JPS60164361A - 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基板上の非単結晶半導体を用いた縦チャネル型
の積層型の絶縁ゲイト型半導体装置（以−？ｃｐという
）の作製方法に関する。

本発明はこのＩＧＦに対し、少な（とも３層に積層さｉ
た積層体の側周辺に設けられた基板」二面に対し垂直ま
たは概略垂直に設けられたチャネル形成領域を構成する
半導体をアモルファスまたはセミアモルファス構造の半
導体に強光またはレーデ光を照射してキャリアの移動方
向に長軸を自する多結晶構造に変成して設け、より高い
周波数動□作をさせることを目的とする。

この発明は３層に積層された積ｌｆｆ１体の２つの側周
辺にさらにチャネルを形成する単結晶または多結晶構造
の半導体を設け、この半導体を用いて２つのＩＧＦを作
製することにより、イレ・・−夕等の回路素子を高集積
化して設けることを目的とし−Ｃいる。

本発明はこの第２の半導体または絶縁体を特に炭化珪素
または窒化珪素とし、これに隣接したゲイト絶縁膜とし
ての窒化珪素または炭化珪素にはさまれた第４の半導体
はアモルファスまたはセミアモルファス半導体をレーザ
アニールにより多結晶に変成せしめることにより、この
チャネル形成領域でのキャリアの移動度を１．００〜５
００　ｃａＶ　／ｓｅｃと、従来のアモルファス構造の
場合の０．０５〜１ｃＪＶ／ｓｅｅの５０〜１００倍と
したものである。その際、レーザ光の照射方向が電流の
向きと同一にすることがこの半導体装置の場合構造上可
能である為、チャネル形成領域でのキャリア移動度は安
定して４００〜５００　ｃｎｌＶ　／ｓｅｃという値が
得られている。

これはレーザアニールを行う際、結晶軸方向（１゜０．
０）が電流の向きと一致する為である。さらにその際、
この単結晶化された半導体と同時に第２の積層体も単結
晶化されることを防き翼−分な絶縁性および耐圧を有セ
しめるため、、アモルファス構造の酸化珪素、炭化珪素
または窒化珪素の絶縁体としたことを特徴としている。

また本発明は第４の半導体をゲイト絶縁物で覆った後工
程にレーザアニールを行うことにより、第４の半導体で
あるチャネル形成領域を構成する半導体に水素または弗
素が添加された半導体を主成分とする珪素、ゲルマニュ
　ムを用いているため、レーザアニールによりこれら水
素、弗素が結晶粒界を偏析し、結晶粒界に特に多（存在
する不対結合手を中和し、ＩＧＦ特有の界面単位密度が
３Ｘ　１０”　ｃ１２と小さくできるという特長を自し
７ている。

さらに、第２の半導体または絶縁体の膜厚を１μまたは
それ以下として短チャネル長とした。その結果、５０〜
２００　Ｍｌｌｚの商いカットオフ周波数を有せしめる
ことができた。

第１図は本発明の積層型ＩＧＦの縦断面図およびその製
造工程を示したものである。この図面は同一基板上に第
１図（Ｄ）に示すごとく４つのＩＧＩ’を設けているが
、第１図（八）、（Ｂ　）、（Ｃ）はＩＧＩ’（６２）
、＜　６３　）の２つのｊＧ　Ｆを作製する製造例を示
す。

同一基板に１０２〜１０５ケのＩＧｌ＋を作る場合もま
ったく同様である。

図面において、絶縁基板例えばイ１英ガラスまたはホウ
珪酸ガラス基板上に第１の、専電股（２）（以ＦＥＩと
いう）を−ト側電極、リートとして設りた。

この実施例では酸化スズを主成分とする透光性導電膜を
０．５μの厚さに形成している。これに選択エッチ■を
施した。さらにこの上面に１）またはＮ型の導電型を有
する第１の非単結晶半導体（２）（以下単に３１という
）を１０００〜３０００人、第２の半導体または絶縁体
好ましくは絶縁体（４）（以下単に３２という）（０，
３〜３μ）、第１の半導体と同一導電型を有する第３の
半導体（５）（以下単に３３という８０．１−０．５μ
）を積層して積Ｊ―体（スタック即ちＳという）を設け
た。この積層によりＮＩＮ、ＰＩＦ構造（■ば絶縁体）
を有せしめた。

