JPS60195935A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS60195935A JPS60195935A JP5094584A JP5094584A JPS60195935A JP S60195935 A JPS60195935 A JP S60195935A JP 5094584 A JP5094584 A JP 5094584A JP 5094584 A JP5094584 A JP 5094584A JP S60195935 A JPS60195935 A JP S60195935A
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- Japan
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- chamber
- processing
- gate valve
- exhaust chamber
- preliminary exhaust
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はロードロック方式の半導体製造装置に関し、特
にカセットウェハの処理に有効な半導体ｉ造装置忙関す
るものである。
にカセットウェハの処理に有効な半導体ｉ造装置忙関す
るものである。
徒米、半導体ウェハＫ、たとえばプラズマエツチング処
理を行なう半導体製造装置においては、処理室の真空１
ｆ’に破ることなくウェハを一枚ずつ出し入れすること
ができるよう、処理室に予備排気−を備えたロードミッ
ク方式が採用されている（電子材料１９８１年別冊工業
調査会発行、昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ１３１−
Ｐ１３６）。この場合、処理室１と予備排気室２は第１
図の如く被処理−の流れが直線方向となるように配置す
ることが考えられる。従って外界から予備排気室２へ被
処理物の出し入れ７行なう作業域３も図示斜線で示す如
く前記直線方向にある。このため前記直線方向の床面積
として処理室１と予備排気室２の床面積の他に作業域３
０床面積を必要とし、前記［１ｆｓ方向の使用する床の
長さが長い。このように製造装置前面の通路などの作業
域４の他に、常に固定した位置に作業域３を必要とする
ため、予備排気Ｎ２に隣接して他の装置５を設置するこ
とはできず、従って床面積の使用できる面積に制約があ
る場合など、床面積の有効利用の上で好ましくなく、生
産コストが増大する一因となるという問題があることが
本発明者によって明らかＫされた。
理を行なう半導体製造装置においては、処理室の真空１
ｆ’に破ることなくウェハを一枚ずつ出し入れすること
ができるよう、処理室に予備排気−を備えたロードミッ
ク方式が採用されている（電子材料１９８１年別冊工業
調査会発行、昭和５６年１１月１０日発行、Ｐ１３１−
Ｐ１３６）。この場合、処理室１と予備排気室２は第１
図の如く被処理−の流れが直線方向となるように配置す
ることが考えられる。従って外界から予備排気室２へ被
処理物の出し入れ７行なう作業域３も図示斜線で示す如
く前記直線方向にある。このため前記直線方向の床面積
として処理室１と予備排気室２の床面積の他に作業域３
０床面積を必要とし、前記［１ｆｓ方向の使用する床の
長さが長い。このように製造装置前面の通路などの作業
域４の他に、常に固定した位置に作業域３を必要とする
ため、予備排気Ｎ２に隣接して他の装置５を設置するこ
とはできず、従って床面積の使用できる面積に制約があ
る場合など、床面積の有効利用の上で好ましくなく、生
産コストが増大する一因となるという問題があることが
本発明者によって明らかＫされた。
本発明の目的は床面積の有効活用ン図ることができるよ
うにし、生産コストの低減を図ることができるようにし
た半導体製造装置を提供することにある。
うにし、生産コストの低減を図ることができるようにし
た半導体製造装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかＫなるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかＫなるであ
ろう。
本Ｍにおいて開示される発明のうち代表的なものの概要
ン簡単に説明すれば、下記のとおりである。
ン簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、処理室に予備排気ＭＹ接続してなるロードロ
ック方式の半導体製造装置において、前記予備排気室の
