JPS60165265A - サ−マルヘツド - Google Patents

サ−マルヘツド

Info

Publication number
JPS60165265A
JPS60165265A JP59020506A JP2050684A JPS60165265A JP S60165265 A JPS60165265 A JP S60165265A JP 59020506 A JP59020506 A JP 59020506A JP 2050684 A JP2050684 A JP 2050684A JP S60165265 A JPS60165265 A JP S60165265A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thermal head
conductive
resistor
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59020506A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Araki
健一 荒木
Susumu Shibata
進 柴田
Masayuki Nihei
公志 二瓶
Toshinori Nozawa
野沢 敏矩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp, Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP59020506A priority Critical patent/JPS60165265A/ja
Publication of JPS60165265A publication Critical patent/JPS60165265A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) この発明はZr−N薄膜の抵抗体から成る発熱体と、こ
の発熱体と電気的に接触する導電層を有するサーマルヘ
ッドの構造に関する。
(技術的背景) Zr−N抵抗材料はTa−N等の材料に比べて比抵抗が
高いため、これを抵抗素子として使用すると、サーマル
ヘッドの高抵抗化、高密度化及び長寿命化が図れるとい
うメリットがある。このため、従来よりZr−N抵抗材
料を用いたサーマルヘッドが提案されている。第1図は
従来提案されているこのようなサーマルヘッドの一例を
示す部分的断面図で、発熱体近傍の層構造をwB線的に
示したものである。この従来構造では、Zr−に抵抗材
料から成る薄膜を発熱体とし、Au層及びNiCr層か
ら成る二重導体層を電極層又は配線層とした構造となっ
ている。
この第1図のサーマルヘッドにおいて、1は基板で、例
えば、グレーズつきアルミナ基板であり、2はZr−N
抵抗体薄膜から成る発熱体であり、3.4は電極又は配
線用の電気導体すなわち導電層であって3はNlGr層
、4はAu層である。さらに、5は抵抗体保護層であっ
て、例えば、SiO2又はその他の材料から成り、6は
この抵抗体層5」二に設けた耐摩耗層であって、例えば
、Ta205又はその他の材料から成っている。この場
合、抵抗体保護層5は導電層のAu層4に接触している
と共に、この導電層(3,,4)に形成した窓又は溝7
を介して抵抗体薄膜2にも接触している。
この構造のサーマルヘッドを安定に製造するために、特
に抵抗体2や導電層3.4の安定化を図るために、抵抗
体保護層5及び耐摩耗層6を被着形成する直前の状態つ
まり抵抗体2及び導電層3.4が形成されている状態で
、大気等の酸化雰囲気中で300〜500℃程度の温度
で熱処理を行なっている。
ところで、この熱処理後の抵抗体2の抵抗値を測定する
と、抵抗体形状とシート抵抗から予想される抵抗値より
非常に大きな値を示したり、値にバラツキがあったり、
断線して値を示さなかったりすることが頻繁に生じてい
ることがわかった。
そこで、この抵抗体2の第1図に示した部分に対応する
部分を金属顕微鏡で観察しところ、第2図(A)(この
図は顕微鏡による透過写真から描いた図である)に示す
ように、A1層4及びNiCr層3の導電層と、Zr−
N発熱体である抵抗体薄膜2との間の境界におけるZr
−N抵抗体薄膜2に異常が発生している部分Aがあるこ
とが判明した。この異常をさらに詳しく調べるため、導
電層を構成するAu層4とNiCr層3とをエツチング
して除去してZr−N抵抗体薄膜2を観察したところ、
この異常は第2図と同様に観察された。この顕微鏡によ
る観察の結果、抵抗値の異常はこのZr−N抵抗体薄膜
2の異常に起因するものであると分かった。
次に、この異常な部分Aを、第2図(B)に示すような
矢印Xに沿う方向にEPMA(Electoron P
