JPH0294453A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
- Publication number
- JPH0294453A JPH0294453A JP63244074A JP24407488A JPH0294453A JP H0294453 A JPH0294453 A JP H0294453A JP 63244074 A JP63244074 A JP 63244074A JP 24407488 A JP24407488 A JP 24407488A JP H0294453 A JPH0294453 A JP H0294453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- tip
- ball
- air
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45565—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85203—Thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はワイヤボンディング装置に係り、特に被覆細線
を用いてワイヤボンディングを行うに好適なワイヤボン
ディング装置に関する。
を用いてワイヤボンディングを行うに好適なワイヤボン
ディング装置に関する。
(従来の技術)
従来の装置は、特開昭60−158637号公報に記載
のように、被覆細線の被覆を加熱装置により除去した後
、通常の方法でワイヤボンディングを行うらのであった
。
のように、被覆細線の被覆を加熱装置により除去した後
、通常の方法でワイヤボンディングを行うらのであった
。
上記従来技術は、第5図に示すように、放電トーチと被
覆細線先端の間で放電を発生させ、被覆細線先端に芯線
か溶融して成るボールを形成する際に、ボール形成のた
めの熱により被覆か過剰に溶けてしまう点について配慮
がされていない。そのため、第6図に示すようにボンデ
ィングを行った後、被覆が過剰に溶けて芯線が露出した
部分どうしが接触したり、また曲述の芯線露出部分と半
導体チップが接触して、電気的短絡を生じるという問題
があった。
覆細線先端の間で放電を発生させ、被覆細線先端に芯線
か溶融して成るボールを形成する際に、ボール形成のた
めの熱により被覆か過剰に溶けてしまう点について配慮
がされていない。そのため、第6図に示すようにボンデ
ィングを行った後、被覆が過剰に溶けて芯線が露出した
部分どうしが接触したり、また曲述の芯線露出部分と半
導体チップが接触して、電気的短絡を生じるという問題
があった。
本発明の目的は、ボール形成時の被覆の過剰な溶けを抑
制して被覆線の芯線が露出する範囲をすくなくし、半導
体装置の電気的な短絡不良を防止することにある。
制して被覆線の芯線が露出する範囲をすくなくし、半導
体装置の電気的な短絡不良を防止することにある。
上記目的は、ボンディングツールの中心に開けた線材を
通すための穴に、常温以下の温度の空気を流し、ボンデ
ィングツール先端の穴から噴出ざせることにより達成さ
れる。
通すための穴に、常温以下の温度の空気を流し、ボンデ
ィングツール先端の穴から噴出ざせることにより達成さ
れる。
ボンディングツールの中心に開けた穴に流した空気は、
ボンディングツールの内壁と被覆細線が作る隙を通り、
先端の穴から被覆細線を囲むように噴出し、放電にJ:
るボール形成で高温(芯線材質の融点以上、例えば金な
ら1064°C以上)となった被覆先端部から芯線を伝
導して広がる熱を放熱する。それにJ:って被覆の温度
を低下ざV、被覆が過剰に溶けるのを抑制する。
ボンディングツールの内壁と被覆細線が作る隙を通り、
先端の穴から被覆細線を囲むように噴出し、放電にJ:
るボール形成で高温(芯線材質の融点以上、例えば金な
ら1064°C以上)となった被覆先端部から芯線を伝
導して広がる熱を放熱する。それにJ:って被覆の温度
を低下ざV、被覆が過剰に溶けるのを抑制する。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図乃至第4図により説明
する。第1図は本発明の一実施例の構成を示す断面図で
ある。中心に被覆細線1を通ず穴2を有するボンディン
グツール3が、昇降可能で且つホンディングツール3に
対して超音波撮動を印加可能な変ヘッド4に固定されて
いる。ボンディングツール3の上端には、被覆細線2を
通す穴5をを有し、空気6をボンディングツール3の穴
2に供給するための空気供給部7が設けられ、その上方
には開閉可能で被覆細線1を把持するワイヤクランパ8
が設けられている。一方ボンデイングツール3の下方に
は、揺動可能な放電トーチ9が配置されている。また、
被覆細線1と放電1・−チ9の間に放電を発生させ、被
覆細線1の先端にボールを形成する際、発生した熱によ
って被覆線1の被覆が熱分解して生じる物質を回収する
ための被覆回収部10が、放電トーチ9に取付けられて
いる。被覆回収部10は、放電トーチ9を覆う中空の構
造で、放電トーチ9が揺動したときボンディングツール
3およびボンディングツール3の先端に突き出した被覆
細線1と干渉する部分を切欠いて開放するとともに、低
圧吸引により中空部分の空気を排気する機能を備えてい
る。被覆細線1は、空気供給部7の穴5を通し、ボンデ
ィングツール3の穴2を通して、先端と放電トーチ9の
間隔が0.2〜0.4ミリメートル程度になる様に設定
する。
する。第1図は本発明の一実施例の構成を示す断面図で
ある。中心に被覆細線1を通ず穴2を有するボンディン
グツール3が、昇降可能で且つホンディングツール3に
対して超音波撮動を印加可能な変ヘッド4に固定されて
いる。ボンディングツール3の上端には、被覆細線2を
通す穴5をを有し、空気6をボンディングツール3の穴
2に供給するための空気供給部7が設けられ、その上方
