JPS60169136A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPS60169136A
JPS60169136A JP59024282A JP2428284A JPS60169136A JP S60169136 A JPS60169136 A JP S60169136A JP 59024282 A JP59024282 A JP 59024282A JP 2428284 A JP2428284 A JP 2428284A JP S60169136 A JPS60169136 A JP S60169136A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
energy
pulse
light
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59024282A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0758678B2 (ja
Inventor
Yutaka Echizen
裕 越前
Akiyoshi Suzuki
章義 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59024282A priority Critical patent/JPH0758678B2/ja
Priority to GB08503115A priority patent/GB2155650B/en
Priority to DE19853504938 priority patent/DE3504938A1/de
Publication of JPS60169136A publication Critical patent/JPS60169136A/ja
Priority to GB08719665A priority patent/GB2196132B/en
Priority to GB08719915A priority patent/GB2192467B/en
Priority to GB8817065A priority patent/GB2204706B/en
Publication of JPH0758678B2 publication Critical patent/JPH0758678B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明はアライナ−、エツチング装置等の半導体装置（
二おいて、パルス光を発する光源あるいは断続化される
連続光を発する光源を用いた場合の露光量の制御方法お
よびその装置Ｃ２関するものである＠ 〈従来技術〉 半導体装置（二おいて、１回ないし数回のパルスで十分
（１露光が完了するよう、強度の大きい例えばエキシマ
レーザのような光源を用いることが考えられている。し
かしながら、例えばエキシマレ−サのパルスエネルギー
は、ショット（照射）毎Ｃ二その大きさが５％前後変動
するため（二、転写面（ウェハ土）への露光エネルギー
もその変動Ｃ１応じて変化することになり、従って、解
像力、線幅の再現性という点（二重犬な影響を与えるお
それがある。
〈目　的〉 本発明の目的は、上記の欠点を改良するもので、その為
（二転写面への露光エネルギーの与え方を、適正露光量
よりわずか（ニルない露光エネルギーを与える粗露光と
、残りの必要とされる露光エネルギーを与える修正露光
との２段階Ｃ二分けること（二より、全体として露光エ
ネルギーのバラツキを抑制（一般的（二、解像力、線幅
の再現性という点では、ｉ光エネルギーのバラツキは６
％前後であるのが好ましい。）することを可能（二する
露光制御方法およびその装置を提供する。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例（二ついて図面を参照しながら説
明する。
第１図および第２図は、本発明を投影型および極近接型
のアライナ−（二それぞれ適用した場合の概略構成図で
ある。１は露光用光を断続的（二元する光源たとえば、
エキシマレーザ（ｅｘｃｉｍｅｒ）　＋　２は光源１か
ら発せられた光を導くための光学ユニット、６は平面ミ
ラーで、光路を転換させるためのものであり、５はマス
ク４のパターンを転写面（−転写するための投影光学系
たとえば投影レンズ。
６はウェハの転写面である。また、７はパルスエネルギ
ーの監視装置たとえば光積分器で、平面半透過ミラー６
を透過する光源１からのパルス光の量をモニターする機
能を有し、８はパルスエネルギーの調整装置で、監視装
置７の出力値（二基いて、適正なパルスエネルギーを放
出するよう光源１を制御する機能を持っている。
゛第６図および第４図は、光源１のパルスエネルギーと
、適正な露光エネルギーとの関係を示す図で、それぞれ
、粗露光用のパルスと修正露光用のパルスの計２パルス
で供給する場合、および３パルス以上で供給する場合を
表わしている。
以降、説明の簡略化のため、２パルス（二よる露光（第
３図）を例ｆ二とって、露光量制御の方法を説明する。
まず、光源１の第１のパルスエネルギー（Ｅｌ）でもっ
て、適正露光エネルギー（ＥＯ）の８０〜９゜チの露光
を行なう。この割合は、前述したよう（二、光源のパル
スエネルギーがショット毎（二その大きさく二おいて５
％前後変動することを考慮した上で、設定する必要があ
る。
次（二、監視装置７（二より、第１パルスエネルギー（
Ｅｌ）が検知される。実際（二は、平面ミラー６を透光
する該第１パルスエネルギー（Ｅｌ）の一部のエネルギ
ーと、平面ミラー６の透光率と（二基いて、監視装置７
〔二より第１パルスエネルギー（Ｅｌ）が算出される。
さらｆ二、調整装置８（二より、最適露光エネルギー（
ＥＯ）と第１パルスエネルギー（Ｅｌ）との差がめられ
る。
最後（二、差エネルギー（Ｅｏ−Ｅｌ）−二相幽スるエ
ネルギーを第２パルスエネルギー（Ｅ２）として、光′
ＩＰ、１より発する。この時の第２パルスエネルギー（
Ｅ２）の調整は、光源１本体で行なったり、あるいは光
路中Ｃ二ＮＤフィルタや絞り機構を介在させて、パルス
エネルギーの大きさを変える時に、適宜これらを機能さ
せるようにしても良い。
第６図のよう（二、最少数パルス（２パルス）テ露光を
行なうと、スループット（処理量）は増大し、従って処
理時間ｉま短縮され、更（二は（Ｅ２＜Ｅｌ−ＥＧ　）
の関係により、Ｅ２エネルギーが少々変動してもＥＯエ
ネルギー（二対する変動割合が小さいので、厳密な露光
管理が可能となる。