周面上に設け、かつ被処理物を外界と出し入するための
ゲートバルブを、前記処理室に対し被処理物を出し入れ
する方向とは異なる位置で開閉できるように構成したこ
とＫより、装置のレイアウトが自由にでき、床面積の有
効活用を図ることができ、従って生産コストの低減を図
ることができるものである。
ック方式の半導体製造装置において、前記予備排気室の
周面上に設け、かつ被処理物を外界と出し入するための
ゲートバルブを、前記処理室に対し被処理物を出し入れ
する方向とは異なる位置で開閉できるように構成したこ
とＫより、装置のレイアウトが自由にでき、床面積の有
効活用を図ることができ、従って生産コストの低減を図
ることができるものである。
本実施例では、特にウェハｔカセットに収納したものｔ
処理室に入れて、ウエノ・に対しＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法（こ
こでは減圧ＣＶＤ法）′ＶＣよる処理を施す場合を例に
とって以下説明する。
処理室に入れて、ウエノ・に対しＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法（こ
こでは減圧ＣＶＤ法）′ＶＣよる処理を施す場合を例に
とって以下説明する。
第２図は、本発明の一実施例である減圧ＣＶＤ装置を示
す概略破砕平面図を示し、第３図は、その概略破砕側面
図を示す。
す概略破砕平面図を示し、第３図は、その概略破砕側面
図を示す。
第２図および第３図において、１１は処理室であって、
ここでは減圧ＣＶＤ法によりウエノ′−に膜（たとえば
絶縁膜）Ｙ形成する場合を示している。
ここでは減圧ＣＶＤ法によりウエノ′−に膜（たとえば
絶縁膜）Ｙ形成する場合を示している。
この処理室１１は円筒状の石英管１２０周面上にたとえ
ば誘導加熱のヒータ１３が配置されており、石英管１２
の一端部には排気音１４か連設され、図示しない排気ポ
ンプにより排気されるようＫなっている。また石架管１
２の他端部側にはガス導入管１５が突出して設けられ、
このガス導入管１５を介してＣＶＤ法による処理を行な
うためのガスが処理室１１に導入されるようＫなってい
る。
ば誘導加熱のヒータ１３が配置されており、石英管１２
の一端部には排気音１４か連設され、図示しない排気ポ
ンプにより排気されるようＫなっている。また石架管１
２の他端部側にはガス導入管１５が突出して設けられ、
このガス導入管１５を介してＣＶＤ法による処理を行な
うためのガスが処理室１１に導入されるようＫなってい
る。
また１６は予備排気室であって、この予備排気室１６は
処理室１１の排気管１４と対向する位置に連結されてお
り、その予備排気室１６はゲートバルブ１７を介して処
理ｉｌｌと連通するようＫなっている。この予備排気室
１６にも排気管１８が設けられており、処理室１１と被
処理物を出し入れする際に予備排気室１６の圧力を処理
室１１の圧力（たとえば０．１ ’ｌ’ｏｒｒ）と同じ
にするために用いられる。更に予備排気室１６０周面上
には被処理物を外界との間で出し入れするための複数の
ゲートバルブ１９、ここでは３個のゲートノ（ルプ１９
ａ〜１９ｃが配設されている。この予備排気室の底部の
底板２０の中央にはモータにより回転駆動される軸２１
がシール部材２２により気密に貫通されており、その軸
２１の一端は底部に配設された円板状の載置台２３の裏
面側に連結されている。モしてモータによって軸２１が
矢印の向きに回転駆動されると、載置台２３が矢印の向
きに回転するようになっている。
処理室１１の排気管１４と対向する位置に連結されてお
り、その予備排気室１６はゲートバルブ１７を介して処
理ｉｌｌと連通するようＫなっている。この予備排気室
１６にも排気管１８が設けられており、処理室１１と被
処理物を出し入れする際に予備排気室１６の圧力を処理
室１１の圧力（たとえば０．１ ’ｌ’ｏｒｒ）と同じ
にするために用いられる。更に予備排気室１６０周面上
には被処理物を外界との間で出し入れするための複数の
ゲートバルブ１９、ここでは３個のゲートノ（ルプ１９
ａ〜１９ｃが配設されている。この予備排気室の底部の
底板２０の中央にはモータにより回転駆動される軸２１
がシール部材２２により気密に貫通されており、その軸
２１の一端は底部に配設された円板状の載置台２３の裏
面側に連結されている。モしてモータによって軸２１が
矢印の向きに回転駆動されると、載置台２３が矢印の向
きに回転するようになっている。
このように構成された半導体製造装置においては、使用
できる床面積のスペースが十分ある場合には、ゲートバ
