JPS60169144A - 半導体素子のダイボンド方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、リードフレームに半導体素子をはんだ付は
固着する。半導体素子のダイボンド方法に関する。

〔従来技術〕

リードフレームへの半導体素子のけんだＫよるダイボン
ド方法の基本は、第１図に工程順に示すようにして行わ
れている。第１図（ａ）はリードフレームの平面図で、
リードフレーム（１）にはダイパッド部（２）ｌリード
部（３）　、　（４）が形成されている。このダイパッ
ド部（２）上に、第１図（１，）のように、はんだ片（
５）を熱圧着する。つづいて、リードフレーム（１）を
加熱してはんだ片（６）を溶融し、第１図（ｃ）に示す
よう、溶融はんだ（５ａ）に半導体素子（６）を載せ押
付ける。こうして、冷却によシ固化したはんだ層により
、半導体素子（６）が固着される。

ここで１問題になるのは、加熱による溶融はんだ（５ａ
）の表面がすぐ酸化され易いため、酸化被膜が生じるこ
とである。この状態で半導体素子（６）を固着すると、
＠２図に示すように、ダイパッド部（２）と半導体素子
（６）との間のはんだ層（５ａ）内には。

はんだの巣といわれる空所（７）が生じる。このため、
半導体素子（６）の熱放散が悪くなり、半導体装置の熱
特性が低下することになる。

そこで、これを改善した従来の方法は、喀３図に工程順
に示す説明図のようにダイボンドを行っていた。＠３図
（ａ）はダイボンド装置の概要断面図であり、ヒートブ
ロック（８）には供給穴（９）が設けられており、下方
から窒素、水素なでの不活性ガス、又は還元性のガスな
ど酸化防止の雰囲気ガスを送入する。ヒートブロック（
８）上に置かれたリードフレーム（１）のダイパッド部
（２）を覆う囲い休００を配設する。ヒートブロック（
８）を、内蔵しであるヒータ（図示は略す）により加熱
し、ダイパッド部（２）上のはんだ片（５）を溶融する
。つづいて、第３図（ｂ）に示すよう虻、ダイコレット
０υの下端に吸着している半導体素子（５）を溶融はん
だ（５ａ）上に載せて押付は固着する。

上記従来の方法では、半導体素子（６）を吸着したダイ
コレットαηを囲い体ａＯ内に入れるとき１周囲の空気
が乱流状態となり囲い体００内に巻き込まれ。

これにより、溶融はんだ（５ａ）の表面に酸化被膜が生
じ、第２図の場合よりは少ないが、固化したけんだｌ’
１ｉ（５ｂ）内に空所（７）が発生するのを、完全にな
くすることはできなかった。

〔発明の概要〕

この発明は、上記従来の方法の欠点を除くもので、ヒー
トブロック上に置かれ囲い体に覆われ。

雰囲気ガスに包まれたリードフレームのダイパッド部を
加熱し、ダイパッド部上のはんだ片を溶融し、被膜除去
板により溶融はんだ表面の酸化被膜を除去し活性面を露
出させ、上方から半導体素子を載せ固着するようにし、
固化したはんだ層内に空所が生じないようにし、良好な
接合がされる、半導体素子のダイボンド方法を提供する
ことを目的としている。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例釦よるダイパッド方法を、第
４図により説明する。図はダイパッドを行っている状態
の概要断面図であり、＋１）、　（２）　、　（５ａ）
、　（６）　、　（８）〜αＢは上記従来のものと同一
のものである。ヒートブロック（８）上のダイパッド部
（２）を囲い体α０で覆い、雰囲気ガスで包んでいる。

ダイパッド部（２）上にははんだ片（５）を付着しであ
る。ヒートブロック（８）によりダイパッド部（２）を
加熱し、はんだ片（５）を融かし溶融はんだ（５ａ）と
し、この表面を被膜除去板（イ）でこすり酸化被膜を除
去し活性面を露出させる。この状態の溶融はんだ（５ａ
）上にコレットα力下端の半導体素子（５）を載せて押
付け、溶融はんだ（５ａ）の固化により固着する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明の方法によれば、ヒートブロッ
ク上のリードフレームのダイパッド部を雰囲気ガスで包
み、加熱によりダイパッド部上のはんだ片を溶融し、溶
融はんだの表面を被膜除去板にこすり、酸化被膜を除去
し活性面を露出させ。

半導体素子を載せて押付は固着するようにしたので、固
化したはんだ層内に空所が生じることがなくなり、良好
な固着接合ができ、半導体装置の熱特性が改善される。

【図面の簡単な説明】

第１図はリードフレームに半導体素子をダイボンドする
状態を工程順に示す平面図、第２図は半導体素子を固着
したはんだ層の欠陥を示す断面図。 第３図は従来の半導体素子のダイボンド方法を工程順に
示すダイボンド用具部の断面図、＃Ｊ４図はこの発明の
一実施例による半導体素子のダイボンド方法を示すダイ
ボンド用具部の断面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイバラ）’部、５
・・・はんだ片、　５ａ・・・溶融はんだ、６・・・半
導体素子、８・・・ヒートブロック、ｌｏ川用い体、１
１・・・ダイコレット、２２・・・被膜除去板 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人　大岩増雄 第１図 第２図 ７ 第３図 （久） （ｂ） 第４図 手続補正書（自発） １、事件の表示　特願昭５９−２６４４５９２、発明（
１）名称　半導体素子のダイボンド方法３、補正をする
者 事件との関係　特許出願人 代表者片山仁へ部 ４、代理人 住　所　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機
株式会社内 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄〇 う、補正の内容 （１）　明細書第２ページ第１４行の「はんだ層（５ａ
）」を「はんだ層（５ｂ）　ｊに補正する。 （２）　明細書第３ページ第２行の「水素なで」を「水
素など」Ｋ補正する。 （３）明細書第３ページ第１０行及び第５ページ第２行
の「半導体素子（５）」を［半導体素子（６）　Ｊ　Ｋ
肩正する。 （４）明細書第４ページ第１１．１２行の「ダイパッド
」を「ダイボンド」に補正する。 （５）明細書第５ページ第９行の「板に」を「板で」に
補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　リードフレームのダイパッド部上にはんだ片を
   付着してヒートブロック上に載せ、上記ダイパッド部上
   を囲い体で覆い雰囲気ガスで包み、上記ヒートブロック
   によシ上記ダイパッド部を加熱し上記はんだ片を溶融し
   、この溶融はんだ表面を被膜除去板によりこすり酸化被
   膜を除去し、露出した活性面に半導体素子を載せて押付
   け、固着させる半導体素子のダイボンド方法。