JPS6223190A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS6223190A JPS6223190A JP16339985A JP16339985A JPS6223190A JP S6223190 A JPS6223190 A JP S6223190A JP 16339985 A JP16339985 A JP 16339985A JP 16339985 A JP16339985 A JP 16339985A JP S6223190 A JPS6223190 A JP S6223190A
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- Japan
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- region
- stripe
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レーザ光の吸収の少ない窓領域を有する半導
体レーザ素子の新規な構造に関するものである。
体レーザ素子の新規な構造に関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
一般に半導体レーザは低閾値電流で安定な単一モードの
連続発振を得るため、活性層かへテロ接合界面で限定さ
れるともに種々の電流狭窄用ストライブ構造や導波路構
造が兵役されており、活性層のレーザ発振領域には高密
度の光とキャリアが閉じ込められることになる。しかし
ながら、半導体レーザを高出力動作させる際には光密度
の上昇に起因する素子の熱的な劣化が問題となる。この
問題に対し、活性層を薄層化することによって活性層内
の光密度を減少せしめ、高出力動作をさせたＴＲ５構造
レーザ（Ａ ｈｉｇｈ−ｐａｗｅｒ、 ｓｉｎｇｌｅ
−ｍａｄｅ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ ｔｗｉｎ −ｒｉ
ｄｇｅ−ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ；Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ、 ４２．
Ｎｏ、 ］ ０．１５ Ｍａｙ＋９８３．Ｐ、８５Ｂ
）が知られている。この半導体レーザは活性層の薄層化
を制御性良く達成できるように液相エピタキシャル成長
法を用いて下地層のリッジ上へ活性層の成長を行なった
ものである。
連続発振を得るため、活性層かへテロ接合界面で限定さ
れるともに種々の電流狭窄用ストライブ構造や導波路構
造が兵役されており、活性層のレーザ発振領域には高密
度の光とキャリアが閉じ込められることになる。しかし
ながら、半導体レーザを高出力動作させる際には光密度
の上昇に起因する素子の熱的な劣化が問題となる。この
問題に対し、活性層を薄層化することによって活性層内
の光密度を減少せしめ、高出力動作をさせたＴＲ５構造
レーザ（Ａ ｈｉｇｈ−ｐａｗｅｒ、 ｓｉｎｇｌｅ
−ｍａｄｅ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ ｔｗｉｎ −ｒｉ
ｄｇｅ−ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ；Ａ
ｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ、 ４２．
Ｎｏ、 ］ ０．１５ Ｍａｙ＋９８３．Ｐ、８５Ｂ
）が知られている。この半導体レーザは活性層の薄層化
を制御性良く達成できるように液相エピタキシャル成長
法を用いて下地層のリッジ上へ活性層の成長を行なった
ものである。
しかし、活性層の薄層化による光密度の減少は実現する
ことができたもの端面或いは端面近傍でのレーザ光の吸
収は低減されておらず共振端面の損傷や劣化を招来する
ため、半導体レーザの寿命の点で充分に改善されたもの
にはなっていない。これに対し、レーザ発振用共振器端
面でのレーザ光の吸収を少なくしたウィンドウＶＳＩＳ
レーザ（ｗｉｎｄａｗＶＳ Ｉ Ｓ １ａｓｅｒ ；
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ。
ことができたもの端面或いは端面近傍でのレーザ光の吸
