JPS60165265A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS60165265A JPS60165265A JP59020506A JP2050684A JPS60165265A JP S60165265 A JPS60165265 A JP S60165265A JP 59020506 A JP59020506 A JP 59020506A JP 2050684 A JP2050684 A JP 2050684A JP S60165265 A JPS60165265 A JP S60165265A
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Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910007744 Zr—N Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 13
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 235000007575 Calluna vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
この発明はZr−N薄膜の抵抗体から成る発熱体と、こ
の発熱体と電気的に接触する導電層を有するサーマルヘ
ッドの構造に関する。
の発熱体と電気的に接触する導電層を有するサーマルヘ
ッドの構造に関する。
(技術的背景)
Zr−N抵抗材料はTa−N等の材料に比べて比抵抗が
高いため、これを抵抗素子として使用すると、サーマル
ヘッドの高抵抗化、高密度化及び長寿命化が図れるとい
うメリットがある。このため、従来よりZr−N抵抗材
料を用いたサーマルヘッドが提案されている。第1図は
従来提案されているこのようなサーマルヘッドの一例を
示す部分的断面図で、発熱体近傍の層構造をwB線的に
示したものである。この従来構造では、Zr−に抵抗材
料から成る薄膜を発熱体とし、Au層及びNiCr層か
ら成る二重導体層を電極層又は配線層とした構造となっ
ている。
高いため、これを抵抗素子として使用すると、サーマル
ヘッドの高抵抗化、高密度化及び長寿命化が図れるとい
うメリットがある。このため、従来よりZr−N抵抗材
料を用いたサーマルヘッドが提案されている。第1図は
従来提案されているこのようなサーマルヘッドの一例を
示す部分的断面図で、発熱体近傍の層構造をwB線的に
示したものである。この従来構造では、Zr−に抵抗材
料から成る薄膜を発熱体とし、Au層及びNiCr層か
ら成る二重導体層を電極層又は配線層とした構造となっ
ている。
この第1図のサーマルヘッドにおいて、1は基板で、例
えば、グレーズつきアルミナ基板であり、2はZr−N
抵抗体薄膜から成る発熱体であり、3.4は電極又は配
線用の電気導体すなわち導電層であって3はNlGr層
、4はAu層である。さらに、5は抵抗体保護層であっ
て、例えば、SiO2又はその他の材料から成り、6は
この抵抗体層5」二に設けた耐摩耗層であって、例えば
、Ta205又はその他の材料から成っている。この場
合、抵抗体保護層5は導電層のAu層4に接触している
と共に、この導電層(3,,4)に形成した窓又は溝7
を介して抵抗体薄膜2にも接触している。
えば、グレーズつきアルミナ基板であり、2はZr−N
抵抗体薄膜から成る発熱体であり、3.4は電極又は配
線用の電気導体すなわち導電層であって3はNlGr層
、4はAu層である。さらに、5は抵抗体保護層であっ
て、例えば、SiO2又はその他の材料から成り、6は
この抵抗体層5」二に設けた耐摩耗層であって、例えば