robeMicro Analyzer)法により線分
析を行ったところ、第3図に示すような結果が得られた
。第3図の横軸は異常が生じている部分について基板1
に直交する方向にAu層4、異常部分A及びZr−N抵
抗体薄層2をとって表わし、縦軸は各層部分に含まれて
いる成分Zr、 Si、 N 、 Oの各成分量を示し
ている(但し、零レベルが多少異なるが、この発明の説
明には影響がない)、この分析データから明らかのよう
に、異常部分AではNが減少し、0が増加していること
が判明した。つまり抵抗体であるZr −N層2中にZ
r−0が生成されたために、抵抗値に異常を生じ、又、
この異常が金属顕微鏡観察で見られたと考えられる。
このような異常はAU層4及びNiCr層3から成る導
電層をM層又はNiCr層のみに置き換えて上述したと
同様な高温熱処理を行った場合には全く起らないし、又
、第1図及び第4図(A)に断面図として示すように、
Au層4とZr−N薄膜2とが直接接していない構造の
場合にも、このような異常は起らないことが実験により
確認された。
このような事実により、この異常は、以下のような原因
に基づくものであるといえる。すなわち、例えば、第4
図(B)に0印Bで示した箇所のように、Au層4のパ
ターン形成後NiCr[3のオーバーエツチングによっ
てこのAu層4の端部4aが垂れ下がったり、或いは又
、第4図(C)にO印Bで示した箇所のように、Au層
4をメッキその他の方法により下側のNiCr層3上層
積上すると、このAu層4の端部4aがNiCr層3の
端部側面に沿って抵抗体薄層2にも達して被着してしま
うために、このAU層4の端部4aとZr−N抵抗体薄
膜2とが直接接触し、○印Bで示したこの接触箇所が酸
化雰囲気中での高温熱処理により急速に酸化してしまい
、そのために異常が生じるのである。
従って、従来のサーマルヘッドでは、これを安定に製造
出来ないため、良導体を有する優れたサーマルヘッドを
歩留まり良く、簡単にしかも安価に製造出来ないという
欠点がある。
(発明の目的) この発明の目的は上述した従来の欠点を生じない構造の
サーマルヘッドを提供することにある。
(発明の構1) この目的の達成を図るため、この発明によれば、発熱体
と電気的に接触する導電層をM単層構造又はM単層と導
電性下地層とから成る多層構造として成ることを特徴と
する。
(実施例の説明) 以下、この発明の詳細な説明する。
上述した従来の構造のサーマルヘッドによると、 Au
層4と、Zr−N抵抗体薄膜2とが接触している部分が
酸化雰囲気にさらされた状態で高温熱処理が行われるた
めに、その部分に急激な酸化が起り、これがため、電気
的に不良導体となる。
しかしながら、この発明の第一実施例の構造によれば、
第5図に示すように、 Zr−N抵抗体薄膜である発熱
体2と電気的に接触する導電層(3,4)をN単層8の
単層構造とする。このようなサーマルヘッドの層構造に
よれば、Zr−N抵抗体薄膜2と電気的に接触するよう
なAu層を有していないので、高温熱処理時にN層と抵
抗体薄層2との接触部分の急激な酸化は全く起らず、こ
れがため、この接触部分は電気的不良導体とならず、従
って、製造に際し歩留まりが良くしかも所要の導電特性
を有するサーマルヘッドを得ることが出来る。
次に、この発明の第二実施例につき説明する。
この実施例の場合には、従来のAu層4を含む導電層(
3,4)の変りに、第5図に8で示す導電層をN層の単
層と、例えば、Ti層、Cr層、NiCr層、W層、そ
の他の導電材料から成る層から選ばれた一種又は二種以
上の層から成る導電性下地層とを組み合わせた多層構造
を用いる。従って、この実施例の場合に、は、Zr−N
抵抗体薄膜2とN層との間に導電性下地層が介在するが
、この構造のサーマルヘッドは従来のようなAu層を有
していないので、熱処理時の酸化による発熱体の導通不
良は生ぜず、従って、製造に際し歩留まりが良くしかも
所要の導電特性を有する優れたサーマルヘッドを得るこ
とが出来る。
これら第−実施例及び第二実施例に従って高温熱処理を
行った場合に実験で得られた夫々の試料(1)〜(IV
)の発熱体の抵抗値の変化を次頁の表工に示す。
この表工は、Au層を有する導電層を用いた従来の試料
及びN層を有する導電層としたこの発明の試料について
、比抵抗を7000.Ωc+a(試料(1)及び(II
))及び2500pLΩc+a(試料(III)及び(
IV))とした場合のそれぞれにつき1.2.3.4.
7時間(h)の熱処理を経過した時のサーマルヘッドの
抵抗値を、熱処理前の発熱体の抵抗値からの変化の割合
(百分率(%))として、示す。この場合、熱処理温度
を300℃とし及び抵抗増加分を正の星として示した。
この表工中、X印は抵抗測定不能な状態を示す。