収は低減されておらず共振端面の損傷や劣化を招来する
ため、半導体レーザの寿命の点で充分に改善されたもの
にはなっていない。これに対し、レーザ発振用共振器端
面でのレーザ光の吸収を少なくしたウィンドウＶＳＩＳ
レーザ（ｗｉｎｄａｗＶＳ Ｉ Ｓ １ａｓｅｒ ；
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ。
４２、 Ｎｏ、 ５． Ｉ Ｍａｒ １９８３． Ｐ２
Ｏ３）が提唱されている。この半導体レーザは共振器内
部の光励起領域に湾曲した厚い活性層を用い、一方、端
面近傍のレーザ光取出用窓領域では平担な薄い活性層を
用いることでレーザ光の吸収を低減し、高出力動作を可
能としたものである。しかし、通常の液相エピタキシャ
ル成長法では、Ｇａ溶液の飽和度や成長炉内の温度分布
等の問題により、光励起領域の活性層の湾曲度を一定に
制御することが困難である。従って均一な特性の半導体
レーザ素子を再現性良く量産することができず、またこ
の湾曲した活性層を用いることは屈折率との関係で活性
層内の湾曲部に局部的な光密度の上昇を招き高出力動作
時の劣化の原因となる。
Ｏ３）が提唱されている。この半導体レーザは共振器内
部の光励起領域に湾曲した厚い活性層を用い、一方、端
面近傍のレーザ光取出用窓領域では平担な薄い活性層を
用いることでレーザ光の吸収を低減し、高出力動作を可
能としたものである。しかし、通常の液相エピタキシャ
ル成長法では、Ｇａ溶液の飽和度や成長炉内の温度分布
等の問題により、光励起領域の活性層の湾曲度を一定に
制御することが困難である。従って均一な特性の半導体
レーザ素子を再現性良く量産することができず、またこ
の湾曲した活性層を用いることは屈折率との関係で活性
層内の湾曲部に局部的な光密度の上昇を招き高出力動作
時の劣化の原因となる。
く問題点を解決するだめの手段〉
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたもの
で窓領域を持つ長寿命の半導体レーザを制御性良く得る
技術を提供することを目的とするものである。この目的
を達成するために本発明は、レーザ光発振に関与する電
流狭窄用主ストライプ状溝両側に並設された主ストライ
プ状溝より深い副ストライブ状溝を有し、活性層の薄層
成長に対して制御機能を構成したものであり、副ストラ
イプ状溝の深さをレーザ共振器端面近傍で内部より深く
設定した基板上に液相エピタキシャル成長法により半導
体レーザ素子用エピタキシャル成長層を形成し、副スト
ライプ状溝の深さに対応して活性層厚を制御設定したこ
とを特徴とする。これによって発光に係る主ストライプ
状溝上の活性層の層厚はレーザ共振器端面近傍で内部よ
り薄くなり、レーザ光の吸収が少なくなる。
で窓領域を持つ長寿命の半導体レーザを制御性良く得る
技術を提供することを目的とするものである。この目的
を達成するために本発明は、レーザ光発振に関与する電
流狭窄用主ストライプ状溝両側に並設された主ストライ
プ状溝より深い副ストライブ状溝を有し、活性層の薄層
成長に対して制御機能を構成したものであり、副ストラ
イプ状溝の深さをレーザ共振器端面近傍で内部より深く
設定した基板上に液相エピタキシャル成長法により半導
体レーザ素子用エピタキシャル成長層を形成し、副スト
ライプ状溝の深さに対応して活性層厚を制御設定したこ
とを特徴とする。これによって発光に係る主ストライプ
状溝上の活性層の層厚はレーザ共振器端面近傍で内部よ
り薄くなり、レーザ光の吸収が少なくなる。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の分
解構成斜視図である。本実施例ではストライプ状のチャ
ネル溝を素子内部に設けた内部ストライプ構造の半導体
レーザ素子を使用し、そのレーザ共振器長しを２５０μ
ｍル−ザ共振器両端面から２５μｍの領域をレーザ光取
出窓領域＋ａ。
解構成斜視図である。本実施例ではストライプ状のチャ
ネル溝を素子内部に設けた内部ストライプ構造の半導体
レーザ素子を使用し、そのレーザ共振器長しを２５０μ
ｍル−ザ共振器両端面から２５μｍの領域をレーザ光取
出窓領域＋ａ。
１ｂ、該窓領域１ａ、Ｉｂを相互に結ぶ共振器内部を励
起領域２とする。窓領域１３．Ｉｂでの活性層厚は励起
領域２に比べて薄くなっておりレーザ光の吸収の少ない
窓機能を有する。この窓領域１ａ。
