JPS60177248A - イオンマイクロアナライザ - Google Patents
イオンマイクロアナライザInfo
- Publication number
- JPS60177248A JPS60177248A JP59032419A JP3241984A JPS60177248A JP S60177248 A JPS60177248 A JP S60177248A JP 59032419 A JP59032419 A JP 59032419A JP 3241984 A JP3241984 A JP 3241984A JP S60177248 A JPS60177248 A JP S60177248A
- Authority
- JP
- Japan
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- cursor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、試料に一次イオンビームを照射し、スペッタ
された二次イオンをｗｉ察或いは分析するイオンマイク
ロアナライザに係るものである。
された二次イオンをｗｉ察或いは分析するイオンマイク
ロアナライザに係るものである。
従来のイオンマイクロアナライザでは、試料上の一点に
一次イオンビームを固定照射し、得られる二次イオンの
質量スペクＩ〜ルを測定するいわゆるスボツ１−分析、
深方向分析や、試料上の特定ライン上を一次イオンビー
ムを走査照射し、得られた二次イオンの全イオン量の変
化或いは、特定の質量数ピークの変化をａ察するいわ都
るライン分析を行う場合測定位置が観察用ＣＲＴの中心
になる様に試料自体を移動する必要があった。しかし。
一次イオンビームを固定照射し、得られる二次イオンの
質量スペクＩ〜ルを測定するいわゆるスボツ１−分析、
深方向分析や、試料上の特定ライン上を一次イオンビー
ムを走査照射し、得られた二次イオンの全イオン量の変
化或いは、特定の質量数ピークの変化をａ察するいわ都
るライン分析を行う場合測定位置が観察用ＣＲＴの中心
になる様に試料自体を移動する必要があった。しかし。
この場合に観察用ＣＲＴの中心の判断には、ＣＲＴ上に
、あらかじめ認識マーク等をつけておく必要があり、ま
た、写真撮影をして記録を留める時、明確にスボツ１〜
位置、ライン位置を判断する事が出来なかった。また、
試料自体を移動する事は、分析状態が変化する可能性を
持ち、正確な分析が出来ないという欠点を有していた。
、あらかじめ認識マーク等をつけておく必要があり、ま
た、写真撮影をして記録を留める時、明確にスボツ１〜
位置、ライン位置を判断する事が出来なかった。また、
試料自体を移動する事は、分析状態が変化する可能性を
持ち、正確な分析が出来ないという欠点を有していた。
第１図にイオンマイクロアナライザの概要図を示す。−
次イオンビーム１は、偏向電極２によって偏向され、試
料４に照射される。偏向電極２にかけられる電圧は、偏
向電極電源２によって供給され、像観察をする時は、Ｘ
、Ｙ方向とも士に走査さＪしており、ライン分析の時は
ＸＹいずれか固定スポット分析の時は両者とも固定され
る。それらの走査信号は、制御回路７からの信号によっ
て制御されている。試料４から放出される二次イオンビ
ーム５は、レンズ、電場、磁場から構成される二次分析
計６に入り、全イオン量信号或いは質量ピーク信号とし
て取り出されＣＲＴ８或いはレコーダ９に送出される。
次イオンビーム１は、偏向電極２によって偏向され、試
料４に照射される。偏向電極２にかけられる電圧は、偏
向電極電源２によって供給され、像観察をする時は、Ｘ
、Ｙ方向とも士に走査さＪしており、ライン分析の時は
ＸＹいずれか固定スポット分析の時は両者とも固定され
る。それらの走査信号は、制御回路７からの信号によっ
て制御されている。試料４から放出される二次イオンビ
ーム５は、レンズ、電場、磁場から構成される二次分析
計６に入り、全イオン量信号或いは質量ピーク信号とし
て取り出されＣＲＴ８或いはレコーダ９に送出される。
制御回路７からの走査信号はＣＲＴ８に同時に送られ、
ＣＲＴ８には試料観察像が得られる。この時、Ｐ点上の
スポット分析を行うとした時、従来法ではＰ点位置が点
線部の０点に来る様に試料さのものを移動する必要があ
った。この時実際のＣＲＴにＰ点及び０点の位置を明確
に示す手段がなく、像そのものをｌ１１察しながらＣＲ
ｉ’ ｌの物理的位置にその像が来るように試料を移動
しなければならず、操作性が複雑であるばかりか、精確
性に欠け、記録としても残らない欠点があった。
ＣＲＴ８には試料観察像が得られる。この時、Ｐ点上の
スポット分析を行うとした時、従来法ではＰ点位置が点
線部の０点に来る様に試料さのものを移動する必要があ
った。この時実際のＣＲＴにＰ点及び０点の位置を明確
に示す手段がなく、像そのものをｌ１１察しながらＣＲ
ｉ’ ｌの物理的位置にその像が来るように試料を移動
しなければならず、操作性が複雑であるばかりか、精確
性に欠け、記録としても残らない欠点があった。
第２図に従来力における走査信号発生部の回路の概略を
示す。この回路は偏向電圧のＸ軸の方のみを示したもの
である増巾器２０は積分器として使用され積分速度は抵
抗Ｒ１１１及びコンデンサＣ１１１によって決定される