図面においては上面にＩＴＯ（酸化インジューム・スズ
）、ＭｏＳｉ、　、　Ｔｉ５ｉｚ　＋　ＷＳｉｚ　＋　
Ｗ、　Ｔｉ　＋　Ｍｏ、　Ｃｒ等を主成分とする耐熱性
金属導体（６）をここでばＣｒをｐｃＶＤ法により０．
２μの厚さに積層した。さらにこの導体を選択的に第２
のフォトマスク■を用いて除去した。次に積層体をさら
に厚く作るため、予めＬＰ　ＣＶＤ法（減圧気相法）、
ｐｃｖｏ法または光ＣＶＤ法により０．３〜１μの厚さ
に酸化珪素膜（７）を形成しておいてもよい。ＰＣＶＤ
法の場合はＮよＯとＳ　ｉＩＩ＋との反応を２５０℃で
行わしめて作製した。

このＮ、ＰをＮ４Ｎまたはｐ＋ｐとしてＮ”　ＮＩＮＮ
”　、　ｌ１ｔＰＩＰＰ’（Ｉは絶縁体または真性半導
体）として１）またはＮと電極との接触抵抗を下げるこ
とば自助であった。

さらに第１図ＣＢ）において、マスク■を用いて選択エ
ツチング法により絶縁膜（７）を除去し、さらにＳｉＯ
よＩ！！（７）をマスクとしてその下の導体（６＞、　
Ｓ３．５２およびＳｌを除去し、残った積層体を互いに
概略同一形状に形成した。すべて同一マスクでプラズマ
気相エッチ例えば１１１１気体またはＣＩ＋ＯＬの混合
気体を用い、０．１〜０．５ｔｏｒｒ　３０Ｗとしてエ
ッチ速度２０００人／分とした。

この後、これら積層体５１　（１３）、Ｓ２　（１，１
）、Ｓ３　（１５入導体（２３）、絶縁体（２４）を覆
ってチャネル形成領域（以下ＣＦＲともいう）を構成す
る真性またはＰ型の非単結晶半導体を第４の半導体（Ｓ
ｉ）として積層させた。この第４の半導体は、基板上に
シランまたはジシランのグロー放電法（ｐｃｖｏ法）、
光ＣＶＤ法、ＬＴ　ＣＶＤ法（ＩＩＯＭＯＣＶＤ法とも
いう）を利用し′ζ室温〜５００℃の温度例えばＰＣＶ
Ｄ法におりる２５０℃、０．１ｔｏｒｒ、３０Ｗ、１３
．５６Ｍｌ１ｚの条件下にて設けたもので、非晶質（ア
モルファス）または半非晶質（セミアモルファス）また
は多結晶構造の非単結晶珪素半導体を用いている。本発
明においてはアモルファスまたはセミアモルファス半導
体（以下ＳＡＳという）を中心として示す。

さらにその上面に同一反応炉にて第４の半導体表面を大
気に触れさせることなく窒化珪素膜（１６）を光ＣＶＤ
法にてシラン（ジシランでも可）とアンモニアとを水銀
励起法の気相反応により作製し、厚さは３００〜２００
０人とした。

この絶縁膜は１３．５６ＭＩＩｚ〜２．４５Ｇｔｌｚの
周波数の塩ルシランの化学気相反応法により炭化珪素を
形成してもよい。

また、ＰＣＶＤ法により窒化珪素を形成させてもよい。

すると５２　（１４）の側周辺では、チャネル形成領域
（９）、＜９’）とその上のゲイト絶縁物（２６）とし
ての絶縁物（１６）を形成させた。第４の半導体（Ｓｉ
）ば５１．　Ｓ３とはダイオード接合を構成さ−ｌてい
る。

