FR2560438A1 - Procede pour la soudure de plaquettes de matiere semi-conductrice a un support metallique dans l'assemblage automatique de dispositifs a semi-conducteur - Google Patents
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
LES SUPPORTS METALLIQUES POUR UNE MULTIPLICITE DE DISPOSITIFS SONT UNIS ENTRE EUX EN BANDES CONTINUES. UN ALLIAGE SOUDANT A BASSE TEMPERATURE DE FUSION EST APPLIQUE PAR PLACAGE SUR LES BANDES. AU COURS DE L'ASSEMBLAGE AUTOMATIQUE, LA BANDE EST CHAUFFEE A LA TEMPERATURE DE FUSION DE L'ALLIAGE, TANDIS QUE LES PLAQUETTES SONT PLACEES SUR DES ZONES PREDEFINIES DE CETTE BANDE.
Description
La présente invention concerne les dispositifs à semicon-
ducteur et, plus précisément, un procédé pour souder des plaquet-
tes de matière semiconductrice à un support métallique, dans
l'assemblage automatique de ces dispositifs.
Un dispositif à semiconducteur typique est constitué d'un composant actif, par exemple une plaquette de silicium,
convenablement préparé et comportant une grande surface métal-
lisée, d'un élément métallique de support sur lequel est soudée la plaquette et d'une multiplicité d'éléments métalliques en contact électrique avec des zones prédéfinies de la plaquette, servant d'électrodes du dispositif. Le tout, à l'exception des parties terminales des électrodes et d'une surface de l'élément métallique de support, est incorporé dans un corps de plastique (cf. par exemple la demande de brevet FR 83 19095 déposée le
30 novembre 1983 par la Demanderesse).
Au cours de l'assemblage de dispositifs de ce type au moyen d'appareils automatiques, les éléments de support destinés
à une multiplicité de dispositifs semblables sont tirés, d'habi-
tude par découpage, d'une tôle métallique fine, par exemple de cuivre nickelé, et restent unis entre eux en bande, au moyen d'une languette de tôle fine, jusqu'à l'achèvement du travail automatique. Pour le soudage des plaquettes à la bande de tôle fine, un procédé connu prévoit l'utilisation d'un alliage métallique à basse température de fusion, par exemple un alliage de plomb à 90 % et d'étain à 10 %, qui fond à la température de 300 C environ. Un alliage de ce genre est avantageux, par rapport à d'autres qui sont caractérisé par des températures de fusion plus élevées, parce qu'il permet une fixation qui n'est pas
trop rigide et, par conséquent, une bonne absorption des solli-
citations mécaniques qui s'exercent sur la plaquette lors des
variations thermiques liées au fonctionnement normal du dispo-
sitif. Toutefois, pour pouvoir utiliser ce type d'alliage, il est nécessaire que les surfaces métalliques des parties à unir soient parfaitement mouillables par l'alliage à sa température de fusion. A cet effet, les tranches de silicium d'o sont tirées les plaquettes sont traitées de telle manière que leur surface de fond soit recouverte d'une couche de métal noble, par exemple d'or, qui est d'habitude la dernière d'une série de couches métalliques différentes. De même, la tôle fine est, dans bien des cas, plaquée d'un métal noble, au moins dans les
zones dans lesquelles la plaquette doit être soudée.
La soudure est effectuée en plaçant un petit disque d'al-
liage soudant sur la tôle fine, sur lequel est ensuite placée une plaquette, et en chauffant le tout à la température de fusion
de l'alliage soudant.
Le placage de la tôle- fine avec un métal noble peut même être omis, ce qui entraîne une économie évidente de matières
et de main-d'oeuvre, mais cela nécessite l'application de dispo-
sitions particulières pour éliminer la couche d'oxyde qui se trou-
ve normalement sur la surface de la tôle métallique avant l'opé-
ration de soudage (cf. par exemple la demande de brevet FR 83 10873 déposée par la Demanderesse le 30 juin 1983). En tout cas, le procédé d'assemblage décrit ci-dessus exige des opérations
de haute précision qui, pour être automatisées, impliquent l'uti-
lisation d'appareils relativement compliqués qui sont, par conséquent, facilement sujets aux dérangements et, de toute
façon, nécessitent un service d'entretien rigoureux.
Pour simplifier le procédé et, par suite, rendre plus rapide et plus sûr l'assemblage automatique, il a été proposé d'appliquer directement l'alliage soudant sur la face arrière de la tranche de silicium. Mais cette solution s'est révélée peu appropriée, car elle introduit de nouvelles causes de mise au rebut lors de la coupe de la tranche, en raison de la présence
de la couche relativement épaisse et tendre de matière soudante.
Le but de la présente invention est de mettre au point un procédé pour la soudure de plaquettes de matière semiconductrice
à un support métallique, procédé qui se prête à l'assem-
blage automatique et qui ne nécessite pas d'opérations supplé-
mentaires sur la tranche de matière semiconductrice d'o sont
tirées les plaquettes.
Ce but est atteint, d'après l'invention, par le fait que l'alliage soudant est appliqué sur la bande de tôle métallique fine par placage. Le placage peut être obtenu par exemple par dépôt électrochimique et il peut être limité, au moyen d'un masquage approprié, aux seules zones sur lesquelles est prévue la fixation des plaquettes. Il peut être exécuté pendant la transformation de la tôle fine, en une phase qui précède ou qui
suit le découpage de celle-ci.
L'utilisation de bandes de tale fine ainsi traitées permet d'éviter l'opération de prélèvement et de mise en place des petits disques d'alliage soudant, ainsi que l'opération
d'élimination de l'oxyde éventuellement présent sur les surfa-
ces métalliques à unir et, évidemment, un quelconque traitement supplélentaire de la tranche. On dispose ainsi d'un procédé d'assemblage plus simple et plus fiable et, en définitive,
d'un procédé de fabrication plus économique.
REVE:NDICATION
Procédé pour souder des plaquettes de matière semiconduc-
trice comportant une face métallisée sur une bande métallioue par application d'un alliage soudant à basse température de fusion entre la face métallisée de la plaquette et des zones prédéfinies de la bande métallique et par chauffage de la bande pour faire fondre l'alliage soudant lorsque les plaquettes sont
en place sur la bande métallique, caractérisé en ce que l'al-
liage soudant est appliqué par placage sur la bande métallique,
au moins sur les zones prédéfinies précitées.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8419749A IT1213144B (it) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | Processo per la saldatura di piastrine di materiale semiconduttore ad un supporto metallico nell'assemblaggio automatico di dispositivi a semiconduttore. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2560438A1 true FR2560438A1 (fr) | 1985-08-30 |
Family
ID=11160907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8502169A Withdrawn FR2560438A1 (fr) | 1984-02-23 | 1985-02-15 | Procede pour la soudure de plaquettes de matiere semi-conductrice a un support metallique dans l'assemblage automatique de dispositifs a semi-conducteur |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195947A (fr) |
| KR (1) | KR850006778A (fr) |
| FR (1) | FR2560438A1 (fr) |
| GB (1) | GB2154489A (fr) |
| IT (1) | IT1213144B (fr) |
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| IT8419749A0 (it) | 1984-02-23 |
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