JPS6080894A - 非線形素子によりアドレスされる表示スクリーンとその製造方法 - Google Patents
非線形素子によりアドレスされる表示スクリーンとその製造方法Info
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- JPS6080894A JPS6080894A JP59188986A JP18898684A JPS6080894A JP S6080894 A JPS6080894 A JP S6080894A JP 59188986 A JP59188986 A JP 59188986A JP 18898684 A JP18898684 A JP 18898684A JP S6080894 A JPS6080894 A JP S6080894A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電気光学物質層、例えば液晶層から成る表示ス
クリーンに関するものである。
クリーンに関するものである。
（従来技術）
このような分野のスクリーンは、一般に多くの正方形又
は長方形の画素から成る。これらの画素は個々にアドレ
ス指定される。スクリーンの精細度はデータを受けるこ
とができるポイントの数に依存する。各ポイントの制御
は電界を印加することによって与えられる。映像情報を
表示するためには、マトリクス型表示が提案されている
。各画素は行（ライン）及び列（カラｌＳ）と呼ばれる
直交導体の２つのネッ１−ワークの交点によって定めら
れる。
は長方形の画素から成る。これらの画素は個々にアドレ
ス指定される。スクリーンの精細度はデータを受けるこ
とができるポイントの数に依存する。各ポイントの制御
は電界を印加することによって与えられる。映像情報を
表示するためには、マトリクス型表示が提案されている
。各画素は行（ライン）及び列（カラｌＳ）と呼ばれる
直交導体の２つのネッ１−ワークの交点によって定めら
れる。
時間多重技術が再帰によってスクリーンの状態をリフレ
ッシュするために採用された場合、行と列に与える制御
電圧による画素のアドレス指定（アドレシング）は、保
持される必要がない。この技術は、スクリーンの画素内
で生理的又は有益である残光効果に基づいている。液晶
表示デバイスの場合、画素は、時定数が連続する一時的
なアドレス指定動作の間の電荷を十分に保持するコンデ
ンサになぞらえられる。短い時間で制御電圧を与えるた
めに、非線形抵抗体は画素と直列に接続される。即ち、
バリスタ型素子は、閾値電圧より以下でほとんど絶縁し
、この閾値電圧を越えると伝導する。バリスタ素子を一
体にして形成する便利な方法はスクリーンと同一空間を
占めるバリスタ物質のブロックを基板（サブストレート
）に使用することにある。
ッシュするために採用された場合、行と列に与える制御
電圧による画素のアドレス指定（アドレシング）は、保
持される必要がない。この技術は、スクリーンの画素内
で生理的又は有益である残光効果に基づいている。液晶
表示デバイスの場合、画素は、時定数が連続する一時的
なアドレス指定動作の間の電荷を十分に保持するコンデ
ンサになぞらえられる。短い時間で制御電圧を与えるた
めに、非線形抵抗体は画素と直列に接続される。即ち、
バリスタ型素子は、閾値電圧より以下でほとんど絶縁し
、この閾値電圧を越えると伝導する。バリスタ素子を一
体にして形成する便利な方法はスクリーンと同一空間を
占めるバリスタ物質のブロックを基板（サブストレート
）に使用することにある。
多くの障害は、この方法に内在する。それは寄生容量を
導入し、また更に、こｉシらの特性を示す物質はほぼ不
°透明であるから、それらは透過を必要とするスクリー
ンには使用できない。閾値電圧はスクリーンの能動表面
の全体に亘って一様ではなく、一般に高い電圧である。
導入し、また更に、こｉシらの特性を示す物質はほぼ不
°透明であるから、それらは透過を必要とするスクリー
ンには使用できない。閾値電圧はスクリーンの能動表面
の全体に亘って一様ではなく、一般に高い電圧である。
これらのバリスタの分配構造は、本出願人の名前で１９
８１年８月２５［ｊに出願された仏画特許出願第８１．
１６，２１７号明細書で説明される第２の実施例に提案
されている。
８１年８月２５［ｊに出願された仏画特許出願第８１．
１６，２１７号明細書で説明される第２の実施例に提案
されている。
制御接続の特定の配列が選択されると、それらの上にバ
リスタッドが形成されることにより、液晶セルの閾値が
制御される。
リスタッドが形成されることにより、液晶セルの閾値が
制御される。
現在において、表示スクリーンに関する技術的要求は、
特に一層よい画面の精細度に関するものである。マトリ
クス表示型スクリーンの場合、デバイスは多くのアドレ
ス指定する行又は列から成るように設計される。それｄ
の数は５１２又は１０２４に達する。これは、対応して
