JPS60182762A - 薄膜ダイオ−ド - Google Patents
薄膜ダイオ−ドInfo
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- JPS60182762A JPS60182762A JP59037916A JP3791684A JPS60182762A JP S60182762 A JPS60182762 A JP S60182762A JP 59037916 A JP59037916 A JP 59037916A JP 3791684 A JP3791684 A JP 3791684A JP S60182762 A JPS60182762 A JP S60182762A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/1021—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components including diodes only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は薄膜ダイオードに係り５特にメモリ機能を有す
る薄膜ダイオードに関するものである。
る薄膜ダイオードに関するものである。
（２）技術の背景
絶縁体薄膜を挾んだ２つの導体からなる電極の間に電圧
を加えると電圧−電流特性に非直線性が認められること
は知られていてこれらはトンネル効果の立場からの説明
がされている。その具体的な構成としては第１図ｔａ＋
、 （ｂｌに示すようにガラス等の基板１上に第１のア
ルミニウム（八７り膜２を真空蒸着し、空気中又は酸素
（０２）中で表面酸化することで例えば酸化アルミニウ
ム（Ａ７！２０３）膜３を形成し５該Ａβ２０３膜上に
第２のΔβ股４を蒸着した素子を作って上記第１及び第
２のＡＩ！、膜間に電圧を掛けた時に流れる電流は非直
線性を示す。又、アモルファスシリコンやセレン（Ｓ
ｅ）等を用いた薄膜ダイオード等も知られている。
を加えると電圧−電流特性に非直線性が認められること
は知られていてこれらはトンネル効果の立場からの説明
がされている。その具体的な構成としては第１図ｔａ＋
、 （ｂｌに示すようにガラス等の基板１上に第１のア
ルミニウム（八７り膜２を真空蒸着し、空気中又は酸素
（０２）中で表面酸化することで例えば酸化アルミニウ
ム（Ａ７！２０３）膜３を形成し５該Ａβ２０３膜上に
第２のΔβ股４を蒸着した素子を作って上記第１及び第
２のＡＩ！、膜間に電圧を掛けた時に流れる電流は非直
線性を示す。又、アモルファスシリコンやセレン（Ｓ
ｅ）等を用いた薄膜ダイオード等も知られている。
（３）従来技術の問題点
上記した薄膜ダイオードではメモリ性がないためにメモ
リ特性を持ったスイッチング素子が得られなかった。
リ特性を持ったスイッチング素子が得られなかった。
（４）発明の目的
本発明は上記した点に鑑みなされたものでメモリ性のあ
るスイッチング素子として利用出来る薄膜ダイオードを
提供することを目的とするものである。
るスイッチング素子として利用出来る薄膜ダイオードを
提供することを目的とするものである。
（５）発明の構成
そして上記目的は本発明によれば２つの電極に挾まれた
遷移金属酸化物半導体薄膜の少くとも一方の界面にショ
ットキー障壁を形成したことを特徴とする薄膜ダイオー
ド及び２つの電極に挾まれた遷移金属酸化物半導体薄膜
の少なくとも一方の界面にｐ−ｎジ中ンクションを形成
したことを特徴とする薄膜ダイオードを提供することに
よって達成される。
遷移金属酸化物半導体薄膜の少くとも一方の界面にショ
ットキー障壁を形成したことを特徴とする薄膜ダイオー
ド及び２つの電極に挾まれた遷移金属酸化物半導体薄膜
の少なくとも一方の界面にｐ−ｎジ中ンクションを形成
したことを特徴とする薄膜ダイオードを提供することに
よって達成される。
（６）発明の実施例
以下９本発明の一実施例を図面に。Ｌってｉ′ｒ−述す
る。
る。
第２図は本発明の薄膜ダイオードの構成を示す斜視図で
ある。
ある。
第２図に於てΣは薄膜ダイオードを示すもので１は第１
図と同様のガラス基板で該ガラス基板上に下側電極６と
してチタン（Ｔｉ）を蒸着し、遷移金属酸化物半導体薄
膜７としてはＲＦリアクテブ・マグネｌ−ロン・スパッ
タ（ＲＦ ｒｅａｃｔｉｏｎｌＩｌａ８ｎｅＬｒｏｎ
ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）の雰囲気を０２（３Ｘ１０−’
