JPS60190970A - ハイパサ−ミア用加温装置 - Google Patents

ハイパサ−ミア用加温装置

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JPS60190970A
JPS60190970A JP59040793A JP4079384A JPS60190970A JP S60190970 A JPS60190970 A JP S60190970A JP 59040793 A JP59040793 A JP 59040793A JP 4079384 A JP4079384 A JP 4079384A JP S60190970 A JPS60190970 A JP S60190970A
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heating
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electromagnetic wave
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二川 佳央
森 真作
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    • A61N5/02Radiation therapy using microwaves

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野〕 本発明は、ハイパサーミア用加温装置に係り、特に電磁
波の照射による癌組織への加温で、癌組織の再生機能を
停止して致死に至らしめるハイパサーミア用加温装置に
関する。
〔従来技術とその問題点〕
近年、加温療法〔「−ハイパサーミャ」ともいう〕を用
いた治療法が脚光を浴びており、特に悪性肚揚を例えば
43℃付近で1時間ないし2時間の間連続加温するとと
もに、一定周期でこれを繰返すことにより癌細胞の再生
機能を阻害せしめ、同時にその多くを致死せしめること
ができるという研究報告が相次いでなされそいる(計測
と制御VOI。
22、 ailo )。この種の加温療法としては、全
体加温法と局所加温法とがるる。この内、癌組織および
その周辺だけを選択的に温める局所加温法としては、電
磁波による方法、電磁誘導による方法、超音波による方
法等が提案されている。
一方、癌組織への加温は、商業研究者間においては既に
刈られているように43℃付近が加温効果のある温度と
筋れておυ、これよシ低いと効果が薄れ、逆にこれより
高いと正常組織に対し害を与え好ましくない。即ちハイ
パサーミアでは、癌組織に致死障害を与え、正常組織に
はあまり害を与えないような狭い温度範囲に生体温度を
保たなければならない。
しかしながら、従来技術においては、生体の特に深部加
温については、生体機能の特殊性よジ、当該目的の部位
を43℃前後の一定温度に1時間ないし2時間の間保持
することは容易でない。特に電磁波による加温療法は、
生体表面の電磁波吸収率が著しく大きいことから、従来
技術では深部加温に〕薗さないと妊れ長い間装置されて
おり、僅かになされている?lit究成果としては、例
えば第1図に示すように電磁波発生手段のオン・オフ(
ON・UPI” )制御のみによる生体内部の加温を意
図しているものが多く、これがため、一応の進歩は認め
られても狭い温度範囲での効率のよいτ温度制御をなす
ことができないという不都合がめった。
〔発明の目的〕
本発明は、かかる上記従来技術に鑑み、生体内の所定の
加温箇所を予め定めた所定の温度に継続して一定時間加
県することのできる制御機能を備えたハイパサーミア用
加温装置を提供することを、その目自りとする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第2図ないし第5図に基づい
て説明する。
第2図は本発明の一実施例を示す電気的ブロック図であ
る。このハイパサーミア用加温装置は、マイクロ波発生
部2と第1および第2の駆動制御手段を含む、制御部4