スイッチング素子を増加させ、従って、前述の出願にお
いてはバリスタの数が増加する。大規模な生産に関して
は、そのような部品の良い再現性と大きい安定性を得る
ことがより一層必要である。また、関連するセルの容量
に対して部品の容量を再現性の良い状態で整合させるこ
とは更に一層必要である。
特に一層よい画面の精細度に関するものである。マトリ
クス表示型スクリーンの場合、デバイスは多くのアドレ
ス指定する行又は列から成るように設計される。それｄ
の数は５１２又は１０２４に達する。これは、対応して
スイッチング素子を増加させ、従って、前述の出願にお
いてはバリスタの数が増加する。大規模な生産に関して
は、そのような部品の良い再現性と大きい安定性を得る
ことがより一層必要である。また、関連するセルの容量
に対して部品の容量を再現性の良い状態で整合させるこ
とは更に一層必要である。
一般に、酸化ビスマス及び酸化マンガン又は他の類似物
質の粒子を含む酸化亜鉛粉末のんｌ果物のような材料は
、これらの要求を全く満足しない。
質の粒子を含む酸化亜鉛粉末のんｌ果物のような材料は
、これらの要求を全く満足しない。
バリスタの再現性と安定性は、特に１！＋２造の間使用
されるグレインジョインｈ （ｇｒａｊ、ｎ ｊｏｉｎ
ｔｓ ）を不動態化処理をするための技術ど粒度（ｇｒ
ａｉｎｓｉｚｅ ）などに依存する。また、グレインジ
ヨイントに関連したバリスタの寄生容量を制御すること
は困難である。
されるグレインジョインｈ （ｇｒａｊ、ｎ ｊｏｉｎ
ｔｓ ）を不動態化処理をするための技術ど粒度（ｇｒ
ａｉｎｓｉｚｅ ）などに依存する。また、グレインジ
ヨイントに関連したバリスタの寄生容量を制御すること
は困難である。
他のスイッチング素子を使用してもよい。それにもかか
わらず、大きい領域に亘って取り除くことが困難である
スイッチング素ｆの特性の分散のために、一般に、液晶
表示スクリーンは画素に依存するコントラストの均一性
における欠陥を示す。
わらず、大きい領域に亘って取り除くことが困難である
スイッチング素ｆの特性の分散のために、一般に、液晶
表示スクリーンは画素に依存するコントラストの均一性
における欠陥を示す。
これらの欠陥は液晶層の厚さ及びその固定層において、
小さい範囲に生じる。
小さい範囲に生じる。
これらの欠点を克服するた・めに、本発明は、画素が電
圧依存の抵抗型の非線形デバイスによってアドレス指定
され、また反対極性で直列に接続されるダイオードから
形成され、ドーピングは電流−電圧特性における同じ動
作点を有するスイッチング素子を得られるように制御さ
れる表示スクリーンを提供するものである。
圧依存の抵抗型の非線形デバイスによってアドレス指定
され、また反対極性で直列に接続されるダイオードから
形成され、ドーピングは電流−電圧特性における同じ動
作点を有するスイッチング素子を得られるように制御さ
れる表示スクリーンを提供するものである。
（発明の課題）
本発明は、少なくとも１つが透明である２つのプレー１
−の間に置かれた電気光学物質から成る型の表示スクリ
ーンであって、前記スクリーンの画素に直列に接続され
、一体に付着された非線形素子を有し、前記プレー１へ
によって支持された電極によって分配された電位を通じ
て非線形素子を制御し、前記制御は非線形素子の電流−
電圧特性における動作点に依存し、前記非線形素子は反
対極性で直列に接続さｔｉ、た２つのダイオードによっ
て形成され、共通のドープされた半導体層を有する表示
スクリーンにおいて、前記すべての非線形素子が画素の
同じ制御電圧に刻して同じ動作点を持つように、前記半
導体層のドーピングは１０−２Ω−１，０「Ｉより高い
導電率を示すものであることを特徴とする表示スクリー
ンを提供するものである。
−の間に置かれた電気光学物質から成る型の表示スクリ
ーンであって、前記スクリーンの画素に直列に接続され
、一体に付着された非線形素子を有し、前記プレー１へ
によって支持された電極によって分配された電位を通じ
て非線形素子を制御し、前記制御は非線形素子の電流−
電圧特性における動作点に依存し、前記非線形素子は反
対極性で直列に接続さｔｉ、た２つのダイオードによっ
て形成され、共通のドープされた半導体層を有する表示
スクリーンにおいて、前記すべての非線形素子が画素の
同じ制御電圧に刻して同じ動作点を持つように、前記半
導体層のドーピングは１０−２Ω−１，０「Ｉより高い
導電率を示すものであることを特徴とする表示スクリー
ンを提供するものである。
また、本発明は表示スクリーンの製造方法を提供するも
のである。
のである。
（発明の構成及び作用）
本発明による実施例を添付図面を参照して説明する。
マＩ〜リクスアクセス型表示スクリーンは、表示７１−
リクスの行と列を表わす交差した２組の電極の間に設け
られた液晶層のような電気光学物質によって形成される
。行と列の交点はスクリーンの画素を定める。
リクスの行と列を表わす交差した２組の電極の間に設け