さらにこのＣＦＲ用のアモルファス半導体を多結晶化す
るためには、Ｑスイッチをかりずに基板を２００〜３０
０℃とした後、レーザ光を照射した。これにＹＡＧレー
ザ（波長１．０６μ繰り返し周波数３Ｋｌｌｚ。

操作スピード３０ｃｍ　／　ｓｅｃ、平均出力２Ｗ、光
径２５０μφ）とした。するとこの第４の半導体のうら
レーザ光の照射された部分のみが−ｊ′ニールされ、多
結晶化（平均結晶粒径５００人以し、結晶Ｒｉ￥のＩＱ
ろんこの多結晶の粒径がその中においてチ＋２ヌル領域
すべてを覆い厚さはＳｉの厚さを有する１″）の多結晶
となればさらに好ましいことはい・うまでもない。この
ため、ソースからトレインに流れるキャリアは多結晶の
ダレインバウンダリ　（粒界）を横切ることがなく、そ
の移動度は４０（＋へ□５（１０ｃｔｄν／ｓｅｃと高
い値にすることができた。即ち、グレインバウンダリは
たとえ形成されていても、キャリアの流れに沿った方向
に主として成長し、加えてこのバウンダリは当初より存
在する水素、酸素が粒界での不対結合手と結合し中和し
、再結合中心の発生を最小にすることができた。

この時この第４の半導体がその上面をゲイト絶縁膜によ
り包まれているため、大気と触れることなく、またレー
ザアニールをスタックの上部より下方向に下方向成長法
により実施する。即ち、結晶化をする箇所が上部に１つ
である。このため結晶成長が無理なく生じ、結晶性がよ
く、レーザ光を照射した領域の深さ方向での半導体を実
質的に単結晶化させることも可能であった。本発明の半
導体においては多結晶化してもそのグレインは縦方向に
形成させ、キャリアの移動をグレインバウンダリが横切
らないという特長を有する。これは積層構造の縦チャネ
ルＩＧＦの第４の半導体をレーザアニールしたための固
有の効果であると推定される。

さらにこのＹＡＧ　レーザのレーザアニールは基板を移
動させることにより光の照射する領域を選択的にＣＦＲ
のみとすることが可能である。このキートリアの移動を
必要としない隣合ったＩＧＦの間はアモルファス構造に
て残しく第１図（５９）　）　ＩＧＩ＋間のアイソレイ
ションを行うことができた。

第１図（Ｂ）において１、次の工程としてさらに第３の
マスク■により電極コンタクト穴（１９）開けを行い、
この後、この積層体上のゲイト絶縁膜（２６）を覆って
第２の導電膜（１７）を０．３〜１μの厚さに形成した
。

この導電１！ｉｉ　（１７）はＩＴＯ（酸化インジュー
ム・スズ）のごとき透光性４　＠ｌｉｔ、　ＴｉＳｉ、
　、Ｍｏ５ｉＬ、ＷＳｉ、　。

Ｗ　＋　Ｔ　ｉ　＋　Ｍ　ｏ　＋　Ｃｒ等の耐熱性導電
膜としてもよい。ここではＰまたはＮ型の不純物の多量
にＦ−−ブされた珪素半導体（電気伝導度１〜１００（
０ｃｍ）−１）をｐｃｖｏ法で作った。即ち、０．３μ
の厚さにリンが１％添加され、かつ微結晶性（粒径５０
〜３００人）の非単結晶半導体をＰＣＶＤ法で作製した
。

この後この上面にレジスト（１８）を形成した。

さらに第２図（Ｃ）に示されるごとく、第４のフォトリ
ングラフィ技術により垂直方向よりの異方性エッチを行
った。即ら例えばｃｐよＣ１１，ＣＰ＊＋０．　＋肝等
の反応性気体をプラズマ化し、さらにこのプラズマを基
板の上方より垂直に矢印（２８）のごとくに加えた。す
ると導体（１７）は、平面上は厚さく０．３μ）をエッ
チするとこの被膜は除去さ石、るが、側面では積層体の
厚さおよび被膜の厚さの合計の２〜３μを垂直方向に着
する。このため図面に示すごとき垂直方向よりの異方性
エッチを行うと、破線（３Ｂ）、（３Ｂ’）のごとくに
これら導体をマスク（１８）のある領域以外にも残すこ
とができた。