と、マイクロ波照射部6とから構成されCいる。
前記マイクロ波発生部2は、電磁波発生手段としてのマ
グネトロン8から成っており、主制御部180指令に基
づいてコントロールされるスイッチ6に付勢されてその
出力がオン・オフ(0N−OFF)を繰り返すようにな
っている。
一方、マイクロ波照射部6は、マイクロ波を生体へ照射
するアプリケータ20と、このアプリケータ20の開口
部側すなわ゛ら生体表面を冷却するための冷却液を冷却
する冷却装置21と、該冷却装置で冷却された水を循環
さ−じるポンプ22と、該ポンプ22を駆動制御するた
めのポンプコントローラユニット24と、前記冷却液の
流量を検出する流量センサー26と、1ift組織の温
度を検出する温度センサー30とにより構成されている
前記アプリケータ20は、第3図に示すように生体32
に密着して、該生体32に電波を照射し、目的の癌組織
を加温するためのアンテナである。
このアプリケータ20には、冷却部34が装備され生体
の皮層部分での電磁ξ糺照射に起因−ノる誘′α損失に
よる著しい加熱に対し、この生体表面を冷却することに
よって、癌組織への熱伝尋を有効に利用しかつ皮層部分
の熱傷を防止し得る4?ff成となっている。
該冷却部34には、本実施例で冷却液として使用してい
る水を通すためのパイプ36が設けられており、前記冷
却装置21で冷却された水を前記ポンプ22で強制的に
循環させ、該冷却部34内を通過させることでアプリケ
ータ20の開口面すなわち生体表面を冷却している。一
方、前記ポンプ22の回転数はポンプコントローラユニ
ット24によって制御されており、この回転数によって
水の流量を変化させ、生体表面を冷却し、マイクロ波に
よって加温されている癌組織の温度を生体表面側から調
整している。この水の流量は流量センサー26によって
検出逼れ、この倹−された情報はA/D変換器38を介
して主制御部18へ送出され、前記ポンプの回転数を制
御するための1つの基準値となる。
11J記生体内温度センサー30は、癌組織の温度を検
出するためのセンサーでらり、ここで得られる’+Pf
報を基にして、前記ポンプ220回転数の調桶が行なわ
れる。
一方、主制御部18は上記各センサーで得られた情報を
A/D変換器38.42を介して入力し、この情報とオ
ペレータの指示を受けた入力部44とからの情報とに基
づいて)!!I組織の温度が所望の値に保プ辷れるよう
l)/A変換回路46.48を介してポンプ220回転
数とスイッチGを介してマグネドレン8の出力を制御す
るとともに、力旧晶状態をオペレータに知らせるべく、
上述した各情報を出力部44に送出するようになってい
る。
次に第4図に基づいて、上記装置の全体的な動作につい
て説明する。なお、ここで、癌aDに対しての加温設定
温度を一応43℃とする。
まず、冷却装置21を稼動も、(!(第4図50)、十
分に水が冷却された後、流量センサー26から検出され
る情報によって、冷却水が最小循環されるようにポンプ
22の回転数の制御を行なう(同図52.54)。そし
て、一定時間マイクロ波の照射を行った後(同図56)
、これに続いてマグネトロン8の出力を切υ(同図58
)、温度センサー30によって生体内部の温度計側には
いる(同図60)。温度計測時にマイクロ波の照射を行
なわないのは、生体内に挿入された前記温度センサー3
0がマイクロ波の影響を受けて、誤差が生ずるからであ
る。温度計測がなされた後は、生体内部温度がオペレー
タによって入力された生体内部温度設定値(本実施例で
は43℃)より高いか否かが判断される(同図62)。
内部温度が設定値より低い場合は、ポンプの回転数を1
ステツプ下けることによって生体表面の温度を上げ(但
し、生体表面の熱傷を避けるため、水の最小循環を下回
ることはない、二同図64)、マイクロ波の照射によっ
て加温されている癌組織が迅速に設定温度に達するよう
、生体表面側から調整するようになっている。この結果
、陥部の温度が設定値より高くなった場合は、癌組織の
温度が設定値よジ下がるまでマイクロ波の照射を行なわ
ずに、温度計測ループを繰り返す。そして、この間を利