には開閉可能で被覆細線1を把持するワイヤクランパ8
が設けられている。一方ボンデイングツール3の下方に
は、揺動可能な放電トーチ9が配置されている。また、
被覆細線1と放電1・−チ9の間に放電を発生させ、被
覆細線1の先端にボールを形成する際、発生した熱によ
って被覆線1の被覆が熱分解して生じる物質を回収する
ための被覆回収部10が、放電トーチ9に取付けられて
いる。被覆回収部10は、放電トーチ9を覆う中空の構
造で、放電トーチ9が揺動したときボンディングツール
3およびボンディングツール3の先端に突き出した被覆
細線1と干渉する部分を切欠いて開放するとともに、低
圧吸引により中空部分の空気を排気する機能を備えてい
る。被覆細線1は、空気供給部7の穴5を通し、ボンデ
ィングツール3の穴2を通して、先端と放電トーチ9の
間隔が0.2〜0.4ミリメートル程度になる様に設定
する。
また、ボンディングツール3先端からの被覆細線1の突
き出し串は、被覆細線2の線形が25〜32ミクロンの
場合0.6〜1ミリメートル程度に設定する。
き出し串は、被覆細線2の線形が25〜32ミクロンの
場合0.6〜1ミリメートル程度に設定する。
第2図は、ボンディングツール3の先端近傍を示す断面
図でおる。予め加熱装置(図示せず)により所定の範囲
の被覆を除去した被覆細線1か供給されている。ボンデ
ィングツール3の先端からは、被覆細線1の周囲に空気
が吹付けられている。
図でおる。予め加熱装置(図示せず)により所定の範囲
の被覆を除去した被覆細線1か供給されている。ボンデ
ィングツール3の先端からは、被覆細線1の周囲に空気
が吹付けられている。
この状態で放電トーチ9と被覆細線1の間に高電圧を印
加して放電を生じさせ、被覆細線1の先端にボールを形
成する。このときボンディングツール3先端から噴出し
ている空気6により、被覆細線1の表面被覆部分は冷却
されているので、ボール形成の際に生じる熱により溶は
過ぎることはない。なお溶けた被覆については第1図に
示した被服3回収部10により回収し、この後行われる
ボンディングに悪影響を与えないようにする。第3図は
、ホンディング直前のボンディングツール3の先端近傍
を示した断面図である。ボンディングを行うにあたって
は半導体チップ11、接続パッド12を所定の温度に加
熱する。従ってボンディングツール3先端から空気を流
し続けると接続パラi”12の温度を下げてしまうこと
になるが、本実施例では、被覆細線1先端に形成したボ
ールが、ボンディングツール3の出口をふさぐ形でボン
ディングか行われ、空気は空気供給部7の穴5から上方
に逃げるので、ボンディングには悪影響を及ぼさない。
加して放電を生じさせ、被覆細線1の先端にボールを形
成する。このときボンディングツール3先端から噴出し
ている空気6により、被覆細線1の表面被覆部分は冷却
されているので、ボール形成の際に生じる熱により溶は
過ぎることはない。なお溶けた被覆については第1図に
示した被服3回収部10により回収し、この後行われる
ボンディングに悪影響を与えないようにする。第3図は
、ホンディング直前のボンディングツール3の先端近傍
を示した断面図である。ボンディングを行うにあたって
は半導体チップ11、接続パッド12を所定の温度に加
熱する。従ってボンディングツール3先端から空気を流
し続けると接続パラi”12の温度を下げてしまうこと
になるが、本実施例では、被覆細線1先端に形成したボ
ールが、ボンディングツール3の出口をふさぐ形でボン
ディングか行われ、空気は空気供給部7の穴5から上方
に逃げるので、ボンディングには悪影響を及ぼさない。
本実施例によれば放電による被覆細線1先端へのボール
形成の際に生じる被覆の過剰な溶けを防止することがで
きるので、第4図に示すように、ボンディング後に被覆
細線1が倒れて隣接する被覆細線に接触したり、半導体
チップ11の各部と接触しても電気的短絡を生じないと
いう効果がある。
形成の際に生じる被覆の過剰な溶けを防止することがで
きるので、第4図に示すように、ボンディング後に被覆
細線1が倒れて隣接する被覆細線に接触したり、半導体
チップ11の各部と接触しても電気的短絡を生じないと
いう効果がある。
(発明の効果)
本発明によれば、放電による被覆細線先端へのボール形
成の際に生じる被覆の過剰な溶【ブを抑制し、芯線が露
出する範囲を少くできるので、ボンディング後に生じる
被服細線の芯線露出部分どうしの接触、および芯線露出
部分と半導体チップの接触による半導体半導体装置の電
気的な短絡不口を防止する効果がある。
成の際に生じる被覆の過剰な溶【ブを抑制し、芯線が露
出する範囲を少くできるので、ボンディング後に生じる
被服細線の芯線露出部分どうしの接触、および芯線露出
部分と半導体チップの接触による半導体半導体装置の電
気的な短絡不口を防止する効果がある。
第1図は本発明の一実施例の構成を示す断面図、第2図
は実施例によるボール形成時のボンディングツール先端
の近傍を示す断面図、第3図は、11ζンデイング直前
ボンデイングツール先端の近傍を示す断面図、第4図は
本発明の一実施例によりホンディングした状態を示す斜
視図、第5図は従来技術によるボール形成時のボンディ
ングツール先端の近傍を示す断面図、第6図は従来技術
によりボンディングした状態を示す斜視図である。 第2図 第3図 第4図 1・・・被覆細線、3・・・ボンディングツール、4・
・・空気の流れ、7・・・空気供給部、9・・・放電1
〜−チ、10・・・被覆回収部、11・・・半導体デツ
プ。
は実施例によるボール形成時のボンディングツール先端
の近傍を示す断面図、第3図は、11ζンデイング直前
ボンデイングツール先端の近傍を示す断面図、第4図は
本発明の一実施例によりホンディングした状態を示す斜
視図、第5図は従来技術によるボール形成時のボンディ
ングツール先端の近傍を示す断面図、第6図は従来技術
によりボンディングした状態を示す斜視図である。 第2図 第3図 第4図 1・・・被覆細線、3・・・ボンディングツール、4・