、Ta205又はその他の材料から成っている。この場
合、抵抗体保護層5は導電層のAu層4に接触している
と共に、この導電層(3,,4)に形成した窓又は溝7
を介して抵抗体薄膜2にも接触している。
この構造のサーマルヘッドを安定に製造するために、特
に抵抗体2や導電層3.4の安定化を図るために、抵抗
体保護層5及び耐摩耗層6を被着形成する直前の状態つ
まり抵抗体2及び導電層3.4が形成されている状態で
、大気等の酸化雰囲気中で300〜500℃程度の温度
で熱処理を行なっている。
に抵抗体2や導電層3.4の安定化を図るために、抵抗
体保護層5及び耐摩耗層6を被着形成する直前の状態つ
まり抵抗体2及び導電層3.4が形成されている状態で
、大気等の酸化雰囲気中で300〜500℃程度の温度
で熱処理を行なっている。
ところで、この熱処理後の抵抗体2の抵抗値を測定する
と、抵抗体形状とシート抵抗から予想される抵抗値より
非常に大きな値を示したり、値にバラツキがあったり、
断線して値を示さなかったりすることが頻繁に生じてい
ることがわかった。
と、抵抗体形状とシート抵抗から予想される抵抗値より
非常に大きな値を示したり、値にバラツキがあったり、
断線して値を示さなかったりすることが頻繁に生じてい
ることがわかった。
そこで、この抵抗体2の第1図に示した部分に対応する
部分を金属顕微鏡で観察しところ、第2図(A)(この
図は顕微鏡による透過写真から描いた図である)に示す
ように、A1層4及びNiCr層3の導電層と、Zr−
N発熱体である抵抗体薄膜2との間の境界におけるZr
−N抵抗体薄膜2に異常が発生している部分Aがあるこ
とが判明した。この異常をさらに詳しく調べるため、導
電層を構成するAu層4とNiCr層3とをエツチング
して除去してZr−N抵抗体薄膜2を観察したところ、
この異常は第2図と同様に観察された。この顕微鏡によ
る観察の結果、抵抗値の異常はこのZr−N抵抗体薄膜
2の異常に起因するものであると分かった。
部分を金属顕微鏡で観察しところ、第2図(A)(この
図は顕微鏡による透過写真から描いた図である)に示す
ように、A1層4及びNiCr層3の導電層と、Zr−
N発熱体である抵抗体薄膜2との間の境界におけるZr
−N抵抗体薄膜2に異常が発生している部分Aがあるこ
とが判明した。この異常をさらに詳しく調べるため、導
電層を構成するAu層4とNiCr層3とをエツチング
して除去してZr−N抵抗体薄膜2を観察したところ、
この異常は第2図と同様に観察された。この顕微鏡によ
る観察の結果、抵抗値の異常はこのZr−N抵抗体薄膜
2の異常に起因するものであると分かった。
次に、この異常な部分Aを、第2図(B)に示すような
矢印Xに沿う方向にEPMA(Electoron P
robeMicro Analyzer)法により線分
析を行ったところ、第3図に示すような結果が得られた
。第3図の横軸は異常が生じている部分について基板1
に直交する方向にAu層4、異常部分A及びZr−N抵
抗体薄層2をとって表わし、縦軸は各層部分に含まれて
いる成分Zr、 Si、 N 、 Oの各成分量を示し
ている(但し、零レベルが多少異なるが、この発明の説
明には影響がない)、この分析データから明らかのよう
に、異常部分AではNが減少し、0が増加していること
が判明した。つまり抵抗体であるZr −N層2中にZ
r−0が生成されたために、抵抗値に異常を生じ、又、
この異常が金属顕微鏡観察で見られたと考えられる。
矢印Xに沿う方向にEPMA(Electoron P
robeMicro Analyzer)法により線分
析を行ったところ、第3図に示すような結果が得られた
。第3図の横軸は異常が生じている部分について基板1
に直交する方向にAu層4、異常部分A及びZr−N抵