用して、ポンプ回転数を1ステツプづつアップさせるこ
とで(同図68)、生体表面温度を下げ、癌組織の温度
が早く設定値に達するよう生体表面側よシ温度調整を行
なう。
ところで、加温時間と癌組織を致死に至らしめるための
相関関係は;凸組織が43℃付近の温度になってからの
時間によって左右される。したがって、本実施例では、
癌組織が設定値を越えた時点から加温時間を計測しく同
図66)、予めオペレータによって入力された加温時間
が判来したときに加温を終了する(同図72)。
第5図は、本実施例を用いて加温を行なったときの癌組
織の温度分布状態(図中A)と、従来技術における制御
で加温を行ったときの癌m織の温度分布状態(図中B)
とを示している。この図において、温度が上昇している
間隔がマイクロ波照射時であり、温度が下降している間
隔が温度計測時であり、温度計測時にはマクネトロンの
出力がオフとなっている。しかし、従来技術においては
、陥部の温度に対して生体表面を()却する水の流量を
可変していない点、目的温度(43℃)を越えてもマイ
クロ波発振器のオン・Aフ制御(一定時の加温と一定時
間の休止)の繰り返しを続けるという点から、内部の加
温がきわめて不正確となっている。これに対し、本実施
においては、上記した1filJ御方式を採用している
点から、目的温度にまで素早く達し、目的温度を越えて
も早く冷却することが可能でるることがら、l−’Lと
んど43℃一定に温度を保っている。
なお、上記実施例において、生体表面温度をより正確に
制御したい場合は、第6図に示すようにアプリケータ2
0の冷却部34の水の排出側に温度センサー28を設け
、これによって表面温度を計測し、ここからの情報をA
/D変換器を介して主制御部18に入力させ、第7図に
示すフローチャート(第7図は第4図のフローチャート
の点線部分を変更したものでろって、そのほかは第4図
と同様である)に基づいて制御を行なえばよい。
即ち、内部温度が設定値より低い場合は前記温度センサ
ー28によって計測した表面温度(同図60)が、オペ
レーターによって設定された表面温度より低いか否かを
判断(同図63)、表面温度が設定値より低い場合は上
述した如くポンプの回転数を1ステツプ下け(同図64
)、逆に表面温度が高い場合はポンプの回転数を1ステ
ツプ上ける(同図63)という4?’!成にすればよい
また、第8図に示すμ口<5凸部100が表体表面近く
に存在する場合は、無侵襲(生体内部に温度センサー3
0を挿入する必要がないこと)で、加温が可能となる(
第81参照)。即ち、筋部が生体表面近くに存在する場
合は、筋部の温度と生体表面温度かはは等しいと考えて
よいことから、生体内に挿入した温度センサー30の変
わりに、生体表面温度センサー28からの情報に基づい
て水の流量1tlJ御を行なえばよい(m9図診照)。
またこのような場合は、温度センサー28がマイクロ波
の影響を受けないことから、温度計測時にわざわざマグ
ネトロンの出力を切る必要はない。
したがって、第10図に示すように、マクネトロンの出
力をオンにしだ後(同図102)、生体表面の温度計測
を行ない(同図104)、表面温度が設定値より低い場
合はポンプの回転数を下げて(同図106)そのままマ
イクロ波の照射を行ない続け、表面温度が設定値より高
くなった場合は、マグネトロンの出力を切り(同図10
8)、ポンプの回転数を1ステップ上げ(同図110)
、表4面温度が設定値より下がるまではマイクロ波の照
射を行なわずこのループを繰シ返すという制御方式を採
用してもよい。この方式は第9図のものと比べてより正
確に目的の部位への加温が可能である。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によると、電磁波を断続的に出力
する電磁波発生手段と、この電磁波発生手段から出力さ
れる電磁波を生体へ照射するアプリケータと、このアプ
リケータの電磁波照射開口部に装備された冷却手段と、
前記電磁波の断続出力に対応して加温箇所の温度測定を
行う温度計測手段とを備えたハイパサーミア用加温装置
において、前記温度計測手段が予め定めた設定値以上の
