JPS60186042A - セラミツクパツケ−ジ - Google Patents
セラミツクパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS60186042A JPS60186042A JP59040450A JP4045084A JPS60186042A JP S60186042 A JPS60186042 A JP S60186042A JP 59040450 A JP59040450 A JP 59040450A JP 4045084 A JP4045084 A JP 4045084A JP S60186042 A JPS60186042 A JP S60186042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- glass
- bonding
- area
- increase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の如き半導体素子な塔載収納するセラ
ミックパッケージに関するものである０ 。
ミックパッケージに関するものである０ 。
従来セラミックパッケージとして広く使用されているサ
ーディツプ型のパッケージはガラス封止が行なわれてい
るが、このパッケージを強度の面から考察すると、サー
ディツプの場合、最も弱い所はガラス封着個所で、これ
にはガラス自身の強度とガラス°セラミック間の結合力
、ガラス°リード間の結合力が問題となるが、本発明に
於てはガラス・セラミック間の接着が全体的な強さに関
係することに着目してなされたものである。即ち本発明
ではセラミックの接合面に１μｒｎ−１００μ簿の大き
さの凹凸を設けることによシ、従来の７ラツト状の接合
面をガラス封止するのとは異なシ、ガ２ス°セラミック
間の結合力を高めたガラス封止を行なうものである。
ーディツプ型のパッケージはガラス封止が行なわれてい
るが、このパッケージを強度の面から考察すると、サー
ディツプの場合、最も弱い所はガラス封着個所で、これ
にはガラス自身の強度とガラス°セラミック間の結合力
、ガラス°リード間の結合力が問題となるが、本発明に
於てはガラス・セラミック間の接着が全体的な強さに関
係することに着目してなされたものである。即ち本発明
ではセラミックの接合面に１μｒｎ−１００μ簿の大き
さの凹凸を設けることによシ、従来の７ラツト状の接合
面をガラス封止するのとは異なシ、ガ２ス°セラミック
間の結合力を高めたガラス封止を行なうものである。
本発明をその実施例について図面を参照しつつ説明する
と以下のとお多である。
と以下のとお多である。
第１図はサーディツグタイプのパッケージの基本構成を
示す分解斜視図で、セラミック基体１とセラミック蓋体
２との間に、リードフレーム３を挾んでセラミック基体
１の上面とセラミック蓋体２の下面とにガラスを塗シ封
止したものであつ旭又、第２図はＬより封止パッケージ
の構成例を示す分解斜視図で、パッケージ本体４のガラ
ス封止面５にセラミック蓋体６を、ガラスによって封止
するもので、ガラス封止面にはり−ド７レーム等はアッ
センブリされずに、パッケージ本体にセラミックＬより
が直接ガラスによって接着される形式％式％ 本発明は上記第１図、第２図に示したようなパッケージ
な形成するガラス封着部分に改良を加え。
示す分解斜視図で、セラミック基体１とセラミック蓋体
２との間に、リードフレーム３を挾んでセラミック基体
１の上面とセラミック蓋体２の下面とにガラスを塗シ封
止したものであつ旭又、第２図はＬより封止パッケージ
の構成例を示す分解斜視図で、パッケージ本体４のガラ
ス封止面５にセラミック蓋体６を、ガラスによって封止
するもので、ガラス封止面にはり−ド７レーム等はアッ
センブリされずに、パッケージ本体にセラミックＬより
が直接ガラスによって接着される形式％式％ 本発明は上記第１図、第２図に示したようなパッケージ
な形成するガラス封着部分に改良を加え。
セラミックの接合面に１μｒＩＬ〜１００μｍの凹凸を
設けてガラス封着するがその一例を第３図によシ示せば
、第３図はセラミック基体のガラス封着面の構造例、を
示し、げ）はその部分正面図で、セラミック基体１の接
合面に細長い紡錘状の溝８が複数個設けられておシこの
面を利用してガラス封着することによりガラスとセラミ
ックの接着強度を高めるものである。
設けてガラス封着するがその一例を第３図によシ示せば
、第３図はセラミック基体のガラス封着面の構造例、を
示し、げ）はその部分正面図で、セラミック基体１の接
合面に細長い紡錘状の溝８が複数個設けられておシこの
面を利用してガラス封着することによりガラスとセラミ
ックの接着強度を高めるものである。
（ロ）は前記溝部の拡大断面図例で、セラミック基体の
上面に深さり１例えば５０μｍ程度、幅ａ、１μ席〜１
００μｍの溝８が設けられている。９は封止用ガラス層
を示す。
上面に深さり１例えば５０μｍ程度、幅ａ、１μ席〜１
００μｍの溝８が設けられている。９は封止用ガラス層
を示す。
なおこれに接合する側の接合面も同様な構造とすること
によシ接合強度を一層高めることができる。
によシ接合強度を一層高めることができる。
なお溝の形状及び寸法は第３図に示したものに限定され
るものではなく、又溝に代えて凸起でもよい−８ 本発明は上述のようにセラミックの接合面に１μｍｙＬ
〜１００μｍの大きさの凹凸をつけてガラス封着するも
のであるから、この凹凸によってセラミック基体の接合
部分の表面積が凹凸による面積増加部分だけ増加したこ
とになシ、この面積増加によつそガラス°セラミック間
の結合力が増大し、封着効果を高めるものである。
