ｖｂは次の関係｜Ｖａ−Ｖｂ｜Ｖth２
を満足すべく設定されねばならない。
ｔｓに対し同様にＩ２ＣｓＶｓ／ｔｓで表わされ図よ
り閾値電圧Vth2が決定される。選択電位Ｖａと保持電位
Ｖｂの差Ｖａ−Ｖｂは次の関係｜Ｖａ−Ｖｂ｜Ｖth２
を満足すべく設定されねばならない。
以上の如く保持位相付駆動法で重要な事はデータ電位振
巾２Ｖｃと選択電位と保持電位の差である｜Ｖａ−Ｖｂ
｜の２つの値が非線形素子特性によって決定されている
点にある。特に非晶質シリコンダイオードを非線形素子
として使用する場合には閾値電圧Vth2が電流印加によっ
て大きく変動する事が知られている。このため従来法の
如く全電位を比例的に変動させたのでは２Ｖｃ、Ｖａ−
Ｖｂの比例的に変化してしまい、書き込み特性、保持特
性ともに最適値からずれてしまう。
巾２Ｖｃと選択電位と保持電位の差である｜Ｖａ−Ｖｂ
｜の２つの値が非線形素子特性によって決定されている
点にある。特に非晶質シリコンダイオードを非線形素子
として使用する場合には閾値電圧Vth2が電流印加によっ
て大きく変動する事が知られている。このため従来法の
如く全電位を比例的に変動させたのでは２Ｖｃ、Ｖａ−
Ｖｂの比例的に変化してしまい、書き込み特性、保持特
性ともに最適値からずれてしまう。
以上述べた如く、従来の表示装置では最適な駆動は難し
かった。
かった。
本発明は以上のような従来の欠点を解決するものであ
り、温度変動や経時的な現象によって非線形素子特性が
変化しても常に最適な駆動を可能とするものである。
り、温度変動や経時的な現象によって非線形素子特性が
変化しても常に最適な駆動を可能とするものである。
本発明は前記目的を達成するために、選択電位±Ｖａと
保持電位±Ｖｂの差｜Ｖａ−Ｖｂ｜を独立に調節する走
査電圧調節手段が設けられており、常に最適駆動を可能
としている。更に、本発明では参照用の非線形素子やダ
イオードを表示パネル上に搭載し、その特性に基づいて
前記｜Ｖａ−Ｖｂ｜を調節する事により自動的に駆動電
圧を最適化している。
保持電位±Ｖｂの差｜Ｖａ−Ｖｂ｜を独立に調節する走
査電圧調節手段が設けられており、常に最適駆動を可能
としている。更に、本発明では参照用の非線形素子やダ
イオードを表示パネル上に搭載し、その特性に基づいて
前記｜Ｖａ−Ｖｂ｜を調節する事により自動的に駆動電
圧を最適化している。
第７図は本発明の表示パネルの実施例のブロック図であ
る。表示パネル４１、データドライバ４２、走査ドライ
バ４３、コントローラ４４は第４図の従来例と同一であ
る。
る。表示パネル４１、データドライバ４２、走査ドライ
バ４３、コントローラ４４は第４図の従来例と同一であ
る。
本発明の特徴は電源回路８５にある。第８図は電源回路
８５のブロック図である。
８５のブロック図である。
１３４は電源、１３１は｜Ｖａ−Ｖｂ｜設定回路、１３
２はＶｂ設定回路、１３３は演算回路である。８８は第
７図にも示したが表示パネル上に搭載された参照用素子
であり、信号線８６、８７に通じて｜Ｖａ−Ｖｂ｜設定
回路１３１に接続されている。
２はＶｂ設定回路、１３３は演算回路である。８８は第
７図にも示したが表示パネル上に搭載された参照用素子
であり、信号線８６、８７に通じて｜Ｖａ−Ｖｂ｜設定
回路１３１に接続されている。
｜Ｖａ−Ｖｂ｜設定回路は参照用素子８８の特性に応じ
て電圧｜Ｖａ−Ｖｂ｜を設定し演算回路１３３に入力す
る。
て電圧｜Ｖａ−Ｖｂ｜を設定し演算回路１３３に入力す
る。
Ｖｂ設定回路１３２は例えば第８図に示した可変抵抗等
であり、最適コントラストを得る保持電位Ｖｂを設定し
演算回路１３３に供給する。
であり、最適コントラストを得る保持電位Ｖｂを設定し
演算回路１３３に供給する。
演算回路１３３はＶａ−ＶｂとＶｂから選択電位±Ｖａ
と保持電位±Ｖｂを演算し、走査ドライバに供給する。
と保持電位±Ｖｂを演算し、走査ドライバに供給する。
第９図は｜Ｖａ−Ｖｂ｜設定回路１３１の一実施例であ
る。参照用素子９１は表示パネルの各画素に用いられた
と同じ構成の非線形素子である。８９は該参照用非線形
素子と電源１３４に対し直列に接続された負荷抵抗であ
る。
る。参照用素子９１は表示パネルの各画素に用いられた
と同じ構成の非線形素子である。８９は該参照用非線形
素子と電源１３４に対し直列に接続された負荷抵抗であ
る。