られた液晶層のような電気光学物質によって形成される
。行と列の交点はスクリーンの画素を定める。
第１図は表示スクリーンの画素の等価回路を示す。列１
と行２の交点はコンデンサの記号で表わした基本セル（
ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｃｅＪＩ ） ：３で示される
画素を定める。誘電体５は電気光学物質であるのがよい
。基本セル３は非線形素子４に接続される。列１と行２
の間に与えられる電位差の値によって、基本セル３は非
線形素子の閾値電圧の関数として動作又は非動作となる
。
と行２の交点はコンデンサの記号で表わした基本セル（
ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｃｅＪＩ ） ：３で示される
画素を定める。誘電体５は電気光学物質であるのがよい
。基本セル３は非線形素子４に接続される。列１と行２
の間に与えられる電位差の値によって、基本セル３は非
線形素子の閾値電圧の関数として動作又は非動作となる
。
非線形素子４は２つのダイオードＤ□及びＤ２を反対極
性で直列に接続することにより形成される。
性で直列に接続することにより形成される。
２つのダイオードの可能な配列は第２図及び第３図の回
路図で示される。第４図は曲線６が非線形素子の端子、
即ちＡとＢの間に与えられる電位差ＶＡｅの関数として
、非線形素子を流れる電流■の傾きを示すグラフである
。曲線６が極端に非線形であり、閾値電圧ＶＳを有する
ことをグラフは示している。極端に非線形の逆特性を有
するアモルファスのシリコン・ショク１〜キーダイオー
ドを使用することは有利である。
路図で示される。第４図は曲線６が非線形素子の端子、
即ちＡとＢの間に与えられる電位差ＶＡｅの関数として
、非線形素子を流れる電流■の傾きを示すグラフである
。曲線６が極端に非線形であり、閾値電圧ＶＳを有する
ことをグラフは示している。極端に非線形の逆特性を有
するアモルファスのシリコン・ショク１〜キーダイオー
ドを使用することは有利である。
第５図はアモルファスのシリコン・ショッ１−キーダイ
オードの構造を示す。典型的に、この種のダイオードは
、基板（サブストレート） １０の上に、ｎ゛型トド−
ピング第１のアモルファス・シリコン層１１、第２の非
ドープのアモルファス・シリコン層１２及び下層にショ
ソ１−キー接合を形成する金属の表面層１３を付着する
ことによって得られる。通常、金属は白金であるか、白
金又は金のような類似の特性を有する他の物質が選択さ
れる。良い金属−単心体接触を与えるために、金属層１
３は白金・ケイ素化合物の界面を形成するように処理さ
れる。
オードの構造を示す。典型的に、この種のダイオードは
、基板（サブストレート） １０の上に、ｎ゛型トド−
ピング第１のアモルファス・シリコン層１１、第２の非
ドープのアモルファス・シリコン層１２及び下層にショ
ソ１−キー接合を形成する金属の表面層１３を付着する
ことによって得られる。通常、金属は白金であるか、白
金又は金のような類似の特性を有する他の物質が選択さ
れる。良い金属−単心体接触を与えるために、金属層１
３は白金・ケイ素化合物の界面を形成するように処理さ
れる。
コプレーナ型構造で非線形素子を形成することは有利で
ある。第６図はそのような構成を示す図である。いくつ
かの非線形デバイスに苅して共通である絶縁基板２０の
上に、まず最初にｒ１°イオンがドープされたアモルフ
ァス・シリコン層２１が付着され、次に非ドープ又は非
常にわずかに１−一プされたアモルファス・シリコン層
２２が付着される。ダイオードＤ□及びＤ２は白金スタ
ンド２３及び２４によって仕」−げられる。ｒｌ ’イ
オンがドープされた層２１はダイオード１つ、及びＤ２
の間に電気的接続を与える。接続導体２５及び２６は接
触端子２７及び２８にそれぞれダイオード■〕□及び■
〕２を接続する。これらの端子の間に、反対極性で直列
に接続された２つのダイオードから形成された非線形素
子が形成される。
ある。第６図はそのような構成を示す図である。いくつ
かの非線形デバイスに苅して共通である絶縁基板２０の
上に、まず最初にｒ１°イオンがドープされたアモルフ
ァス・シリコン層２１が付着され、次に非ドープ又は非
常にわずかに１−一プされたアモルファス・シリコン層
２２が付着される。ダイオードＤ□及びＤ２は白金スタ
ンド２３及び２４によって仕」−げられる。ｒｌ ’イ
オンがドープされた層２１はダイオード１つ、及びＤ２
の間に電気的接続を与える。接続導体２５及び２６は接
触端子２７及び２８にそれぞれダイオード■〕□及び■
〕２を接続する。これらの端子の間に、反対極性で直列
に接続された２つのダイオードから形成された非線形素
子が形成される。
このアモルファス・シリコン層のディポジション（付着
工程）は、多数の工程によって達成される。表示スクリ
ーンのための非線形デバイスを形成するために、気相成
