JPS6018987A - 大出力半導体レ−ザ - Google Patents
大出力半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6018987A JPS6018987A JP12672183A JP12672183A JPS6018987A JP S6018987 A JPS6018987 A JP S6018987A JP 12672183 A JP12672183 A JP 12672183A JP 12672183 A JP12672183 A JP 12672183A JP S6018987 A JPS6018987 A JP S6018987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- type
- resonator
- layer
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大出力半導体レーザの構造に関する。
半導体レーザは、光フアイバ通信用及び情報処理用の光
源として開発されている。特に光ディスク書き込み、あ
るいはレーザプリンタなどの情報処理用光源としては、
現在、ＧａＡｓ基板を用いだＡ／？ＧａＡｓ系可視光半
導体レーザが主流を占め、基本横モードでの高出力化の
試みがなされている。
源として開発されている。特に光ディスク書き込み、あ
るいはレーザプリンタなどの情報処理用光源としては、
現在、ＧａＡｓ基板を用いだＡ／？ＧａＡｓ系可視光半
導体レーザが主流を占め、基本横モードでの高出力化の
試みがなされている。
この様なＡＪＧａＡｓ系可視光半導体レーザの中で溝付
きＧａＡｓ基板上にダブルへテロ構造を形成したチャン
ネルドーサブストレートーブレーナストライプ構造半導
体レーザ（以下Ｃ８Ｐし〜ザと略称する）が提案されて
いる。
きＧａＡｓ基板上にダブルへテロ構造を形成したチャン
ネルドーサブストレートーブレーナストライプ構造半導
体レーザ（以下Ｃ８Ｐし〜ザと略称する）が提案されて
いる。
第１図は、上記のＡＪＧａＡｓ糸ＣＡＰレーザの共振器
に垂直な断面構造を示し、深さ１μｍ１幅５μｍの＜０
１１＞方向に平行なストライブ状の溝１０ヲ設けたｎ型
ＧａＡｓ基板１の（１００）面上に、該溝１０の外部で
の層厚０，３μｍのｎ型Ａ７ ｘ Ｇａ、」Ａｓ第１ク
ラッド層（Ｘ−０，４５） ２．層厚０．０７μｍのア
ンドーフＡ／ｙＧａｌ ｙＡｓ活性層（ｙ〜０．１５）
３． 層厚２μｍのＰ型７Ｖ１？ｘＧａ１ｘＡｓ第２
クラッド層４からなるダブルへテロ構造及び該Ｐ型ＩＪ
ｘＧａ、 −ｘＡｓ第２クラッド層４の上に位置する
ｎ型ＧａＡｓキャップ層５からなる４層構造が１回の連
続液相成長により形成され、上記溝１０の上でも平坦な
ＡＪｙＧａ、 −ｙＡｓ活性層が得られている。
に垂直な断面構造を示し、深さ１μｍ１幅５μｍの＜０
１１＞方向に平行なストライブ状の溝１０ヲ設けたｎ型
ＧａＡｓ基板１の（１００）面上に、該溝１０の外部で
の層厚０，３μｍのｎ型Ａ７ ｘ Ｇａ、」Ａｓ第１ク
ラッド層（Ｘ−０，４５） ２．層厚０．０７μｍのア
ンドーフＡ／ｙＧａｌ ｙＡｓ活性層（ｙ〜０．１５）
３． 層厚２μｍのＰ型７Ｖ１？ｘＧａ１ｘＡｓ第２
クラッド層４からなるダブルへテロ構造及び該Ｐ型ＩＪ
ｘＧａ、 −ｘＡｓ第２クラッド層４の上に位置する
ｎ型ＧａＡｓキャップ層５からなる４層構造が１回の連
続液相成長により形成され、上記溝１０の上でも平坦な
ＡＪｙＧａ、 −ｙＡｓ活性層が得られている。
まだ、上記溝１０に沿って電流狭窄用の幅７μｍのスト
ライプ状Ｐ型拡散領域６が施され、このウェハの表面及
び裏面にＰ型及びｎ型のオーミック電極１３及び１４が
設けられている。このＣ８Ｐレーザは１回の液相成長に
より容易に製造できるという長所を有する。
ライプ状Ｐ型拡散領域６が施され、このウェハの表面及
び裏面にＰ型及びｎ型のオーミック電極１３及び１４が
設けられている。このＣ８Ｐレーザは１回の液相成長に
より容易に製造できるという長所を有する。
上記Ｃ８ＰレーザはＹ重性Ｋｌを中心とする垂直方向の
光分布の裾が溝の外側ではＧａＡｓ基板内に達する様に
して溝内外に実効屈折率差を与え、光を上記溝の幅内に
閉じ込め、５０−６０ ｍＡという比較的低い閾値電流
で基本横モード発振を実現している。
光分布の裾が溝の外側ではＧａＡｓ基板内に達する様に