ルブ１９ｂを使用し、載置台２３ン回転させずに被処理
物（カセット単位のウエノＳ）を石英管１２長手方向に
流すようにして使用することもできる。しかし本発明装
量では、ウエノ・２４Ｙ７．１ｍとえは５０枚とか２５
０枚とか並べて収納したカセット治具２５ン第３図の如
く予備排気室１６の載置８２３に載置し、処理室１１と
同じ圧力（たとえば０．１ Ｔｏｒｒ） Ｋ排気した上
で、ゲートバルブ１９Ｙ開けてカセット治具２５Ｙロー
ラあるいはアーム搬送にて処理室１１へ入れる。ゲート
バルブ１７を閉じて処理室１１ＶｃおいてｅＶＤ処理χ
行なった上で、ゲートバルブ１７を再び開けてカセット
治具２５をローラあるいはアーム搬送にて予備排気室１
６へ取り出しゲートパルプ１７馨閉じる。そして予備排
気Ｍ１６に収納したカセット治具２５’（＋’ゲートパ
ルプ１９ｂ’４介して外界へ取り出して他の工程へ搬送
する。このような操作を繰り返すことになる。
できる床面積のスペースが十分ある場合には、ゲートバ
ルブ１９ｂを使用し、載置台２３ン回転させずに被処理
物（カセット単位のウエノＳ）を石英管１２長手方向に
流すようにして使用することもできる。しかし本発明装
量では、ウエノ・２４Ｙ７．１ｍとえは５０枚とか２５
０枚とか並べて収納したカセット治具２５ン第３図の如
く予備排気室１６の載置８２３に載置し、処理室１１と
同じ圧力（たとえば０．１ Ｔｏｒｒ） Ｋ排気した上
で、ゲートバルブ１９Ｙ開けてカセット治具２５Ｙロー
ラあるいはアーム搬送にて処理室１１へ入れる。ゲート
バルブ１７を閉じて処理室１１ＶｃおいてｅＶＤ処理χ
行なった上で、ゲートバルブ１７を再び開けてカセット
治具２５をローラあるいはアーム搬送にて予備排気室１
６へ取り出しゲートパルプ１７馨閉じる。そして予備排
気Ｍ１６に収納したカセット治具２５’（＋’ゲートパ
ルプ１９ｂ’４介して外界へ取り出して他の工程へ搬送
する。このような操作を繰り返すことになる。
しかし、使用できる床面積に制約があり、第１図に示す
作業域３が使えない場合や床面積を有効に活用したい場
合には次のＪうにすれば効果的である。
作業域３が使えない場合や床面積を有効に活用したい場
合には次のＪうにすれば効果的である。
即ち、第１図の作業域５と翼辺させて作業域３を設け、
ゲートバルブ１９ａＹ：開閉させて被処理物を出し入れ
するものとする。従ってゲートバルブ１９ａＹ開けて前
述したウェハ２４Ｙ収納したカセット治具２５Ｙ予備排
気Ｎ１６へ入れて、載置台２３Ｙ回転（カセット治具２
５長手刀向が、ゲートバルブ１９ａと直又する方向に回
転）させて予備排気室１６と処理室１１とｔ同じ圧力（
たとえばＱ、 ｌ Ｔｏｒｒ）になるまで排気する。次
忙ゲートバルブ１７を開けてローラ又はアーム搬送にて
カセット治具２５ン処理室１１へ入れ、ゲートバルブ１
７を閉じて所定のＣＶＤ処理を行なう。この処理の後、
ゲートバルブ１７Ｙ：開けてローラ又はアーム搬ｉｆて
ＣＶＤ処理ンし、たウェハを収納したカセット治具２５
Ｙ予備排気室１６へ取り出し、ゲートバルブ１７を閉じ
る。そして載置台２３ｔ−回転させて（正又は逆回転さ
せて）元の位置（第３図状態）に戻してゲートバルブ１
９ａよりカセット治具２５を取り出し、次工程へ搬送す
る。そして再びゲートバルブ１９ａから処理すべきウェ
ハ２４Ｙ収納したカセット治具２１人れて前述したと同
様の操作を繰り返すことになる。
ゲートバルブ１９ａＹ：開閉させて被処理物を出し入れ
するものとする。従ってゲートバルブ１９ａＹ開けて前
述したウェハ２４Ｙ収納したカセット治具２５Ｙ予備排
気Ｎ１６へ入れて、載置台２３Ｙ回転（カセット治具２
５長手刀向が、ゲートバルブ１９ａと直又する方向に回
転）させて予備排気室１６と処理室１１とｔ同じ圧力（
たとえばＱ、 ｌ Ｔｏｒｒ）になるまで排気する。次
忙ゲートバルブ１７を開けてローラ又はアーム搬送にて
カセット治具２５ン処理室１１へ入れ、ゲートバルブ１
７を閉じて所定のＣＶＤ処理を行なう。この処理の後、
ゲートバルブ１７Ｙ：開けてローラ又はアーム搬ｉｆて
ＣＶＤ処理ンし、たウェハを収納したカセット治具２５
Ｙ予備排気室１６へ取り出し、ゲートバルブ１７を閉じ
る。そして載置台２３ｔ−回転させて（正又は逆回転さ
せて）元の位置（第３図状態）に戻してゲートバルブ１
９ａよりカセット治具２５を取り出し、次工程へ搬送す
る。そして再びゲートバルブ１９ａから処理すべきウェ
ハ２４Ｙ収納したカセット治具２１人れて前述したと同
様の操作を繰り返すことになる。
なお、処理室１１から取り出して予備排気罠１６に収納
したカセット治具２５のウェハ２４の膜厚や種類などに
応じて、カセット治具２５のあるものはゲートバルブ１