生体温度を検知した場合に、前記冷却手段を直ちに駆動
制御して当該冷却手段に使用避れている冷却液の流量増
を図る第1の駆動制御手段と、前記生体温度が当該設定
値に下るまで前記電磁波発生手段の出力を中断せしめる
第2の駆動制御手段とを装備するという宿成を採用した
ので、従来より困難祝されていた生体に対する電磁波出
力の複雑な制御をすることなく、ごく容易に生体内の加
温箇所を予め設定した所定温度に一定時間継続して加温
することができ、かつ生体表面の過熱による熱傷も防止
することができるという従来にない優れたハイパサーミ
ア用加温装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例による電磁波発生手段による加温例を示
す線図、第2図は本発明の一実施例を示すブロック図、
第3図はアプリケータの一例を示す斜視図、第4図は第
2図の動作を示すフローチャート、第5図は第2図の実
施例による加温状態を従来例との比較において示した線
図、第6図は他の実施例を示すブロック図、第7図は2
86図の動作を示すフローチャート、第8図はその他の
実施例を示すブロック図、第9図ないし第10図は各々
第8図の動作を示すフローチャートである。 8・・・電磁波発生手段、18・・・第1および第2の
PA駆動制御手段含む主制御O1a部、20・・・アプ
リケータ、30・・・温度計測手段、34・・・冷却手
段。 特許出願人 菊池 ハ(#勤為3名) 第1図 (ac (旭ガ) 手続補正書(自発) 昭和60年3月12日 1、事件の表示 昭和59年特許願第040793号 2、発明の名称 ハイパサーミア用加温装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都三ia:i17井の頭1−J−目16番
19号氏 名 菊 地 眞 (はが3名) 4、代理人 〒16410003) 361−0819
5、補正の対象 : 明細書および図面6、補正の内容
 : 別紙のとおり (内容に変更なし)7、前記以外
の特許出願人 住 所 東京都練馬区練馬2丁目26番14号氏 名 
二 川 佳 火 柱 所 東京都世田谷区奥沢1丁目31番6号氏 名 
森 真 作 成 名 東京都大田区南蒲田2丁ト]16番46号名 
称 (338)株式会社 東 京 計 器代表打 河野
俊助 明$lIl書 1、発明の名称 ハイパサーミア用加温装置 2、特許請求の範囲 (1)、電磁波五■力する電磁波発生手段と、この電磁
波発生手段から出力される電磁波を生体へ照射するアプ
リケータと、このアプリケークの電磁波照射開口部に装
備された冷却u貫と、前記電磁波c7) jl力に対応
して加温箇所の温度測定を行う温度fi+測手段とを備
えたハイパサーミア用加温装置において、 前記温度計測手段が予め定めた設定値以上の生体温度を
検知した場合に前記冷却a+Rを直ちに駆動制御して当
該冷却観に使用されている冷却液の流量増を図る第1の
駆動制御手段と、前記生体温度が当該設定値に下がるま
で前記電磁波発生手段の出力を中断せしめる第2の駆動
制御手段とを装備したことを特徴とするハイパサーミア
用加温装置。 3、発明の詳細な説明 〔発明の属する分野〕 本発明は、ハイパ・す・−ミア用加温装置に係り、特に
電磁波を利用して生体内の癌組織を局所加温し、これに
よって当該j+W組織の再生機能を停止せしめ致死に至
らしめるためのハイパサーミア用加温装置に関する。 〔従来技術とその問題点〕 近年、加温療法(「ハイパサーミア」ともいう)による
治療法が脚光を浴びており、特に悪性腫瘍を例えば43
℃付近で1時間ないし2時間の間連続加温するとともに
、一定周期でこれを操り返すことにより癌細胞の再生機
能を阻害せしめ、同時にその多くを致死せしめることが
できるという研究報告が相次いでなされている(計測と
制御Vol、22. Na1O)。この種の加温療法と
しては、全体加温法と局所加温法とがある。この内、癌
8.11Paおよびその周辺だけを選択的に温める局所
加温法としては、電磁波による方法、電磁誘導による方
法、超音波による方法等が提案されている。 一方、癌組9其への加温は、商業(σ[究・6間におい