Ｔｏｒｒ）としターゲットにタングステンＷ（１０ｃ
ｍφ）を用い、基板１との距離を５ｃｍとし、ＲＦパワ
ーをｉｏｏｏｗとして酸化タングステン（ＷＯＸ）（Ｘ
≦３）を形成した。
図と同様のガラス基板で該ガラス基板上に下側電極６と
してチタン（Ｔｉ）を蒸着し、遷移金属酸化物半導体薄
膜７としてはＲＦリアクテブ・マグネｌ−ロン・スパッ
タ（ＲＦ ｒｅａｃｔｉｏｎｌＩｌａ８ｎｅＬｒｏｎ
ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）の雰囲気を０２（３Ｘ１０−’
Ｔｏｒｒ）としターゲットにタングステンＷ（１０ｃ
ｍφ）を用い、基板１との距離を５ｃｍとし、ＲＦパワ
ーをｉｏｏｏｗとして酸化タングステン（ＷＯＸ）（Ｘ
≦３）を形成した。
更に上記遷移金属酸化物半導体薄膜７」二にイリジウム
（Ｉ ｒ）をスパックリングにより形成することで」二
側電極８を形成した。
（Ｉ ｒ）をスパックリングにより形成することで」二
側電極８を形成した。
尚、上記遷移金属酸化物半導体薄膜７の厚みは７０００
人、アクティブ面積はＱ、Ｑｌｃｎｌである。
人、アクティブ面積はＱ、Ｑｌｃｎｌである。
上述の如く構成した薄膜ダイオード星は第１図て示しノ
コと同様に電圧−電流特性は第３図に示すように非直線
性を示す。即ち第３図で電圧（Ｖ）は」二側電極８側に
加えた電圧で上側及び下側電極８．６間に流れる電流（
輔）は図の曲線９のように非常に良好な整流性を示す。
コと同様に電圧−電流特性は第３図に示すように非直線
性を示す。即ち第３図で電圧（Ｖ）は」二側電極８側に
加えた電圧で上側及び下側電極８．６間に流れる電流（
輔）は図の曲線９のように非常に良好な整流性を示す。
面、上記実施例では遷移金属酸化物半導体薄膜用の酸化
物としてＷＯＸ （ｘ≦３）を用いたが。
物としてＷＯＸ （ｘ≦３）を用いたが。
該Ｗ Ｏｘの代りに酸化モリブテン（Ｍ ｏ Ｏｘ ）
（Ｘ≦３）、酸化バナジウム（Ｖ ２０ ｘ ） （ｘ
≦５）及びこれらの混合物を０２ガス圧４ Ｘ １０−
’〜８ Ｘ １０ ” Ｔｏｒｒ ・５ Ｗ／ ｃｎｔ
以上のパワーでスパックリングする様にしても良い。
（Ｘ≦３）、酸化バナジウム（Ｖ ２０ ｘ ） （ｘ
≦５）及びこれらの混合物を０２ガス圧４ Ｘ １０−
’〜８ Ｘ １０ ” Ｔｏｒｒ ・５ Ｗ／ ｃｎｔ
以上のパワーでスパックリングする様にしても良い。
更に上記電極８としてはｌｒを用いたがこの代りに白金
（ＰＬ）、パラジウム（Ｉ）ｄ）、タングステン（Ｗ）
５タンクル（Ｔａ＞、酸化錫（Ｓｎ０２）、酸化インジ
ウム：錫（Ｉｎ ２０２ ： Ｓｎ）等の金属及び酸化
金属を選択することができる。
（ＰＬ）、パラジウム（Ｉ）ｄ）、タングステン（Ｗ）
５タンクル（Ｔａ＞、酸化錫（Ｓｎ０２）、酸化インジ
ウム：錫（Ｉｎ ２０２ ： Ｓｎ）等の金属及び酸化
金属を選択することができる。
上記したＷＯ，等の遷移金属酸化物半導体薄膜７はｎ型
半導体物質でこれより仕事函数の大きな上側電極８を選
択すれば接合面はショットキー障壁を形成するようにな
って、第３図に示す整流特性を示−ｔＦｉｌＥ膜ダイオ
ードが得られる。
半導体物質でこれより仕事函数の大きな上側電極８を選
択すれば接合面はショットキー障壁を形成するようにな
って、第３図に示す整流特性を示−ｔＦｉｌＥ膜ダイオ
ードが得られる。
上述の如く構成した薄膜ダイオードｔの上下電極６．７
間に±２．７Ｖ程度の三角波電圧を数回加えるようなエ
ージングを行なうと第４図（ａｌ、 （ｂｌに示ずよう
なヒステリシス特性を持った薄膜ダイオードをｉｑるこ
とが出来る。
間に±２．７Ｖ程度の三角波電圧を数回加えるようなエ
ージングを行なうと第４図（ａｌ、 （ｂｌに示ずよう
なヒステリシス特性を持った薄膜ダイオードをｉｑるこ
とが出来る。
第４図ｆａｒは縦軸に電流Ａ／ｃＪを横軸に電圧を取り
下側電極６側で電圧を測定したもので第３図の場合とは
逆にマイナス側が順方向、プラス側が逆方向となってい
る。周波数は０．０１１１ｚであり、第４図（ｂ）の場
合は第４図（ａ）と同一の条件で周波数はＩＫ ｆｉｚ
の場合を示す。
下側電極６側で電圧を測定したもので第３図の場合とは
逆にマイナス側が順方向、プラス側が逆方向となってい
る。周波数は０．０１１１ｚであり、第４図（ｂ）の場
合は第４図（ａ）と同一の条件で周波数はＩＫ ｆｉｚ
の場合を示す。
第１図（ａｌ、 （１＋ｌＪｊに曲線１０ａ、ＩＯｂに
示ずように逆方向バイアス電圧１．６’Ｖ近傍で急激に
７１流が流れ始め２．５Ｖ程度迄電圧を増大して行くと