して溝内外に実効屈折率差を与え、光を上記溝の幅内に
閉じ込め、５０−６０ ｍＡという比較的低い閾値電流
で基本横モード発振を実現している。
ところで、一般にＡｌＧａＡｓ Ｓ可視光レーザは共振
器端面における活性層が、光を吸収することにより急激
な温度上昇を起こし、端面が溶融破壊されるという光学
損傷現象を有し、そのため最大光出力が制限されるとい
う弱点をもつ。上記光学損傷の開始レベルを上げ、最大
光出力を向上させるためには、一般に共振器端面での光
の吸収係数をシなくする方法と活性層の端面での光出力
密度を減少させる方法がある。
器端面における活性層が、光を吸収することにより急激
な温度上昇を起こし、端面が溶融破壊されるという光学
損傷現象を有し、そのため最大光出力が制限されるとい
う弱点をもつ。上記光学損傷の開始レベルを上げ、最大
光出力を向上させるためには、一般に共振器端面での光
の吸収係数をシなくする方法と活性層の端面での光出力
密度を減少させる方法がある。
上記Ｃ８Ｐレーザでは、従来、活性層を全共振器長にわ
たり厚さ０．０７μＴｎと一様に薄く形成し活性層をは
さむ上下のクラッド層への光のｊ−み出しを増して発振
光の電界分布を活性層に垂直方向に拡げることにより、
活性層端面での光出力密度を減少させ、前記光学損傷開
始レベルを押しトげ最大光出力を向上させている。しか
しながら、この光出力は最大１５〜２０ｍＷ程度であり
、２０ｍＷ以上の光出力を要する光ディスク書き込み用
、もしくはレーザプリンタ用の光源としては不充分であ
った。
たり厚さ０．０７μＴｎと一様に薄く形成し活性層をは
さむ上下のクラッド層への光のｊ−み出しを増して発振
光の電界分布を活性層に垂直方向に拡げることにより、
活性層端面での光出力密度を減少させ、前記光学損傷開
始レベルを押しトげ最大光出力を向上させている。しか
しながら、この光出力は最大１５〜２０ｍＷ程度であり
、２０ｍＷ以上の光出力を要する光ディスク書き込み用
、もしくはレーザプリンタ用の光源としては不充分であ
った。
本発明は、上記Ｃ８Ｐレーザに於ける最大光出力を、更
に向上させる大出力半導体レーザ構造及びその製造方法
を提供することを目的とする。
に向上させる大出力半導体レーザ構造及びその製造方法
を提供することを目的とする。
本発明ｉｆＣよれば、共振器全長にわプξり一様な溝を
形成した半導体基板上Ｋ、基板表面に対する活性層の高
さが共振器内部に比べ共振器端面近傍でより低く、該活
性層の層厚が共振器内部に比べ共振器端面近傍で、より
薄く、かつ該活性層が共振器全長にわたり上記溝の上部
近傍で溝に垂直方向に平坦である様に活性層を中間層と
するダブルへテロ構造を形成したＣ８Ｐレーザ構造によ
り、第１に端面近傍での活性層を発振光の垂直方向の光
分布のピーク位置から離して活性層端面での光出力密度
を減少させ、第２に活性層を端面でより薄くし、光の吸
収量を減することにより共振器端面での温度上昇に基づ
く前記光学損失を抑制し、最大光出力を大幅に増大する
ととゲできる。
形成した半導体基板上Ｋ、基板表面に対する活性層の高
さが共振器内部に比べ共振器端面近傍でより低く、該活
性層の層厚が共振器内部に比べ共振器端面近傍で、より
薄く、かつ該活性層が共振器全長にわたり上記溝の上部
近傍で溝に垂直方向に平坦である様に活性層を中間層と
するダブルへテロ構造を形成したＣ８Ｐレーザ構造によ
り、第１に端面近傍での活性層を発振光の垂直方向の光
分布のピーク位置から離して活性層端面での光出力密度
を減少させ、第２に活性層を端面でより薄くし、光の吸
収量を減することにより共振器端面での温度上昇に基づ
く前記光学損失を抑制し、最大光出力を大幅に増大する
ととゲできる。
才だ、上記本発明による大出力半導体レーザ構造は、共
振器全長にわたって一様な溝を形成した半導体基板の共
振器端面近傍での上記溝の両側に窪みを設けるととによ
り、上記両側の窪みにはさまれた溝の部分で、ダブルへ
テロ構造の第１クラッド層及び活性層の層厚を共振器内
部におけるより更に茫＜シ、その結果、共振器内部と共
振器端面近傍とにお１ハて活性層の高さ及び層厚に差を
生じ実現できる。
振器全長にわたって一様な溝を形成した半導体基板の共
振器端面近傍での上記溝の両側に窪みを設けるととによ
り、上記両側の窪みにはさまれた溝の部分で、ダブルへ
テロ構造の第１クラッド層及び活性層の層厚を共振器内
部におけるより更に茫＜シ、その結果、共振器内部と共