ては既に知られているように43°C伺近が加温効果の
ある温度とされており、これより低いと効果が薄れ、述
にこれよりあまり高いと正常組11(に対し害をj4え
好まし2くない。即らハイパザーミャでは、癌組織に致
死障害を与え、正常組織にはあまり害を与えないような
狭い/1!!度範囲に生体温度を保たな&Jればならな
い。 しかしながら、従来技術においては、生体内の深部加温
については、生体機能の特殊性例えは血流による冷却作
用等により、当該1−1的の部位を43℃前後の一定温
度に1時間ないし2時間の間保持することは容易ではな
い。’4!iに電磁波による加温療法は、生体表面の電
磁波1反収率が著しく大きいことから、従来技術では深
部加温に適さない志され、長い間装置されており、僅か
になされている研究成果としζは、例えば第1図に示す
ように電磁波発生手段のオン・オフ(ON−OFF)制
御のみによる生体内部のJJII 7M!tを意図して
いるものが多く、これがため、一応の進歩は認められて
も狭い温度範囲での効率のよい温度制御をなすことがで
きないという不都合があった。 〔発明の目的〕 本発明は、かかる上記従来技術を勘案し、生体内の所定
の加温箇所を、予め定めた所定の温度に継続して一定時
間力11温することのできる制御機能を備えたハイバザ
ーミア用加温装置を堤供することを、そのl’l的とす
る。 〔発明の4既要〕 そこで、本発明では、電磁波を出力する電もW波発生手
段と、この電磁波発生手段から出力される電磁波を生体
へ照射するアプリゲータと、このアプリケータの電磁波
照射開口部に装備された冷却機構と、前記電磁波の出力
に対応して加温箇所の温度?11il定を行う温度計測
手段とを備えたハイパザーミア用加温装置において、前
記温度31測手段か予め定めた設定値以上の生体温度を
検知した場合に前記冷却機構を直りに駆動制御して当該
冷却機構に使用されている冷却液の流量増を図る第1の
駆動制御手段と、前記生体温度が当該設定値に下がるま
で前記電磁波発生手段の出力を中断せしめる第2の駆動
制御手段とを装fliiiという(1)構成を採り、こ
れによって前記目的を達成しようとするものである。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第2図ないし第5図に基づい
て説明する。 第2図は本発明の一実施例を示す全体的系統図である。 この実施例において、ハイパザーミア用加温装置は、マ
イクロ波発生部2と第1および第2の駆動制御手段を含
む制御部4とマイクロ波照射部6とを、その要部として
から構成されている。 前記マイクロは発生部2は、電磁波発生手段としてのマ
グネ1−1:コン8と該マグネ1〜しlン8を駆動する
電源9とから成っており、前記制御部4におおりる主制
御部18の指令に裁づいてコントl−J −ルされるス
イッチ46に付勢されてその出力かオン・オフ(ON・
○I” I−” )を繰り返すようになっている。 一方、マイクロ照射部6は、本実施例では、マイクロ波
を生体へ照射するアプリケータ20と、このアプリケー
タ20の開]」部側ずなわら生体表面を冷却するための
冷却機構34とを要部とし、これに癌組織の温度を検出
する温度センサー30を装(J1ηした構成となってい
る。そして、iiJ記冷却機構34には、冷却液を冷却
する液温調整手段としての冷却装置21と、該冷却装置
21で冷却された冷却液たとえば水を循環させるポンプ
22と、該ポンプ22を駆動制御するためのポンプコン
1〜ローラユニツト24と、前記冷却液の流量を検出す
る流量センサー26とが連結装備されている。 1iii記アプリケータ20は1.第3図に示すように
生体32に密着して、該生体32に電波を照射し、LI
的の癌組織を加温するためのアンテナである。 このアプリケータ20には、前述したように冷却機構3
4が装備され生体の成心部分での電磁波照射に起因する
誘電…失による著しい過熱に対し、この生体表面を冷却
することによって、癌組織への熱伝mを有効に利用しか
つ皮膚部分の熱傷を防止し得る構成となっている。 前記冷却健措34には、本実施例では冷却液として使用