表 I (単位%) この実験結果から、熱処理時間が1時間程度までの間に
、いずれの試料の場合にもある程度抵抗(+/jに変化
が見られるが、Au層を導電層とするこの発明の構造に
よれば (試料(II)及び(rv)) 、この1時間
の熱処理時間に起ったサーマルヘッド全体としての初期
の抵抗増加はそれぞれ21%及び26%であり、その後
さらに6時間の熱処理を行った後においても、試料(I
I)で13%程度、試料(IV)で4%程度変化するに
すぎない。この抵抗増加はZr−N抵抗体薄膜2自体の
抵抗値の変化であり、この変化量は、初期加熱後の抵抗
値を基準とすると、はぼ許容出来る範囲内にある。そし
て、この場合にも、従来のようなAu層とZr−N抵抗
体薄層との接触部分における急激な酸化の現象は全く認
められなかった。
尚、試料(1)及び(III)のデータからも明らかな
ように、Au層を有する従来のサーマルヘッドの場合に
は、熱処理時間が2時間、3時間・・・と順次に経過す
ると、益々抵抗値が大きくなってしまい、明らかに発熱
体に上述したような異常が生じ、試料(1)では遂には
断線してしまい(図中×印)、又、試料(III)では
抵抗値は許容出来ない程度にまで変化してしまうことが
分かった。
(発明の効果) 以」二の説明からも明らかなように、この発明によるサ
ーマルヘッドによれば、導電層としてAu層を用いない
で、この導電層をN層を層重層構造又はN単層と他の導
電性下地層との組み合わせから成る多層構造としている
ので、高温熱処理を行っても、従来のようなZr−N抵
抗体薄層の酸化が起る恐れが全く、また、熱処理時に使
用する雰囲気の種類も何等制限を受けないし、さらに、
熱処理工程をこの成層の形成後に酸化防止のための何等
特別な措置を講じないので簡単に行うことが出来るいう
利点がある。
さらに、この発明の構造によれば、局部的酸化による発
熱体すなわちZr−N抵抗体薄層の電気的断線を予防出
来るので、安定な所要の好適な抵抗を有し、製造歩留ま
りが良くしかも安価なサーマルヘッドを得ることが出来
る。
尚、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもので
はないこと明らかである。例えば、発熱体としてのZr
−N抵抗体薄層及び導電層としてのN層重外の構成成分
は他の任意好適の材料であっても良い。
【図面の簡単な説明】
第も図はこの発明の説明に供するサーマルヘトの発熱体
近傍の構造を示す略図的断面図。 第2図(A)及び(B)は発熱体近傍の状態を説明する
ための金属顕微鏡写真の模写図、 第3図は第2図(B)の矢印Xの方向に沿ってEPHA
法により測定した線分析の結果を示す曲線図、第4図(
A)〜(C)は発熱体を構成する抵抗体薄11!2に異
常が発生する原因を説明するための、発熱体付近の略図
的断面図。 第5図はこの発明のサーマルヘッドの実施例を説明する
ための発熱体近傍の構造を示す略図的断面図である。 l・・・基板、 2・・・Zr−N抵抗体薄層3・・・
(電極層又は配線層を形成する)導電層4・・・(電極
層又は配線層を形成する) Auの導電層4a・・・(
Auの導電層4の)端部 5・・・抵抗体保護層、 6・・・耐摩耗層7・・・窓
又は溝 8・・・層重層構造又はN単層と他の導電性下地層とか
ら成る多層構造、 X・・・矢印。 特許出願人 沖電気工業株式会社 同 上 日本電信電話公社 第1図 第2図 (A ’) (B) 第3図 第4図 (A) 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Zr−N抵抗体薄膜から成る発熱体と、該発熱体と電気
    的に接触する導電層とを有するサーマルヘッドにおいて
    、該導電層をNJ単層構造又はN単層と導電性下地層と
    から成る多層構造として成ることを特徴とするサーマル
    ヘッド。
JP59020506A 1984-02-07 1984-02-07 サ−マルヘツド Pending JPS60165265A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59020506A JPS60165265A (ja) 1984-02-07 1984-02-07 サ−マルヘツド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59020506A JPS60165265A (ja) 1984-02-07 1984-02-07 サ−マルヘツド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60165265A true JPS60165265A (ja) 1985-08-28