起領域２とする。窓領域１３．Ｉｂでの活性層厚は励起
領域２に比べて薄くなっておりレーザ光の吸収の少ない
窓機能を有する。この窓領域１ａ。
１ｂと励起領域２の活性層厚の差は上記チャネル溝の左
右位置に並設された副ストライプ状溝の深さの差に起因
しており、励起領域２での副ストライプ状溝の深さ１．
５μｍに対して窓領域１ａ、Ｉｔ）でのそれは約２．５
μｍ程度と深くなっている。従って、副ストライグ状溝
部の深さに応じて窓領域１ａ、１１）と励起領域２で活
性層厚が変化する。液相エピタキシャル成長法において
は、平坦部より湾曲部の方が成長が速く、その湾曲度が
大きい程成長速度が速くなる傾向にある。即ち湾曲成長
部では周囲の成長融液中のＡｓを消費し、この結果とし
て湾曲成長部周囲の成長速度を抑える作用を奏する。
右位置に並設された副ストライプ状溝の深さの差に起因
しており、励起領域２での副ストライプ状溝の深さ１．
５μｍに対して窓領域１ａ、Ｉｔ）でのそれは約２．５
μｍ程度と深くなっている。従って、副ストライグ状溝
部の深さに応じて窓領域１ａ、１１）と励起領域２で活
性層厚が変化する。液相エピタキシャル成長法において
は、平坦部より湾曲部の方が成長が速く、その湾曲度が
大きい程成長速度が速くなる傾向にある。即ち湾曲成長
部では周囲の成長融液中のＡｓを消費し、この結果とし
て湾曲成長部周囲の成長速度を抑える作用を奏する。
この作用により、窓領域＋ａ、Ｉｔ）での活性層厚が励
起領域２での活性層厚に比べて薄くなる。
起領域２での活性層厚に比べて薄くなる。
このような構造の半導体レーザ素子に電流を流すと、窓
領域＋ａ、 １１）では励起領域２に比べてレーザ発振
領域の活性層厚が薄いために、注入電子は励起領域２に
比べて伝導帯の高いレベルにまで注入される。従って励
起領域２で発振したレーザ光は窓領域＋ａ、１１）にお
いて吸収を受けずいわゆるウィンドウレーザとなり、高
出力動作が可能となる。
領域＋ａ、 １１）では励起領域２に比べてレーザ発振
領域の活性層厚が薄いために、注入電子は励起領域２に
比べて伝導帯の高いレベルにまで注入される。従って励
起領域２で発振したレーザ光は窓領域＋ａ、１１）にお
いて吸収を受けずいわゆるウィンドウレーザとなり、高
出力動作が可能となる。
以下第１図に示す半導体レーザ素子の製造方法について
第２図とともに説明する。第２図（Ａ）に示す如くｐ型
ＧａＡＳ基板１０に後工程で形成する副ストライプ状溝
に対応する位置にその副ストライプ状溝より若干側が広
く深さの深いストライプ溝２２’ 、 ２３’を形成す
る。本実施例では副１０μｍ、深さ３μｍのストライプ
状矩形溝とした。そして、この基板ｌＯ上に液相エピタ
キシャル成長法により第２図（Ｂ）に示す如くｎ型Ｇａ
Ａｓ電流阻止層Ｉ＋をストライプ溝２２’、 ２３’が
完全に埋まりかつ後工程で形成する主ストライプ状溝の
位置での層厚が０．８μｍとなるように形成する。続い
て、エツチングにより第２図（Ｃ）に示す如く副ストラ
イプ状溝２２．２３を上記ストライプ溝２２’、２３’
に重畳して形成する。副ストライプ状溝２２．２３は幅
が８μｍ１深さが窓領域１ａ＋Ｉｂで２５μｍ１励起領
域２で１５μｍとなるように刻設する。さらにこの２本
の副ストライプ状溝２２．２３の中央の位置に幅３μｍ
１深さ１μｍの主ストライプ状溝２１を形成する。この
結果、主ストライプ状溝２１はｐ型ＧａＡｓ基板１０に
達し、ＧａＡｓ基板１０から電流阻止層ＩＩが除去され
た部分で電流通路が開通される。一方、副ストライプ状
溝２２．２３は電流阻止層１１で覆われているために、
電流通路は開通されない。従って注入された電流は発光
に関与する主ストライプ状溝２１に集中して流れ発光に
関与しない無効電流が抑制されることとなる。
第２図とともに説明する。第２図（Ａ）に示す如くｐ型
ＧａＡＳ基板１０に後工程で形成する副ストライプ状溝
に対応する位置にその副ストライプ状溝より若干側が広
く深さの深いストライプ溝２２’ 、 ２３’を形成す
る。本実施例では副１０μｍ、深さ３μｍのストライプ
状矩形溝とした。そして、この基板ｌＯ上に液相エピタ
キシャル成長法により第２図（Ｂ）に示す如くｎ型Ｇａ
Ａｓ電流阻止層Ｉ＋をストライプ溝２２’、 ２３’が
完全に埋まりかつ後工程で形成する主ストライプ状溝の
位置での層厚が０．８μｍとなるように形成する。続い
て、エツチングにより第２図（Ｃ）に示す如く副ストラ