長法又はＣＶＩ）（化学蒸着法）は大気圧下で行うのが
好ましい。それは、シリコン源であるシラン Ｓ ｉ
Ｈ、の熱分解である。
工程）は、多数の工程によって達成される。表示スクリ
ーンのための非線形デバイスを形成するために、気相成
長法又はＣＶＩ）（化学蒸着法）は大気圧下で行うのが
好ましい。それは、シリコン源であるシラン Ｓ ｉ
Ｈ、の熱分解である。
使用されるガスバク１〜ルは水素である。ｎ型ドーピン
グは水素で蒲められたホスフィンＰＨ，を導入すること
によって与えられる。ｎ帯層のドーピングは１次の比 に対応し、１０−Ｇから】Ｏｊ（Ω−’、ｃｍ−’）オ
ーダの導電率を示す。蒸着層の厚さは千から数千オンゲ
ストロームまで変化する。
グは水素で蒲められたホスフィンＰＨ，を導入すること
によって与えられる。ｎ帯層のドーピングは１次の比 に対応し、１０−Ｇから】Ｏｊ（Ω−’、ｃｍ−’）オ
ーダの導電率を示す。蒸着層の厚さは千から数千オンゲ
ストロームまで変化する。
６００℃のＣＶＤ蒸着によって得られたアモルファス・
シリコンは、ｒＧい濃度のプロークン・ボンド（ｂｒｏ
ｋｅｎ ｂｏｎｄ ）を有する。プロークン・ボンドに
対応する電子の状態は禁止帯の中で深く、半絶縁物質を
与える。原子状水素環境で熱処理するこトニヨって、５
ｉ−Ｈ結合の形成によってプロークン・ボンドを化学的
に不動態化することが可能となる。この後の水素化は、
マイクロ波が発生した水素プラズマの中で約４００ ’
Ｃの温度で実行される。
シリコンは、ｒＧい濃度のプロークン・ボンド（ｂｒｏ
ｋｅｎ ｂｏｎｄ ）を有する。プロークン・ボンドに
対応する電子の状態は禁止帯の中で深く、半絶縁物質を
与える。原子状水素環境で熱処理するこトニヨって、５
ｉ−Ｈ結合の形成によってプロークン・ボンドを化学的
に不動態化することが可能となる。この後の水素化は、
マイクロ波が発生した水素プラズマの中で約４００ ’
Ｃの温度で実行される。
また、種々の層は、低圧気相成長法又はＬＰＧＶＤ（低
圧化学蒸着）法によって（−１着されてもよい。
圧化学蒸着）法によって（−１着されてもよい。
この場合、付着工程（ディポジション）は５００ミリ１
〜ルの圧力下で、約５６５℃の温度で実行される。
〜ルの圧力下で、約５６５℃の温度で実行される。
前記の方法は、大きい表面］−のティポジションに対し
て特に適している。それらの方法は、表示スクリーンの
非線形素子を支持する基板を形成するために使用される
。しかしながら、前述したように、それは考慮すべき問
題、特にコン１−ラストの制御に関する問題を起すこれ
らの素子の電流−電圧特性の分散がある。
て特に適している。それらの方法は、表示スクリーンの
非線形素子を支持する基板を形成するために使用される
。しかしながら、前述したように、それは考慮すべき問
題、特にコン１−ラストの制御に関する問題を起すこれ
らの素子の電流−電圧特性の分散がある。
第７図は非線形素子の端子にυえる電圧Ｖの関数として
、非線形素子を流れる電流■の傾きを示すグラフである
。注目する素子は第６図に示される型である。３つの曲
線３０．３１及び３２は、同じ動作の間に同じサブスト
レート上に形成される３つの非線形素子にそれぞれ対応
する。縦座標軸は、対数目盛によるアンペアで目盛りが
付けられ。
、非線形素子を流れる電流■の傾きを示すグラフである
。注目する素子は第６図に示される型である。３つの曲
線３０．３１及び３２は、同じ動作の間に同じサブスト
レート上に形成される３つの非線形素子にそれぞれ対応
する。縦座標軸は、対数目盛によるアンペアで目盛りが
付けられ。
横座標軸はボルトで目盛りが付けられている。これらの
曲線の傾きは、対数目盛のアンペアに対して大部分がほ
ぼ直線である。電流−電圧特性の分散に関する限り、こ
れらの曲線は顕著に示している。特に、１２Ｖの電圧に
対して曲線３０及び３２の間の電流の差は、ΔＩ ＝
７．６ Ｘ １０−’ （Ａ）であり、この差は１２Ｖ
より高い電圧に対して目につくほどの減少はない。電流
の対応する値は、曲線３２でＩ、＝９ Ｘｌ０−８（Ａ
）であり、曲線３０では工２＝１．４ Ｘ １０−”
（Ａ）である。電流Ｉ□は電流工２より高い６．４倍の
値を有する。スクリーンのコントラスト上のこの分散に
よる有害な影響は容易に理解できる。
曲線の傾きは、対数目盛のアンペアに対して大部分がほ
ぼ直線である。電流−電圧特性の分散に関する限り、こ
れらの曲線は顕著に示している。特に、１２Ｖの電圧に
対して曲線３０及び３２の間の電流の差は、ΔＩ ＝
７．６ Ｘ １０−’ （Ａ）であり、この差は１２Ｖ
より高い電圧に対して目につくほどの減少はない。電流
の対応する値は、曲線３２でＩ、＝９ Ｘｌ０−８（Ａ
）であり、曲線３０では工２＝１．４ Ｘ １０−”
（Ａ）である。電流Ｉ□は電流工２より高い６．４倍の
値を有する。スクリーンのコントラスト上のこの分散に
よる有害な影響は容易に理解できる。