抗体薄層2をとって表わし、縦軸は各層部分に含まれて
いる成分Zr、 Si、 N 、 Oの各成分量を示し
ている(但し、零レベルが多少異なるが、この発明の説
明には影響がない)、この分析データから明らかのよう
に、異常部分AではNが減少し、0が増加していること
が判明した。つまり抵抗体であるZr −N層2中にZ
r−0が生成されたために、抵抗値に異常を生じ、又、
この異常が金属顕微鏡観察で見られたと考えられる。
このような異常はAU層4及びNiCr層3から成る導
電層をM層又はNiCr層のみに置き換えて上述したと
同様な高温熱処理を行った場合には全く起らないし、又
、第1図及び第4図(A)に断面図として示すように、
Au層4とZr−N薄膜2とが直接接していない構造の
場合にも、このような異常は起らないことが実験により
確認された。
電層をM層又はNiCr層のみに置き換えて上述したと
同様な高温熱処理を行った場合には全く起らないし、又
、第1図及び第4図(A)に断面図として示すように、
Au層4とZr−N薄膜2とが直接接していない構造の
場合にも、このような異常は起らないことが実験により
確認された。
このような事実により、この異常は、以下のような原因
に基づくものであるといえる。すなわち、例えば、第4
図(B)に0印Bで示した箇所のように、Au層4のパ
ターン形成後NiCr[3のオーバーエツチングによっ
てこのAu層4の端部4aが垂れ下がったり、或いは又
、第4図(C)にO印Bで示した箇所のように、Au層
4をメッキその他の方法により下側のNiCr層3上層
積上すると、このAu層4の端部4aがNiCr層3の
端部側面に沿って抵抗体薄層2にも達して被着してしま
うために、このAU層4の端部4aとZr−N抵抗体薄
膜2とが直接接触し、○印Bで示したこの接触箇所が酸
化雰囲気中での高温熱処理により急速に酸化してしまい
、そのために異常が生じるのである。
に基づくものであるといえる。すなわち、例えば、第4
図(B)に0印Bで示した箇所のように、Au層4のパ
ターン形成後NiCr[3のオーバーエツチングによっ
てこのAu層4の端部4aが垂れ下がったり、或いは又
、第4図(C)にO印Bで示した箇所のように、Au層
4をメッキその他の方法により下側のNiCr層3上層
積上すると、このAu層4の端部4aがNiCr層3の
端部側面に沿って抵抗体薄層2にも達して被着してしま
うために、このAU層4の端部4aとZr−N抵抗体薄
膜2とが直接接触し、○印Bで示したこの接触箇所が酸
化雰囲気中での高温熱処理により急速に酸化してしまい
、そのために異常が生じるのである。
従って、従来のサーマルヘッドでは、これを安定に製造
出来ないため、良導体を有する優れたサーマルヘッドを
歩留まり良く、簡単にしかも安価に製造出来ないという
欠点がある。
出来ないため、良導体を有する優れたサーマルヘッドを
歩留まり良く、簡単にしかも安価に製造出来ないという
欠点がある。
(発明の目的)
この発明の目的は上述した従来の欠点を生じない構造の
サーマルヘッドを提供することにある。
サーマルヘッドを提供することにある。
(発明の構1)
この目的の達成を図るため、この発明によれば、発熱体
と電気的に接触する導電層をM単層構造又はM単層と導
電性下地層とから成る多層構造として成ることを特徴と
する。
と電気的に接触する導電層をM単層構造又はM単層と導
電性下地層とから成る多層構造として成ることを特徴と
する。
(実施例の説明)
以下、この発明の詳細な説明する。
上述した従来の構造のサーマルヘッドによると、 Au
層4と、Zr−N抵抗体薄膜2とが接触している部分が
酸化雰囲気にさらされた状態で高温熱処理が行われるた
めに、その部分に急激な酸化が起り、これがため、電気