また、大きな適正露光エネルギーを必要とするウェハ（
二露光転写する場合Ｃ二は、第４図に示すよう（二、粗
露光用のパルスエネルギー（Ｅｌ）を複数回。
例えば６回供給した後Ｃ二、１じ正露光用のパルス（Ｅ
２’）でもって、全体的Ｃ二連正露光用エネルギー（Ｅ
Ｏ’）の（１００±６）％内（二収まるよう（二制御す
る０ したがって、適正露光エネルギーの大きさＣ１応じて、
光源からのパルス数を極力少なくし、がっ、最終のパル
スエネルギーがそれ以前のパルスエネルギーよりも極小
（二なるようにシーケンスを組めば、高スループツトが
達成され、相反則不軌も抑制されて厳密な露光管理を容
易（１行なえる。
なお、光源として、パルスレーザの代わり（二、連続光
を発するレーザを使用した場合も、チョッパ、／ヤツタ
ー、ＮＤフィルタ等により光を断続化すればパルスレー
ザを使用した場合と同様の効果を実現することが可能で
ある。
今、本発明を投影型および極近接型のアライナ−Ｃ１適
用した場合（二ついて説明したが、フンタクト型のアラ
イナ−（二も適用できるのは明らかである。これ（−加
えて、近年開発されたレジストレスエッチノブの露光源
としてエキンマレーザを使用した場合（二も、露光量の
制御のため（二本発明を都合良く適用できる。
〈効　果〉 本発明は、以上説明したようζ：、同一露光領域を２パ
ルス以上で、かつ最終パルスが他のパルスより極小のエ
ネルギーを有するよう制御すること（二より、厳密な露
光管理が可能となり、ざら【１高スルーグツトの維持お
よび相反則不軌の抑制を図ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、本発明をそれぞれ投影型および
極近接型のアライナ−（二連用した場合の概略構成図、
第３図および第４図は、光源１のパルスエネルギーと、
適正露光エネルギー七の関係を示す図である。 １　・光源、　２・・光学ユニット。 ３　平面ばラー、４・・マスク、５・・投影光学系。 ６　転写面。 ７　（パルスエネルギーの）監視装置。 ８・　（パルスエネルギーの）調ｅ装置。 ＥＯ，ＥＯ’・・適正露光エネルギー。 Ｅｌ　・・・（粗露光用の）パルスエネルギー。 Ｅ２．　Ｅ２’・・（修正露光用の）パルスエネルギー
。 特許出願人　キャノン株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）断続的【−発せられる露光用光を用いて露光を行
    なう半導体装置（二連用される露光制御方法であって、
    所望の露光エネルギーを得るため（二必要な少なくとも
    ２つ以上の前記断続的啄二元せられる露光用光のうち、
    最終の露光用光が他の露光用光（：比べて小さいエネル
    ギーを有するよう（−１露光用光の有するエネルギーを
    制御するよう（−シたことを特徴とする露光制御方法。
  2. （２）断続的（二元せられる露光用光を用いて露光を行
    なう半導体装置（１使用される露光制御装置であって、
    前記断続的（二元せられた露光用光の有するエネルギー
    をモニターする監視装置と、該監視装置からの出力値と
    所望の露光エネルギー値とを比較しながら、所望の露光
    エネルギーを得るためＣ二必要な少なくとも２つ以上の
    前記断続的（二元せられる露光用光のうち、最終の露光
    用光が他の露光用光（ニルべて小さいエネルギーを有す
    るようｆ二、露光用光の有するエネルギーを調整するだ
    めの調整装置と、を具備していることを特徴とする露光
    制御装置。
JP59024282A 1984-02-01 1984-02-14 露光装置 Expired - Lifetime JPH0758678B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59024282A JPH0758678B2 (ja) 1984-02-14 1984-02-14 露光装置
GB08503115A GB2155650B (en) 1984-02-14 1985-02-07 Method and apparatus for exposure
DE19853504938 DE3504938A1 (de) 1984-02-14 1985-02-13 Belichtungsverfahren und -vorrichtung
GB08719665A GB2196132B (en) 1984-02-01 1987-08-20 Exposure method and apparatus
GB08719915A GB2192467B (en) 1984-02-14 1987-08-24 Method and apparatus for exposure
GB8817065A GB2204706B (en) 1984-02-01 1988-07-18 Exposure method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59024282A JPH0758678B2 (ja) 1984-02-14 1984-02-14 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60169136A true JPS60169136A (ja) 1985-09-02
JPH0758678B2 JPH0758678B2 (ja) 1995-06-21

Family

ID=12133828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59024282A Expired - Lifetime JPH0758678B2 (ja) 1984-02-01 1984-02-14 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0758678B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61121485A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Fujitsu Ltd レ−ザ出力制御方式
JPS6269577A (ja) * 1985-09-21 1987-03-30 Ushio Inc パルス放電型レ−ザの出力制御装置
JPS62176129A (ja) * 1986-01-29 1987-08-01 Canon Inc 露光装置
JPS63316430A (ja) * 1987-06-19 1988-12-23 Nikon Corp エネルギ−量制御装置
JPH01132124A (ja) * 1987-08-28 1989-05-24 Teru Kyushu Kk 露光方法及びその装置
US4970546A (en) * 1988-04-07 1990-11-13 Nikon Corporation Exposure control device
JPH07307281A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Nec Corp 半導体装置の露光装置および露光方法
JPH08236439A (ja) * 1996-02-13 1996-09-13 Nikon Corp エネルギー量制御装置、方法および該装置を用いた 露光装置、方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58149036A (ja) * 1982-03-02 1983-09-05 Minolta Camera Co Ltd 引伸機用測光演算方法及び装置
JPS59222844A (ja) * 1983-05-25 1984-12-14 パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシュタルト マスクの投影複写装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58149036A (ja) * 1982-03-02 1983-09-05 Minolta Camera Co Ltd 引伸機用測光演算方法及び装置
JPS59222844A (ja) * 1983-05-25 1984-12-14 パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシュタルト マスクの投影複写装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61121485A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Fujitsu Ltd レ−ザ出力制御方式
JPS6269577A (ja) * 1985-09-21 1987-03-30 Ushio Inc パルス放電型レ−ザの出力制御装置
JPH0573074B2 (ja) * 1985-09-21 1993-10-13 Ushio Electric Inc
JPS62176129A (ja) * 1986-01-29 1987-08-01 Canon Inc 露光装置
JPH0546694B2 (ja) * 1986-01-29 1993-07-14 Canon Kk
JPS63316430A (ja) * 1987-06-19 1988-12-23 Nikon Corp エネルギ−量制御装置
JPH01132124A (ja) * 1987-08-28 1989-05-24 Teru Kyushu Kk 露光方法及びその装置
US4970546A (en) * 1988-04-07 1990-11-13 Nikon Corporation Exposure control device
JPH07307281A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Nec Corp 半導体装置の露光装置および露光方法
JPH08236439A (ja) * 1996-02-13 1996-09-13 Nikon Corp エネルギー量制御装置、方法および該装置を用いた 露光装置、方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0758678B2 (ja) 1995-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5171965A (en) Exposure method and apparatus
TW393670B (en) Laser-illuminated stepper or scanner with energy sensor feedback
WO2002103766A1 (fr) Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
JPS60169136A (ja) 露光装置
JPH05127086A (ja) 光強度の均一化方法およびそれを用いた露光装置
US6989920B2 (en) System and method for dose control in a lithographic system
KR100694664B1 (ko) 광 세기 조절 방법과 장치 및 반도체 기판 노광 장치 및방법
JPH0480554B2 (ja)
JPS60158449A (ja) 露光装置
GB2155647A (en) Controlled exposure
JP2591481B2 (ja) 半導体装置の露光方法
JPWO2002095486A1 (ja) 光源装置及び光照射装置、並びにデバイス製造方法
JPH05251310A (ja) 露光制御装置
JPH0225016A (ja) 露光装置
JP2009516367A (ja) 微細構造化部品を製造するためのマイクロリソグラフィ投影露光装置及び方法
JPH0715875B2 (ja) 露光装置及び方法
JPH01175730A (ja) 露光装置
JPS622443A (ja) フオトリソグラフイ
JP2915078B2 (ja) エネルギー制御方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法
JPS60170237A (ja) 露光方法
GB2196132A (en) Controlled exposure
JPH04262588A (ja) レ−ザ装置およびレ−ザ露光装置
JPS60162258A (ja) 露光装置
US20200004013A1 (en) Light homogenizing elements with corrective features
US6744494B2 (en) Continuously adjustable neutral density area filter

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term