・・空気の流れ、7・・・空気供給部、9・・・放電1
〜−チ、10・・・被覆回収部、11・・・半導体デツ
プ。
Claims (1)
- 1、半導体装置内の接続パッドとリードフレーム間を、
先端にボールを形成した金線等の細線を用い、熱圧着も
しくは超音波熱圧着により接続するワイヤボンディング
装置において、線材として被覆細線を用いると共に、中
心に開けた線材を通すための穴に空気を流し、該空気を
先端より噴出せしめるボンディングツールを設けたこと
を特徴とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63244074A JPH0294453A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63244074A JPH0294453A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294453A true JPH0294453A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17113347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63244074A Pending JPH0294453A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0294453A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03294761A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-25 | Tokyo Gas Co Ltd | 冷水発生装置 |
JP2008218634A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63244074A patent/JPH0294453A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03294761A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-25 | Tokyo Gas Co Ltd | 冷水発生装置 |
JP2008218634A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4950866A (en) | Method and apparatus of bonding insulated and coated wire | |
US4387283A (en) | Apparatus and method of forming aluminum balls for ball bonding | |
US5395037A (en) | Method and apparatus for performing wire bonding by using solder wire | |
US5438020A (en) | Process for flip-chip bonding a semiconductor chip using wire leads | |
JPH0294453A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
US6337453B1 (en) | Method and apparatus for arc-forming a bonding wire ball with attenuated electro-magnetic interference | |
JP2889399B2 (ja) | テープ自動化ボンディング法 | |
JPS61296731A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPH09162226A (ja) | 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法 | |
JPH0737889A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS57126143A (en) | Bonding method | |
JPH0587976B2 (ja) | ||
JPH0536748A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JPS63293933A (ja) | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 | |
JP2506152B2 (ja) | 被覆線のワイヤボンディング方法 | |
JPH07283199A (ja) | プラズマクリーニング装置及び電子部品製造方法 | |
JPH01251628A (ja) | ボンディング装置 | |
JPS62170010A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS5917977B2 (ja) | ワイヤボンダ−におけるボ−ル形成方法 | |
JPH04165635A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JP3269398B2 (ja) | バンプ付きワークの半田付け方法 | |
JPS5917254A (ja) | ワイヤボンダにおけるボ−ル形成方法 | |
JP2645014B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS58212145A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH05109809A (ja) | ワイヤボンデイング装置 |