している水を通ずためのパイプ36が設AJられており
、前記冷却装置21で冷却された水を前記ポンプ22て
強制的に循環させ、当該冷却機構34内を通過させるこ
とでアプリケータ2゜の開L」而ずなわらη二体表面を
冷却している。 一方、11■記ポンプ22の回転数はポンプコーン[・
し1−ラユニ7 l□ 24によって一定流量に制御さ
れており、この回転数によって水の流量を変化させ、生
体表面を冷却し、マイクロ波にょゲC加’/A!(され
ている癌組織の温度を生体表面側から調整している。こ
の水のわICfJは流量センサー26にょゲC検出され
、この検出された情報はA / I)変換器38を介し
て主制御部18へ送出され、前記ポンプ220回転数を
制御するだめの1つの基
【1(値となる。 また、前記生体内温度センサー30は、癌flUの温度
を検出するためのセン′す−であり、ここで得られる情
報を乃にして、111)記ポンプ22の回転数の調整が
行われる。 一方、主制御部18ば、上記各センサーで7+)られた
情報をA/D変換器38.42を介して入力し、この情
幸七とオペレータの指示を受けた入力部44とからの情
報とに基づいて、癌組織の温度が所望の値に保たれるよ
うD/A変換回路48を介し゛ζポンプ22の回転数を
、またス2イッチ4Gを介シてマグネトロン8の出力を
各々制御計するとともに、加温状態をオペレークに知ら
ゼるべく、ト述した各情報を出力部44に送出するよう
になっている。この場合、前記主制御部18内の第1の
駆動制御手段(図示せず)が前記ポンプコン1−ローラ
ユニット24を介してポンプ22の回転数を]1′i凍
制御するようになっており、また、前記制御部内の第2
の駆動制御手段(図示せず)が前記スイッチ46を介し
てマグネトロン8の出力を必要に応じて増減制御又はオ
ン・オフ制御するようになっている。 次に第4図に凸づいて、上記装置の全体的な動作につい
て説明する。なお、ここ−乙癌m 12Nに対しての加
温設定温度を一応43℃とする。 まず、冷却装置21を稼動させ(第4図50)、十分に
水が冷却された後、流量センサー26から検出される情
報によって、冷却水が最小循環されるようにポンプ22
の回転数の制御を行う (同図52.54)6そして、
一定時間マイクロ波の114(躬を行った後(同図56
)、これに続いてマクネトロン8の出力をLJJす(同
図58)、温度センサ−30によって生体内部の温度n
 旨1111にはいる(同図60)。/11□に度計測
時にマイクし1波の照射を行わないのは、マイクロ波の
影響を受りて、生体内に挿入された1111記温度セン
ザー30に生しる僅かな誤差を排除するためである。 温度計41すがなされた後は、生体内部;Act度がオ
ペレータによって予め入力された生体内部温度設定値(
本実施例では43℃)より高いか否かが判断される(同
図62)。内部温度が設定値よ/′)低い場合は、ポン
プの回転数を1ステツプ下げることによって生体表面の
温度を上げ(但し、生体表面の熱傷を避1するため、水
の最小循環量を維持した状態で:同図64)、マイクロ
波の照射によって力11温されている癌3+ll ta
が迅速に設定i1!!1度に達するよう、生体表面側か
らill整するようになっている。 この結果、筋部の温度が設定値より高くなった場合は、
癌組織の温度が設定値より下がるまでマイクロ波の照射
を行わずに、温度計測ループを繰り返す。そして、この
間を利用して、ポンプ回転数を1ステ、プづつアップさ
せることで(同図68)、η一体表面温度を下げ、癌組
織の温度が早く設定値に達するよう生体表面側より温度
調整を行う。 ところで、力11温時間と癌組織を致死に至らしめるた
めの相関関係は、癌組織が43℃(;J近の温度になっ
てからの時間によって左右される。したがって、本実施
例では、加温部である癌組織の温度が設定値を越えた時
点から時間を計測しく同図66)、予めオペレータによ
って入ノJされた加温局間が到来したときに加温を?多
丁する(同図72)。 第5図は、本実施例を用いて)J11温を行ったときの
癌組織の温度分布状態(図中穴)と、従来技術におりる