イプ状溝２２．２３を上記ストライプ溝２２’、２３’
に重畳して形成する。副ストライプ状溝２２．２３は幅
が８μｍ１深さが窓領域１ａ＋Ｉｂで２５μｍ１励起領
域２で１５μｍとなるように刻設する。さらにこの２本
の副ストライプ状溝２２．２３の中央の位置に幅３μｍ
１深さ１μｍの主ストライプ状溝２１を形成する。この
結果、主ストライプ状溝２１はｐ型ＧａＡｓ基板１０に
達し、ＧａＡｓ基板１０から電流阻止層ＩＩが除去され
た部分で電流通路が開通される。一方、副ストライプ状
溝２２．２３は電流阻止層１１で覆われているために、
電流通路は開通されない。従って注入された電流は発光
に関与する主ストライプ状溝２１に集中して流れ発光に
関与しない無効電流が抑制されることとなる。
この後、この主副ストライプ状溝２１．２２．２３全形
成した基板上に再び液相エピタキシャル成長法により第
２図（Ｄ） Ｋ示す如くｎ型ＧａＡｌＡｓ クラッド
層１２、ｎ型ＧａＡｌＡｓ 活性層Ｉ３、ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓ クラッド層１４、ｎ型キャン１層１５を順次成
長させ、ダブルへテロ接合レーザ発振用多層結晶構造を
形成する。この成長を行なう際に５”）１ 主ストライプ状溝２】よシ副が広く深さのある副ストラ
イプ状溝２２．２３直上でのみ活性層Ｉ３が湾曲するよ
うにｐ型クラッド層Ｉ２の層厚と成長条件を選定し、副
ストライプ状溝２２．２３直上ではｐ型クラッド層１２
が凹陥成長され、主ストライプ状溝２１直上では平坦に
成長されるようにする。これによってｐ型クラッド層Ｉ
２を下地層として成長形成される活性層１３は副ストラ
イプ状溝２２．２３直上で湾曲され、窓領域１ａ、ｌｂ
での主ストライプ状溝２１直上の活性層１３が副ストラ
イプ状溝２２．２３直上での湾曲の程度に応じて励起領
域２より薄く形成される。
成した基板上に再び液相エピタキシャル成長法により第
２図（Ｄ） Ｋ示す如くｎ型ＧａＡｌＡｓ クラッド
層１２、ｎ型ＧａＡｌＡｓ 活性層Ｉ３、ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓ クラッド層１４、ｎ型キャン１層１５を順次成
長させ、ダブルへテロ接合レーザ発振用多層結晶構造を
形成する。この成長を行なう際に５”）１ 主ストライプ状溝２】よシ副が広く深さのある副ストラ
イプ状溝２２．２３直上でのみ活性層Ｉ３が湾曲するよ
うにｐ型クラッド層Ｉ２の層厚と成長条件を選定し、副
ストライプ状溝２２．２３直上ではｐ型クラッド層１２
が凹陥成長され、主ストライプ状溝２１直上では平坦に
成長されるようにする。これによってｐ型クラッド層Ｉ
２を下地層として成長形成される活性層１３は副ストラ
イプ状溝２２．２３直上で湾曲され、窓領域１ａ、ｌｂ
での主ストライプ状溝２１直上の活性層１３が副ストラ
イプ状溝２２．２３直上での湾曲の程度に応じて励起領
域２より薄く形成される。
本実施例では、励起領域２の主ストライプ状溝２Ｉ直上
の活性層厚’６ｏ、ｏｓμｍ窓領域１ａ＋ＩｂＯ主スト
ライプ状溝２１直上の活性層厚を０．０３μｍに設定し
た。またこのレーザ素子を室温連続発振させたところ２
００ｍｗ以上の光出力を得ることができた。
の活性層厚’６ｏ、ｏｓμｍ窓領域１ａ＋ＩｂＯ主スト
ライプ状溝２１直上の活性層厚を０．０３μｍに設定し
た。またこのレーザ素子を室温連続発振させたところ２
００ｍｗ以上の光出力を得ることができた。
上記、実施例ではｐ型ＧａＡｃ５半導体基板上への成身
、を行なったが素子構造を反対導電型としても良く、ま
だ他の材料例えばＩｎＧａＡ３Ｐ系やＡｌＧａＡｓＳｂ
系を適用することも可能である。
、を行なったが素子構造を反対導電型としても良く、ま
だ他の材料例えばＩｎＧａＡ３Ｐ系やＡｌＧａＡｓＳｂ
系を適用することも可能である。
第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子の
分解構成斜視図である。本実施例では電流狭窄用ストラ
イプ構造がキャップ層に設けられている。ｎ型ＧａＡＳ
基板３０の成長面に上記実施例同様主ストライプ状溝と
左右１対の副ストライブ状溝が刻設され、この上にｎ型
ＧａＡＩＡ’３クラッド層３１、アンドープＧａＡＩＡ
Ｓ 活性層３２、ｎ型ＧａＡｌＡｓ クラッド層３３、
ｎ型Ｇ３Ａｓキャップ層３４が順次積層されレーザ発振
用多層結晶構造が構成されている。またキャップ層３４