本発明は、すべての非線形素子が液晶層を制御するため
に、同じ電流−電圧の動作点を有するように非線形素子
を形成することを提案する。これは、与えられた制御電
圧に対して回し電流レベルになるように電流−電圧特性
を制限することによって得られる。この制限は非線形素
子の２つのダイオードに共通する背後のｎ′層のドーピ
ングを制御することによって導かれる。反対極性で直列
に接続される２つのダイオードによって形成される組立
体の電流工 （電圧Ｖ）の特性は、蒸着の間ｎ゛イオン
ドープされた層の直列抵抗の値を制御することによって
均一化される。この結果、Ｐ Ｉ−１，／ Ｓ １Ｈ４
＝ １０−３に対応するｎ゛層のドーピングが得られ、
］］０−１Ω−’、Ｃｎｌ暑オーの導電率を示す。１０
−２Ω−’、ＣＩｌ＋”より高い導電率を生じる１クー
ピングは、特性を均一にす乞ために４−分である。
に、同じ電流−電圧の動作点を有するように非線形素子
を形成することを提案する。これは、与えられた制御電
圧に対して回し電流レベルになるように電流−電圧特性
を制限することによって得られる。この制限は非線形素
子の２つのダイオードに共通する背後のｎ′層のドーピ
ングを制御することによって導かれる。反対極性で直列
に接続される２つのダイオードによって形成される組立
体の電流工 （電圧Ｖ）の特性は、蒸着の間ｎ゛イオン
ドープされた層の直列抵抗の値を制御することによって
均一化される。この結果、Ｐ Ｉ−１，／ Ｓ １Ｈ４
＝ １０−３に対応するｎ゛層のドーピングが得られ、
］］０−１Ω−’、Ｃｎｌ暑オーの導電率を示す。１０
−２Ω−’、ＣＩｌ＋”より高い導電率を生じる１クー
ピングは、特性を均一にす乞ために４−分である。
第８図は非線形素子の端子間に与えられる電圧Ｖの関数
として非線形を流れる電流■の傾きを示すグラフである
。注目する非線形素子は、第７図の場合と同じように、
第６図に示される型である。
として非線形を流れる電流■の傾きを示すグラフである
。注目する非線形素子は、第７図の場合と同じように、
第６図に示される型である。
３つの曲線４０．４１及び４２は、同じ動作の間同じ基
板上に形成される３つの同一の非線形素子に対応してプ
ロットされている。縦座標軸は対数目盛によりアンペア
で目盛が付けられ、横座標軸はポル１−で目盛が付けら
れている。電圧Ｖの低い電圧の間陥れている曲線４０．
４１及び４２は電圧Ｖが増加すると重なる傾向があり、
特に１２Ｖより高い電圧に対していっしょに重なること
が第８図かられかる。十分に高い制御電圧に対して、液
晶層は各点において、同一に制御されることが同図から
容易にわかる。
板上に形成される３つの同一の非線形素子に対応してプ
ロットされている。縦座標軸は対数目盛によりアンペア
で目盛が付けられ、横座標軸はポル１−で目盛が付けら
れている。電圧Ｖの低い電圧の間陥れている曲線４０．
４１及び４２は電圧Ｖが増加すると重なる傾向があり、
特に１２Ｖより高い電圧に対していっしょに重なること
が第８図かられかる。十分に高い制御電圧に対して、液
晶層は各点において、同一に制御されることが同図から
容易にわかる。
また、非線形素子を形成するダイオードの幾何学的特性
を制御することによって、非線形素子の電流−電圧特性
を均一化することが可能となる。
を制御することによって、非線形素子の電流−電圧特性
を均一化することが可能となる。
特に、ｎ１イオンがドープされた層によって示される抵
抗は、その層の厚さを減少させるが、又は接合の領域を
増加させることによって減少する。
抗は、その層の厚さを減少させるが、又は接合の領域を
増加させることによって減少する。
第９図及び第１０図は本発明による液晶表示スクリーン
の部分断面図である。第１０図は第９図のＸＸ′軸を通
る平面図である。非線形素子は第６図に示される型であ
る。望むアモルファスのシリコン層は、前述のＣＶＤ法
によってプレート又は基板５０の上に、まず第一に蒸着
される。画素に関連した非線形素子は化学的エツチング
によって互いに絶縁される。次に、金属接触（コンタク
ト）は、基準体５１を有する非線形素子を完全なものに
するように蒸着によって付着される。従って、各非線形
素子５１はコンタクト５２及び５３を有し、各コンタク
トはそれらを支持する半導体層と共にショットキー接合
を形成する。また、基板５０は、制御電位を伝達する列
接続導体５４と、その領域（例えば、１ｍｌ１１２オー
ダ）が画素を定める電極５５とを支持する。第１０図に
示されるように、非線形素子５１は、列接枝体導体５４
と電極接続点５５との間を接続する。真空蒸着法によっ
て、接続導体５４ とコンタク１〜５２の間及び電極５
４とコンタクト５２の間に良い導通が得られる。スクリ
ーンが反射に使用される場合、電極５５は反射させる必
要がある。電極５５はアルミニウムから作られるのが好
ましい。スクリーンが透過用に使用される場合、例えば
錫とインジウムを混合した酸化物が使用される。接続導