制御で加温を行ったときの癌組織の温度分布状態(図中
B)とを示している。この図において、温度が土塀し“
(いる凹陥がマイクロ波照ル1時であり、温度が下降し
ている間隔が温度31測時であり、温度計測時にはマグ
ネトロン8の出力がオフとなっている。この場合、従来
技術においては、隔部の温度に対して生体表面を冷却す
る水の流量を可変していない点、目的温度(43℃)を
越えてもマイクロ波発振器のオン・オフ制御(一定時間
の加温と一定時間の休止)の繰り返しを続けるという点
から、内部の加温がきわめて不正モイ〔となっている。 これに対し、本実施例においては、上記した制御方式を
採用している点から、目的温度にまで素早(達し、目的
温度を越えても早く冷却することが可能であることから
、はとんど43゛C一定に温度を保っている。 なお、上記実施例において、生体表面温度をより正確に
制御したい場合は、第6図に示すようにアプリケーク2
0の冷却機構34の水の排出側に温度センサー28を設
け、これによって表面温度を計測し、ここからの情報を
A/D変換器40を介して主制御部18に入力させ、第
7図に示すフローチャー1・(第7図は第4図のフロー
チャートの点線部分を変更したものであって、そのほか
は第4図と同様である)に基づいて制御を行えばよい。 即ち、内部温度が設定値より低い場合は前記温度センサ
ー28によって81測した表面温度(同図60′)がオ
ペレータによって設定された表面温度より低いか否かを
判断しく同図63)、表面温度が設定値より低い場合は
上述した如くポンプ22の回転数を1ステップ下げ(同
図64)、逆に表面温度が高い場合はポンプ22の回転
数を1ステップ上げる(同図63′)という構成にすれ
ばよい。 また、第8図に示す如く隔部100が表体面近くに存在
する場合は、無侵頭(生体内部に第6図に示す温度セン
サー30を挿入する必要がないこと)で加温が可能とな
る(第8図参照)。即ち、隔部が生体表面近くに存在す
る場合は、隔部の温度と生体表面温度がほぼ等しいと考
えてよいことから、生体内に挿入した温度センサー30
の代わりに、生体表面温度センサー28からの情報に基
づいζ水の流量制御を行えばよい(第9図参照)。 また、この場合は、温度センサー28がマイクロ波の影
響を受けないことから、温度nl測時にマグネトロン8
の出力を切る必要はない。したがって、第10図に示す
ように、マグネトロン8の出力をオンにした後に(同図
102)、生体表面の温度51測を行い(同図104)
、表面温度が設定値より低い場合はポンプ22の回転数
を下げて(同図106)そのままマイクロ波の照射を行
い続け、表面温度が設定値より高くなった場合は、マグ
ネトロン8の出力を切り (同図108)、ポンプ22
の回転数を1ステップ上げ(同図110)、表面温度が
設定値より下がるまではマイクロ波の照射を行わずにこ
のループを繰り返すという制御力式を採用してもよい。 この方式は第9図のものと比べてより正確に目的の部位
への加温が可能である。 更に、生体内加温部の温度計測に関しては、電磁波を影
響が少ない温度d1を使用する場合は当然のことながら
マイクロ波を照射したまま測定するように構成してもよ
い。 〔発明の効果〕 以上のように、本発明によると、電磁波を出力する電磁
波発生手段と、この電磁波発生手段から出力される電磁
波を生体へ照射するアプリケータと、このアプリケーク
の電磁波照射開口部に装備された冷却機構と、前記電磁
波の出力に対応して加温箇所の温度測定を行う温度計測
手段とを備えたハイパザーミア用加温装置において、前
記温度計測手段が予め定めた設定領収」二の生体温度を
検知した場合に前記冷却機構を直ちに駆動制御して当該
冷却機構に使用されている冷却液の流量増を図る第1の
駆動制御手段と、前記生体温度が当該設定値に下がるま
で前記電磁波発生手段の出力を中断・uしめる第2の駆
動制御手段とを装(liiiするという構成を採用した
ので、従来より困難視されていた生体に対する電磁波出
力の複9(1な制御をすることなく、ごく容易に生体内
の加温箇所を予め設定した所定温度に比較的長い時間継
