JPS6017990B2 - 焼成炉 - Google Patents

焼成炉

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Publication number
JPS6017990B2
JPS6017990B2 JP9524978A JP9524978A JPS6017990B2 JP S6017990 B2 JPS6017990 B2 JP S6017990B2 JP 9524978 A JP9524978 A JP 9524978A JP 9524978 A JP9524978 A JP 9524978A JP S6017990 B2 JPS6017990 B2 JP S6017990B2
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JP
Japan
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firing furnace
heating element
fired
frequency heating
metal oxide
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Expired
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JP9524978A
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JPS5523826A (en
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進 前田
芳文 美濃和
宏次 小村
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to US06/062,790 priority patent/US4307277A/en
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は被焼成体を図績する物質を高周波誘電加熱し
て熱源とした焼成炉に関するものである。
従来の焼成炉は第１図は示すものであった。
以下、例として、被焼成体として金属酸化物を使用し、
これを焼成して電圧非線形抵抗体を作る場合について説
明する。図において、焼成炉１は昇温部２、保温部３、
降温部４より構成され、各部の熱源は電熱式ヒータ５で
ある。そして被焼成体である金属酸化物６は焼成炉１を
順次通過する間に燐結し、所定の特性を有することにな
る。なお、焼成炉１は耐火断熱体７で覆われているのが
常である。次に動作について説明する。電圧非線形抵抗
特性は暁結した金属酸化物６の微粒子相互間における薮
触抵抗に基因しているので、所定の電圧一驚流特性を得
るためには金属酸化物の暁結温度の覆歴が重要となる。
第１図において、金属化合物６は焼成炉１の中を昇温部
２、保温部３、降温部４と順次搬送される。（搬送装置
は図示せず）そして、金属酸化物６は第２図に示すよう
な所定の温度履歴を受けて焼成され、電圧非線形抵抗体
として焼成炉１から搬出される。従釆の焼成炉は以上の
ように構成されている。
すなわち、電熱式ヒータ５の発熱によって焼成炉１全体
を高温に保っているので、断熱部分を含めて装置が大形
化するとともに熱効率の非常に悪い欠点があった。さら
に、炉の熱容量が大きいため、温度の制御性が悪く、最
適なプロセス制御が困難であった。この発明は上記のよ
うな従来のものの欠点を除去するためになされたもので
、高周波を受けると発熱する物質を被焼成体の周囲に接
近して設けることによって、欝々の大きさの被焼成体に
応じて、高温炉を極限まで小さくすることができ、従っ
て熱効率が高く、温度制御性の良い焼成炉を提供するこ
とを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第３図において、１．２は高周波オーブン、２，３，４
はそれぞれ、この高周波オーブン１。２の昇温部、保温
部、降温部である。
６は金属酸化物で、これを囲綾するように外側から順に
耐火断熱体７、高周波発熱体８が設けられている。
９は前記高周波オープン１．２内へ高周波を供給する高
周波発生器である。
高周波発熱体８は、高周波が金属酸化物６に達したとき
にその電界強度が１／ｅ（ｅ＝２．７）以下となるのに
充分な厚さを有する。すなわち、高周波は上記高周波発
熱体８を透過するが、その電界強度が１／ｅまで減衰し
ているので、金属酸化物に何ら影響を与えない。上記の
ように構成された焼成炉においては、電圧非線形抵抗の
素材である金属酸化物６とこれを函綾する高周波発熱体
８は耐火断熱体７で覆われている。この耐火断熱体７は
一定の速度で高周波オーブン１．２の内部へ順次、昇温
部２、保温部３、降溢部４へと搬送される。高周波オー
ブン１．２内へ搬入された金燐酸化物６は、高周波を受
けて高温に自己発熱している高周波発熱体８の内部です
みやかに加熱焼成され、所定の電圧−電流特性を有する
電圧非線形抵抗体となる。高周波発熱体８としては、酸
化亜鉛を主成分とする金属酸化物の暁縞体や、炭化珪素
を主成分とする化合物半導体の暁結体やこれ等以外で高
耐熱性かつ高誘電損失であるあらゆる物質を用いること
ができる。
また、被焼成体としては、酸化亜鉛を主成分とする金属
酸化物や、炭化珪素を主成分とする化合物半導体を使用
することができ、その他陶磁器などのあらゆる加熱、焼
成に応用できる。
以上のようにこの発明によれば、高温発熱源である高周
波発熱体を被焼成体の極めて近傍に設けるようにしたこ
とによって、炉が小さく、従って昇温速度が速く、温度
制御性が良く、熱効率の非常に良いものが得られる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従釆の焼成炉を示す断面側面図、第２図は金属
酸化物の温度履歴を示す代表的な特性図、第３図はこの
発明の一実施例による焼成炉を示す断面側面図である。 図において、１．２は高周波オーブン、６は金属酸化物
「 ７は耐火断熱体、８は高周波発熱体、９は高周波発
生器である。なお、図中同一符号は同一又は相当部分を
示す。第１図 第２図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 被焼成体と、高耐熱性かつ高誘電損失性の物質から
    なり、上記被焼成体を近接囲繞する高周波発熱体と、こ
    の高周波発熱体を近接囲繞する耐火断熱体と、上記高周
    波発熱体に高周波を照射する高周波発生器とを具備して
    なる焼成炉。 ２ 被焼成体として酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物
    を用いた特許請求の範囲第１項記載の焼成炉。 ３ 被焼成体として炭化硅素を主成分とする化合物半導
    体を用いた特許請求の範囲第１項記載の焼成炉。 ４ 高周波発熱体として酸化亜鉛を主成分とする金属酸
    化物の焼結体を用いた特許請求の範囲第１項ないし第３
    項の何れかに記載の焼成炉。 ５ 高周波発熱体として炭化硅素を主成分とする化合物
    半導体の焼結体を用いた特許請求の範囲第１項ないし第
    ３項の何れかに記載の焼成炉。
JP9524978A 1978-08-03 1978-08-03 焼成炉 Expired JPS6017990B2 (ja)

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JP9524978A JPS6017990B2 (ja) 1978-08-03 1978-08-03 焼成炉
US06/062,790 US4307277A (en) 1978-08-03 1979-08-01 Microwave heating oven

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JP9524978A JPS6017990B2 (ja) 1978-08-03 1978-08-03 焼成炉

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JPS5523826A JPS5523826A (en) 1980-02-20
JPS6017990B2 true JPS6017990B2 (ja) 1985-05-08

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0680391B2 (ja) * 1985-12-28 1994-10-12 譲 松原 連続式マイクロ波加熱炉
EP2563513A4 (en) * 2010-04-30 2013-12-04 Bigtec Private Ltd CONTACT-FREE REAL-TIME MICROPOLYMERASE CHAIN REACTION SYSTEM AND METHOD THEREFOR

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JPS5523826A (en) 1980-02-20

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