的に不良導体となる。
層4と、Zr−N抵抗体薄膜2とが接触している部分が
酸化雰囲気にさらされた状態で高温熱処理が行われるた
めに、その部分に急激な酸化が起り、これがため、電気
的に不良導体となる。
しかしながら、この発明の第一実施例の構造によれば、
第5図に示すように、 Zr−N抵抗体薄膜である発熱
体2と電気的に接触する導電層(3,4)をN単層8の
単層構造とする。このようなサーマルヘッドの層構造に
よれば、Zr−N抵抗体薄膜2と電気的に接触するよう
なAu層を有していないので、高温熱処理時にN層と抵
抗体薄層2との接触部分の急激な酸化は全く起らず、こ
れがため、この接触部分は電気的不良導体とならず、従
って、製造に際し歩留まりが良くしかも所要の導電特性
を有するサーマルヘッドを得ることが出来る。
第5図に示すように、 Zr−N抵抗体薄膜である発熱
体2と電気的に接触する導電層(3,4)をN単層8の
単層構造とする。このようなサーマルヘッドの層構造に
よれば、Zr−N抵抗体薄膜2と電気的に接触するよう
なAu層を有していないので、高温熱処理時にN層と抵
抗体薄層2との接触部分の急激な酸化は全く起らず、こ
れがため、この接触部分は電気的不良導体とならず、従
って、製造に際し歩留まりが良くしかも所要の導電特性
を有するサーマルヘッドを得ることが出来る。
次に、この発明の第二実施例につき説明する。
この実施例の場合には、従来のAu層4を含む導電層(
3,4)の変りに、第5図に8で示す導電層をN層の単
層と、例えば、Ti層、Cr層、NiCr層、W層、そ
の他の導電材料から成る層から選ばれた一種又は二種以
上の層から成る導電性下地層とを組み合わせた多層構造
を用いる。従って、この実施例の場合に、は、Zr−N
抵抗体薄膜2とN層との間に導電性下地層が介在するが
、この構造のサーマルヘッドは従来のようなAu層を有
していないので、熱処理時の酸化による発熱体の導通不
良は生ぜず、従って、製造に際し歩留まりが良くしかも
所要の導電特性を有する優れたサーマルヘッドを得るこ
とが出来る。
3,4)の変りに、第5図に8で示す導電層をN層の単
層と、例えば、Ti層、Cr層、NiCr層、W層、そ
の他の導電材料から成る層から選ばれた一種又は二種以
上の層から成る導電性下地層とを組み合わせた多層構造
を用いる。従って、この実施例の場合に、は、Zr−N
抵抗体薄膜2とN層との間に導電性下地層が介在するが
、この構造のサーマルヘッドは従来のようなAu層を有
していないので、熱処理時の酸化による発熱体の導通不
良は生ぜず、従って、製造に際し歩留まりが良くしかも
所要の導電特性を有する優れたサーマルヘッドを得るこ
とが出来る。
これら第−実施例及び第二実施例に従って高温熱処理を
行った場合に実験で得られた夫々の試料(1)〜(IV
)の発熱体の抵抗値の変化を次頁の表工に示す。
行った場合に実験で得られた夫々の試料(1)〜(IV
)の発熱体の抵抗値の変化を次頁の表工に示す。
この表工は、Au層を有する導電層を用いた従来の試料
及びN層を有する導電層としたこの発明の試料について
、比抵抗を7000.Ωc+a(試料(1)及び(II
))及び2500pLΩc+a(試料(III)及び(
IV))とした場合のそれぞれにつき1.2.3.4.
7時間(h)の熱処理を経過した時のサーマルヘッドの
抵抗値を、熱処理前の発熱体の抵抗値からの変化の割合
(百分率(%))として、示す。この場合、熱処理温度
を300℃とし及び抵抗増加分を正の星として示した。
及びN層を有する導電層としたこの発明の試料について
、比抵抗を7000.Ωc+a(試料(1)及び(II
))及び2500pLΩc+a(試料(III)及び(
IV))とした場合のそれぞれにつき1.2.3.4.