０．２５ Ａ／ ｃｎｔの電流が流れ、その後電圧を０
■方向に下げて行くとヒステリシスカーブｌｌａ、１１
ｂを画いて、１゜６■近傍で電流は０となり、更にマ・
イナス方向（第４図（ａｌ、 （ｂｌでは順方向）に電
圧を減少させて行くと一２■近傍から急激に電流がマイ
ナス方向に流れ、０．５ Ａ／ｃ＋Ｉ＋の電流が流れ。
示ずように逆方向バイアス電圧１．６’Ｖ近傍で急激に
７１流が流れ始め２．５Ｖ程度迄電圧を増大して行くと
０．２５ Ａ／ ｃｎｔの電流が流れ、その後電圧を０
■方向に下げて行くとヒステリシスカーブｌｌａ、１１
ｂを画いて、１゜６■近傍で電流は０となり、更にマ・
イナス方向（第４図（ａｌ、 （ｂｌでは順方向）に電
圧を減少させて行くと一２■近傍から急激に電流がマイ
ナス方向に流れ、０．５ Ａ／ｃ＋Ｉ＋の電流が流れ。
その後電圧を０■方向に上げて行くとヒステリシスカー
ブ１２ａ、１２ｂを画いて−１，２Ｖ近傍で電流はＯと
なっている。
ブ１２ａ、１２ｂを画いて−１，２Ｖ近傍で電流はＯと
なっている。
このようなヒステリシスカーブを形成する理由としては
遷移金属酸化物半導体薄膜７を介して上下電極８，６間
に加えた逆又は順バイアス電圧によって薄膜へのプロト
ンの出入りおよび薄膜中のイオン（ｐｒｏｔｏｎ）が移
動することで膜中の空乏層の厚さか変化することによっ
て発生ずるものと指定される。このハン］・モデルメカ
ニズムを実証するものとして第５図に示すように電圧を
横軸にとり、縦ＦＩＩＪに容量Ｃをとって電圧を零から
マイナス方向に下げノこ後に０方ｉｉＪ ４こ戻し、更
にプラス方向に上げて行きＯ方向に戻した時の容量値は
第５図の曲線１３で示すように容量値が変化し、空乏層
の伸縮に対応している。即ち、容量が大きいことは空乏
層が小さいことであり、小さいことは空乏層が拡がった
事を意味している。
遷移金属酸化物半導体薄膜７を介して上下電極８，６間
に加えた逆又は順バイアス電圧によって薄膜へのプロト
ンの出入りおよび薄膜中のイオン（ｐｒｏｔｏｎ）が移
動することで膜中の空乏層の厚さか変化することによっ
て発生ずるものと指定される。このハン］・モデルメカ
ニズムを実証するものとして第５図に示すように電圧を
横軸にとり、縦ＦＩＩＪに容量Ｃをとって電圧を零から
マイナス方向に下げノこ後に０方ｉｉＪ ４こ戻し、更
にプラス方向に上げて行きＯ方向に戻した時の容量値は
第５図の曲線１３で示すように容量値が変化し、空乏層
の伸縮に対応している。即ち、容量が大きいことは空乏
層が小さいことであり、小さいことは空乏層が拡がった
事を意味している。
上記実施例ではこのようなヒステリシス特性を有するＳ
膜ダイオードの上下電挽間に挟着する遷移金属酸化物半
導体薄膜としてＷ ＯＸ 、Ｖ ２０ ｘ 。
膜ダイオードの上下電挽間に挟着する遷移金属酸化物半
導体薄膜としてＷ ＯＸ 、Ｖ ２０ ｘ 。
ＭｏＯ，等を用いて、上側電極８との間にシジソトキー
障壁を形成した場合について述べたが、遷移金属酸化物
半導体薄膜のＷＯｘと上側電極Ｉｒ間にＰ−Ｎ接合を形
成するようなＰ型のＴ ｒｏｘ（Ｘ≦３）を介在させる
ことでＴｉ−ＷＯう−ＩｒＱＸ−１ｒ構成としても第６
図に示すようにエージングでＶ−１特性にヒステリシス
１４を与えることが出来る。
障壁を形成した場合について述べたが、遷移金属酸化物
半導体薄膜のＷＯｘと上側電極Ｉｒ間にＰ−Ｎ接合を形
成するようなＰ型のＴ ｒｏｘ（Ｘ≦３）を介在させる
ことでＴｉ−ＷＯう−ＩｒＱＸ−１ｒ構成としても第６
図に示すようにエージングでＶ−１特性にヒステリシス
１４を与えることが出来る。
上記Ｉ ｒｏｘの代りにＮ ｉ Ｏ’ｘ （ｘ≦２）を
用いることも出来る。
用いることも出来る。
上記した各構成の薄膜ダイオードを用いてメモリ機能を
有するスイッチング素子として利用した場合の実施例を
第７図乃至第１０図について詳述する。
有するスイッチング素子として利用した場合の実施例を
第７図乃至第１０図について詳述する。
第７図及び第９図はアドレスパルスＶａと読み出しパル
スの関係を示す模式図であり、第８図及び第１０図は本
発明の薄膜ダイオードのアドレス電圧と読み出し電流と
の関係を示すものである。
スの関係を示す模式図であり、第８図及び第１０図は本
発明の薄膜ダイオードのアドレス電圧と読み出し電流と
の関係を示すものである。
第７図は第４図（ａ）に示すヒステリシス曲線に示すよ
うに順方向のアドレスパルス１５ （パルス電圧Ｖａ、
パルス幅５００＋ｎｓ）によってトリガを加えた場合に
１０秒後に負電圧パルス１６で読み出した場合を示した
。この場合の読み出し電流とアドレス電圧Ｖａの関係は