るものではなく、又溝に代えて凸起でもよい−８ 本発明は上述のようにセラミックの接合面に１μｍｙＬ
〜１００μｍの大きさの凹凸をつけてガラス封着するも
のであるから、この凹凸によってセラミック基体の接合
部分の表面積が凹凸による面積増加部分だけ増加したこ
とになシ、この面積増加によつそガラス°セラミック間
の結合力が増大し、封着効果を高めるものである。
なおこの凹凸は本発明者の検討の結果１μｍ〜１００μ
扉の範囲が適当であル、１μｍ未満では有効表面積の増
加につながらず又、１００μｍを越えた場合には、ガラ
ス自身の強度との関連で、それ程有効表面積の増加つま
ル両者の接合強度の増加にはならない。
扉の範囲が適当であル、１μｍ未満では有効表面積の増
加につながらず又、１００μｍを越えた場合には、ガラ
ス自身の強度との関連で、それ程有効表面積の増加つま
ル両者の接合強度の増加にはならない。
次に本発明による試作品と、従来のようにフラットな表
面のセラミック基板（現行品）のそれぞれに同一のガラ
ス封着剤を重ねてトルク強度を測定したところ下表のと
おシである。
面のセラミック基板（現行品）のそれぞれに同一のガラ
ス封着剤を重ねてトルク強度を測定したところ下表のと
おシである。
これによれば接着面積の増加分（試料では５チ）に応じ
強度は５％増加した。このことはもつと面積を増大する
ように多数の溝を設けることによシ強度を高め得ること
が示されている。
強度は５％増加した。このことはもつと面積を増大する
ように多数の溝を設けることによシ強度を高め得ること
が示されている。
なお本発明の実施に当ってはサーディツプ以外のガラス
封止、例えば第２図の如きＬより封止の場合には封止面
積が極めて小さいので、本発明のように溝を設けること
により実効面積を増大し、カラス封止の効果を大いに発
揮することができる。
封止、例えば第２図の如きＬより封止の場合には封止面
積が極めて小さいので、本発明のように溝を設けること
により実効面積を増大し、カラス封止の効果を大いに発
揮することができる。
第１図はセラミックパッケージのうちサーディツプ型の
パッケージの一例の分解斜視図、第２図ＬＩＤ封止の一
例の分解斜視図、第５図は本発明におりるガラス封着面
の一例を示しくイ）は一部正面図（＃は凹凸部分の一例
の拡大断面図である。 １：セラミック基体 ２：セラミック蓋体 ３：リード
フレーム ４：パッケージ本体 ５ニガラス封止面 ６
：セラミック蓋体 ７：セラミック基体 ８：溝 ９：
封止用ガラス 代理人 弁理士 竹 内 守 第１図
パッケージの一例の分解斜視図、第２図ＬＩＤ封止の一
例の分解斜視図、第５図は本発明におりるガラス封着面
の一例を示しくイ）は一部正面図（＃は凹凸部分の一例
の拡大断面図である。 １：セラミック基体 ２：セラミック蓋体 ３：リード
フレーム ４：パッケージ本体 ５ニガラス封止面 ６
：セラミック蓋体 ７：セラミック基体 ８：溝 ９：
封止用ガラス 代理人 弁理士 竹 内 守 第１図
Claims (1)
- ガラス封着を行なうセラミックパッケージに於て、セラ
ミックの接合面に１μｒＩＬ〜１００μｍの大きさの凹
凸を設けてガラス封着したことを特徴とするセラミック
パッケージ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040450A JPS60186042A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | セラミツクパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040450A JPS60186042A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | セラミツクパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186042A true JPS60186042A (ja) | 1985-09-21 |
Family
ID=12580973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040450A Pending JPS60186042A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | セラミツクパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937653A (en) * | 1988-07-21 | 1990-06-26 | American Telephone And Telegraph Company | Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP59040450A patent/JPS60186042A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937653A (en) * | 1988-07-21 | 1990-06-26 | American Telephone And Telegraph Company | Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme |
| USRE35119E (en) * | 1988-07-21 | 1995-12-12 | At&T Corp. | Textured metallic compression bonding |
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