JPS608639Y2 - 正特性サ−ミスタ材料の焼成装置 - Google Patents
正特性サ−ミスタ材料の焼成装置Info
- Publication number
- JPS608639Y2 JPS608639Y2 JP18910180U JP18910180U JPS608639Y2 JP S608639 Y2 JPS608639 Y2 JP S608639Y2 JP 18910180 U JP18910180 U JP 18910180U JP 18910180 U JP18910180 U JP 18910180U JP S608639 Y2 JPS608639 Y2 JP S608639Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- tunnel
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、３００’Ｃあるいはそれ以上の高温度にキュ
ーリ一点を有する正特性サーミスタ材料の焼成装置に関
するものである。
ーリ一点を有する正特性サーミスタ材料の焼成装置に関
するものである。
チタン酸バリウムを特徴とする特性サーミスタは、その
キューリ一点近辺で抵抗値の異常増加を起す、正の抵抗
温度特性を有する半導体として良く知られている。
キューリ一点近辺で抵抗値の異常増加を起す、正の抵抗
温度特性を有する半導体として良く知られている。
この正特性サーミスタに電圧を印加して発熱体として用
いる場合、その自己温度制御機能のために一定温度近辺
で動作するという、非常に有利な特性を利用できること
も一般に良く知られている。
いる場合、その自己温度制御機能のために一定温度近辺
で動作するという、非常に有利な特性を利用できること
も一般に良く知られている。
すなわち、正特性サーミスタに電流が流れすぎた場合、
正特性サーミスタの温度はさらに高くなるが、それとと
もに正特性サーミスタの抵抗値が増大し、その結果流れ
る電流が減少するため正特性サーミスタの温度は低下す
る。
正特性サーミスタの温度はさらに高くなるが、それとと
もに正特性サーミスタの抵抗値が増大し、その結果流れ
る電流が減少するため正特性サーミスタの温度は低下す
る。
さらに、正特性サーミスタの温度が低くなりすぎた場合
には、温度の低下とともに正特性サーミスタの抵抗値が
減少し、従って電流値が増大し、その結果正特性サーミ
スタの温度は高くなる。
には、温度の低下とともに正特性サーミスタの抵抗値が
減少し、従って電流値が増大し、その結果正特性サーミ
スタの温度は高くなる。
加えて正特性サーミスタは金属酸化物の焼結体であるた
め、その耐熱性、信頼性が優れていることも、発熱体と
して用いる上で有利な条件となる。
め、その耐熱性、信頼性が優れていることも、発熱体と
して用いる上で有利な条件となる。
以上のように、正特性サーミスタの用途として発熱体の
用途は重要なものであるが、特に最近ではより高温度で
大電力で使用される傾向にある。
用途は重要なものであるが、特に最近ではより高温度で
大電力で使用される傾向にある。
正特性サーミスタを高温度で作動させるためにはそのキ
ューリ一点を高温側に移動させなければならず、そのた
めにはチタン酸バリウム （ＢａＴｉＯ３）（７）一部をチタン酸鉛（ＰｂＴｉ０
ａ ）テ置換しなければならない。
ューリ一点を高温側に移動させなければならず、そのた
めにはチタン酸バリウム （ＢａＴｉＯ３）（７）一部をチタン酸鉛（ＰｂＴｉ０
ａ ）テ置換しなければならない。
このキューリ一点を高温側に移動させる添加物としては
、現在までのところ、上記チタン酸鉛以外には知られて
いない。
、現在までのところ、上記チタン酸鉛以外には知られて
いない。
ところが正特性サーミスタ材料を焼結させるために必要
な１２００〜１４００℃の高温では、鉛の平衡蒸気圧が
高いため鉛イオンが蒸発しやすく、正特性サーミスタの
特性が劣化し、さらに焼結磁器の気孔率が増加する等の
不都合が生じるものである。
な１２００〜１４００℃の高温では、鉛の平衡蒸気圧が
高いため鉛イオンが蒸発しやすく、正特性サーミスタの
特性が劣化し、さらに焼結磁器の気孔率が増加する等の
不都合が生じるものである。
そして、正特性サーミスタの特性は焼成時の再酸化によ
り著しく影響を受け、還元性雰囲気、中性雰囲気中で焼
成するとキューリ一点近辺での抵抗値異常増加特性（以
下ＰＴＣ特性と称する）は見られないが、焼成雰囲気の
酸素分圧を高めるに従って再酸化が進み、正特性サーミ
スタのＰＴＣ特性が大きくなると言われている。
り著しく影響を受け、還元性雰囲気、中性雰囲気中で焼
成するとキューリ一点近辺での抵抗値異常増加特性（以
下ＰＴＣ特性と称する）は見られないが、焼成雰囲気の
酸素分圧を高めるに従って再酸化が進み、正特性サーミ
スタのＰＴＣ特性が大きくなると言われている。
このことは、例えば“エレクトロニク・セラミクス”の
１９７師４月号の第２３頁〜第２７頁にＰＴＣサーミス
タ特集として紹介されており、その他にも種々紹介され
ている。
１９７師４月号の第２３頁〜第２７頁にＰＴＣサーミス
タ特集として紹介されており、その他にも種々紹介され
ている。
そして、焼成中の鉛イオンの蒸発を抑制するためには、
焼成に用いる匣鉢を密閉する等の方法が考えられるが、
密閉したまま焼成した場合には焼結後の降温過程におい
て十分再酸化されないため、酸素イオンの構造欠陥を生
威し、還元性雰囲気下で焼成された場合と同様に著しく
ＰＴＣ特性が劣化してしまうという欠点がある。
焼成に用いる匣鉢を密閉する等の方法が考えられるが、
密閉したまま焼成した場合には焼結後の降温過程におい
て十分再酸化されないため、酸素イオンの構造欠陥を生
威し、還元性雰囲気下で焼成された場合と同様に著しく
ＰＴＣ特性が劣化してしまうという欠点がある。
本考案は上記のような欠点を除くためのものであり、高