第８図曲線１７に示すようにアドレス電圧−２■近傍で
急激に流れ始め、然も第４図（ａｌの１２ａ部分に示さ
れるようにヒステリシス特性を有するために５０Ｏｎ＋
ｓのパルス幅を持つアドレスパルス１５で書き込んだ場
合、１０秒後迄は読み出しが可能となり、メモリ機能を
有するスイッチング手段を得ることが可能となる。
うに順方向のアドレスパルス１５ （パルス電圧Ｖａ、
パルス幅５００＋ｎｓ）によってトリガを加えた場合に
１０秒後に負電圧パルス１６で読み出した場合を示した
。この場合の読み出し電流とアドレス電圧Ｖａの関係は
第８図曲線１７に示すようにアドレス電圧−２■近傍で
急激に流れ始め、然も第４図（ａｌの１２ａ部分に示さ
れるようにヒステリシス特性を有するために５０Ｏｎ＋
ｓのパルス幅を持つアドレスパルス１５で書き込んだ場
合、１０秒後迄は読み出しが可能となり、メモリ機能を
有するスイッチング手段を得ることが可能となる。
第９図は第４図（ａｌに示す順方向パルス、即ちアドレ
スパルス１５によりスイッチング用のトリガを掛番〕、
読み出しパルス１６ａを正電圧で行なった場合であり、
第１０図に曲線１８に示すように＝２ｖ（］近から電流
は急激に立ち上がる。
スパルス１５によりスイッチング用のトリガを掛番〕、
読み出しパルス１６ａを正電圧で行なった場合であり、
第１０図に曲線１８に示すように＝２ｖ（］近から電流
は急激に立ち上がる。
上記スイッチングはアドレスパルス印加後、少くとも数
１０秒は薄膜ダイオード５内でメモリされる。即ち本発
明の薄１１３ダイオードはメモリ機能を有するスイッチ
ング手段に利用することが可能となる。
１０秒は薄膜ダイオード５内でメモリされる。即ち本発
明の薄１１３ダイオードはメモリ機能を有するスイッチ
ング手段に利用することが可能となる。
更に上記薄膜ダイオードばエレク１−ロク１」ミックデ
ィバイスのマトリックス駆動や画像メモリ等に利用する
ことが可能である。
ィバイスのマトリックス駆動や画像メモリ等に利用する
ことが可能である。
（７）発明の効果
本発明は叙上のように構成させたのでメモリ機能を有す
る薄膜ダイオードが提供出来るとともに。
る薄膜ダイオードが提供出来るとともに。
該薄膜ダイオードをスイッチング手段に用いることでメ
モリ機能を有するスイッチング素子を得られる特徴を有
する。
モリ機能を有するスイッチング素子を得られる特徴を有
する。
第１図（ａ）、 ＋ｂ）は従来の薄膜ダイオード′の側
面図及び平面図、第２図は本発明の薄膜ダイオードの斜
視図、第３図は第２図に示す薄膜ダイオードの電圧−電
流特性図、第４図（ａ）、 （ｂ）は第２図示の薄膜ダ
イオードにエージングを掛けた場合の電圧−電流特性図
で第４図（ａ）は印加している３角波の周波数が０．０
１１１７．第４図（ｂｌばＩ Ｋ ｆｉｚの場合を示す
。 第５図は第２図示の薄膜ダイオードに０ボルトからマイ
ナス方］口農と電圧を減少させ、更にＯボルト方向に電
圧を増加させた後にプラス方向に電圧を増加させ更に０
ボルト方向に減少させた場合の容量変化を示す特性図、
第６図は本発明の他の実施態様の薄１１Ｑダイオードの
電圧−電流特性図、第７図及び第９図は本発明の薄膜ダ
イオードにスイッチング用のアドレスパルスを加えて所
定時間後に読み出す場合のアドレスパルスと読み出しパ
ルスの関係を示す模式的波形図、第８図及び第１θ図は
アドレス電圧印加後の読み出し電流曲線図である。 １・・・ガラス等の基板、 ２・・・第１のＡβ欣、
３・・・Ａｌ２Ｏ２膜。 ４・・・第２のＡＩｌ膜、 ５・・・薄膜ダイオード、
６・・・下側電極１ ７・・・遷移金属酸化物半導体
薄膜、 ８・・・」二側電極。 第１図 ４ 第２図 ｌ 第３図 第４図 （剰 電ＪＥ（Ｖ） （此） （４） 吃ＪＥ（Ｖ） −（！り ｊＩＳ 図 第６図 １乙 電ＪＥ（Ｖ）
面図及び平面図、第２図は本発明の薄膜ダイオードの斜
視図、第３図は第２図に示す薄膜ダイオードの電圧−電
流特性図、第４図（ａ）、 （ｂ）は第２図示の薄膜ダ
イオードにエージングを掛けた場合の電圧−電流特性図
で第４図（ａ）は印加している３角波の周波数が０．０
１１１７．第４図（ｂｌばＩ Ｋ ｆｉｚの場合を示す
。 第５図は第２図示の薄膜ダイオードに０ボルトからマイ
ナス方］口農と電圧を減少させ、更にＯボルト方向に電
圧を増加させた後にプラス方向に電圧を増加させ更に０
ボルト方向に減少させた場合の容量変化を示す特性図、
第６図は本発明の他の実施態様の薄１１Ｑダイオードの
電圧−電流特性図、第７図及び第９図は本発明の薄膜ダ
イオードにスイッチング用のアドレスパルスを加えて所
