JPS60195947A - 金属化表面を有する半導体材料のチツプを金属細条にはんだ付けする方法 - Google Patents
金属化表面を有する半導体材料のチツプを金属細条にはんだ付けする方法Info
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- JPS60195947A JPS60195947A JP60033018A JP3301885A JPS60195947A JP S60195947 A JPS60195947 A JP S60195947A JP 60033018 A JP60033018 A JP 60033018A JP 3301885 A JP3301885 A JP 3301885A JP S60195947 A JPS60195947 A JP S60195947A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の自動組立中半導体材料のチップを
金属支持体にはんだ付けする方法に関するものである◎ （従来の技術） 代表的な半導体装置は、主表面を金μ化して例えば好適
に処理されたシリコンチップのような能動・部品と、チ
ップをはんだ付けする金属基板部品と、チップの予定区
域に電気接続され半導体装置の電極として作用する複数
個の金属部品とにより構成する。この半導体装置は、電
極の端子部分及び金属支持（基板）部品の表面区域以外
はその全、部をプラスチック本体内に埋設する。
金属支持体にはんだ付けする方法に関するものである◎ （従来の技術） 代表的な半導体装置は、主表面を金μ化して例えば好適
に処理されたシリコンチップのような能動・部品と、チ
ップをはんだ付けする金属基板部品と、チップの予定区
域に電気接続され半導体装置の電極として作用する複数
個の金属部品とにより構成する。この半導体装置は、電
極の端子部分及び金属支持（基板）部品の表面区域以外
はその全、部をプラスチック本体内に埋設する。
この種半導体装置の自動製造装置による組立中、複数の
同一の半導体装置に対し設計された基板部品は、例えば
ニッケル鋼の金属シートからせん断により通常得ると共
にその残部は自動処理の終了時までシート金属の舌片部
により細条に互に連結したままとしておく。
同一の半導体装置に対し設計された基板部品は、例えば
ニッケル鋼の金属シートからせん断により通常得ると共
にその残部は自動処理の終了時までシート金属の舌片部
により細条に互に連結したままとしておく。
半導体チップをシート金属細条にはんだ付けする際に既
知の方法では融点の低い金属合金例えばほぼ８００°Ｃ
の温度で溶融する鉛９０％、錫１０％の合金を用いる。
知の方法では融点の低い金属合金例えばほぼ８００°Ｃ
の温度で溶融する鉛９０％、錫１０％の合金を用いる。
この種の合金は融点の高い他の合金に対し有利である。
その理由はこの合金は左程剛固でなく、従って半導体装
置の常規作動時に含まれる温度変動中学導体チップに生
ずる機械的応力を好適に吸収し得るからである。しかし
、この種の合金を用いるためには連結すべき構成部品の
金属表面をこの合金の洛中にその融点で完全に浸す必要
がある。この目的のためには半導体チップを得るシリコ
ンウェファを適宜処理して通常種々の金属の一連の層の
最経層とする貴金属例えば金によって基板表面が被覆さ
れるようにする。
置の常規作動時に含まれる温度変動中学導体チップに生
ずる機械的応力を好適に吸収し得るからである。しかし
、この種の合金を用いるためには連結すべき構成部品の
金属表面をこの合金の洛中にその融点で完全に浸す必要
がある。この目的のためには半導体チップを得るシリコ
ンウェファを適宜処理して通常種々の金属の一連の層の
最経層とする貴金属例えば金によって基板表面が被覆さ
れるようにする。
この金属シートも多くの場合貴金属により少くともチッ
プをはんだ付けする必要のある区域に鍍金する。
プをはんだ付けする必要のある区域に鍍金する。
はんだ付けは、はんだ合金の小片をシート上に載せ、そ
の上に半導体チップを載せ、次いで全体をはんだ合金の
融点まで加熱することにより行う。
の上に半導体チップを載せ、次いで全体をはんだ合金の
融点まで加熱することにより行う。
（発明が解決しようとする問題点）
貴金属によるシート金属の鍍金を省略することもできる
。この場合にははんだ付は処理前に細条の表面に通常位
置する酸化物層を除去する特定の手段を用いる必要があ
るが材料及び労力を節約することができる。何れの場合
にも上述した組立て処理には高精度の作業が含まれ、従
って自動化に当り比較的複雑な機械を用いる必要があり
、従って異常作動を起し易くなり、保守を充分に行う必
要がある。
。この場合にははんだ付は処理前に細条の表面に通常位
置する酸化物層を除去する特定の手段を用いる必要があ
るが材料及び労力を節約することができる。何れの場合
にも上述した組立て処理には高精度の作業が含まれ、従
って自動化に当り比較的複雑な機械を用いる必要があり
、従って異常作動を起し易くなり、保守を充分に行う必
要がある。
処理を簡単化し且つ自動組立てを迅速且つ信頼性をもっ
て行うためにはんだ合金をシリコンウェファの背後に直
接被着することが提案された。しかし、この提案は満足
し得るものではない。その理由ははんだ付は材料が比較
的肉厚で、軟い層である関係上ウェファの切断生新たに
浪費が生ずるからである。
て行うためにはんだ合金をシリコンウェファの背後に直
接被着することが提案された。しかし、この提案は満足
し得るものではない。その理由ははんだ付は材料が比較
的肉厚で、軟い層である関係上ウェファの切断生新たに
浪費が生ずるからである。
本発明の目的は、自動組立てに好適で、しかもチップを
得る半導体材料のウェファに何等追加の作業を必要とす
ることな・＜、半導体材料のチップを金属基板にはんだ
付けする方法を提供せんとするにある。
得る半導体材料のウェファに何等追加の作業を必要とす
ることな・＜、半導体材料のチップを金属基板にはんだ
付けする方法を提供せんとするにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的のため、本発明は、はんだ合金をシート金属の
細条に鍍金により被着することを特徴とする。
細条に鍍金により被着することを特徴とする。
（実施例）
このはんだ合金の鍍金は、例えば先ず合金を電気化学堆
積により被着し１次いで適当なマスク処理を施してチッ
プの固着区域にのみ合金を限定することによって行う。
積により被着し１次いで適当なマスク処理を施してチッ
プの固着区域にのみ合金を限定することによって行う。
この鍍金処理は金属シートの処理中、特にシートのせん
新前、又は後の工程中に行うことができる。
新前、又は後の工程中に行うことができる。
（発明の効果）
かようにして処理したシートの細条を用いることによっ
て、はんだ合金片の位置決め作業及びその接続すべき金
属表面に存在し得る酸化物層の除去作業を省略し得ると
共にウェファに何等信の処理を必要としないようにする