7時間(h)の熱処理を経過した時のサーマルヘッドの
抵抗値を、熱処理前の発熱体の抵抗値からの変化の割合
(百分率(%))として、示す。この場合、熱処理温度
を300℃とし及び抵抗増加分を正の星として示した。
この表工中、X印は抵抗測定不能な状態を示す。
表 I (単位%)
この実験結果から、熱処理時間が1時間程度までの間に
、いずれの試料の場合にもある程度抵抗(+/jに変化
が見られるが、Au層を導電層とするこの発明の構造に
よれば (試料(II)及び(rv)) 、この1時間
の熱処理時間に起ったサーマルヘッド全体としての初期
の抵抗増加はそれぞれ21%及び26%であり、その後
さらに6時間の熱処理を行った後においても、試料(I
I)で13%程度、試料(IV)で4%程度変化するに
すぎない。この抵抗増加はZr−N抵抗体薄膜2自体の
抵抗値の変化であり、この変化量は、初期加熱後の抵抗
値を基準とすると、はぼ許容出来る範囲内にある。そし
て、この場合にも、従来のようなAu層とZr−N抵抗
体薄層との接触部分における急激な酸化の現象は全く認
められなかった。
、いずれの試料の場合にもある程度抵抗(+/jに変化
が見られるが、Au層を導電層とするこの発明の構造に
よれば (試料(II)及び(rv)) 、この1時間
の熱処理時間に起ったサーマルヘッド全体としての初期
の抵抗増加はそれぞれ21%及び26%であり、その後
さらに6時間の熱処理を行った後においても、試料(I
I)で13%程度、試料(IV)で4%程度変化するに
すぎない。この抵抗増加はZr−N抵抗体薄膜2自体の
抵抗値の変化であり、この変化量は、初期加熱後の抵抗
値を基準とすると、はぼ許容出来る範囲内にある。そし
て、この場合にも、従来のようなAu層とZr−N抵抗
体薄層との接触部分における急激な酸化の現象は全く認
められなかった。
尚、試料(1)及び(III)のデータからも明らかな
ように、Au層を有する従来のサーマルヘッドの場合に
は、熱処理時間が2時間、3時間・・・と順次に経過す
ると、益々抵抗値が大きくなってしまい、明らかに発熱
体に上述したような異常が生じ、試料(1)では遂には
断線してしまい(図中×印)、又、試料(III)では
抵抗値は許容出来ない程度にまで変化してしまうことが
分かった。
ように、Au層を有する従来のサーマルヘッドの場合に
は、熱処理時間が2時間、3時間・・・と順次に経過す
ると、益々抵抗値が大きくなってしまい、明らかに発熱
体に上述したような異常が生じ、試料(1)では遂には
断線してしまい(図中×印)、又、試料(III)では
抵抗値は許容出来ない程度にまで変化してしまうことが
分かった。
(発明の効果)
以」二の説明からも明らかなように、この発明によるサ
ーマルヘッドによれば、導電層としてAu層を用いない
で、この導電層をN層を層重層構造又はN単層と他の導
電性下地層との組み合わせから成る多層構造としている
ので、高温熱処理を行っても、従来のようなZr−N抵
抗体薄層の酸化が起る恐れが全く、また、熱処理時に使
用する雰囲気の種類も何等制限を受けないし、さらに、
熱処理工程をこの成層の形成後に酸化防止のための何等
特別な措置を講じないので簡単に行うことが出来るいう
利点がある。
ーマルヘッドによれば、導電層としてAu層を用いない
で、この導電層をN層を層重層構造又はN単層と他の導
電性下地層との組み合わせから成る多層構造としている
ので、高温熱処理を行っても、従来のようなZr−N抵
抗体薄層の酸化が起る恐れが全く、また、熱処理時に使
用する雰囲気の種類も何等制限を受けないし、さらに、
熱処理工程をこの成層の形成後に酸化防止のための何等
特別な措置を講じないので簡単に行うことが出来るいう
利点がある。
さらに、この発明の構造によれば、局部的酸化による発
熱体すなわちZr−N抵抗体薄層の電気的断線を予防出
来るので、安定な所要の好適な抵抗を有し、製造歩留ま
りが良くしかも安価なサーマルヘッドを得ることが出来
る。
熱体すなわちZr−N抵抗体薄層の電気的断線を予防出
来るので、安定な所要の好適な抵抗を有し、製造歩留ま
りが良くしかも安価なサーマルヘッドを得ることが出来
る。
尚、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもので
はないこと明らかである。例えば、発熱体としてのZr
−N抵抗体薄層及び導電層としてのN層重外の構成成分
は他の任意好適の材料であっても良い。
はないこと明らかである。例えば、発熱体としてのZr
−N抵抗体薄層及び導電層としてのN層重外の構成成分
は他の任意好適の材料であっても良い。
第も図はこの発明の説明に供するサーマルヘトの発熱体
近傍の構造を示す略図的断面図。 第2図(A)及び(B)は発熱体近傍の状態を説明する
ための金属顕微鏡写真の模写図、 第3図は第2図(B)の矢印Xの方向に沿ってEPHA
法により測定した線分析の結果を示す曲線図、第4図(
A)〜(C)は発熱体を構成する抵抗体薄11!2に異
常が発生する原因を説明するための、発熱体付近の略図
的断面図。 第5図はこの発明のサーマルヘッドの実施例を説明する
ための発熱体近傍の構造を示す略図的断面図である。 l・・・基板、 2・・・Zr−N抵抗体薄層3・・・