。走査するか否かは走査制御部１４によって決定されリ
レー１３の０Ｎ１０ Ｆ Ｆによって行なわれる。この
走査信号は、抵抗Ｒ２１６に入力され、増巾器１９によ
ってゲイン調整され偏向電極電圧制御信号−Ｖｘ〜＋
Ｖ ｙｃとして出力される。抵抗Ｒ４１８は、Ｖｘの値
を決める為に設けられたものである。積分器の信号は片
方向の信号であるので出力を−Ｖｘ〜＋ Ｖ ｘとする
ため可変抵抗ＶＲ１１５から抵抗Ｒ３１７を通してバイ
アス電圧がかけられるようにしている。そして従来法で
はスポット分析を行う時は、スイッチＳＷＩ ２０をア
ース側にして偏向電極に電圧をかけないようにしている
。
示す。この回路は偏向電圧のＸ軸の方のみを示したもの
である増巾器２０は積分器として使用され積分速度は抵
抗Ｒ１１１及びコンデンサＣ１１１によって決定される
。走査するか否かは走査制御部１４によって決定されリ
レー１３の０Ｎ１０ Ｆ Ｆによって行なわれる。この
走査信号は、抵抗Ｒ２１６に入力され、増巾器１９によ
ってゲイン調整され偏向電極電圧制御信号−Ｖｘ〜＋
Ｖ ｙｃとして出力される。抵抗Ｒ４１８は、Ｖｘの値
を決める為に設けられたものである。積分器の信号は片
方向の信号であるので出力を−Ｖｘ〜＋ Ｖ ｘとする
ため可変抵抗ＶＲ１１５から抵抗Ｒ３１７を通してバイ
アス電圧がかけられるようにしている。そして従来法で
はスポット分析を行う時は、スイッチＳＷＩ ２０をア
ース側にして偏向電極に電圧をかけないようにしている
。
従って、この時のＣＲＴ上の位置は点線部Ｏの位置にな
り、もし希望するＰ点の位置のスポット分析を行うには
、試料そのものを移動して、Ｐ点が０点に来るようにし
てければならなかったわけである。
り、もし希望するＰ点の位置のスポット分析を行うには
、試料そのものを移動して、Ｐ点が０点に来るようにし
てければならなかったわけである。
本発明は、従来技術の欠点を除き、スポット分析、或い
はライン分析を行う時、その分析点の試料上の位置を容
易に設定出来る事、更に設定された位置が写真上に明示
出来る事、この二つの目的を達成するためになされたも
のである。
はライン分析を行う時、その分析点の試料上の位置を容
易に設定出来る事、更に設定された位置が写真上に明示
出来る事、この二つの目的を達成するためになされたも
のである。
本発明の目的を達成するために、試料上の分析位置の設
定に、試料像と同時に十字カーソルをＣＲＴ上に表示す
る事にし、その十字カーソルで指定された位置がそのま
ま記憶され、−次イオンビームの偏向電圧、設定用基準
電圧として出力される方法を採用した。
定に、試料像と同時に十字カーソルをＣＲＴ上に表示す
る事にし、その十字カーソルで指定された位置がそのま
ま記憶され、−次イオンビームの偏向電圧、設定用基準
電圧として出力される方法を採用した。
第３図に本発明の実施例を示す。偏向電極電圧制御信号
−Ｖｘ〜＋ＶｘはＤ／Ａ変換器２５によって発生され偏
向電極電圧発生器３１及びＣＲＴ２８に送られる。Ｄ／
Ａ変換器２５のディジタル入力３２は、カウンタ３０の
ディジタル出力３４あるいはカウンタ２４のディジタル
出力３３が選択器２３によって選択されたものである。
−Ｖｘ〜＋ＶｘはＤ／Ａ変換器２５によって発生され偏
向電極電圧発生器３１及びＣＲＴ２８に送られる。Ｄ／
Ａ変換器２５のディジタル入力３２は、カウンタ３０の
ディジタル出力３４あるいはカウンタ２４のディジタル
出力３３が選択器２３によって選択されたものである。
通常の像観察時にはカウンタ３０はＬＳＢからＭＳＢま
で連続して変化し、その信号３４が選択器２３によって
選択され、Ｄ／Ａ変換器に入って−Ｖｘ〜＋Ｖｘ信号を
出力させている。一方、カーソル指定キー２７の操作に
よってカーソル制御部２６が動作し、カーソル位置に対
応した値になるようにカウンタ２４が設定される。そし
て、カウンタ２４のディジタル出力３３とカウンタ３０
のディジタル出力３４が、コンパレータ２１に送られ、
両者が一致した点でＣＲＴ上の輝度をあげるようにビデ
オ信号制御器２２が制御され、通常の像と同時にカーソ
ルがＣ，ＲＴ上に表示されるようにしている。
で連続して変化し、その信号３４が選択器２３によって
選択され、Ｄ／Ａ変換器に入って−Ｖｘ〜＋Ｖｘ信号を
出力させている。一方、カーソル指定キー２７の操作に
よってカーソル制御部２６が動作し、カーソル位置に対
応した値になるようにカウンタ２４が設定される。そし
て、カウンタ２４のディジタル出力３３とカウンタ３０
のディジタル出力３４が、コンパレータ２１に送られ、
両者が一致した点でＣＲＴ上の輝度をあげるようにビデ
オ信号制御器２２が制御され、通常の像と同時にカーソ
ルがＣ，ＲＴ上に表示されるようにしている。
今、ＸＭｙ軸両万両カーソル致点Ｐ上のスポット分析を
行う時は、その指令を出すＪｆによって、カーソル位置
の内容であるカウンタ２４の値がラッチされると共に、
選択器２３はディジタル出力３４の信号のかわりに、デ
ィジタル出力３３の信号をＤ／Δ変換器２５に送り出し
、正確にＰ点の位置に相当する電極電圧制御信号を送出
する事が出来、この状態で二次系の磁場を走査する事に
よって、Ｐ点のスポラ１〜分析結果である質肚スペクト
ル２９を９９る事が出来る。
行う時は、その指令を出すＪｆによって、カーソル位置
