JPS60177600A - 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPS60177600A JPS60177600A JP59033250A JP3325084A JPS60177600A JP S60177600 A JPS60177600 A JP S60177600A JP 59033250 A JP59033250 A JP 59033250A JP 3325084 A JP3325084 A JP 3325084A JP S60177600 A JPS60177600 A JP S60177600A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＥｌ （Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅ
ｎｃｅ ）発光を呈づる薄膜ＥＬ素子とその製造方法に
関する。
ｎｃｅ ）発光を呈づる薄膜ＥＬ素子とその製造方法に
関する。
従来、この薄膜ＥＬ素子としては、第１図（ａ）（ｂ）
及び（Ｃ）に示すような構造のものが知られ゛〔いた。
及び（Ｃ）に示すような構造のものが知られ゛〔いた。
先ず、第１図（ａ）は、ガラス基板１土にＩｎ、、０３
． Ｓｎ ０２等の透明電極２と、Ｙ２Ｏ３゜Ｔｉ ０
２等からなる第１の絶縁層３を順次、スパッタリング法
又は電子ビーム蒸着法により重畳形成し、この第１の絶
縁層３上にはＺｎＳ：Ｈｎ焼結ペレッ］〜を電子ビーム
蒸着することにより発光層４を積層する。この時ｌｎＳ
蒸着材料に添加するＨｎの濃度は目的により異なるが、
通常０．１〜２．０ｗｔ％に設定される。この発光層４
上には第１の絶縁層３と同様の材質からなる第２の絶縁
層５を積層し、この上にはＡ１等からなる背面電極６を
蒸着形成Ｊる。そして、透明電極２と背面電極６に交流
又は直流電源を接続して、この薄膜Ｅ Ｌ素子を駆動し
で、黄橙色の発光を呈する。
． Ｓｎ ０２等の透明電極２と、Ｙ２Ｏ３゜Ｔｉ ０
２等からなる第１の絶縁層３を順次、スパッタリング法
又は電子ビーム蒸着法により重畳形成し、この第１の絶
縁層３上にはＺｎＳ：Ｈｎ焼結ペレッ］〜を電子ビーム
蒸着することにより発光層４を積層する。この時ｌｎＳ
蒸着材料に添加するＨｎの濃度は目的により異なるが、
通常０．１〜２．０ｗｔ％に設定される。この発光層４
上には第１の絶縁層３と同様の材質からなる第２の絶縁
層５を積層し、この上にはＡ１等からなる背面電極６を
蒸着形成Ｊる。そして、透明電極２と背面電極６に交流
又は直流電源を接続して、この薄膜Ｅ Ｌ素子を駆動し
で、黄橙色の発光を呈する。
このような構造の博１！ＪＥＬ素子は、その発光特性、
寿命の面では実用化に迫る特性を備えているにもか）ね
らず、第２の絶縁層５と背面電極６との間の光反射係数
が大きく、外部から入用した光の５０％以上をも反則す
ることから、明るい場所で表示さＵる場合には、コント
ラストが低下り−る欠点があった。このような欠点を除
去りるＩζめに、第１図（ｂ）及び（Ｃ）に示ＪＪ：う
な構造の薄膜Ｅ１−索Ｔ ｈ’提案されている。
寿命の面では実用化に迫る特性を備えているにもか）ね
らず、第２の絶縁層５と背面電極６との間の光反射係数
が大きく、外部から入用した光の５０％以上をも反則す
ることから、明るい場所で表示さＵる場合には、コント
ラストが低下り−る欠点があった。このような欠点を除
去りるＩζめに、第１図（ｂ）及び（Ｃ）に示ＪＪ：う
な構造の薄膜Ｅ１−索Ｔ ｈ’提案されている。
先ず、第１図（ｂ）は同図（ａ）に示した発光層４ど第
２の絶縁層５との間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層７
を押入りることにより、［し素子の一１ンＩ−ラストを
高くしている。しかし、このＥｌ−素子ｔｉｔ、ｙｉ光
特性にＪ３いて同図（ａ）に示−した１−し素子と対比
して大きく変わってしまい、輝度が（ｉ（下りる欠点が
あり、高電界を加えたときには絶縁破壊しやすい欠点も
あっｌ、。