□　その結果、積層体の側周辺のみに選択的にゲイト電
極を設けることができた。さらにこのゲイト電極は第３
の半導体の上方には存在セす、結果として第３の半導体
とゲイト電極とめ寄生容采を実質的にないに等しくする
ことができた。

かくして第１図（Ｃ）を得た。

第１図（Ｃ）は第１図（Ｄ）の平面図のＡ−、Ａ’の縦
断面を示す。番号はそれぞれ対応さ−Ｕ・ている。

第１図（Ｃ）、（Ｄ　）にて明らかなごとく、＋Ｃ＋＋
（６２）、（６３）はＣＦＲ（９’）、＜　９　’）と
２つを有し、ソースまたはドレイン（１３）、ドレイン
またはソース（１５）を共通に自している。また２つの
ゲイト（２０＞、（２０’）を有する。　Ｓ３の電極は
耐熱性非反応性の金属（２３）ここではＩＴＯ÷Ｃｒ　
（クロムを主成分とする金属をＣｒという）の積層体と
してであり、さらにここに多層膜用のコンタクト（１９
）かり−１’（２１）に延在し、Ｓｌのり一ドは（１２
）により設置Ｊである。即ち図面では２つのＩＧＦを対
として設けることができる。これは２つのＩＧＦのチャ
ネル間の８２が絶縁性であり、１５μの１１１をＳ２が
自ずれば数十ＭΩの抵抗を有し、実質的に独立構成をし
く：／るためであり、この構造は結晶半導体とはまった
（界なった構造を自セしめることができた。さらに第１
図（Ｄ）において、他の一対のＩ　Ｇ　Ｆ　（［ｉ　１
　）、（６４）が平面図の上部に示されている。この＋
Ｃ＋；にス・１応したｃ−ｃ’の縦断面図は第２図（Δ
）に示されている。

即ち、ＩＧＦ　（６４）の３３　（１５）に連結した２
１′導体（１６）とはコンタクト（１９′りが設けられ
、Ｉ　Ｇ、Ｆ（６１）の３３に連結した導体（１６’）
を有し、さらにＩＧＦ　（６４）とＩＧＦ　（６２）、
＜６３）は導体（１６）により互いに連結されている。

この２つの導体（１６）、＜１６’）間（５８）はその
Ｆの３３がアモルファスのためｌＯ〜３０μあれば十分
な枠縁性を有しているため、特にアイソレイションが不
要である。勿論、第１図の第２のフォトマスク■の際、
Ｓ３も選択的に除去するとさらにアイソレイションを向
上させ得好ましい。

さらに本発明におけるＩＧ’Ｆはチャネル形成領域（９
）、（９’＞、（９’す、（９°″）がレーザアニール
により水素または弗素を含有し、多結晶構造を有してい
る。そしてこの多結晶は、互いにｓ４　（２５）におリ
アニールを上方向よりレーザ光を照射して行うに際し、
ＩＧＦを構成する領域のみを選択的に照射して単結晶ま
たは多結晶化せしめ、ＩＧＦ間のアイソレイション領域
（５９）はアモルファス状態を残存させることにより絶
縁性を保たせることが可能である。

このことは単結晶半導体のみを用いて集積化された半導
体装置を設ける際のアイソレイション構造と大きく異な
るところである。さらにこの縦チャネル型ＩＧＩ’にお
いては、ゲイト電極を形成し°Ｃしまった後、Ｓ４のう
ちのディト電極で覆われていない領域に対してＣ，Ｎ、
　Ｏをイオン注入またばスパッタして絶縁化されたアモ
ルファス領域にするこ−ＢＺの縦断面図を示す。図面に
おいて下側の第１の電極（１２）、（１２’）が独立し
て設りられ、上側の第２の電極（１６）、（２３＞はリ
ード（２１＞、コンタクト（１９）に連結していること
がわかる。また２つのでいる。