９ｂから、またカセット治具２５のあるものはゲートバ
ルブ１９ｃから取り出すといった風にして、ゲートバル
ブ１９ｂ。
したカセット治具２５のウェハ２４の膜厚や種類などに
応じて、カセット治具２５のあるものはゲートバルブ１
９ｂから、またカセット治具２５のあるものはゲートバ
ルブ１９ｃから取り出すといった風にして、ゲートバル
ブ１９ｂ。
１９ｃに対応して設けられたライン工程にのせてやるこ
ともできる。
ともできる。
以上のように、ゲートバルブ１９はグー、ドパ々ブ１９
ａだけχ使用しても、第１−に示す位置の作業−３を不
要にでき、床面積の事効活用ができる。しかしゲートパ
ルプ１９’＆複数個たとえば第２図、第３図に示すよう
ＩＣ３個（ゲートバルブ１９ａ〜１９Ｃ）設けて、使用
できる床面積の制約条件やウェハの膜厚や種類などに応
じて設定された次工程との接続などｔ考慮して、被処理
物（ウェハ２４ｙＬ−収納したカセット治具２５）をゲ
ートバルブ１９ａから予備排気室１６へ入れ、処′ 理
し終ったカセット治具２５？Ｉｌ−ゲートバルブ１９ｂ
、１９Ｃから取出すようにしてもよいなど必要に応じて
適宜変更可能である。
ａだけχ使用しても、第１−に示す位置の作業−３を不
要にでき、床面積の事効活用ができる。しかしゲートパ
ルプ１９’＆複数個たとえば第２図、第３図に示すよう
ＩＣ３個（ゲートバルブ１９ａ〜１９Ｃ）設けて、使用
できる床面積の制約条件やウェハの膜厚や種類などに応
じて設定された次工程との接続などｔ考慮して、被処理
物（ウェハ２４ｙＬ−収納したカセット治具２５）をゲ
ートバルブ１９ａから予備排気室１６へ入れ、処′ 理
し終ったカセット治具２５？Ｉｌ−ゲートバルブ１９ｂ
、１９Ｃから取出すようにしてもよいなど必要に応じて
適宜変更可能である。
更に床面積の有効活用法として、第２図、第３図のゲー
トバルブ１９ｂ、１９０′％：夫々ゲートパルプ１７と
同じものを使用し、これに処理室１１と同じものを設置
して、結局処理室１１を３個設け、ゲートバルブ１９ａ
Ｙ外界との出し入れ口とする構成にしてもよい。このよ
うにすると、被処理物であるウェハ２４を収納したカセ
ット治具２５を夫々の処理室１１へ時間Ｙ’ｆらして順
番に入れ、またカセット治具２５Ｙ取り出すときも処理
の終った処理室１１から顔番忙取り出すよう圧すること
ができ効率的である。この場合、各処理室１１で同じ処
理（Ｃ’ＶＤ処理）！してもよいし、またたとえば図示
のＣＶＤ処理の処理室１１の他に、プラズマエツチング
などの処理１行なう処理室１１ｔ−設けるなどして各処
理室１１で異なる処理ｔしてもよい。従りて予備排気室
１６’に共用できると共に従来の如き作業域３（第１図
参照）を必要とせず、多種類の処理を行なう場合や同じ
処理を多数行なう場合などは床面積を有効に活用でき、
一層生産コストの低減が図れる。
トバルブ１９ｂ、１９０′％：夫々ゲートパルプ１７と
同じものを使用し、これに処理室１１と同じものを設置
して、結局処理室１１を３個設け、ゲートバルブ１９ａ
Ｙ外界との出し入れ口とする構成にしてもよい。このよ
うにすると、被処理物であるウェハ２４を収納したカセ
ット治具２５を夫々の処理室１１へ時間Ｙ’ｆらして順
番に入れ、またカセット治具２５Ｙ取り出すときも処理
の終った処理室１１から顔番忙取り出すよう圧すること
ができ効率的である。この場合、各処理室１１で同じ処
理（Ｃ’ＶＤ処理）！してもよいし、またたとえば図示
のＣＶＤ処理の処理室１１の他に、プラズマエツチング
などの処理１行なう処理室１１ｔ−設けるなどして各処
理室１１で異なる処理ｔしてもよい。従りて予備排気室
１６’に共用できると共に従来の如き作業域３（第１図
参照）を必要とせず、多種類の処理を行なう場合や同じ
処理を多数行なう場合などは床面積を有効に活用でき、
一層生産コストの低減が図れる。
１、使用できる床面積の制約などを考慮して、予備排気
室の内部と出し入れを行なうゲートバルブを適宜な位置
に位置せしめることができ、従って予備排気室に対する
作業域？必要に応じて予備排気室の周囲の適宜な位置に
設けることができ、これにより床面積の有効活用を図る
ことができ、従って生産コストの低減１図ることができ
る。
室の内部と出し入れを行なうゲートバルブを適宜な位置
に位置せしめることができ、従って予備排気室に対する
作業域？必要に応じて予備排気室の周囲の適宜な位置に
設けることができ、これにより床面積の有効活用を図る
ことができ、従って生産コストの低減１図ることができ
る。
２、予備排気室の周囲にゲートバルブを複数個設けるこ
とにより、処理室で処理された物（たとえばウェハ）の