の内容であるカウンタ２４の値がラッチされると共に、
選択器２３はディジタル出力３４の信号のかわりに、デ
ィジタル出力３３の信号をＤ／Δ変換器２５に送り出し
、正確にＰ点の位置に相当する電極電圧制御信号を送出
する事が出来、この状態で二次系の磁場を走査する事に
よって、Ｐ点のスポラ１〜分析結果である質肚スペクト
ル２９を９９る事が出来る。
ライン分析の時は、Ｘ １ｉ１［Ｉ Ｙ軸いずれかの信
号をカーソル位置で指定した信号にし、他方はもとの走
査用信号を使用すれば良い。
号をカーソル位置で指定した信号にし、他方はもとの走
査用信号を使用すれば良い。
像とカーソルを同時に表示した＠態で写真をとっておけ
ば、どの点のスポット分析或いはライン分析を行ったか
が明確にデータとして残し得る。
ば、どの点のスポット分析或いはライン分析を行ったか
が明確にデータとして残し得る。
本発明の実施例では、ディジタル出力をカウンタで発生
されているが、ＣＰＵを利用して一般的な考え方でラフ
１〜的に実行させる事も可能である。
されているが、ＣＰＵを利用して一般的な考え方でラフ
１〜的に実行させる事も可能である。
また、ｐ、ｐ’点の深さ方向分析を行う時は、あらかじ
めカーソルによりｐ、ｐ’点を指示すれば、メモリ３５
にその位置が記憶され、３６のような深さ方向データを
得る事が出来る。
めカーソルによりｐ、ｐ’点を指示すれば、メモリ３５
にその位置が記憶され、３６のような深さ方向データを
得る事が出来る。
本発明によって次の効果が得られる。
（１）スポラ１−分析、ライン分析、カーソル指定によ
って自由に分析位置を決定出来、試料自体を移動する必
要がなく、操作性が簡単、迅速になると共に測定条件の
変化を防止し得る。
って自由に分析位置を決定出来、試料自体を移動する必
要がなく、操作性が簡単、迅速になると共に測定条件の
変化を防止し得る。
（２）分析位置の決定が精度よく行える。
（３）像とカーソルを同時に写真にとれるのでデータと
して分析位置を残し得る。
して分析位置を残し得る。
第１図はイオンマイクロアナライザの機能説明図、第２
図は従来法の走査信号発生回路の説明図、第３図は本発
明の詳細な説明図である。
図は従来法の走査信号発生回路の説明図、第３図は本発
明の詳細な説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料に一次イオンビームを照射し得られた２次電子
を分析する手段を備えたイオンビームマイクロアナライ
ザにおいて、−次イオンビームを測定試料の任意の位置
に固定して測定する場合、その位置を観察像上に同時に
表示し得るカーソル表示によって表示する事を特徴とし
たイオンマイクロアナライザ。 ２、特許請求の範囲第】項において、任意の数点におけ
る深さ方向プロフィルの測定を行う時その各点をカーソ
ル表示によってその七字交点によって指定可能とした事
を特徴とするイオンマイクロアナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032419A JPS60177248A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | イオンマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032419A JPS60177248A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | イオンマイクロアナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177248A true JPS60177248A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12358422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032419A Pending JPS60177248A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | イオンマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177248A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06322972A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-22 | Tokyo Kyoei Shokai:Kk | 伸縮ユニット |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59032419A patent/JPS60177248A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06322972A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-22 | Tokyo Kyoei Shokai:Kk | 伸縮ユニット |
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