２の絶縁層５との間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層７
を押入りることにより、［し素子の一１ンＩ−ラストを
高くしている。しかし、このＥｌ−素子ｔｉｔ、ｙｉ光
特性にＪ３いて同図（ａ）に示−した１−し素子と対比
して大きく変わってしまい、輝度が（ｉ（下りる欠点が
あり、高電界を加えたときには絶縁破壊しやすい欠点も
あっｌ、。
次に、第１図（Ｃ）は同図（ａ）に示した第２の絶縁層
５ど背面電極６との間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層
８を種入りることにより、同図（ｂ）に承したものと同
様、ＥＬ素子の」ントラストを高くしているが、発光開
始電圧が高くなつＣしまうという致命的欠点があり、ま
Ｉこ同図（Ｃ） ｑ） ｂのと同様、高電界を加えたと
きには絶縁破壊しや（い欠点もあった。
５ど背面電極６との間にＣａＴｅ等の高抵抗光吸収体層
８を種入りることにより、同図（ｂ）に承したものと同
様、ＥＬ素子の」ントラストを高くしているが、発光開
始電圧が高くなつＣしまうという致命的欠点があり、ま
Ｉこ同図（Ｃ） ｑ） ｂのと同様、高電界を加えたと
きには絶縁破壊しや（い欠点もあった。
本発明は、上記のにうな従来の欠点を除去づるためにな
されたものであり、簿膜ＥＬ素ｒの背面電極が透明）９
電体層と金属層とを積層した複合層から成り、かつ前記
透明導電体層と前記金属層との界面が粗面であることを
主構成とづることにより、発光輝度特性を変えることな
く、発光時のコンｈラストを高くした薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的としている。
されたものであり、簿膜ＥＬ素ｒの背面電極が透明）９
電体層と金属層とを積層した複合層から成り、かつ前記
透明導電体層と前記金属層との界面が粗面であることを
主構成とづることにより、発光輝度特性を変えることな
く、発光時のコンｈラストを高くした薄膜ＥＬ素子を提
供することを目的としている。
以下、本発明の実施例図面を参照しながら、本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
第２図（ａ）は本発明の一実施例を示し、先ず、石英ガ
ラス基板１上に酸化インジウムスズ（以１；、ｒ’ Ｉ
Ｔ ＯＪという。）の透明電極２（膜１１’ ： ２
０００人）を直流マグネトＩ］ン・スパッタリング法（
基板温度Ｔｓ＝２００℃、スパッタ電流密度１ ＝１．
５ｍ八へ ｃｕｔ、 。
ラス基板１上に酸化インジウムスズ（以１；、ｒ’ Ｉ
Ｔ ＯＪという。）の透明電極２（膜１１’ ： ２
０００人）を直流マグネトＩ］ン・スパッタリング法（
基板温度Ｔｓ＝２００℃、スパッタ電流密度１ ＝１．
５ｍ八へ ｃｕｔ、 。
透明型４１ｉ ２の表面を平滑面状に形成づるために、
スパッタリング払が適している。真空蒸着法ににれば、
その表面に突起部が発生しがらであり、その突起部に電
界が集中して、絶縁破壊を起こし％’）すくなる。次に
、Ｙ２Ｏ３の第１の絶縁層３（膜％添加したｌｎｓ：Ｈ
ｎ焼焼結ペッツ１〜素材にしＣ真空蒸着法（Ｔｓ＝２０
０℃）により発光層４（膜厚：５０００人）を蒸着し、
次に、第１の絶縁層３と同様に第２の絶縁Ｆ？ｉ５（膜
厚： ３０００人）を蒸着覆る。
スパッタリング払が適している。真空蒸着法ににれば、
その表面に突起部が発生しがらであり、その突起部に電
界が集中して、絶縁破壊を起こし％’）すくなる。次に
、Ｙ２Ｏ３の第１の絶縁層３（膜％添加したｌｎｓ：Ｈ
ｎ焼焼結ペッツ１〜素材にしＣ真空蒸着法（Ｔｓ＝２０
０℃）により発光層４（膜厚：５０００人）を蒸着し、
次に、第１の絶縁層３と同様に第２の絶縁Ｆ？ｉ５（膜
厚： ３０００人）を蒸着覆る。
そして、この第２の絶縁層５上にＳｎ ０２の透明導電
体層９を反応性電子ビーム蒸着法（Ｔｓ＝３００℃。
体層９を反応性電子ビーム蒸着法（Ｔｓ＝３００℃。
４
Ｐ ０２＝−Ｉ Ｘ１０ Ｔｏｒｒ）により、その表面
を粗面にして蒸着し、更に、この透明導電体層９上にＣ