体５４は問題を起さないように十分に薄くする。第２の
プレート５６は、図示されないシム（ｓｈｉｍ ）によ
って定めら社、典型的には約１５ミクロンの距離でプレ
ート５０に対して蒸着される。それは、行接続導体５７
を支持する。それらは電極５５と同じ幅を有する。それ
らは錫とインジウムを混合した酸化物のような透明導電
材料から作られる。
の部分断面図である。第１０図は第９図のＸＸ′軸を通
る平面図である。非線形素子は第６図に示される型であ
る。望むアモルファスのシリコン層は、前述のＣＶＤ法
によってプレート又は基板５０の上に、まず第一に蒸着
される。画素に関連した非線形素子は化学的エツチング
によって互いに絶縁される。次に、金属接触（コンタク
ト）は、基準体５１を有する非線形素子を完全なものに
するように蒸着によって付着される。従って、各非線形
素子５１はコンタクト５２及び５３を有し、各コンタク
トはそれらを支持する半導体層と共にショットキー接合
を形成する。また、基板５０は、制御電位を伝達する列
接続導体５４と、その領域（例えば、１ｍｌ１１２オー
ダ）が画素を定める電極５５とを支持する。第１０図に
示されるように、非線形素子５１は、列接枝体導体５４
と電極接続点５５との間を接続する。真空蒸着法によっ
て、接続導体５４ とコンタク１〜５２の間及び電極５
４とコンタクト５２の間に良い導通が得られる。スクリ
ーンが反射に使用される場合、電極５５は反射させる必
要がある。電極５５はアルミニウムから作られるのが好
ましい。スクリーンが透過用に使用される場合、例えば
錫とインジウムを混合した酸化物が使用される。接続導
体５４は問題を起さないように十分に薄くする。第２の
プレート５６は、図示されないシム（ｓｈｉｍ ）によ
って定めら社、典型的には約１５ミクロンの距離でプレ
ート５０に対して蒸着される。それは、行接続導体５７
を支持する。それらは電極５５と同じ幅を有する。それ
らは錫とインジウムを混合した酸化物のような透明導電
材料から作られる。
２つのプレート５０及び５６の間の空間は、液晶層５８
（例えば、ネマチック相を有する型）で満たされている
。
（例えば、ネマチック相を有する型）で満たされている
。
このように、表示スクリーンは、各画素が非線形素子に
よって制御されることで得られ、透過又は反射用に使用
される。非線形素子を形成するショットキーダイオード
は、典型的には１００μＡ、即ち匹敵した領域を有する
薄膜トランジスタ （ｔｈｉｎ １ａｙｅｒ ｔｒａｎ
ｓｊ、５ｔｏｒ ）を通って流れる電流より大きく、少
なくとも１０倍の高い電流を流すことができる。灰色色
調は、行又は列のパルス次第で与えられる映像電圧パル
スの幅を変化させることによって得られる。
よって制御されることで得られ、透過又は反射用に使用
される。非線形素子を形成するショットキーダイオード
は、典型的には１００μＡ、即ち匹敵した領域を有する
薄膜トランジスタ （ｔｈｉｎ １ａｙｅｒ ｔｒａｎ
ｓｊ、５ｔｏｒ ）を通って流れる電流より大きく、少
なくとも１０倍の高い電流を流すことができる。灰色色
調は、行又は列のパルス次第で与えられる映像電圧パル
スの幅を変化させることによって得られる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、表示スクリーンの
コン１〜ラストを均一にすることができる効果がある。
コン１〜ラストを均一にすることができる効果がある。
第１図は本発明による表示スクリーンの画素を記号を用
いて示す図、第２図及び第３図は非線形素子の電気回路
図、第５図はショッ１−キーダイオードの構造を示す図
、第６図は非線形素子を示す図、第４図、第７図及び第
８図は非線形索ｆ−の特性を説明するための図、第９図
及び第１Ｏ図は本発明による表示スクリーンの実施例を
示す図である。 １１．１２．２１−ｍ−アモルファス・シリコン層、５
０．５６−−−プレー１〜、 ５１−ｍ−非線形素子、
５４．５７一−接続導体、５８−ｍ−電気光学物質、Ｄ
ｌ、Ｄ２−−−ダイオード。 特許出願人 トムソンーセーエスエフ 第１頁の続き ｏ発 明 者 エリツク シャルテイ フランス国、
９２２９０エール サクレイ ５番地 ＠発 明 者 シャーン ノニル ペ フランス国、
９１１９０ルベ ラ ノくニエール シャテナイ マラブリ、リュ デ ジフ スル イペット、アレー デ デ モペルチュイ ３番地
いて示す図、第２図及び第３図は非線形素子の電気回路
図、第５図はショッ１−キーダイオードの構造を示す図
、第６図は非線形素子を示す図、第４図、第７図及び第
８図は非線形索ｆ−の特性を説明するための図、第９図
及び第１Ｏ図は本発明による表示スクリーンの実施例を
示す図である。 １１．１２．２１−ｍ−アモルファス・シリコン層、５
０．５６−−−プレー１〜、 ５１−ｍ−非線形素子、
５４．５７一−接続導体、５８−ｍ−電気光学物質、Ｄ
ｌ、Ｄ２−−−ダイオード。 特許出願人 トムソンーセーエスエフ 第１頁の続き ｏ発 明 者 エリツク シャルテイ フランス国、