続して加温することができ、かつ生体表面の過熱による
熱傷も防止することができるという従来にない優れたハ
イパサーミア用加温装置を提供することができる。 40図面のfief ijl、な説明 第1図は従来例による電磁波発生手段による加温例を示
す線図、第2図は本発明の一実施例を示す全体的系統図
、第3図はアプリケータの一例を示す斜視図、第4図は
第2図の動作を示すフローチャート、第5図は第2図の
実施例による加ハに状態を従来例との比較において示し
た線図、第6図は他の実施例を示す系統図、第7図は第
6図の動作を示ずフI″J−チャート、第8図はその他
の実施例を示す系統図、第9図ないし第】0図は各々第
8図の動作を示すフローチャー1・である。 8−−−−−電磁波発生手段、1 B−一−−第1およ
び第2の駆動制御手段を含む主制御部、20−一−−−
アプリケータ、3 (1−一一−一温度計測手段、34
−−−−一冷却機構。 特許出願人 菊 地 眞(ばか3名) 第1図 (叶遁晴間) −−tmirt5 第3図 /−一 432 第4図 第9図 第10図 手続補正書(自発) 1.事件の表示 昭和59年特許願第040793−リ 2、発明の名称 ハイパサーミア用加温装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都三IQ市井の”頭1丁目16番19号氏
 名 菊 地 眞 (はが3名) 4、代理人 〒16410003)361−0819昭
和60年3月12日付にて提出した全文補正の明細書に
関し、次の如く補正する。 (1)、明細書第5ページ第12行目の、「要部として
」と「構成」との間の「から」を、削除する。 (2)、明細書第5ページ第13行目の、「マイクロは
」を「マイクロ波」と訂正する。 (3)、明細書第5ページ第20行目の「マイクロ照ル
1部」を1マイクロ波照射部」と訂正する。 (4)、明細書第6ページ第13行目の、「電波」を1
電磁波」と訂正する。 (5)、明細書第8ページ第12行目の、[前記制御j
を[前記主制御Jと訂正する。 (6)、明細書第8ページ第13行目の「部内」を「部
18内」と訂正する。 (7)、明細書第11ページ第17行目の「これによっ
て」を削除し、この削除した箇所に「これにより冷却液
を介して」を挿入する。 (8)、明細書第12ページ第19行目の[生体(9)
、明細書第13ページ第18行目の、「磁波」と「影響
」との間の「を」を、(−の」と訂正する。 (10)、明細書第15ページ第13行目のY“手段」
と「、」との間に「とじてのマグネトロンjを挿入する
。 7、前記以外の特許出願人 住 所 東京都練馬区練馬2丁目26番14 、%′j
氏 名 二 川 佳 火 柱 所 東京都世田谷区奥沢1丁目31番6号氏名 森
 真 作 住 所 東京都大田区南蒲田2丁目16番4〔;号名称
 (33B)株式会社東京計器 代表者河野俊助

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (l)、電磁波を断続的に出力する電磁波発生手段と、
    この電磁波発生子・段から出力される電磁波を生体へ照
    射するアプリケータと、このアプリケータの電磁波照射
    開口部に装備された冷却手段と、前記電磁波の断続出力
    に対応して加温置所の温度測定を行う温度計測手段とを
    備えたハイパサーミア用加温装置において、 前記温度計測手段が予め定めた設定値以上の生体温度を
    検知した場合に、前記冷却手段を直ちに出動制御して当
    該冷却手段に使用されている冷却液の流量増を図る第1
    の駆動制御手段と、前記生体温度が当該設定値に下るま
    で前記電磁波発生手段の出力を中断せしめる第2の駆動
    1lIIJ呻手段とを装備したことを特徴とするハイパ
    サーミア用加温装置6−
JP59040793A 1984-03-04 1984-03-04 ハイパサ−ミア用加温装置 Granted JPS60190970A (ja)

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