には主ストライプ状溝直上位置に対応してＺｍの拡散さ
れたストライプ状のｐ型領域３５が形成され、この部分
が電流狭窄された電流通路となる。従って、レーザ発振
はｐ型領域３５直下の活性層３２で行なわれる。レーザ
発振領域の活性層３２は上記実施例同様に副ストライプ
状溝に対応して窓領域が励起領域より薄く層設され、レ
ーザ光吸収の少ないウィンドウレーザが構成されている
。
分解構成斜視図である。本実施例では電流狭窄用ストラ
イプ構造がキャップ層に設けられている。ｎ型ＧａＡＳ
基板３０の成長面に上記実施例同様主ストライプ状溝と
左右１対の副ストライブ状溝が刻設され、この上にｎ型
ＧａＡＩＡ’３クラッド層３１、アンドープＧａＡＩＡ
Ｓ 活性層３２、ｎ型ＧａＡｌＡｓ クラッド層３３、
ｎ型Ｇ３Ａｓキャップ層３４が順次積層されレーザ発振
用多層結晶構造が構成されている。またキャップ層３４
には主ストライプ状溝直上位置に対応してＺｍの拡散さ
れたストライプ状のｐ型領域３５が形成され、この部分
が電流狭窄された電流通路となる。従って、レーザ発振
はｐ型領域３５直下の活性層３２で行なわれる。レーザ
発振領域の活性層３２は上記実施例同様に副ストライプ
状溝に対応して窓領域が励起領域より薄く層設され、レ
ーザ光吸収の少ないウィンドウレーザが構成されている
。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明によればレーザ光吸収の少な
い窓領域を有する半導体レーザを再現性良く量産するこ
とができる。
い窓領域を有する半導体レーザを再現性良く量産するこ
とができる。
第１図は、本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の
分解構成斜視図である。第２図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ
）は第１図に示す半導体レーザ素子の製造工程図である
。第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子
の分解構成斜視図である。 Ｉａｉｂ・・・窓領域 ２・・・励起領域１０・・
・ｐ型ＧａＡＪ板 １１・・・ｎ型ＧａＡＳ電流阻止層
Ｉ２・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１８− ｐ型Ｇ
ａＡＩＡＳ活性層 １４・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１５・・・ｎ型
ＧａＡｓキャップ層 ２１・・・主ストライプ状溝 ２２、２３・・・副ストライプ状溝 ３０− ｎ型ＧａＡＳ基板 ３１・・・＼ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３２・・・ア
ンドープＧａＡｌＡｓ活性層３３・・・ｎ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層３４・・・ｎ型ＧａＡＳキャップ層 ３５・・・ｐ型領域 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図
分解構成斜視図である。第２図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ
）は第１図に示す半導体レーザ素子の製造工程図である
。第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザ素子
の分解構成斜視図である。 Ｉａｉｂ・・・窓領域 ２・・・励起領域１０・・
・ｐ型ＧａＡＪ板 １１・・・ｎ型ＧａＡＳ電流阻止層
Ｉ２・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１８− ｐ型Ｇ
ａＡＩＡＳ活性層 １４・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１５・・・ｎ型
ＧａＡｓキャップ層 ２１・・・主ストライプ状溝 ２２、２３・・・副ストライプ状溝 ３０− ｎ型ＧａＡＳ基板 ３１・・・＼ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３２・・・ア