９２２９０エール サクレイ ５番地 ＠発 明 者 シャーン ノニル ペ フランス国、
９１１９０ルベ ラ ノくニエール シャテナイ マラブリ、リュ デ ジフ スル イペット、アレー デ デ モペルチュイ ３番地
Claims (7)
- （１）少なくとも１つが透明である２つのプレートの間
に置かれた電気光学物質から成る型の表示スクリーンで
あって、前記スクリーンの画素に直列に接続され、一体
に付着された非線形素子を有し、前記プレートによって
支持された電極によって分配された電位を通じて非線形
素子を制御し、前記制御は非線形素子の電流−電圧特性
における動作点に依存し、前記非線形素子は反対極性で
直列に接続さ九た２つのダイオードによって形成され、
共通のドープされた半導体層を有する表示スクリーンに
おいて、前記すべての非線形素子が画素の同じ制御電圧
に対して同じ動作点を持つように、前記半導体層のドー
ピングは１０−２Ω−１，０「１より高い導電率を示す
ものであることを特徴とする表示スクリーン。 - （２）前記非線形素子を形成するダイオードがショット
キーダイオードであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の表示スクリーン。 - （３）前記電気光学物質が液晶であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の表示スクリーン。 - （４）前記プレートによって支持される電極がマトリク
スネットワークを定めることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の表示スクリーン。 - （５）少なくとも１つが透明である２つのプレートの間
に置かれた電気光学物質から成る型の表示スクリーンで
あって、前記スクリーンの画素に直列に接続され、一体
に付着された非線形素子を有し、前記プレートによって
支持された電極によって分配された電位を通じて非線形
素子を制御し、前記制御は非線形素子の電流−電圧特性
における動作点に依存し、前記非線形素子は反対極性で
直列に接続された２つのダイオードによって形成され、
共通のドープされた半導体層を有し、前記すべての非線
形素子が画素の同じ制御電圧に対して同じ動作点を持つ
ように、前記半導体層のドーピングは１０−２Ω−１，
ｃ「Ｉより高い導電率を示すものであることを特徴とす
る表示スクリーンにおいて、前記非線形素子が基板上に
付着される半導体層から形成されることを特徴とする前
記表示スクリーンの製造方法。 - （６）前記半導体層の付着工程が大気圧で気相成長法に
よって実行されることを特徴とする特許請求の範囲第５
項記載の表示スクリーンの製造方法。 - （７）前記半導体層の付着工程が低圧気相成長法によっ
て実行されることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の表示スクリーンの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8314542A FR2551902B1 (fr) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | Ecran de visualisation a adressage par elements non lineaires et son procede de fabrication |
| FR8314542 | 1983-09-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080894A true JPS6080894A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=9292158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59188986A Pending JPS6080894A (ja) | 1983-09-13 | 1984-09-11 | 非線形素子によりアドレスされる表示スクリーンとその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080894A (ja) |
| FR (1) | FR2551902B1 (ja) |
| GB (1) | GB2146827B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2579806B1 (fr) * | 1985-03-26 | 1987-05-07 | Morin Francois | Procede de fabrication d'un ecran d'affichage a cristaux liquides et a reseau de diodes |