第１０図は縦軸は電流Ｉ，横軸は電圧Ｖであり曲線１０
１は非線形素子特性、直線１０２は負荷抵抗８９の特性
である。交点１０３が非線形素子９１と負荷抵抗８９を
直列に接続した時流れる電流と分割される電圧を示す。
系を流れる電流が前述した選択位相で流れる電流Ｉ２と
なる様にすると自動的に最適な｜Ｖａ−Ｖｂ｜が９６の
点に得られる。負荷抵抗８９を可変にしておくと直線１
０２を矢印１０４の様に変える事ができ、電流Ｉ２を微
調できる。
１は非線形素子特性、直線１０２は負荷抵抗８９の特性
である。交点１０３が非線形素子９１と負荷抵抗８９を
直列に接続した時流れる電流と分割される電圧を示す。
系を流れる電流が前述した選択位相で流れる電流Ｉ２と
なる様にすると自動的に最適な｜Ｖａ−Ｖｂ｜が９６の
点に得られる。負荷抵抗８９を可変にしておくと直線１
０２を矢印１０４の様に変える事ができ、電流Ｉ２を微
調できる。
第１１図（ａ）は前出願の特願昭５７−１６７９４３号
（特開昭５９−５７２８８号公報、特願昭５７−１６７
９４４号（特開昭５９−５７２８７号公報）および特願
昭５７−１６７９４５号（特開昭５９−５７２７３号公
報）で明らかにした並列逆方向接続された２つのダイオ
ード１１１、１１２による非線形素子である。このよう
な非線形素子を用いる時は参照用素子として（ａ）の構
成の非線形素子を用いてもよいが（ｂ）の如く単一のダ
イオード１１０を用いてもよい。（ｂ）の点線内８８を
第９図の点線内８８と置き換えても全く同様の効果が得
られる。
（特開昭５９−５７２８８号公報、特願昭５７−１６７
９４４号（特開昭５９−５７２８７号公報）および特願
昭５７−１６７９４５号（特開昭５９−５７２７３号公
報）で明らかにした並列逆方向接続された２つのダイオ
ード１１１、１１２による非線形素子である。このよう
な非線形素子を用いる時は参照用素子として（ａ）の構
成の非線形素子を用いてもよいが（ｂ）の如く単一のダ
イオード１１０を用いてもよい。（ｂ）の点線内８８を
第９図の点線内８８と置き換えても全く同様の効果が得
られる。
第１２図は｜Ｖａ−Ｖｂ｜設定回路１３１の他の実施例
である。１２７は発振回路、１２２はコンデンサ、９１
は参照用非線形素子であり、１２８の点には非線形素子
の閾値電圧Vth2にほぼ比例した片極性振巾を持つ交流信
号が発生する１２６は整流素子１２５、コンデンサ１２
４、抵抗からなる平滑化回路であり、閾値電圧Vth2に比
例した直流電圧を増巾回路１２１に供給する。増巾回路
はこの直流電圧を増巾して最適な電圧｜Ｖａ−Ｖｂ｜を
得る。
である。１２７は発振回路、１２２はコンデンサ、９１
は参照用非線形素子であり、１２８の点には非線形素子
の閾値電圧Vth2にほぼ比例した片極性振巾を持つ交流信
号が発生する１２６は整流素子１２５、コンデンサ１２
４、抵抗からなる平滑化回路であり、閾値電圧Vth2に比
例した直流電圧を増巾回路１２１に供給する。増巾回路
はこの直流電圧を増巾して最適な電圧｜Ｖａ−Ｖｂ｜を
得る。
第１３図は第８図の演算回路１３３の一例である。９２
はボルテージフォロア回路でＶｂを電流増巾し保持電位
＋Ｖｂとして出力する。９３は反転増巾器でありＶｂを
極性反転し保持電位−Ｖｂとして出力する。９４、９５
はオペアンプでありＶａ−ＶｂとＶｂから選択電位±Ｖ
ａを出力する。
はボルテージフォロア回路でＶｂを電流増巾し保持電位
＋Ｖｂとして出力する。９３は反転増巾器でありＶｂを
極性反転し保持電位−Ｖｂとして出力する。９４、９５
はオペアンプでありＶａ−ＶｂとＶｂから選択電位±Ｖ
ａを出力する。
以上の実施例に示した如く、本発明では選択電位±Ｖ
ａ、保持電位±Ｖｂを設定するのではなく、｜Ｖａ−Ｖ
ｂ｜とＶｂを独立に設定し、そこから選択電位±Ｖａ、
保持電位±Ｖｂを求めていく所に特徴がある。
ａ、保持電位±Ｖｂを設定するのではなく、｜Ｖａ−Ｖ
ｂ｜とＶｂを独立に設定し、そこから選択電位±Ｖａ、
保持電位±Ｖｂを求めていく所に特徴がある。
保持電圧±Ｖｂは表示素子の駆動中心電圧に対応し温度
等によって変えなくてはならない事が多い。一方｜Ｖａ
−Ｖｂ｜は非線形素子の閾値電圧Vth2に対応するもので
あり表示素子特性と変化の様子が異なる場合が多い。も
し選択電位Ｖａと保持電位Ｖｂの独立に設定すると、表
示素子又は非線形素子のいずれか一方の特性が変化した