膜厚や種類などに応じてそれを適宜のゲートバルブから
取り出して、そのゲートバルブに対応して配設されたラ
イン工程ＶＣ送り込むことができ、生産ラインの一貫と
して有機的に予備排気室を機能させることができるので
、きわめて効果的である。
とにより、処理室で処理された物（たとえばウェハ）の
膜厚や種類などに応じてそれを適宜のゲートバルブから
取り出して、そのゲートバルブに対応して配設されたラ
イン工程ＶＣ送り込むことができ、生産ラインの一貫と
して有機的に予備排気室を機能させることができるので
、きわめて効果的である。
３、予備排気室と外界との出し入れする方向が自由に変
えられるので、予備排気室や予備排気室に対するライン
工程の装置その他の装置のレイアウトが自由に行なえる
ので、床面積の有効活用が図れる。
えられるので、予備排気室や予備排気室に対するライン
工程の装置その他の装置のレイアウトが自由に行なえる
ので、床面積の有効活用が図れる。
４．１個の予備排気室１６自して、この予備排気ＮＶＣ
対し処理室を複数個配設したロードロック方式を併用す
ることにより、多種類の処理を行なう場合や同じ処理を
数多く行なう場合などに床面積の一層の節約とより一層
の生産コストの低減とを達成できる。
対し処理室を複数個配設したロードロック方式を併用す
ることにより、多種類の処理を行なう場合や同じ処理を
数多く行なう場合などに床面積の一層の節約とより一層
の生産コストの低減とを達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、上記実施例
において、予備排気室１６と処理室１１との接続箇所近
傍のイ１ロ部分即ちゲートバルブ１７と１９ａ、１９ｃ
間の予備排気室の周壁部分をし中ばら構成とし、予備排
気室１６自体を回動自在としてやれば、載ｆ賛２３の回
転と併せ、所望の位置から予備排気室１６にゲートバル
ブＩＳＩ介して被処理物の出し入れ７行なうことができ
る。ので、予備排気室１６に対する作業域が自由自在に
変更できる。なお載置台２３”ｋ回転させずに予備排気
室１６自体を回動自在とする場合は、ウェハのカセット
処理方式でない場合やカセット処理方式でもゲートバル
ブ１９ｂから入れてその他の位置から取り出す場合など
には効果的である。更に上記実施例においては、処理室
１６は減圧ＣＶＤ法による処理構成について言及したけ
れども、これに限定されることなく処理室１１をプラズ
マＣＶＤ処理を行なえるように構成してもよいし、また
プラズマエツチング処理を行なえるように構成してもよ
い。更にまた上記実施例においては、ウェハｔカセット
処理する方式について言及したけれどもウェハＹ１枚ず
つ処理することもできる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、上記実施例
において、予備排気室１６と処理室１１との接続箇所近
傍のイ１ロ部分即ちゲートバルブ１７と１９ａ、１９ｃ
間の予備排気室の周壁部分をし中ばら構成とし、予備排
気室１６自体を回動自在としてやれば、載ｆ賛２３の回
転と併せ、所望の位置から予備排気室１６にゲートバル
ブＩＳＩ介して被処理物の出し入れ７行なうことができ
る。ので、予備排気室１６に対する作業域が自由自在に
変更できる。なお載置台２３”ｋ回転させずに予備排気
室１６自体を回動自在とする場合は、ウェハのカセット
処理方式でない場合やカセット処理方式でもゲートバル
ブ１９ｂから入れてその他の位置から取り出す場合など
には効果的である。更に上記実施例においては、処理室
１６は減圧ＣＶＤ法による処理構成について言及したけ
れども、これに限定されることなく処理室１１をプラズ
マＣＶＤ処理を行なえるように構成してもよいし、また
プラズマエツチング処理を行なえるように構成してもよ
い。更にまた上記実施例においては、ウェハｔカセット
処理する方式について言及したけれどもウェハＹ１枚ず
つ処理することもできる。
以上の説明では王として本発明者に、Ｊ：つてなされた
発明Ｙその背景となった利用分野である半導体ウェハを
カセット単位で減圧ＣＶＤ処理するロードロック方式の
半導体製造装置に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、たとえばウェハｔカセッ
ト単位で又は１枚ずつプラズマＣＶＤ処理やプラズマエ
ツチング処理７行なうロードロック方式の半導体製造装
置や、更に一般的にウェハ以外の被処理物を処理するた
めのロードロック方式の半導体製造装置に適用できる。
発明Ｙその背景となった利用分野である半導体ウェハを
カセット単位で減圧ＣＶＤ処理するロードロック方式の