| FR2579809B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-05-15 | Thomson Csf | Procede de realisation de matrices decommande a diodes pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise par ce procede |
| FR2579775B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-05-15 | Thomson Csf | Procede de realisation d'elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise selon ce procede |
| FR2581781B1 (fr) * | 1985-05-07 | 1987-06-12 | Thomson Csf | Elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electrooptique et son procede de fabrication |
| US4907040A (en) * | 1986-09-17 | 1990-03-06 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Thin film Schottky barrier device |
| JPH01201622A (ja) * | 1988-02-06 | 1989-08-14 | Sharp Corp | 投映型表示装置 |
| GB2224160A (en) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Marconi Instruments Ltd | Integrated semiconductor circuits |
| US5220443A (en) * | 1991-04-29 | 1993-06-15 | Nec Corporation | Matrix wiring substrate and active matrix display having non-linear resistance elements for electrostatic discharge protection |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818674A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-02-03 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 表示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2518788A1 (fr) * | 1981-12-23 | 1983-06-24 | Thomson Csf | Dispositif a resistance dependant de la tension, son procede de fabrication et sa mise en oeuvre dans un ecran de visualisation a commande electrique |
-
1983
- 1983-09-13 FR FR8314542A patent/FR2551902B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-08-28 GB GB08421716A patent/GB2146827B/en not_active Expired
- 1984-09-11 JP JP59188986A patent/JPS6080894A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5818674A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-02-03 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2146827B (en) | 1986-11-26 |
| FR2551902A1 (fr) | 1985-03-15 |
| GB2146827A (en) | 1985-04-24 |
| FR2551902B1 (fr) | 1986-01-24 |
| GB8421716D0 (en) | 1984-10-03 |
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