場合でも両電位共動かさねばならず最適に合せ込むのは
極めて困難である。しかし本発明の如く｜Ｖａ−Ｖｂ｜
とＶｂを独立に設定すると、表示素子特性の変化に対し
てはＶｂを、非線形素子特性の変化に対しては｜Ｖａ−
Ｖｂ｜をのみ調節すればよく極めて易く駆動電圧を最適
化する事ができる。
等によって変えなくてはならない事が多い。一方｜Ｖａ
−Ｖｂ｜は非線形素子の閾値電圧Vth2に対応するもので
あり表示素子特性と変化の様子が異なる場合が多い。も
し選択電位Ｖａと保持電位Ｖｂの独立に設定すると、表
示素子又は非線形素子のいずれか一方の特性が変化した
場合でも両電位共動かさねばならず最適に合せ込むのは
極めて困難である。しかし本発明の如く｜Ｖａ−Ｖｂ｜
とＶｂを独立に設定すると、表示素子特性の変化に対し
てはＶｂを、非線形素子特性の変化に対しては｜Ｖａ−
Ｖｂ｜をのみ調節すればよく極めて易く駆動電圧を最適
化する事ができる。
更に本発明では表示パネル上に参照用素子を搭載し、そ
の特性変化に応じて｜Ｖａ−Ｖｂ｜を設定している。こ
の事により温度による非線形素子特性の変化等は全く自
動的に補償し得る。又、非晶質シリコンダイオードは電
流印加によって閾値電圧Vth2が変動するため、長期間の
駆動によっては｜Ｖａ−Ｖｂ｜を設定しなおさないとな
らない。しかし本発明の例えば第１２図の実施例を用い
発振器１２７及び容量１２２を適当に設定して非線形素
子に流れる電流を実駆動条件とほぼ等しくしておけば自
動的に最適化される。又電流印加に対する特性変化は直
流とパルスで異なるが等価的な電流値は存在するため、
第９図の実施例でも直流電流を実駆動条件と同等の効果
が生じるように設定しておけば自動的に｜Ｖａ−Ｖｂ｜
は最適化れる。
の特性変化に応じて｜Ｖａ−Ｖｂ｜を設定している。こ
の事により温度による非線形素子特性の変化等は全く自
動的に補償し得る。又、非晶質シリコンダイオードは電
流印加によって閾値電圧Vth2が変動するため、長期間の
駆動によっては｜Ｖａ−Ｖｂ｜を設定しなおさないとな
らない。しかし本発明の例えば第１２図の実施例を用い
発振器１２７及び容量１２２を適当に設定して非線形素
子に流れる電流を実駆動条件とほぼ等しくしておけば自
動的に最適化される。又電流印加に対する特性変化は直
流とパルスで異なるが等価的な電流値は存在するため、
第９図の実施例でも直流電流を実駆動条件と同等の効果
が生じるように設定しておけば自動的に｜Ｖａ−Ｖｂ｜
は最適化れる。
勿論｜Ｖａ−Ｖｂ｜は参照用素子特性によらず例えば第
８図１３２のＶｂ設定と同様にボリウム等で外部から設
定しても有効である。又第９図の如く自動設定と微調を
併用してもよい。
８図１３２のＶｂ設定と同様にボリウム等で外部から設
定しても有効である。又第９図の如く自動設定と微調を
併用してもよい。
以上述べた如く、本発明を用いれば非線形素子特性の変
化を表示素子特性の変化と独立して補償する事が可能で
あり駆動電圧が極めて容易に最適化される。又、温度、
経時変化等による影響を自動的に取り除く事が可能であ
る。この様に本発明は非線形素子を用いたアクティブマ
トリクスの表示品質の安定と向上に非常に有効である。
化を表示素子特性の変化と独立して補償する事が可能で
あり駆動電圧が極めて容易に最適化される。又、温度、
経時変化等による影響を自動的に取り除く事が可能であ
る。この様に本発明は非線形素子を用いたアクティブマ
トリクスの表示品質の安定と向上に非常に有効である。
第１図は非線形抵抗素子を用いた表示パネルの等価回路
図、第２図は非線形抵抗素子の特性図、第３図は保持位
相付駆動法の駆動波形図、第４図は従来の液晶表示装置
のブロック図、第５図はその電源回路図、第６図は非晶
質Ｓｉダイオードリングを用いた非線形抵抗素子特性
図、第７図は本発明の液晶表示装置のブロック図、第８
図は本発明の電源回路のブロック図、第９、１２図は｜
Ｖａ−Ｖｂ｜設定回路の実施例で、第９図は電流−電圧
特性図、第１２図は回路図、第１０図は非線形素子と負
荷抵抗の電流−電圧特性図、第１１図は非線形素子及び
ダイオード、第１３図は演算回路の回路図である。 ＮＬ（ｉ、ｊ）……非線形素子、 ＬＣ（ｉ、ｊ）……表示素子、 Ｓ（Ｓ１、Ｓ２……）……走査電極、 Ｄ（Ｄ１、Ｄ２……）……データ電極、 ±Ｖａ……選択電位、 ±Ｖｂ……保持電位、 ±Ｖｃ……データ電位。