ｒから成る金Ｈｉｓ層１０を真空蒸名法ににり蒸るして
、透明導電体層９と金属層１０どから成る複合層を本発
明の背面電極（９−１−１０）として使用し、本発明の
薄膜Ｆ１−素子を製作した。本例の薄膜ＥＬ素子は、透
明型（４１２と背面電極（９十０１）との間に父流電源
を接続しで駆動し、黄橙色を発光層る。
を粗面にして蒸着し、更に、この透明導電体層９上にＣ
ｒから成る金Ｈｉｓ層１０を真空蒸名法ににり蒸るして
、透明導電体層９と金属層１０どから成る複合層を本発
明の背面電極（９−１−１０）として使用し、本発明の
薄膜Ｆ１−素子を製作した。本例の薄膜ＥＬ素子は、透
明型（４１２と背面電極（９十０１）との間に父流電源
を接続しで駆動し、黄橙色を発光層る。
本例の薄膜Ｅ１素子の印加電圧に対重る発光輝度特性は
第３図の曲線ｄで現わされる。なお同図の曲線ａ、ｂ及
びＣはそれぞれ第１図（ａ）。
第３図の曲線ｄで現わされる。なお同図の曲線ａ、ｂ及
びＣはそれぞれ第１図（ａ）。
（ｂ）及び（Ｃ）に示した薄膜ＥＬ素子の特性を現わす
。第３図によれば、本例の薄Ｉａ ［１−素子の発光輝
度は、コン１−ラスト対策を講じてい−４【い第１図（
ａ）のものと対比して、それを講じた第１図（ｂ）及び
（Ｃ）のものが約１／２に低下していると同様に、低下
りることは免れないが、２つの対向した透明電極２と透
明導電体層９を介して電界が印加されていることから、
発光特性、発光開始電圧、絶縁破壊及び寿命等について
、第１図（ａ）のしのとほとんど変わらない温特性が得
られる。
。第３図によれば、本例の薄Ｉａ ［１−素子の発光輝
度は、コン１−ラスト対策を講じてい−４【い第１図（
ａ）のものと対比して、それを講じた第１図（ｂ）及び
（Ｃ）のものが約１／２に低下していると同様に、低下
りることは免れないが、２つの対向した透明電極２と透
明導電体層９を介して電界が印加されていることから、
発光特性、発光開始電圧、絶縁破壊及び寿命等について
、第１図（ａ）のしのとほとんど変わらない温特性が得
られる。
また、上記積層法のうち、透明導電体層９の反応性電子
ビーム蒸着法におい−Ｃ１その表面を粗面化する手段と
しては、Ｔｓ 、 ｌ） ０２及び蒸着速度Ｖｖの蒸着
条イ′１のうち少なくとも一つを制御して行なわれ、本
例ではＴ ５＝３００℃、ＰＯ２＝１ｘ１０’Ｔｏｒｒ
ノもとでＶ■＝０〜７人／ＳｅＣトシＩＣ６なお、電子
ビームの電流密度及びその電流についてはそれぞれ１５
〜２５ ｍＡ ／ ｃｒｊ及び３０〜５０Ｉｌｌ八に選
定しｌこ 。
ビーム蒸着法におい−Ｃ１その表面を粗面化する手段と
しては、Ｔｓ 、 ｌ） ０２及び蒸着速度Ｖｖの蒸着
条イ′１のうち少なくとも一つを制御して行なわれ、本
例ではＴ ５＝３００℃、ＰＯ２＝１ｘ１０’Ｔｏｒｒ
ノもとでＶ■＝０〜７人／ＳｅＣトシＩＣ６なお、電子
ビームの電流密度及びその電流についてはそれぞれ１５
〜２５ ｍＡ ／ ｃｒｊ及び３０〜５０Ｉｌｌ八に選
定しｌこ 。
このような透明導電体層９の粗面化した表面の厚さ方向
の層、す゛なわち透明導電体層９と金属層１０が交互に
入り込ｌυだ不均質層１１に注目すれば、この不均質層
１１の屈折率が透明導電体層９と金属層１０にＪ３りる
各屈折率の中間的な値となり、この不均質層１１が透明
基板１側から背面電極（９ト１０）への大剣光に対Ｊ゛
る反射防止層どして作用覆ることから、第２の絶縁Ｆｉ
５と背面電極（，９−１−１０）との間にお【ノる光
反則係数が小きくなって、（三１素子のコントラストを
高くすることができる。このようなコントラストの効果
は、分光反射率特性で証明され、本例の薄膜ＥＬ素子は
第４図の曲線ｆ（承りように、可視光域にａ３いて反射
率を約１０％にまＣ低くりることができる。なお、同図
の曲線ｅは第１図（ａ）の−ｂのによる分光反射率特性
であり、イの反則率は可視光域において約５０〜６０％
もあった。
の層、す゛なわち透明導電体層９と金属層１０が交互に
入り込ｌυだ不均質層１１に注目すれば、この不均質層
１１の屈折率が透明導電体層９と金属層１０にＪ３りる
各屈折率の中間的な値となり、この不均質層１１が透明
基板１側から背面電極（９ト１０）への大剣光に対Ｊ゛