ンドープＧａＡｌＡｓ活性層３３・・・ｎ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層３４・・・ｎ型ＧａＡＳキャップ層 ３５・・・ｐ型領域 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図
Claims (1)
- １、活性層のレーザ発振領域の外側に対応する下地層位
置に共振方向と平行なストライプ状の溝部を形成し、該
溝部を前記活性層端部近傍で深く前記活性層内部で浅く
制御するとともにレーザ発振領域の活性層厚を前記溝部
の深い領域に対応して薄く浅い領域に対応して厚く層設
したことを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16339985A JPS6223190A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体レ−ザ素子 |
| DE86303044T DE3688943T2 (de) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| US06/854,627 US4819245A (en) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Semiconductor laser device having substriped channels for forming an active layer which is thin in an inside portion |
| EP86303044A EP0199588B1 (en) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16339985A JPS6223190A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223190A true JPS6223190A (ja) | 1987-01-31 |
Family
ID=15773153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16339985A Pending JPS6223190A (ja) | 1985-04-23 | 1985-07-23 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173497A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-04 | Kandenko Co Ltd | 熱導管、熱導管用多孔管及びその敷設工法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60789A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6018987A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | Nec Corp | 大出力半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16339985A patent/JPS6223190A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60789A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6018987A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-31 | Nec Corp | 大出力半導体レ−ザ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02173497A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-04 | Kandenko Co Ltd | 熱導管、熱導管用多孔管及びその敷設工法 |
| JPH0480279B2 (ja) * | 1988-12-23 | 1992-12-18 | Kanto Denki Koji |
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