振器端面近傍とにお１ハて活性層の高さ及び層厚に差を
生じ実現できる。
以下、本発明を図面に基づいて説１明する。
第２図は、本発明によろ大出力半導体レーザの共振器端
面近傍に於ける垂直な断面構造を示し、共振器内部では
第１図と全く同じであるが、該共振器端面近傍に於てけ
、第１図に於ける溝１０の他に、該溝１０の両側のメサ
部１２を除いブこ両側もエツチングによって窪み１１が
形成さねだｎ型ＧａＡｓ基板１と該！１型ＧａＡｓ基板
１の上に液相成長したｎ型ＡｅｘＧａ、−ｘＡｓ第１ク
ラッド層２．アンドープＡ／ ｙＧａ 、 −ｙＡｓ活
性Ｊ％３．Ｐ型ｋｅ ｘＧａ 、 −ｘＡｓ第２クラッ
ド層４．及びｎ型ＧａＡｓキャップ層５と、該ｎ個Ｇａ
Ａｓキャップ層５の上に溝１０に沿って施されたＰ型選
択拡政領域６．−虹にＰ型、ｎ型オーミック電極１３．
１４とから成る。そして上記ｎ型Ｇａ−Ａｓ基板１の中
央の溝１０の近傍のに部で、上記活性層３が該構１０の
垂直方向に７世であり、に記第１クラッド層２及び活性
層３０層厚が、共振器内部の構造に相当する第１図での
各々の層厚よりそれぞれ０．１５μＴｎ及び０．０４μ
ｍ薄くなり、従って、メサ部１２Ｆ！ＪＪちｎ型ＧａＡ
ｓ基板ノ構外表面７に対するＭ性１ｆ３３の高さ及び層
厚が共振器内部での各々よりも低く、かつ薄くすってい
る。
面近傍に於ける垂直な断面構造を示し、共振器内部では
第１図と全く同じであるが、該共振器端面近傍に於てけ
、第１図に於ける溝１０の他に、該溝１０の両側のメサ
部１２を除いブこ両側もエツチングによって窪み１１が
形成さねだｎ型ＧａＡｓ基板１と該！１型ＧａＡｓ基板
１の上に液相成長したｎ型ＡｅｘＧａ、−ｘＡｓ第１ク
ラッド層２．アンドープＡ／ ｙＧａ 、 −ｙＡｓ活
性Ｊ％３．Ｐ型ｋｅ ｘＧａ 、 −ｘＡｓ第２クラッ
ド層４．及びｎ型ＧａＡｓキャップ層５と、該ｎ個Ｇａ
Ａｓキャップ層５の上に溝１０に沿って施されたＰ型選
択拡政領域６．−虹にＰ型、ｎ型オーミック電極１３．
１４とから成る。そして上記ｎ型Ｇａ−Ａｓ基板１の中
央の溝１０の近傍のに部で、上記活性層３が該構１０の
垂直方向に７世であり、に記第１クラッド層２及び活性
層３０層厚が、共振器内部の構造に相当する第１図での
各々の層厚よりそれぞれ０．１５μＴｎ及び０．０４μ
ｍ薄くなり、従って、メサ部１２Ｆ！ＪＪちｎ型ＧａＡ
ｓ基板ノ構外表面７に対するＭ性１ｆ３３の高さ及び層
厚が共振器内部での各々よりも低く、かつ薄くすってい
る。
第３図は、第２図に述べた大出力半導体レーザを横から
見たもので、基板表面７に形成されだ溝底８を有するＣ
８Ｐレーザの溝１０の中央に沿った共振器方向の断面を
表わし、溝１０の上の活性層３の高さ及び層厚が、共振
器内部Ａに比べ、共振器端面近傍Ｂで各々約０．１５μ
ｍ及び約０．０３μｍ減少している。発振光の垂直方向
の電界強度分布９のピーク位置が、共振器内部Ａでは、
活性層の位置と一致しているのに対し、共１ｈ（器端面
近傍Ｂでは活性層が上記電界強度分布９のピーク位置か
ら約０、１５ ／１ｍ離れているため、共振器端面では
活性層３の光出力密ＩＷが、従来に比べ半分以下に減少
し共Ｊｌ＋：器端面での活性層３の層厚がより薄いこと
自体による光の吸暇吋の減少効果とも相乗して共振器端
面でのン晶度上昇を半分以下に抑えられる。
見たもので、基板表面７に形成されだ溝底８を有するＣ
８Ｐレーザの溝１０の中央に沿った共振器方向の断面を
表わし、溝１０の上の活性層３の高さ及び層厚が、共振
器内部Ａに比べ、共振器端面近傍Ｂで各々約０．１５μ
ｍ及び約０．０３μｍ減少している。発振光の垂直方向
の電界強度分布９のピーク位置が、共振器内部Ａでは、
活性層の位置と一致しているのに対し、共１ｈ（器端面
近傍Ｂでは活性層が上記電界強度分布９のピーク位置か
ら約０、１５ ／１ｍ離れているため、共振器端面では
活性層３の光出力密ＩＷが、従来に比べ半分以下に減少
し共Ｊｌ＋：器端面での活性層３の層厚がより薄いこと
自体による光の吸暇吋の減少効果とも相乗して共振器端
面でのン晶度上昇を半分以下に抑えられる。
この結果、従来のＣ８Ｐレーザに比べ閾ｆ直電流は同程
度であるが、最大光出力は２倍以上の４０ ｍＷ以上に
向上する。
度であるが、最大光出力は２倍以上の４０ ｍＷ以上に
向上する。
以下、第２図、第３図に示した本発明による大出力半導
体レーザの製造方法を説明する。
体レーザの製造方法を説明する。
第４図は第２図及び第３図に於ける本発明の大出力半導