定時間後に読み出す場合のアドレスパルスと読み出しパ
ルスの関係を示す模式的波形図、第８図及び第１θ図は
アドレス電圧印加後の読み出し電流曲線図である。 １・・・ガラス等の基板、 ２・・・第１のＡβ欣、
３・・・Ａｌ２Ｏ２膜。 ４・・・第２のＡＩｌ膜、 ５・・・薄膜ダイオード、
６・・・下側電極１ ７・・・遷移金属酸化物半導体
薄膜、 ８・・・」二側電極。 第１図 ４ 第２図 ｌ 第３図 第４図 （剰 電ＪＥ（Ｖ） （此） （４） 吃ＪＥ（Ｖ） −（！り ｊＩＳ 図 第６図 １乙 電ＪＥ（Ｖ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）２つの電極に挾まれた遷移金属酸化物半導体薄膜
の少くとも一方の界面にシヨ・ノドキー障壁を形成した
ことを特徴とする薄膜ダイオード。 （２）２つの電極に挾まれた遷移金属酸化物半導体薄膜
の少なくとも一方の界面にｐ−ｎジャンクションを形成
したことを特徴とする薄膜ダイオード′。 （３）前記薄膜ダイオードの電圧−電流特性のヒステリ
シスを用いてスイッチングを行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜ダイオード。 （４）前記薄膜ダイオードの電圧−電流特性のヒステリ
シスを用いてスイッチングを行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の薄膜ダイオード。 （５）前記遷移金属酸化物半導体薄１模がＷＯ８（Ｘ≦
３）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜ダイオード。 （６）前記遷移金属酸化物半導体薄膜がＭ ｏ Ｏう（
Ｘ≦３）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜ダイオード。 （７）前記遷移金属酸化物半導体３Ｘ膜が■２０Ｘ（Ｘ
≦５）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のｖＪ膜ダイオード。 （８）前記遷移金属酸化物半導体薄膜が■２０８（Ｘ≦
５）、Ｍｏｂ、（ｘ≦３）、ＷＯ，（ｘ≦３）の混合物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜ダイオード。 （９）前記遷移金属酸化物半導体薄膜がＷＯｘ（Ｘ≦３
）であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
薄膜ダイオード。 （１０）前記遷移金属酸化物半導体薄膜がＭ ｏ Ｏｘ
（Ｘ≦３）であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の薄膜ダイオード。 （１１）前記遷移金属酸化物半導体薄膜がＶ２０ｘ（Ｘ
≦５）であることを特徴とする特許請求の範間第２項記
載の薄膜ダイオード。 （１２）前記遷移金属酸化物半導体薄膜がＶ２Ｏ８（Ｘ
≦５）、ＭｏｂＸ （ｘ≦３）、ＷＯ，（ｘ≦３）の混
合物であることを特徴とするｌｌ”Ｉ’−ａ’ｌ請求の
範囲第２項記載の薄膜ダイオード。 （１３）前記遷移金属酸化物半導体薄膜の少なくとも一
方の界面に形成したＰ型材料がＩｒ０ｘ（ｘ≦２）であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜ダ
イオ−１′。 （１４）前記遷移金属酸化物半導体薄膜の少くとも一方
の界面に形成したＰ型材料がＮｉＯｘ （ｘ≦２）であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜グ
イオート。 （１５）前記遷移金属酸化物半導体薄膜の少なくとも一
方の界面に形成したＰ型材料かｌｒｏウ （×≦２）、
Ｎ１ｐｘ （ｘ≦２）の混合物であることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の薄膜ダイオード。 （１Ｇ）前記２つの電極の内の一方がＩｎ、ＰＬ。 Ｐｄ、Ｗ、Ｔａ、ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３：３ｎの内の一
つであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
′４膜ダイオード。 （１７）前記２つの電極の内の基板側の一方がＩ’ ｉ
であることを特徴とするｑロイＩ請求の範囲第１項記載
の薄膜ダイオード。 （１８）前記２つの電極の内の基板側の一方が′Ｆｉで
あることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜
ダイオード−０ （１９）前記ＷＯＸからなる遷移金属酸化物半導体薄膜
をＲＦマグネソＩ・ロンスパッタリングにより５ Ｗ／
ｃＩＩ１以上のパワー、酸素ガス圧５ Ｘ １０−’〜
８Ｘ１０”ｌ−−ルの雰囲気で形成してなることを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載の薄膜ダイオード。 （２０）前記スイッチングに於て、オフからオンへのス
イッチングを順方向電圧パルスにより駆動してなること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の薄膜ダイオー
ド。 （２Ｉ）前記スイッチングに於て、オンからオフへのス
イッチングを逆方向電圧パルスにより駆動してなること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の薄膜ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037916A JPS60182762A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 薄膜ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037916A JPS60182762A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 薄膜ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182762A true JPS60182762A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12510864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59037916A Pending JPS60182762A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 薄膜ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182762A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512773A (en) * | 1993-12-23 | 1996-04-30 | U.S. Philips Corporation | Switching element with memory provided with Schottky tunnelling barrier |
| WO2011052437A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
| US9112041B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor having an oxide semiconductor film |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59037916A patent/JPS60182762A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512773A (en) * | 1993-12-23 | 1996-04-30 | U.S. Philips Corporation | Switching element with memory provided with Schottky tunnelling barrier |
| WO2011052437A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
| US9112041B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor having an oxide semiconductor film |
| US9385114B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
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