かくしてソースまたはドレインを５１　（１３）、チャ
ネル形成領域（９）、（９’）を有するＳ４　（２５）
、　）レインまたはソースを５３　（１５）により形成
せしめ、単結晶または多結晶のチャネル形成領域側面に
はゲイト絶縁物（１６）、その外側面にゲイト電極（２
０）。

（２０’）を設けた積層型のＩＧＦ　（１０）を作るこ
とができた。

この発明において、チ中ネル長ばＳ２　（１４）の厚さ
で決められ、一般には０．１〜３μここでは０．５μと
した。さらにこのチャネル形成ｆＩｌｌ域を単結晶また
は多結晶化したため、カットオフ周辺部を３０〜１００
Ｍ１ｌｚ例えばＮチャネルＩＧＦにおいて６０Ｍ１１２
とすることができた。

Ｓ４　（１６）にホウ素不純物を被膜形成の際わずか（
０，１〜ＩＯＰＰＭ　）添加して真性またはＰまたはＮ
半導体とし゛ζスレソシュボールト電圧の制御を行うこ
とは有効であった。

かくして、ドレイン（１５）、ソース（１２）、ゲイト
（２０）または（２０′）として馬、＝５Ｖ、Ｖ、　＝
’５Ｖ、動作周波数５５．５Ｍ１ｌＺを得ることができ
た。

本発明のＪＧＦの大きな応用分ｌ！ｆである・インバー
タにつき以トに記す。

第２図（Ａ）および（Ｂ）において、インバータｒＧＦ
は第３図（Ａ　＞、（Ｂ　’）の等価回路とその番号を
対応させている。ドライバ（６１）は左側のＩＧＦを、
ロードは右側のＩＧＦを用いた。図面（Δ）ではロード
のゲイト電極（２０）とｖ、、（６５）とを連続させる
エンヘンスメント型、また第２図（１３）は出力（６２
）とゲイト電極（２０）とを連続さ−Ｕたディプレッシ
ョン型のＩＧＩｉを示す。

さらにこのインバータの出力は（ｆｉ（ｉ）よりなり、
この基鈑上の２つのＩ　Ｇ　Ｆ　（６ｍ　）、＜　６４
　）をｈ−いに離間することなく同一半導体プロツク（
１３）、＜　１４　＞、＜　１５　）に複合化して設け
たことを特長としている。

この第２図（Ａ）のインバータはその等価回路を第３図
（Δ）に示すが、第１図（Ｄ）におりるＩＧＦ　（６１
）、＜６４）に対応した上側電極を２つのＩＧＦとして
独立せしめ（’１９”＞　（１９）とした。かくすると
１つのＩＧＦ　（６４バロード）を電極（１９）、ドレ
・ｆン（１５）、チャネル（９）、ソース（１３）、電
極（１２）ｊ７１Ｊち出力（６６）　カッｈｈＯ）ＩＧ
Ｆ　（Ｆ　シイハ＞（（５４）　（Ｊ＞電極（１２’）
ドレイン（１３）、チャネル（９′）、ソ−ス（１５〉
、電極（６８）として設けることが可能となる。その結
果、２つのＩＧＦを１つの３１〜Ｓ３のブロフクと一体
化してエンヘンスメント型インバータとすることができ
た。

また第２図（Ｂ）はその等価回路を第３図（Ａ）に示す
が、ディプレッション型のインハ−りを構成せしめたも
のである。即ち、第２図（Ｂ）ではト側電極を２つに分
割した場合を承ず。１つのＩＧＦロード（６４）でν。