体レーザを得るだめのｎ型ＧａＡｓ基板１の見取り図を
示し、従来のストライブ状の溝１０の他に端面近傍Ｂで
の上記溝ｊＯから１ｌｉｉ （！！！Ｉに約５１１ｍ離
れた位置より上記溝１０に垂＋ｒｔ方向に幅２０−３０
μｍ、深さ１μｍの窪み１１を上記溝１０と同時にフォ
トレジスト法により形成したものである。
体レーザを得るだめのｎ型ＧａＡｓ基板１の見取り図を
示し、従来のストライブ状の溝１０の他に端面近傍Ｂで
の上記溝ｊＯから１ｌｉｉ （！！！Ｉに約５１１ｍ離
れた位置より上記溝１０に垂＋ｒｔ方向に幅２０−３０
μｍ、深さ１μｍの窪み１１を上記溝１０と同時にフォ
トレジスト法により形成したものである。
第５図は、その後の製造方法を示す端面近傍Ｂに於ける
溝方向に垂直な断面図であり、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１
の上に第１図で述べたと同様の成長条件で、１回の連続
液相成長によりｎ型Ａ７ ｘＯａ、 −ｘ−Ａｓ第１ク
ラツド層２．アンドープＡｚ？ｙＧａ、 −ｙ Ａｓ活
性層３． Ｐ型ＡＪｘＧａ、−ｘＡｓ第２クラット°層
４及びｎ型ＧａＡｓキャップ層５を順次形成し、−上記
ストライブ状の溝１０に沿ってＺｎ拡散によりＰ型選択
拡散領域を設け、その後、このウェハの表面ハび裏面に
Ｐ型及びｎ型オーミック電極１３及び１４を形成して出
来−ヒがる。
溝方向に垂直な断面図であり、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１
の上に第１図で述べたと同様の成長条件で、１回の連続
液相成長によりｎ型Ａ７ ｘＯａ、 −ｘ−Ａｓ第１ク
ラツド層２．アンドープＡｚ？ｙＧａ、 −ｙ Ａｓ活
性層３． Ｐ型ＡＪｘＧａ、−ｘＡｓ第２クラット°層
４及びｎ型ＧａＡｓキャップ層５を順次形成し、−上記
ストライブ状の溝１０に沿ってＺｎ拡散によりＰ型選択
拡散領域を設け、その後、このウェハの表面ハび裏面に
Ｐ型及びｎ型オーミック電極１３及び１４を形成して出
来−ヒがる。
上記液相成長の工程に於いて、端面近傍Ｂに於いて両側
の■み１１でのｎ型ｒ”ｙｌｘＯａ、−ｘＡｓクラッド
層２の成長が支配的になり、上記両側の窪み１１の間に
位置する２つのメサ１２及び溝１０の上部での上記ｎ型
Ａ！ ｘＧａ、 −ｘ Ａｓクラッド層２の成長速度力
！減少し、表面は平坦であるが、共振器内部Ａに比べ約
０．１５μｍ薄い上記クラッド層２が形成され、従って
活性層３の高さに共振器内部Ａと共振器端面近傍Ｂとで
差が生じる。同様に上記ｎ型ｋｅｘＧａ、−ｘ−Ａｓク
ラッド層２の上の活性層３の層１ワも成長速度の差から
共振器内部へでの０．０７μｍに比べ、共振器端面近傍
Ｂでは０．０４μｍとほぼ半分に減少する。
の■み１１でのｎ型ｒ”ｙｌｘＯａ、−ｘＡｓクラッド
層２の成長が支配的になり、上記両側の窪み１１の間に
位置する２つのメサ１２及び溝１０の上部での上記ｎ型
Ａ！ ｘＧａ、 −ｘ Ａｓクラッド層２の成長速度力
！減少し、表面は平坦であるが、共振器内部Ａに比べ約
０．１５μｍ薄い上記クラッド層２が形成され、従って
活性層３の高さに共振器内部Ａと共振器端面近傍Ｂとで
差が生じる。同様に上記ｎ型ｋｅｘＧａ、−ｘ−Ａｓク
ラッド層２の上の活性層３の層１ワも成長速度の差から
共振器内部へでの０．０７μｍに比べ、共振器端面近傍
Ｂでは０．０４μｍとほぼ半分に減少する。
一上記の如く、本発明によればＡｆｆｌＱａＡｓ ＣＳ
Ｐし〜ザに於いてＧａＡｓ基板に形成するストライブ
状の溝の共振器端面近傍での両側に窪みを付加すること
により、共振器内↑ｊＢに比べ共振器端面近傍では油性
層の高さが低く、活性層が発振）’ｃ、のピーク位置か
らはずれ、かつ、活性層がＨ’ｓ’ くなるため端面の
活性層での九出力密度及び光の吸収量を減少せしめ、最
大光出力をθ［来に比べ、２倍以上にすることが可能と
なる。
Ｐし〜ザに於いてＧａＡｓ基板に形成するストライブ
状の溝の共振器端面近傍での両側に窪みを付加すること
により、共振器内↑ｊＢに比べ共振器端面近傍では油性
層の高さが低く、活性層が発振）’ｃ、のピーク位置か
らはずれ、かつ、活性層がＨ’ｓ’ くなるため端面の
活性層での九出力密度及び光の吸収量を減少せしめ、最
大光出力をθ［来に比べ、２倍以上にすることが可能と
なる。
このときストライブ状の溝の形状は共振器の全長にわた
り一様であり、その上に形成される活性層は、該溝上部