る反射防止層どして作用覆ることから、第２の絶縁Ｆｉ
５と背面電極（，９−１−１０）との間にお【ノる光
反則係数が小きくなって、（三１素子のコントラストを
高くすることができる。このようなコントラストの効果
は、分光反射率特性で証明され、本例の薄膜ＥＬ素子は
第４図の曲線ｆ（承りように、可視光域にａ３いて反射
率を約１０％にまＣ低くりることができる。なお、同図
の曲線ｅは第１図（ａ）の−ｂのによる分光反射率特性
であり、イの反則率は可視光域において約５０〜６０％
もあった。
第２図（ｂ）は本発明の他の実施例であり、本例では同
図（ｂ）のｔｉ＆実施例と対比して、第１の絶縁層３を
除去して、透明電極２と発光層４とを互に隣接している
。本例では、前述した第３図の発光輝度特性において、
曲線ｄのうち、発光開始電圧を一層低くした特性を得、
第４図の分光反射率特性において、曲線ｆとほとんど同
様な特性を得た。
図（ｂ）のｔｉ＆実施例と対比して、第１の絶縁層３を
除去して、透明電極２と発光層４とを互に隣接している
。本例では、前述した第３図の発光輝度特性において、
曲線ｄのうち、発光開始電圧を一層低くした特性を得、
第４図の分光反射率特性において、曲線ｆとほとんど同
様な特性を得た。
本発明の以上の実施例の他に、先ず、透明基板について
は石英ガラスに代えて、ソーダライムガラス、アルミノ
ボロシリク−トガラス等の多成分系のガラス基板でもよ
く、透明電極についてはＩＴ Ｏに代え一’ｃ’、 Ｉ
ｎ２Ｏ３若しくはこれにＷを添加したもの又はＳｎ Ｏ
，、にｓｂ、 Ｆ等を添加したものであってもよい。次
に、絶縁層についてはＹ２Ｏ３に代えて、？ａＯ，Ｔｉ
Ｏ，八ｉ、２０３゜２ ５ ２ Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉ ０２等を使用してもよい。次に、
発光層については、母材としてＺｎＳの代わりに、Ｚｎ
５ｅ又はこれら混合物等を使用してもよく、これらの母
材に対して活性材としてＨｎ、 Ｃｕ、Ａｎ、希土類、
ハロゲン等が添加される。例えば、ＺＩＩＳ ：Ｃｕ、
Ａ４では黄緑色、Ｚｎ （Ｓ −Ｓｅ） ： Ｃｕ、旧
゛では緑色、母Ｕ ２ｎＳに対して活性材として５ＩＩ
ｌは赤色、ｒｂは緑色、Ｔｍは青色を発光づる。また、
この発光層は中間層として透明誘電体層（Ｙ２Ｏ３，。
は石英ガラスに代えて、ソーダライムガラス、アルミノ
ボロシリク−トガラス等の多成分系のガラス基板でもよ
く、透明電極についてはＩＴ Ｏに代え一’ｃ’、 Ｉ
ｎ２Ｏ３若しくはこれにＷを添加したもの又はＳｎ Ｏ
，、にｓｂ、 Ｆ等を添加したものであってもよい。次
に、絶縁層についてはＹ２Ｏ３に代えて、？ａＯ，Ｔｉ
Ｏ，八ｉ、２０３゜２ ５ ２ Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉ ０２等を使用してもよい。次に、
発光層については、母材としてＺｎＳの代わりに、Ｚｎ
５ｅ又はこれら混合物等を使用してもよく、これらの母
材に対して活性材としてＨｎ、 Ｃｕ、Ａｎ、希土類、
ハロゲン等が添加される。例えば、ＺＩＩＳ ：Ｃｕ、
Ａ４では黄緑色、Ｚｎ （Ｓ −Ｓｅ） ： Ｃｕ、旧
゛では緑色、母Ｕ ２ｎＳに対して活性材として５ＩＩ
ｌは赤色、ｒｂは緑色、Ｔｍは青色を発光づる。また、
この発光層は中間層として透明誘電体層（Ｙ２Ｏ３，。
ｌａ Ｏ、ＴｉＯ、Ａｊｊ２０３．Ｓｉ３Ｎ４又は、２
５ ２ Ｓｉ０２１）を介在して第１及び第２の発光層に分１ノ
°ＣもＪ：り、その場合に第１及び第２の発光層は同一
材質に選定できることは勿論のこと、異種材質、例えば
第１の発光層としてＴｂ Ｆ を添加し１ｃＺｎＳ Ｎ
膜を使用した場合、第１の発光層からは緑色を発光し、
第２の発光層としｃｓｌｌＩ「 を添加したＺｎＳ 薄
膜を使用した場合、第２の発光層からは赤色を発光して
、全体として緑色と赤色との中間色を発光する薄膜ＥＬ
素子が臂られる。次に背面電極のうち透明導電体層につ
いてはＩ’ＴＯに代えて前述した透明電極の材質を使用
してもよく、金属層についてはＣｒに代えて、反射率が