濃度の鉛を含む正特性サーミスタ材料の焼成過程での鉛
イオンの蒸発を抑制し、かつ正特性サーミスタ材料の再
酸化を十分に行わしめて高性能の正特性サーミスタを得
るための正特性サーミスタ材料の焼成装置を提供しよう
とするものである。
濃度の鉛を含む正特性サーミスタ材料の焼成過程での鉛
イオンの蒸発を抑制し、かつ正特性サーミスタ材料の再
酸化を十分に行わしめて高性能の正特性サーミスタを得
るための正特性サーミスタ材料の焼成装置を提供しよう
とするものである。
以下、本考案について実施例を示す図面に従って説明す
る。
る。
まず、本装置によるトンネル型焼成炉の概略構成を含む
説明図を表す第１図において示したように、トンネル型
焼成炉３の昇温領域並びに焼成領域において、例えば第
２図に示す如き断面形状がコの字型の磁器材料（望まし
くはマグネシア質のもの）よりなるトンネル２を、チタ
ン酸バリウムの一部をチタン酸鉛で置換した正特性サー
ミスタ材料よりなる成形体（図示せず）を内蔵した匣鉢
１の移動を妨げないようにして設置する。
説明図を表す第１図において示したように、トンネル型
焼成炉３の昇温領域並びに焼成領域において、例えば第
２図に示す如き断面形状がコの字型の磁器材料（望まし
くはマグネシア質のもの）よりなるトンネル２を、チタ
ン酸バリウムの一部をチタン酸鉛で置換した正特性サー
ミスタ材料よりなる成形体（図示せず）を内蔵した匣鉢
１の移動を妨げないようにして設置する。
この匣鉢１には蓋のないものを用いている。すなわち、
本装置によれば昇温過程並びに焼結過程において匣鉢１
を密閉した格好で正特性サーミスタ材料よりなる成形体
の熱処理を行い、正特性サーミスタ材料からの鉛の飛散
を抑制するとともに、降温過程においては上記磁器材料
よりなるトンネル２がなくなるため、焼結の終了した正
特性サーミスタ素子が空気雰囲気に触れ、降温過程にお
いて再酸化させるものである。
本装置によれば昇温過程並びに焼結過程において匣鉢１
を密閉した格好で正特性サーミスタ材料よりなる成形体
の熱処理を行い、正特性サーミスタ材料からの鉛の飛散
を抑制するとともに、降温過程においては上記磁器材料
よりなるトンネル２がなくなるため、焼結の終了した正
特性サーミスタ素子が空気雰囲気に触れ、降温過程にお
いて再酸化させるものである。
なお、上記磁器材料よりなるトンネル２により匣鉢１が
完全に密閉されないまでも該トンネル２内部は鉛の高濃
度雰囲気となるため、鉛の飛散が抑えられるので実質上
差支えない。
完全に密閉されないまでも該トンネル２内部は鉛の高濃
度雰囲気となるため、鉛の飛散が抑えられるので実質上
差支えない。
以上詳述したように、本考案による焼成装置を用いれば
簡単な構造により高濃度の鉛化合物を含有する正特性サ
ーミスタ材料からの鉛の飛散を抑制し、なおかつ十分に
再酸化せしめて高性能の正特性サーミスタを得ることが
でき、発熱体としての用途を考えた場合等、その工業的
利用価値は大きいものである。
簡単な構造により高濃度の鉛化合物を含有する正特性サ
ーミスタ材料からの鉛の飛散を抑制し、なおかつ十分に
再酸化せしめて高性能の正特性サーミスタを得ることが
でき、発熱体としての用途を考えた場合等、その工業的
利用価値は大きいものである。
第１図は本考案装置によるトンネル型焼成炉の概略構成
を含む説明図、第２図は同装置を構成するトンネルの斜
視図である。 １・・・・・・匣鉢、２・・・・・・磁器材料よりなる
トンネル、３・・・・・・トンネル型焼成炉。
を含む説明図、第２図は同装置を構成するトンネルの斜
視図である。 １・・・・・・匣鉢、２・・・・・・磁器材料よりなる
トンネル、３・・・・・・トンネル型焼成炉。
Claims (1)
- トンネル型焼成炉の昇温領域、焼成領域において鉛を含
む正特性サーミスタ材料よりなる成形体を内蔵した匣鉢
が容易に通過でき、しかも上記匣鉢を覆うように作成し
た磁器材料よりなるトンネルを有する正特性サーミスタ
材料の焼成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18910180U JPS608639Y2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | 正特性サ−ミスタ材料の焼成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18910180U JPS608639Y2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | 正特性サ−ミスタ材料の焼成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57109498U JPS57109498U (ja) | 1982-07-06 |
| JPS608639Y2 true JPS608639Y2 (ja) | 1985-03-27 |
Family
ID=29993056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18910180U Expired JPS608639Y2 (ja) | 1980-12-25 | 1980-12-25 | 正特性サ−ミスタ材料の焼成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608639Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-12-25 JP JP18910180U patent/JPS608639Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57109498U (ja) | 1982-07-06 |
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