近傍では共振器に垂直方向には平坦となり再現性の点で
好ましい。また閾請−電流′ｈの他のレーザ特性は変わ
らない。
り一様であり、その上に形成される活性層は、該溝上部
近傍では共振器に垂直方向には平坦となり再現性の点で
好ましい。また閾請−電流′ｈの他のレーザ特性は変わ
らない。
更に、Ｐ型、ｎ型クラッド層のＡ／？組成が異っても、
上記の導電型を換えても、あるいけＡｆＣ４ａＡｓ系に
限らず、光の吸１１Ｍが大きい半導体基板を用いる場合
にも、本発明が適用されることは盲う１でもない。
上記の導電型を換えても、あるいけＡｆＣ４ａＡｓ系に
限らず、光の吸１１Ｍが大きい半導体基板を用いる場合
にも、本発明が適用されることは盲う１でもない。
第１図は、ＤＥ来の半導体レーザ′の共振器に垂１ｆｆ
な断面構造、第２図及び第３図は本発明による大出力半
導体レーザの構造を示し、第４図及び第５図は、その製
造方法を示す。 図中、共通番号は共通名称を表わす。 １、ｎ型ＧａＡｓ基板 ２、ｎ型Ａ／ｘＧａ、−ｘＡｓ第１クラッド層３、Ａ！
ｙＯａ、−ｙＡｓ ｔｆ３性層４、 Ｐ型ＡＪｘＧａ、
ｘＡｓ第２クラッド層５． ｎ ｄ ＧａＡｓキャッ
プ層 ６、 ｐ型選択城敗領域 ７．１１型ＧａＡｓ基板の溝外表面（破線）３、 ｎ
７！ｌ！！ＧａＡｓ基板の溝底９発振光の垂直方向の直
昇強度分布 １０、 ｎ型ＧａＡｓ基板のストライブ状の溝１１、ｎ
型Ｇ；ＴＡＲ基板の窪み １２共振器禅而近傍における基板メサ部１３、 Ｐ型オ
ーミック電輛 １４、 ｎ ｌＪ：ｔ −ミｙり’４４’ｆｒ＜Ａ、共
Ｊｉ−４’ｄ”、ｓ内部 １３、共振器ｊｌ呂而面傍 ７１ 図 ７２ 図 ７３ 図 ７４ 図 オ ５ 図
な断面構造、第２図及び第３図は本発明による大出力半
導体レーザの構造を示し、第４図及び第５図は、その製
造方法を示す。 図中、共通番号は共通名称を表わす。 １、ｎ型ＧａＡｓ基板 ２、ｎ型Ａ／ｘＧａ、−ｘＡｓ第１クラッド層３、Ａ！
ｙＯａ、−ｙＡｓ ｔｆ３性層４、 Ｐ型ＡＪｘＧａ、
ｘＡｓ第２クラッド層５． ｎ ｄ ＧａＡｓキャッ
プ層 ６、 ｐ型選択城敗領域 ７．１１型ＧａＡｓ基板の溝外表面（破線）３、 ｎ
７！ｌ！！ＧａＡｓ基板の溝底９発振光の垂直方向の直
昇強度分布 １０、 ｎ型ＧａＡｓ基板のストライブ状の溝１１、ｎ
型Ｇ；ＴＡＲ基板の窪み １２共振器禅而近傍における基板メサ部１３、 Ｐ型オ
ーミック電輛 １４、 ｎ ｌＪ：ｔ −ミｙり’４４’ｆｒ＜Ａ、共
Ｊｉ−４’ｄ”、ｓ内部 １３、共振器ｊｌ呂而面傍 ７１ 図 ７２ 図 ７３ 図 ７４ 図 オ ５ 図
Claims (1)
- 共振器方向に伸びたストライブ状の溝を有する半導体基
板上に形成されたダブルへテロ構造を備えだ半導体レー
ザに於て、」二記藺が全共振器長にわたり一様な幅及び
深さからなること、共振器内部に比べ共振器端面近傍で
は、上記ダブルへテロ構造の活性層の層厚がよし薄いこ
と、及び該活性層が上記溝の上部近傍に於て上記溝に垂
直方向に平坦であることを特徴とする大出力半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12672183A JPS6018987A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 大出力半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12672183A JPS6018987A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 大出力半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018987A true JPS6018987A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14942222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12672183A Pending JPS6018987A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 大出力半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018987A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622686A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6222496A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6223189A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6223190A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12672183A patent/JPS6018987A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622686A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6222496A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6223189A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6223190A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5920586A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH06181363A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| US6333946B1 (en) | Semiconductor laser device and process for manufacturing the same | |
| JPS6018987A (ja) | 大出力半導体レ−ザ | |
| US4730328A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JPS6037191A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0671121B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS58197787A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| US4745611A (en) | Buried twin ridge substrate laser | |
| JP3075512B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2703283B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPH0671122B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH10144993A (ja) | 半導体レーザー | |
| JP2763781B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3038186B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0680868B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0256836B2 (ja) | ||
| JPH01132189A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH0680869B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2558745B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2558767B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6234473Y2 (ja) | ||
| JPH077230A (ja) | 屈折率反導波型半導体レーザ | |
| JPH10145001A (ja) | 半導体レーザー |