Ｃｒ使用のときにりも高くなることが６’ｌ容できれば
、ｌ’ａ、 Ｎｏ。
５ ２ Ｓｉ０２１）を介在して第１及び第２の発光層に分１ノ
°ＣもＪ：り、その場合に第１及び第２の発光層は同一
材質に選定できることは勿論のこと、異種材質、例えば
第１の発光層としてＴｂ Ｆ を添加し１ｃＺｎＳ Ｎ
膜を使用した場合、第１の発光層からは緑色を発光し、
第２の発光層としｃｓｌｌＩ「 を添加したＺｎＳ 薄
膜を使用した場合、第２の発光層からは赤色を発光して
、全体として緑色と赤色との中間色を発光する薄膜ＥＬ
素子が臂られる。次に背面電極のうち透明導電体層につ
いてはＩ’ＴＯに代えて前述した透明電極の材質を使用
してもよく、金属層についてはＣｒに代えて、反射率が
Ｃｒ使用のときにりも高くなることが６’ｌ容できれば
、ｌ’ａ、 Ｎｏ。
ｒｅ、 Ｎｉ、 ＮｉＣｒ１の金属を使用してもよい。
以上のとおり、本発明の薄膜ＥＬ素了によれば、発光特
性については従来量も良いとされる従来品（第１図（ａ
））とほとんど変わらない特性と、高いコントラスト特
性とを両立させることができる。
性については従来量も良いとされる従来品（第１図（ａ
））とほとんど変わらない特性と、高いコントラスト特
性とを両立させることができる。
１７１図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はｔｈぞｔ＋［来の
薄膜ＩＥＬ累子を示Ｊ断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）
は・でれぞれ本発明による実施例を示す断面図、第３図
は印加電圧に対する発光輝度特性図、並びに第４図は分
差反射率特性図である。 １・・１明基板、２・・・透明電極、３・・・第１の絶
縁層、４・・・発光層、５・・・第２の絶縁層、９・・
・透明導電体層、１０・・・金属層、１１・・・不均質
層 （ｃｌ） （１）） （Ｃ） （ｃｌ） （ｂ） 第３図 第４図 手 続 補 正 書 （自発） ］ １゜事デーの表示 昭和５９年特許願第３３２５０号２
、発明の名称 薄膜ＥＬ素子とその製造方法３、補正を
Ｊる者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３？ｌ５１２号〒１
ｔ３０ Ｔ Ｅ Ｌニー０３ （３４８） １２２１ホ
ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 明細書８貞２行に「同図（ｂ）」とあるを［同図（ａ）
］と補正する。 以Ｊ−
薄膜ＩＥＬ累子を示Ｊ断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）
は・でれぞれ本発明による実施例を示す断面図、第３図
は印加電圧に対する発光輝度特性図、並びに第４図は分
差反射率特性図である。 １・・１明基板、２・・・透明電極、３・・・第１の絶
縁層、４・・・発光層、５・・・第２の絶縁層、９・・
・透明導電体層、１０・・・金属層、１１・・・不均質
層 （ｃｌ） （１）） （Ｃ） （ｃｌ） （ｂ） 第３図 第４図 手 続 補 正 書 （自発） ］ １゜事デーの表示 昭和５９年特許願第３３２５０号２
、発明の名称 薄膜ＥＬ素子とその製造方法３、補正を
Ｊる者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３？ｌ５１２号〒１
ｔ３０ Ｔ Ｅ Ｌニー０３ （３４８） １２２１ホ
ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 明細書８貞２行に「同図（ｂ）」とあるを［同図（ａ）
］と補正する。 以Ｊ−
Claims (2)
- （１） 透明電極と背面電極との間に発光層を介在した
薄膜Ｅ’Ｌ素子において、前記背面電極が透明導電体層
と金属層とを積層した複合層から成り、かつ前記透明導
電体層と前記金属層との界面が粗面であることを特徴と
りる薄膜［Ｌ素子。 - （２） 透明電極と背面電極との間に発光層を介在した
薄膜ＥＬ素子の製造方法にＪ３い゛Ｃ１前記背面電極が
透明導電体層と金属層とを積層しｌご複合層から成り、
かつ前記透明導電体層が電子ビーム蒸着法により温度、
酸素分圧及び蒸着速度の蒸も条件のうち少なくとも一つ
を制御しＣ１その表１１１１を粗面に形成していること
を特徴とづる簿膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033250A JPS60177600A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033250A JPS60177600A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177600A true JPS60177600A (ja) | 1985-09-11 |
| JPS63914B2 JPS63914B2 (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=12381243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033250A Granted JPS60177600A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177600A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03141588A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
| JPH0645291U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | 日本精機株式会社 | Ｅｌ素子 |
| WO1996036201A1 (en) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Timex Corporation | Method of manufacturing electroluminescent lamps |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04100944U (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-01 | 関東自動車工業株式会社 | 自動車のフロントウインドウとカウルルーバの組付構造 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59033250A patent/JPS60177600A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03141588A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
| JPH0645291U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | 日本精機株式会社 | Ｅｌ素子 |
| WO1996036201A1 (en) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Timex Corporation | Method of manufacturing electroluminescent lamps |
| US5620348A (en) * | 1995-05-12 | 1997-04-15 | Timex Corporation | Method of manufacturing electroluminescent lamps having surface designs and lamps produced thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63914B2 (ja) | 1988-01-09 |
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