Family

ID=12029043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59020506A Pending JPS60165265A (ja) 1984-02-07 1984-02-07 サ−マルヘツド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60165265A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54126049A (en) * 1978-03-23 1979-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film type thermal head and production thereof
JPS559301A (en) * 1978-07-01 1980-01-23 Nissan Motor Connector for igniter
JPS55118882A (en) * 1979-03-09 1980-09-12 Hitachi Ltd Thermal recording head
JPS5787973A (en) * 1980-11-21 1982-06-01 Seiko Epson Corp Thermal head

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54126049A (en) * 1978-03-23 1979-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film type thermal head and production thereof
JPS559301A (en) * 1978-07-01 1980-01-23 Nissan Motor Connector for igniter
JPS55118882A (en) * 1979-03-09 1980-09-12 Hitachi Ltd Thermal recording head
JPS5787973A (en) * 1980-11-21 1982-06-01 Seiko Epson Corp Thermal head

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4138215B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
EP0829886A3 (en) Chip resistor and a method of producing the same
CA1040746A (en) Thin film resistance temperature detector
US3955068A (en) Flexible conductor-resistor composite
US5156903A (en) Multilayer ceramic substrate and manufacture thereof
DE3638799C2 (ja)
US4446355A (en) Crossover construction of thermal-head and method of manufacturing same
JPS60165265A (ja) サ−マルヘツド
CN101364463A (zh) 芯片电阻器及其制法
JP2002140975A (ja) ヒューズ素子及びその製造方法
JPS60165267A (ja) サ−マルヘツドの製造方法
JP3134067B2 (ja) 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法
CN214847970U (zh) 一种具有新型薄膜电极图案的贴片式电子元件
TW202205316A (zh) 高功率電阻及其製造方法
JP3708796B2 (ja) 厚膜抵抗器
JPS5955090A (ja) 抵抗体付フレキシブル配線板の製造方法
CN104882192A (zh) 一种新型ito导电膜
JP2001242001A (ja) 印刷抵抗基板およびこの印刷抵抗基板を用いた検出器
JPS6275917A (ja) 薄膜磁気ヘツド
JPH02303001A (ja) 厚膜素子
JPH039342Y2 (ja)
JPH069163B2 (ja) 薄膜発熱抵抗体
JPH0599758A (ja) ジルコニア基板を用いた白金温度センサの製造方法
CN101364461A (zh) 开孔定阻式芯片电阻器及其制法
CN101364462A (zh) 芯片电阻器及其制法