図、第２図は非線形抵抗素子の特性図、第３図は保持位
相付駆動法の駆動波形図、第４図は従来の液晶表示装置
のブロック図、第５図はその電源回路図、第６図は非晶
質Ｓｉダイオードリングを用いた非線形抵抗素子特性
図、第７図は本発明の液晶表示装置のブロック図、第８
図は本発明の電源回路のブロック図、第９、１２図は｜
Ｖａ−Ｖｂ｜設定回路の実施例で、第９図は電流−電圧
特性図、第１２図は回路図、第１０図は非線形素子と負
荷抵抗の電流−電圧特性図、第１１図は非線形素子及び
ダイオード、第１３図は演算回路の回路図である。 ＮＬ（ｉ、ｊ）……非線形素子、 ＬＣ（ｉ、ｊ）……表示素子、 Ｓ（Ｓ１、Ｓ２……）……走査電極、 Ｄ（Ｄ１、Ｄ２……）……データ電極、 ±Ｖａ……選択電位、 ±Ｖｂ……保持電位、 ±Ｖｃ……データ電位。
Claims (4)
- 【請求項１】複数の走査電極と複数のデータ電極の交点
毎に配置された画素が、非線形素子と表示素子から成る
表示パネルを有し、該走査電極に、選択位相では±Ｖａ
の選択電位、該選択位相に続く保持位相では少なくとも
初期に±Ｖｂの保持電位を印加し、データ電極には映像
に応じたデータ信号を印加する表示装置において、該表
示パネルの表示状態を検出する手段と、該検出手段の検
出結果に応じて、選択電位と保持電位の差｜Ｖａ−Ｖｂ
｜を調節する、走査電圧調節手段を設けたことを特徴と
する表示装置。 - 【請求項２】表示状態を検出する手段は、表示パネル上
に設けられた参照用非線形素子と、該非線形素子の電圧
−電流特性の変化を検出する回路から成ることを特徴と
する特許請求の範囲１項記載の表示装置。 - 【請求項３】各画素の非線形素子が複数のダイオードに
より構成されており、参照用非線形素子も該ダイオード
を用いていることを特徴とする特許請求の範囲２項記載
の表示装置。 - 【請求項４】走査電圧調節手段は、表示装置の外部か
ら、選択電位と保持電位の差｜Ｖａ−Ｖｂ｜を調節でき
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055356A JPH068937B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59055356A JPH068937B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200229A JPS60200229A (ja) | 1985-10-09 |
| JPH068937B2 true JPH068937B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=12996215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59055356A Expired - Lifetime JPH068937B2 (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068937B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4738514A (en) * | 1986-01-16 | 1988-04-19 | Rca Corporation | Crystal variation compensation circuit for liquid crystal displays |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917782A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | Seiko Epson Corp | 液晶表示式受像装置 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59055356A patent/JPH068937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60200229A (ja) | 1985-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |