JPS63316430A - エネルギ−量制御装置 - Google Patents
エネルギ−量制御装置Info
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- JPS63316430A JPS63316430A JP62152657A JP15265787A JPS63316430A JP S63316430 A JPS63316430 A JP S63316430A JP 62152657 A JP62152657 A JP 62152657A JP 15265787 A JP15265787 A JP 15265787A JP S63316430 A JPS63316430 A JP S63316430A
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- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、適宜の感応物体に対する照射エネルギー量の
制御にかかるものであり、例えば、露光光としてエキシ
マ等のパルスレーザを使用する露光装置の露光量制御に
好適なエネルギー量制御装置に関するものである。
制御にかかるものであり、例えば、露光光としてエキシ
マ等のパルスレーザを使用する露光装置の露光量制御に
好適なエネルギー量制御装置に関するものである。
従来のエネルギー量制御装置、例えば半導体素子製造用
の露光装置における露光光の制御手段装置としては、特
開昭60−169136号公報に開示されているものが
ある。
の露光装置における露光光の制御手段装置としては、特
開昭60−169136号公報に開示されているものが
ある。
この装置は、感応体(レジスト付きウェハ等)へ与える
露光エネルギーを、適正露光量よりわずかに少ない露光
エネルギーを与える粗露光と、残りの必要とされる露光
エネルギーを与える修正露光との2段階に分けることに
より、全体として露光エネルギーのばらつきを抑制する
ようにしたものである。
露光エネルギーを、適正露光量よりわずかに少ない露光
エネルギーを与える粗露光と、残りの必要とされる露光
エネルギーを与える修正露光との2段階に分けることに
より、全体として露光エネルギーのばらつきを抑制する
ようにしたものである。
すなわち、複数パルスで1シヨツトの露光を行う場合、
エネルギー量を小さくした最終パルスによって露光量を
制御することにより、最適露光量を得るようにしている
。
エネルギー量を小さくした最終パルスによって露光量を
制御することにより、最適露光量を得るようにしている
。
面、ここで1シジノトとは一括露光方式の場合は、マス
クを介してウェハ全体に露光エネルギーが照射されるこ
とであり、ステンブアンドリピート方式の場合は、ウェ
ハ上の部分的な領域に露光エネルギーが照射されること
である。
クを介してウェハ全体に露光エネルギーが照射されるこ
とであり、ステンブアンドリピート方式の場合は、ウェ
ハ上の部分的な領域に露光エネルギーが照射されること
である。
しかしながら、以上のような手段では、最終パルスに含
まれるエネルギー量の誤差に(ばらつき)に対して何ら
配慮をされていないため、依然として露光量が適格に制
御されず、適切な露光を行なうことができないという不
都合がある。また、上記公報に指摘されているように、
半導体素子製造のフォトリソグラフィ工程における露光
量の変動は、解像力や線幅の再現性に重大な影響を与え
るおそれがある。そして、他方では、集積回路の集積度
は近年増々向上しており、解像度等もより良いものが要
求されるに至っている。従って、露光エネルギーの制御
にも、増々高い精度が必要とされている。
まれるエネルギー量の誤差に(ばらつき)に対して何ら
配慮をされていないため、依然として露光量が適格に制
御されず、適切な露光を行なうことができないという不
都合がある。また、上記公報に指摘されているように、
半導体素子製造のフォトリソグラフィ工程における露光
量の変動は、解像力や線幅の再現性に重大な影響を与え
るおそれがある。そして、他方では、集積回路の集積度
は近年増々向上しており、解像度等もより良いものが要
求されるに至っている。従って、露光エネルギーの制御
にも、増々高い精度が必要とされている。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光
光量などのエネルギー量を、要求される精度に応して制
御することができるエネルギー量制御装置を提供するこ
とを目的とするもである。
光量などのエネルギー量を、要求される精度に応して制
御することができるエネルギー量制御装置を提供するこ
とを目的とするもである。
[問題点を解決する為の手段]
上記問題点を解決する為、
本発明は、エネルギー発生源から出力されるパルスエネ
ルギー量を調整する調整手段と、これらパルスのエネル
ギー量の積算値を計測する積算手段と、積算値をモニタ
ーして粗露光を行なう第1制御手段と、粗露光終了時の
積算値及び所定の制御精度等に応じて、パルスエネルギ
ー調整量のみ、またはパルスエネルギー調整量および修
正パルス数を制御する第2制御手段とを具備することと
した。
ルギー量を調整する調整手段と、これらパルスのエネル
ギー量の積算値を計測する積算手段と、積算値をモニタ
ーして粗露光を行なう第1制御手段と、粗露光終了時の
積算値及び所定の制御精度等に応じて、パルスエネルギ
ー調整量のみ、またはパルスエネルギー調整量および修
正パルス数を制御する第2制御手段とを具備することと
した。
(作用〕
本発明においては、エネルギー発生源から出力されるパ
ルスのエネルギー量のパルス毎のばらつきを考慮に入れ
て、修正露光時のパルスエネルギー調整量および修正パ
ルス数を決定しているので、露光光量などのエネルギー
量を要求される精度に制御することができる。
ルスのエネルギー量のパルス毎のばらつきを考慮に入れ
て、修正露光時のパルスエネルギー調整量および修正パ
ルス数を決定しているので、露光光量などのエネルギー
量を要求される精度に制御することができる。
以下、本発明の実施例を、添付図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は、本発明の実施例によるエネルギー量制御装置
の構成を示しである。また、第2図には、主要部分の詳
細な構成例が示されている。
の構成を示しである。また、第2図には、主要部分の詳
細な構成例が示されている。
これら第1図及び第2図において、露光光源であるエキ
シマレーザなどの外部トリガ可能なパルスレーザlOか
ら出力されたレーザ光は、拡大レンズ12、対物レンズ
14を各々透過して、エネルギー量調整手段16に入射
するようになっている。 − エネルギ−ff1ill整手段16は、第2図に示され
ているように、斜線部にレーザ光があたり、回転制御装
置18によって制御される回転位置により、その透過エ
ネルギー量が制御される。なお、回転量は、図示しない
エンコーグなどによって検出されるようになっている。
シマレーザなどの外部トリガ可能なパルスレーザlOか
ら出力されたレーザ光は、拡大レンズ12、対物レンズ
14を各々透過して、エネルギー量調整手段16に入射
するようになっている。 − エネルギ−ff1ill整手段16は、第2図に示され
ているように、斜線部にレーザ光があたり、回転制御装
置18によって制御される回転位置により、その透過エ
ネルギー量が制御される。なお、回転量は、図示しない
エンコーグなどによって検出されるようになっている。
エネルギーffi調整手段16を透過したレーザ光は、
ビームスプリッタ−20に入射するようになっている。
ビームスプリッタ−20に入射するようになっている。
ここでレーザ光は分割され、一方は集光レンズ22を透
過して光量計測用の受光素子24に入射し、他方は可干
渉除去装置26に入射した後、更に光学的なインテグレ
ータ(プライアイレンズ等)28、コンデンサレンズ3
0を透過してレチクル(マスクと同義)32に入射し、
その後不図示の投影レンズを介して感光基板の露光に使
用されるようになっている。感光基板xyに移動可能な
ステージ上にil!置されている。
過して光量計測用の受光素子24に入射し、他方は可干
渉除去装置26に入射した後、更に光学的なインテグレ
ータ(プライアイレンズ等)28、コンデンサレンズ3
0を透過してレチクル(マスクと同義)32に入射し、
その後不図示の投影レンズを介して感光基板の露光に使
用されるようになっている。感光基板xyに移動可能な
ステージ上にil!置されている。
次に、上述した受光素子24の出力は、アンプ34を介
して、積算光量記憶装置36に入力され、ここで積算に
より得られた光量は、制御装置、38に入力されるよう
になっている。制御装置38は、入力されたデータある
いは予め設定されたデータに基づいて、エネルギー量調
整手段16の回転制御装置18およびパルスレーザ10
に制御指令を行なう機能を有する。
して、積算光量記憶装置36に入力され、ここで積算に
より得られた光量は、制御装置、38に入力されるよう
になっている。制御装置38は、入力されたデータある
いは予め設定されたデータに基づいて、エネルギー量調
整手段16の回転制御装置18およびパルスレーザ10
に制御指令を行なう機能を有する。
すなわち、レチクル32に達するレーザ光量は、制御装
置38の指令により、パルスレーザlO自身に含まれる
エネルギー変更手段(図示せず)と、エネルギー量調整
手段I6の回転量によって調整されるように構成されて
いる。
置38の指令により、パルスレーザlO自身に含まれる
エネルギー変更手段(図示せず)と、エネルギー量調整
手段I6の回転量によって調整されるように構成されて
いる。
ここで、エネルギー量調整手段16の具体例としては、
調整量を連続的に設定できるものとして偏光板があげら
れる。レーザ光が直線偏光である場合、偏光板の回転量
によって透過する光量は理想的には0−100%の間で
変化する。第3図には、偏光板の回転量と、透過光量と
の関係の一例が示されており、透過光量変化は、偏光板
の回転角度位置に関してCoSカーブになる。
調整量を連続的に設定できるものとして偏光板があげら
れる。レーザ光が直線偏光である場合、偏光板の回転量
によって透過する光量は理想的には0−100%の間で
変化する。第3図には、偏光板の回転量と、透過光量と
の関係の一例が示されており、透過光量変化は、偏光板
の回転角度位置に関してCoSカーブになる。
また、エネルギー量調整手段16の別の具体例としては
、調整量を離散的に設定するものとして数種類の荒さの
異なるメツシュフィルタを切換可能な構造にすることが
あげられる。数種類のメツシュフィルタを組み込んだエ
ネルギー量調整手段16の一例を第4図に、このときの
エネルギー調整手段16の回転量と透過光量の関係を第
5図に示す、第4図において、円板16°には円周方向
に6つの円形開口部が形成され、開口16’aは単なる
透過孔で透過率は100%であり、角度2πの位置に対
応する。そして荒さの異なるメツシュフィルタ16°
b、16’ c、16” 6% 16° e、16°
rが設けられ、夫々の透過光量は第5図のように角度
π/3毎に順次小さくなるように定められる。
、調整量を離散的に設定するものとして数種類の荒さの
異なるメツシュフィルタを切換可能な構造にすることが
あげられる。数種類のメツシュフィルタを組み込んだエ
ネルギー量調整手段16の一例を第4図に、このときの
エネルギー調整手段16の回転量と透過光量の関係を第
5図に示す、第4図において、円板16°には円周方向
に6つの円形開口部が形成され、開口16’aは単なる
透過孔で透過率は100%であり、角度2πの位置に対
応する。そして荒さの異なるメツシュフィルタ16°
b、16’ c、16” 6% 16° e、16°
rが設けられ、夫々の透過光量は第5図のように角度
π/3毎に順次小さくなるように定められる。
次に、エネルギー積算量を制御目標範囲に制御するため
の手法について述べる。
の手法について述べる。
通常、パルス発光型のレーザにおいては、パルスごとの
エネルギー量はある平均値のまわりにばらつく、今、露
光位置(例えば投影像面)でエネル+−tのパルス間平
均値(例えば100パルスの平均値)をP、そのばらつ
き量をδPとおく。
エネルギー量はある平均値のまわりにばらつく、今、露
光位置(例えば投影像面)でエネル+−tのパルス間平
均値(例えば100パルスの平均値)をP、そのばらつ
き量をδPとおく。
適正エネルギー量はNを粗露光平均パルス数としてN−
Pで表現できるものとする。また、修正露光パルス数を
n、エネルギー量の目標制御精度をA(1%の場合、A
−0,01)とおく0本実施例においては、修正露光時
の積算エネルギー量のばらつきは、適正エネルギー量(
目標値)に対するばらつきにそのまま効く、そこで、修
正露光エネルギー量の最大値P°は、 δP − ζ(1+(τ) −AMI P ・・・・・
・・・・(1)であり、これをnパルスにわけて修正露
光したときのばらつきlsp’ は、 δP δP’= (1+(τ)−^旧・ δP15 ・・・・
・・・・・(2)で表わされる。さらにエネルギー量制
御精度がA以下であることより、式(2)から、δP これを整理すると式(3)が得られる。
Pで表現できるものとする。また、修正露光パルス数を
n、エネルギー量の目標制御精度をA(1%の場合、A
−0,01)とおく0本実施例においては、修正露光時
の積算エネルギー量のばらつきは、適正エネルギー量(
目標値)に対するばらつきにそのまま効く、そこで、修
正露光エネルギー量の最大値P°は、 δP − ζ(1+(τ) −AMI P ・・・・・
・・・・(1)であり、これをnパルスにわけて修正露
光したときのばらつきlsp’ は、 δP δP’= (1+(τ)−^旧・ δP15 ・・・・
・・・・・(2)で表わされる。さらにエネルギー量制
御精度がA以下であることより、式(2)から、δP これを整理すると式(3)が得られる。
エキシマレーザの場合、普通(δP/P)−10%程度
であり、また、Aを1%(0,01)とすると、式(3
)より修正露光パルス数nが1のとき、Nは10以上、
nが2のとき、Nは8以上となる。
であり、また、Aを1%(0,01)とすると、式(3
)より修正露光パルス数nが1のとき、Nは10以上、
nが2のとき、Nは8以上となる。
すなわち、粗露光平均パルス数Nを大きくとれば、粗露
光完了時での積算工フルギー量のばらつきが少く修正露
光パルス数nは小さな値でよい、一方、スループットの
観点からは、総パルス数が小さい方がよいので、修正パ
ルス数nを複数パルスにしてNを小さく押えることは意
味がある。ここで第6図の1シヨツトにおける適正露光
量を得るまでの露光の様子を示す、この図に示すように
本実施例においては、粗露光時は受光素子24、アンプ
34を介して積算光量記憶装置36で1パルス毎に積算
光量を計算レフスlパルスのエネルギー量のばらつきを
考慮して、次の1パルスによって積算値が制御目標値を
超える可能性が生じるところまで行なう。
光完了時での積算工フルギー量のばらつきが少く修正露
光パルス数nは小さな値でよい、一方、スループットの
観点からは、総パルス数が小さい方がよいので、修正パ
ルス数nを複数パルスにしてNを小さく押えることは意
味がある。ここで第6図の1シヨツトにおける適正露光
量を得るまでの露光の様子を示す、この図に示すように
本実施例においては、粗露光時は受光素子24、アンプ
34を介して積算光量記憶装置36で1パルス毎に積算
光量を計算レフスlパルスのエネルギー量のばらつきを
考慮して、次の1パルスによって積算値が制御目標値を
超える可能性が生じるところまで行なう。
具体的には適正露光量N−Pで規格化した粗露光終了判
定レベルRcを次の(4)式のように定める。
定レベルRcを次の(4)式のように定める。
Rc= (1+A)−□・・・・・・・・・(4)そし
て実測した積算光量をN−Pで割り算した値が判定レベ
ルRcを越えるまで粗露光を行なうようにする。この判
定レベルRcに対応する積算値が本発明における目標値
よりも小さい所定値に相当する。
て実測した積算光量をN−Pで割り算した値が判定レベ
ルRcを越えるまで粗露光を行なうようにする。この判
定レベルRcに対応する積算値が本発明における目標値
よりも小さい所定値に相当する。
この粗露光の場合はエネルギー量調整手段16(又は1
6′)の回転角を調整して、100%(すなわち最大)
の透過率が得られるようにしておくとよい、そして最適
な粗露光パルス数N(N22)が得られるようにパルス
レーザ−Oの出力エネルギー量を調整しておく、このよ
うにすれば、Nを小さく押えることができる。粗露光が
終了すると、それまでの光量積算値、制御目標値、精度
A及びパルスエネルギーのばらつきδP/Pに応じて式
(3)に基づいて修正パルス数と修正パルスのエネルギ
ー量を決定する。エネルギー量に関しては調整手段16
(又は16°)を回転させて所定の通過率が得られるよ
うに設定する。そして、所定のパルス数で修正露光が行
なわれる。
6′)の回転角を調整して、100%(すなわち最大)
の透過率が得られるようにしておくとよい、そして最適
な粗露光パルス数N(N22)が得られるようにパルス
レーザ−Oの出力エネルギー量を調整しておく、このよ
うにすれば、Nを小さく押えることができる。粗露光が
終了すると、それまでの光量積算値、制御目標値、精度
A及びパルスエネルギーのばらつきδP/Pに応じて式
(3)に基づいて修正パルス数と修正パルスのエネルギ
ー量を決定する。エネルギー量に関しては調整手段16
(又は16°)を回転させて所定の通過率が得られるよ
うに設定する。そして、所定のパルス数で修正露光が行
なわれる。
具体的には、第3図に示した回転偏光板16の場合は、
先の式(3)により確認を行った上で修正パルス数nを
固定して、エネルギー量(透過率)を適切にtA整して
やればよい、また第4図に示した数種類のメツシュフィ
ルタを有する回転板16゜の場合には、修正露光時のエ
ネルギー調整量が第5図のように離散的であるから、制
御精度Aを達成するために、粗露光終了時点の積算光量
値(不足の露光M)に応じて、メツシュフィルタの透過
率と修正パルス数との適切な組み合わせが存在すること
になる。この場合も、頌りの修正露光量をnパルスで行
なうとして、先の式(3)により確認を行なうとよい。
先の式(3)により確認を行った上で修正パルス数nを
固定して、エネルギー量(透過率)を適切にtA整して
やればよい、また第4図に示した数種類のメツシュフィ
ルタを有する回転板16゜の場合には、修正露光時のエ
ネルギー調整量が第5図のように離散的であるから、制
御精度Aを達成するために、粗露光終了時点の積算光量
値(不足の露光M)に応じて、メツシュフィルタの透過
率と修正パルス数との適切な組み合わせが存在すること
になる。この場合も、頌りの修正露光量をnパルスで行
なうとして、先の式(3)により確認を行なうとよい。
ここで、修正露光時のエネルギー調整IJaを修正パル
ス数nの決定式について述べる。ここでエネルギー調整
1Jaとは、粗露光時のパルス間平均エネルギー(P)
に対する修正露光時のパルス間平均エネルギーの比であ
る。今、粗露光終了時の積算光量を1とおくと、 δP N N−P δP n MFV (−) (l−^)−□・a・・・・・・・・・(5)δP かつ、A>□・a ・・・・・・・・・(6)を
満たすa、nであれば、修正露光後の積算光量は、適宜
露光量N−Pに対し、±Aの制御精度が保護されること
になる。
ス数nの決定式について述べる。ここでエネルギー調整
1Jaとは、粗露光時のパルス間平均エネルギー(P)
に対する修正露光時のパルス間平均エネルギーの比であ
る。今、粗露光終了時の積算光量を1とおくと、 δP N N−P δP n MFV (−) (l−^)−□・a・・・・・・・・・(5)δP かつ、A>□・a ・・・・・・・・・(6)を
満たすa、nであれば、修正露光後の積算光量は、適宜
露光量N−Pに対し、±Aの制御精度が保護されること
になる。
以上、本実施例により、各パルスのエネルギー量の積算
値を要求される精度に正確に制御することができる。
値を要求される精度に正確に制御することができる。
次に、露光装置として本発明を適用した場合の具体的な
シーケンスについて第7図を用いて説明する。
シーケンスについて第7図を用いて説明する。
まず、ステップ100で適正露光量がオペレータにより
入力される0次に、ステップ102で露光面上での1パ
ルスの平均エネルギーPの測定を行なう、これは、第1
図、第2図では不図示の感光基板が;itされるべきX
Yステージ上に設置された光電センサ(照度測定計)に
よりおこなわれ、複数パルスの平均により、lパルスの
エネルギーのばらつきの寄与を消去するものとする。こ
の光電センサは予め較正されているものとすれば、オペ
レータにより入力された適正露光量とから、直ちに、粗
露光平均パルス数Nが求まる(ステップ104)、次に
、Nが(3)式を満たしているか否かと判断しくステッ
プ106)、満たしていない場合は、ステップ10Bで
エネルギー調整手段16(又は16°)あるいはレーザ
10自体により、露光面でのエネルギーを減衰させたの
ち、再度Pの測定に戻る。さて、Nが(3)Xを満たし
ている場合には、(4)弐により、粗露光終了判定レベ
ルRcが求まる(ステップ110)。そして、次にXY
ステージが移動して感光基板を所定位置にアライメント
後、粗露光が開始される。粗露光時はlパルスごとに積
算光量■のチェックがおこなわれ(ステップ112.1
14)、粗露光終了判定レベルReを越えた時点で、修
正露光に入る。この時、すでに露光量制御精度が満たさ
れているか否かを判断しくステップ116)、満たされ
ていれば、修正露光は不要であるからこの位置での露光
を終了し、次のステップ11Bに進む、また、修正露光
が必要な場合には、(5)(6)式より、エネルギー調
整量aとパルス数Nを決定後(ステップ120)、修正
露光をおこなう(ステップ122)。
入力される0次に、ステップ102で露光面上での1パ
ルスの平均エネルギーPの測定を行なう、これは、第1
図、第2図では不図示の感光基板が;itされるべきX
Yステージ上に設置された光電センサ(照度測定計)に
よりおこなわれ、複数パルスの平均により、lパルスの
エネルギーのばらつきの寄与を消去するものとする。こ
の光電センサは予め較正されているものとすれば、オペ
レータにより入力された適正露光量とから、直ちに、粗
露光平均パルス数Nが求まる(ステップ104)、次に
、Nが(3)式を満たしているか否かと判断しくステッ
プ106)、満たしていない場合は、ステップ10Bで
エネルギー調整手段16(又は16°)あるいはレーザ
10自体により、露光面でのエネルギーを減衰させたの
ち、再度Pの測定に戻る。さて、Nが(3)Xを満たし
ている場合には、(4)弐により、粗露光終了判定レベ
ルRcが求まる(ステップ110)。そして、次にXY
ステージが移動して感光基板を所定位置にアライメント
後、粗露光が開始される。粗露光時はlパルスごとに積
算光量■のチェックがおこなわれ(ステップ112.1
14)、粗露光終了判定レベルReを越えた時点で、修
正露光に入る。この時、すでに露光量制御精度が満たさ
れているか否かを判断しくステップ116)、満たされ
ていれば、修正露光は不要であるからこの位置での露光
を終了し、次のステップ11Bに進む、また、修正露光
が必要な場合には、(5)(6)式より、エネルギー調
整量aとパルス数Nを決定後(ステップ120)、修正
露光をおこなう(ステップ122)。
次に、ステップ11Bにおいて感光基板上の別の場所で
同様な露光をおこなうと判断された場合は、ステップ1
24でaを1.0(100%)にインシャライズ後、次
の露光に入る。また、感光基板上の必要な場所すべてで
露光が終了したときは、一連のシーケンスが終了するこ
ととなる。
同様な露光をおこなうと判断された場合は、ステップ1
24でaを1.0(100%)にインシャライズ後、次
の露光に入る。また、感光基板上の必要な場所すべてで
露光が終了したときは、一連のシーケンスが終了するこ
ととなる。
以上により、第7図のようなフローチャートに従えば、
能率よく、要求された露光量制御精度でもって露光をお
こなうことができる。
能率よく、要求された露光量制御精度でもって露光をお
こなうことができる。
ところでエネルギー源がレーザ光の場合、レーザ光の持
つ可干渉性により露光面においてスペックルと呼ばれる
照度むらが生じることがある。照度むらは半導体素子製
造のフォトリングラフィ工程におけるパターン線幅のコ
ントロールに重大な影響を与える。そこで特開昭59−
226317号公報に開示されているような手法でスペ
ックを低減させることも考えられている0本発明による
エネルギー量制御は、このようなスペックル低減策と組
み合わせて用いるとより効果的である。
つ可干渉性により露光面においてスペックルと呼ばれる
照度むらが生じることがある。照度むらは半導体素子製
造のフォトリングラフィ工程におけるパターン線幅のコ
ントロールに重大な影響を与える。そこで特開昭59−
226317号公報に開示されているような手法でスペ
ックを低減させることも考えられている0本発明による
エネルギー量制御は、このようなスペックル低減策と組
み合わせて用いるとより効果的である。
上記公報におけるスペックル低減策(インコヒーレント
化)では、レーザ光を振動ミラー等により一定周期で2
次元振動(ラスタースキャン)させて、レーザ光の照明
光路をわずかにずらしていくものであり、空間的にコヒ
ーレンシイを低減させていくものである。このような手
法の照明系にエキシマレーザ光のようなパルスエネルギ
ーを通す場合は、ミラー等による2次元走査に同期させ
て複数のパルスを照射することになる0通常エキシマレ
ーザの発振パルス幅は20nSec程度と掻めて短く、
ミラー等を数十Hz程度で振動させたとしてもエキシマ
レーザの1パルスはミラーの2次元振動周期中は、あた
かも静止しているようにふるまう、第8図は、先の特開
昭59−226317号公報に開示された手法を用いた
ときに、レーザ光(パルス光)をスキャンさせて生じる
投影レンズの瞳面での光源像(レーザスポット)の様子
を示す平面図である。投影レンズの瞳面epにはオブチ
カルインテグレータ28の射出端の像が形成され、所謂
ケーラー照明が行なわれるものとする。オプチカルイン
テグレータ28に入射するパルスエネルギーを平行光と
し、その入射角がわずかに変化するようにミラー等で偏
向すると、インテグレータ28を構成する複数のレンズ
素子(ロッドレンズ等)の各々の射出面にできるスポッ
ト光SPの位置も2次元的に変化する。ミラー等の偏向
角は極めて小さいため、小ミラーをピエゾ素子でドライ
ブする程度で十分である。第9図はインチグレー22日
の1つのレンズ素子28°の拡大図であり、2次元走査
の軌道SLに沿って適宜パルス発光させ、1回の走査中
にスポット光S l)の位置を変えて点在させる。第9
図は模式的に示したものであり、実際のスポット光SP
の大きさはレンズ素子28″の端面の大きさ程度に近づ
くこともある。第9図では1回の走査で11パルスの発
光がおこなわれている。またパルス発光のl走査期間中
の位置はレンズ素子28′の端面中で規則的な位置、ラ
ンダムな位置のいずれであってもよい。
化)では、レーザ光を振動ミラー等により一定周期で2
次元振動(ラスタースキャン)させて、レーザ光の照明
光路をわずかにずらしていくものであり、空間的にコヒ
ーレンシイを低減させていくものである。このような手
法の照明系にエキシマレーザ光のようなパルスエネルギ
ーを通す場合は、ミラー等による2次元走査に同期させ
て複数のパルスを照射することになる0通常エキシマレ
ーザの発振パルス幅は20nSec程度と掻めて短く、
ミラー等を数十Hz程度で振動させたとしてもエキシマ
レーザの1パルスはミラーの2次元振動周期中は、あた
かも静止しているようにふるまう、第8図は、先の特開
昭59−226317号公報に開示された手法を用いた
ときに、レーザ光(パルス光)をスキャンさせて生じる
投影レンズの瞳面での光源像(レーザスポット)の様子
を示す平面図である。投影レンズの瞳面epにはオブチ
カルインテグレータ28の射出端の像が形成され、所謂
ケーラー照明が行なわれるものとする。オプチカルイン
テグレータ28に入射するパルスエネルギーを平行光と
し、その入射角がわずかに変化するようにミラー等で偏
向すると、インテグレータ28を構成する複数のレンズ
素子(ロッドレンズ等)の各々の射出面にできるスポッ
ト光SPの位置も2次元的に変化する。ミラー等の偏向
角は極めて小さいため、小ミラーをピエゾ素子でドライ
ブする程度で十分である。第9図はインチグレー22日
の1つのレンズ素子28°の拡大図であり、2次元走査
の軌道SLに沿って適宜パルス発光させ、1回の走査中
にスポット光S l)の位置を変えて点在させる。第9
図は模式的に示したものであり、実際のスポット光SP
の大きさはレンズ素子28″の端面の大きさ程度に近づ
くこともある。第9図では1回の走査で11パルスの発
光がおこなわれている。またパルス発光のl走査期間中
の位置はレンズ素子28′の端面中で規則的な位置、ラ
ンダムな位置のいずれであってもよい。
このような手法の場合、ミラーによるl走査の間に複数
のパルスが打たれることで、レチクル32(又は感光基
板)上で生じるスペックル縞が移動し、その複数のパル
スの積算後には照明むらが低減されるというものである
。
のパルスが打たれることで、レチクル32(又は感光基
板)上で生じるスペックル縞が移動し、その複数のパル
スの積算後には照明むらが低減されるというものである
。
このスペックル低減策と本実施例のエネルギー量制御方
式とを組み合わせる場合は、第6図中の粗露光動作時に
行なうと効果的である。すなわち第6図の粗露光時の1
パルス分のエネルギーfl、1回の2次元走査中に打つ
複数のパルスの合計エネルギー量に置き換えて考えれば
よい、従って、この場合は1回の走査中に打たれる各パ
ルス毎のエネルギー量は第6図の粗露光中のパルスエネ
ルギー量よりも十分小さくする必要がある。またミラー
による2次元走査も複数回行なわれることもある。
式とを組み合わせる場合は、第6図中の粗露光動作時に
行なうと効果的である。すなわち第6図の粗露光時の1
パルス分のエネルギーfl、1回の2次元走査中に打つ
複数のパルスの合計エネルギー量に置き換えて考えれば
よい、従って、この場合は1回の走査中に打たれる各パ
ルス毎のエネルギー量は第6図の粗露光中のパルスエネ
ルギー量よりも十分小さくする必要がある。またミラー
による2次元走査も複数回行なわれることもある。
そして修正露光時は照度むらに与える影響は少ないので
、粗露光時のような置き喚えは行なわず、第6図中の修
正露光時の1パルスは走査期間中の1パルスと同じに扱
えばよい、このようにするとスルーブツトの点で有利で
ある。また、オブチカルインテグレータとビームスキャ
ンによりレーザ光をインコヒーレント化する場合、特開
昭58−147708号公報に開示されているように、
オブチカルインテグレータを2段配置にするとよい。
、粗露光時のような置き喚えは行なわず、第6図中の修
正露光時の1パルスは走査期間中の1パルスと同じに扱
えばよい、このようにするとスルーブツトの点で有利で
ある。また、オブチカルインテグレータとビームスキャ
ンによりレーザ光をインコヒーレント化する場合、特開
昭58−147708号公報に開示されているように、
オブチカルインテグレータを2段配置にするとよい。
このようにすると、1段のインテグレータに含まれるレ
ンズ素子をm個とすると、投影レンズの瞳面ではm X
m個の2次光源像(レーザのスポット光)ができ、照
度均一性がより高精度になるからである。
ンズ素子をm個とすると、投影レンズの瞳面ではm X
m個の2次光源像(レーザのスポット光)ができ、照
度均一性がより高精度になるからである。
以上の様に本発明によれば、エネルギー発生源から出力
されるパルスのエネルギー量にパルス間ばらつきがあっ
たとしても、その積算値を目標値に対して要求される精
度内に押えることができる。
されるパルスのエネルギー量にパルス間ばらつきがあっ
たとしても、その積算値を目標値に対して要求される精
度内に押えることができる。
また、機械の駆動等によるエネルギー量の調整動作が修
正露光直前の1回のみであるので、スループットの観点
からも有利である。更に、修正露光時のパルス数を複数
パルスにすることにより総置光パルス数を減らすことが
でき、やはりスループットの観点から有利である。
正露光直前の1回のみであるので、スループットの観点
からも有利である。更に、修正露光時のパルス数を複数
パルスにすることにより総置光パルス数を減らすことが
でき、やはりスループットの観点から有利である。
また、エネルギー源がレーザ光の場合スペックル対策と
組み合わせることができ、効果的である。
組み合わせることができ、効果的である。
第1図、第2図は本発明の実施例によるエネルギー制御
装置の構成を表わす図、第3図は、エネルギーの連続的
な調整手段の回転量と透過光量の関係を表わすグラフ、
第4図は、エネルギーの離散的な調整手段としてのメツ
シュフィルタの構成を示す平面図、第5図は第4図に示
した調整手段の回転量と透過光量の関係を表わすグラフ
、第6図は、本実施例における露光の様子を示すタイミ
ングチャート図、第7図は実際の露光動作時の具体的な
シーケンスを表わすフローチャート図、第8図はオプチ
カルインテグレータの瞳面での様子を示す平面図、第9
図はインテグレータの1つの素子の端面でのビームスキ
ャンの様子を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明] 10・・・パルスレーザ 16・・・エネルギー調整手段 20・・・ハーフミラ− 18・・・エネルギー調整手段回転制御装置24・・・
受光素子 36・・・積算光量記憶装置 38・・・制御装置
装置の構成を表わす図、第3図は、エネルギーの連続的
な調整手段の回転量と透過光量の関係を表わすグラフ、
第4図は、エネルギーの離散的な調整手段としてのメツ
シュフィルタの構成を示す平面図、第5図は第4図に示
した調整手段の回転量と透過光量の関係を表わすグラフ
、第6図は、本実施例における露光の様子を示すタイミ
ングチャート図、第7図は実際の露光動作時の具体的な
シーケンスを表わすフローチャート図、第8図はオプチ
カルインテグレータの瞳面での様子を示す平面図、第9
図はインテグレータの1つの素子の端面でのビームスキ
ャンの様子を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明] 10・・・パルスレーザ 16・・・エネルギー調整手段 20・・・ハーフミラ− 18・・・エネルギー調整手段回転制御装置24・・・
受光素子 36・・・積算光量記憶装置 38・・・制御装置
Claims (4)
- (1)、エネルギー発生源から発生して被照射物に達す
るパルスエネルギー量の総和を所定の範囲内に制御する
装置において、 前記被照射物に達するパルスエネルギー量を調整する調
整手段と; 前記パルスエネルギー量の積算値を計測する積算手段と
; 該積算手段による積算値が目標値よりも小さい所定値を
超えるまで、前記エネルギー発生源から単数もしくは複
数のパルスエネルギーを射出させる第1制御手段と; 前記所定値を超えた時点で、前記目標値に到達するのに
必要な修正エネルギー量を算出し、該算出結果とパルス
エネルギーのばらつきと前記目標値への制御精度とに基
づいて前記調整手段と前記エネルギー発生源に達するエ
ネルギー調整量および/■たはパルス数の条件を算出す
る演算手段と該条件に基づいて前記被照射物へパルスエ
ネルギーの修正照射を行なう第2制御手段とを備えたこ
とを特徴とするエネルギー量制御装置。 - (2)、前記目標値よりも小さい所定値は、前記パルス
エネルギー量の1パルス分が次に照射されると、該パル
スエネルギー量の平均的な大きさとばらつきによって前
記積算値が目標値に対する制御精度からはずれると予測
される値に定められることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の装置。 - (3)、前記調整手段が調整量を連続的に変化させる場
合、前記演算手段は前記修正照射のパルス数を予め所定
値に設定し、必要とされるパルスエネルギー調整量を算
出することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の装
置。 - (4)、前記調整手段が調整量を離散的に変化させる場
合、前記演算手段は前記修正照射時のエネルギー調整量
とパルス数との最適な組み合わせを選択することを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15265787A JP2773117B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15265787A JP2773117B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 露光装置及び露光方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8024999A Division JPH08236439A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | エネルギー量制御装置、方法および該装置を用いた 露光装置、方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63316430A true JPS63316430A (ja) | 1988-12-23 |
JP2773117B2 JP2773117B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15545226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15265787A Expired - Lifetime JP2773117B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2773117B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0368185A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Canon Inc | エネルギー量制御装置 |
US5627627A (en) * | 1993-02-24 | 1997-05-06 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus and method |
JP2000193443A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | パタ―ン欠陥検査方法及びその装置 |
US6104474A (en) * | 1993-08-26 | 2000-08-15 | Nikon Corporation | Apparatus and method for controlling scanning exposure of photosensitive substrate |
US6268906B1 (en) | 1993-03-15 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
US6991975B1 (en) | 1992-06-26 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser process |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169136A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-02 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61154128A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS61202437A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Canon Inc | ステップアンドリピート露光方法 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP15265787A patent/JP2773117B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169136A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-02 | Canon Inc | 露光装置 |
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JPS61202437A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Canon Inc | ステップアンドリピート露光方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6991975B1 (en) | 1992-06-26 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser process |
US7985635B2 (en) | 1992-06-26 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser process |
US5627627A (en) * | 1993-02-24 | 1997-05-06 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus and method |
US6222615B1 (en) | 1993-02-24 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus and method |
US6456363B2 (en) | 1993-02-24 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | Exposure control apparatus and method |
US6268906B1 (en) | 1993-03-15 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
US6496247B2 (en) | 1993-03-15 | 2002-12-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
US6104474A (en) * | 1993-08-26 | 2000-08-15 | Nikon Corporation | Apparatus and method for controlling scanning exposure of photosensitive substrate |
JP2000193443A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | パタ―ン欠陥検査方法及びその装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2773117B2 (ja) | 1998-07-09 |
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