半導体製造装置に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、たとえばウェハｔカセッ
ト単位で又は１枚ずつプラズマＣＶＤ処理やプラズマエ
ツチング処理７行なうロードロック方式の半導体製造装
置や、更に一般的にウェハ以外の被処理物を処理するた
めのロードロック方式の半導体製造装置に適用できる。
第１図は半導体製造装置のレイアウトの一例を示す要部
簡略図、 第２図および第３図は夫々本発明による半導体製造装置
の一実施例を示す概略破砕平面図および概略破砕側面図
である。 １１・・・処理室、１６・・・予備排気室、１９ （１
９ａ〜１９ｃ）・・・ゲートバルブ、２１・・・軸、２
３・・・載置台、２４・・・ウェハ、２５・・・カセッ
ト治具。
簡略図、 第２図および第３図は夫々本発明による半導体製造装置
の一実施例を示す概略破砕平面図および概略破砕側面図
である。 １１・・・処理室、１６・・・予備排気室、１９ （１
９ａ〜１９ｃ）・・・ゲートバルブ、２１・・・軸、２
３・・・載置台、２４・・・ウェハ、２５・・・カセッ
ト治具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、処理室に予備排気室を接続してなるロードローフ方
式の半導体製造装置であらて、□前記予備排気室の局面
上に設けた、かつ被処理物を外界と出し入れするための
ゲートバルブを、前記処理室に対し被処理物を出し入れ
する方向とは異なる位置で開閉できるように構成したこ
とｔ特徴とする半導体製造装置。 ２、前記予備排気室の前記ゲートバルブを前記処理室に
対し被処理物を出し入れする方向とは異なる位置に設け
ると共Ｋ、前妃手備排気駕内に設けた被処理物載置台を
回転自在に軸支してな゛る特許請求の範囲第１項記載の
半導体血道装置。 ３、前記予備排気室の前記ゲートバルブを複数個所定位
置に設けると共に、前記予備排気室内に設けた被処理物
載置台を回転自在に軸支してなる特許請求の範囲第１項
記載の半導体製造装置。 ４、前記予備排気室と前記処理室との一統箇所ｔし中ば
らで構成し、前記予備排気室自体を回動自在ＶｃｔＩＩ
成してなる特許請求の範囲！！１項ないし第３項のいず
れかに記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5094584A JPS60195935A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5094584A JPS60195935A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195935A true JPS60195935A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12872956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5094584A Pending JPS60195935A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60195935A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104036A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Nippon Tairan Kk | 半導体処理装置 |
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
| JP2005183458A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5094584A patent/JPS60195935A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104036A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Nippon Tairan Kk | 半導体処理装置 |
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
| JP2005183458A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
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