(電極層又は配線層を形成する)導電層4・・・(電極
層又は配線層を形成する) Auの導電層4a・・・(
Auの導電層4の)端部 5・・・抵抗体保護層、 6・・・耐摩耗層7・・・窓
又は溝 8・・・層重層構造又はN単層と他の導電性下地層とか
ら成る多層構造、 X・・・矢印。 特許出願人 沖電気工業株式会社 同 上 日本電信電話公社 第1図 第2図 (A ’) (B) 第3図 第4図 (A) 第5図
近傍の構造を示す略図的断面図。 第2図(A)及び(B)は発熱体近傍の状態を説明する
ための金属顕微鏡写真の模写図、 第3図は第2図(B)の矢印Xの方向に沿ってEPHA
法により測定した線分析の結果を示す曲線図、第4図(
A)〜(C)は発熱体を構成する抵抗体薄11!2に異
常が発生する原因を説明するための、発熱体付近の略図
的断面図。 第5図はこの発明のサーマルヘッドの実施例を説明する
ための発熱体近傍の構造を示す略図的断面図である。 l・・・基板、 2・・・Zr−N抵抗体薄層3・・・
(電極層又は配線層を形成する)導電層4・・・(電極
層又は配線層を形成する) Auの導電層4a・・・(
Auの導電層4の)端部 5・・・抵抗体保護層、 6・・・耐摩耗層7・・・窓
又は溝 8・・・層重層構造又はN単層と他の導電性下地層とか
ら成る多層構造、 X・・・矢印。 特許出願人 沖電気工業株式会社 同 上 日本電信電話公社 第1図 第2図 (A ’) (B) 第3図 第4図 (A) 第5図
Claims (1)
- Zr−N抵抗体薄膜から成る発熱体と、該発熱体と電気
的に接触する導電層とを有するサーマルヘッドにおいて
、該導電層をNJ単層構造又はN単層と導電性下地層と
から成る多層構造として成ることを特徴とするサーマル
ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59020506A JPS60165265A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59020506A JPS60165265A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60165265A true JPS60165265A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12029043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59020506A Pending JPS60165265A (ja) | 1984-02-07 | 1984-02-07 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60165265A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54126049A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film type thermal head and production thereof |
JPS559301A (en) * | 1978-07-01 | 1980-01-23 | Nissan Motor | Connector for igniter |
JPS55118882A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-12 | Hitachi Ltd | Thermal recording head |
JPS5787973A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Seiko Epson Corp | Thermal head |
-
1984
- 1984-02-07 JP JP59020506A patent/JPS60165265A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54126049A (en) * | 1978-03-23 | 1979-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film type thermal head and production thereof |
JPS559301A (en) * | 1978-07-01 | 1980-01-23 | Nissan Motor | Connector for igniter |
JPS55118882A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-12 | Hitachi Ltd | Thermal recording head |
JPS5787973A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Seiko Epson Corp | Thermal head |
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