ことができる。これがため、半導体装置の自動組立てを
簡単且つ一層信頼性をもって行うことができ従って一層
経済的な半導体装置の製造方法を提供することができる
。
て、はんだ合金片の位置決め作業及びその接続すべき金
属表面に存在し得る酸化物層の除去作業を省略し得ると
共にウェファに何等信の処理を必要としないようにする
ことができる。これがため、半導体装置の自動組立てを
簡単且つ一層信頼性をもって行うことができ従って一層
経済的な半導体装置の製造方法を提供することができる
。
ソシエタ・ベル拳アチオニ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 金属化表面を有する半導体材料のチップを金属細条
にはんだ付けするに当り、半導体チップの金属化表面と
金属細条の予定区域との間に低融点はんだ合金を設け、
この金属細条を加熱して半導体チップが金属細条上に位
置する際に前記はんだ合金を溶融せしめるようにしたも
のにおいて、前記はんだ合金を、上記金属細条の少くと
も予定区域に鍍金により被着することを特徴とする金属
化表面を有する半導体材料のチップを金属細条にはんだ
付けする方法◇ ｉ はんだ合金の鍍金は、鉛及び錫を夫々９５重量％及
び５重量％の割合で電気化学堆積させることにより行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属化表
面を有する半導体材料のチップを金属細条にはんだ付け
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8419749A IT1213144B (it) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | Processo per la saldatura di piastrine di materiale semiconduttore ad un supporto metallico nell'assemblaggio automatico di dispositivi a semiconduttore. |
| IT19749A/84 | 1984-02-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195947A true JPS60195947A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=11160907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033018A Pending JPS60195947A (ja) | 1984-02-23 | 1985-02-22 | 金属化表面を有する半導体材料のチツプを金属細条にはんだ付けする方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195947A (ja) |
| KR (1) | KR850006778A (ja) |
| FR (1) | FR2560438A1 (ja) |
| GB (1) | GB2154489A (ja) |
| IT (1) | IT1213144B (ja) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL112296C (ja) * | 1955-05-23 | |||
| US3530231A (en) * | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Ibm | Bonding high density interconnection lines |
| GB1485051A (en) * | 1974-01-04 | 1977-09-08 | Fulmer Res Inst Ltd | Diffusion bonding of aluminium alloy parts |
| GB1457806A (en) * | 1974-03-04 | 1976-12-08 | Mullard Ltd | Semiconductor device manufacture |
| US3925808A (en) * | 1974-08-08 | 1975-12-09 | Westinghouse Electric Corp | Silicon semiconductor device with stress-free electrodes |
| US3956821A (en) * | 1975-04-28 | 1976-05-18 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method of attaching semiconductor die to package substrates |
| GB2021027A (en) * | 1978-03-23 | 1979-11-28 | Gen Electric Co Ltd | Making solder joints on printed wiring beards |
| WO1982002457A1 (en) * | 1980-12-30 | 1982-07-22 | Finn John B | Die attachment exhibiting enhanced quality and reliability |
-
1984
- 1984-02-23 IT IT8419749A patent/IT1213144B/it active
-
1985
- 1985-02-15 FR FR8502169A patent/FR2560438A1/fr not_active Withdrawn
- 1985-02-20 GB GB08504314A patent/GB2154489A/en not_active Withdrawn
- 1985-02-21 KR KR1019850001085A patent/KR850006778A/ko not_active Application Discontinuation
- 1985-02-22 JP JP60033018A patent/JPS60195947A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2560438A1 (fr) | 1985-08-30 |
| GB2154489A (en) | 1985-09-11 |
| KR850006778A (ko) | 1985-10-16 |
| IT1213144B (it) | 1989-12-14 |
| GB8504314D0 (en) | 1985-03-20 |
| IT8419749A0 (it) | 1984-02-23 |
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