ｌｌ（６５）、−ト側電極（Ｉ２）、トレイン（１３）
、チャネル形成領域（９）、ソース（１５）、電極（１
９）即ち出力（６６）、他のＩＧＩｊ　（トライバＸ６
１）でのトレイン（１５）、チャネル形成領域（９′）
ソース（１３）、電極（１２’）、ν、　（６Ｂ）より
なり、入力（６７）をゲイト電極（２０’＞に出力（６
６）を５３より引き出させた。

か（のごと（本発明は縦チャネルであり、チャネル形成
領域を多結晶構造とするごとにより高速動作をｉ＝Ｊ能
にさせた。さらにＳ２が絶縁性であるため、３０〜１０
０νの大電圧をＳｌ、５３間に加えＣもソヨートするこ
とがない。またＳｌ、Ｓ３のいずれがトレインとして作
用しても、その外部は絶縁である〕こめ、最も理想的Ｉ
ＧＦといえる。さらにＳ４のチャネル下もＳ２が絶縁性
のため周波数特性の向トに寄ｌｊ。

する２つのＩＧＦを対をなして同時に作ることができる
。製造マスクも５回で十分であり、マスクｌｈ’を度を
必要としない等の多くの特長をチャネル長が０．２〜１
μときわめて短くすることができることに加えて有せし
めることができた。

本発明の１Ｇｌｉにおいて逆方向リークは、第１図に示
ずようなＳｌまたはＳ３を５ｉｘＣ１−×（０＜　ｘ　
＜　１例えばｘ＝０．２）とするごとにより、さらにＳ
２を絶縁物化することによりこのＳｌ、Ｓ３のイー鈍物
がＳ２に流入することが少なくなり、このＮ−−１１ｉ
合：Ｓ：。

たばＰ−１接合のリークは逆方向にＩＯＶを加え°Ｃも
Ｉｏｎ八／へＩ１１以下であった。

さらに高温での動作におい“ζ、電極の金属が非単結晶
の３１、Ｓ３内に混入して不良になりやすいため、この
電極に密接した側を５ｉｘＣ１−＞＜　（０＜　ｘ＜　
１例えばｘ　＝０．２　）とした。その結果１５［）　
’ｃでＩ　００　（１時間動作さ・Ｕたがｆ＝Ｊ等の動
作不良が１００　Ｆｌｌｌをｉ’Ｐ価しても見られなか
った。これはこの電極に密接してアモルファス珪素のみ
で８１またはＳ３を形成した場合、１５０℃で１０時間
も耐えないことを考えると、きわめて高い信頼性の向上
となった。

さらにかかる積層型のＩＧＦのため、従来のように高精
度のフォトリソグラフィ技術を用いることなく、基板特
に絶縁基板上に複数個のＩ’ＧＦ　、抵抗、キャパシタ
を作ることが可能になった。そして液晶またはクロミッ
ク表示等の固体表示装置ディスプレイにまで発展させる
ことがｒｊＪｊｌになった。

本発明におりる非単結晶半導体は珪素、ケルマニューム
または炭化珪素（ＳｉｘＣ１−＞＜　０　＜　ｘ　＜　
ｌ　）、絶縁体は炭化珪素、酸化珪素または望化珪素を
用いた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の積層型絶縁ゲイ１−型半導体装置の工
程を示す縦断面図である。 第２図は本発明の積層型絶縁ゲイト半導体装１行のイン
バータ構造をノ１（ず。 第３図（ば第２図のインバータの等！＋ｌｌｉ　ｌＩ！
ｌ路を４＜−Ｊ−０第２　（’７３ （Ａ）　”ン 家？■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 工、基板上面に対し垂直または概略垂直に設けられたチ
   ャネル形成領域で、キャリアが移動する方向に長軸を有
   する多結晶半導体が設けられたことを特徴とする絶縁ゲ
   イト型半導体装置。 ２、基板上または基板上の電極上の第１の半導体上に第
   ２の半導体または絶縁体および第３の半導体を概略同一
   形状に積層した積層体を有し、前記第１および第３の半
   導体をしてソースおよびドレインを構成せしめ、ｍ１記
   積層体の側部に隣接して第４の半導体のチャネル形成領
   域はキャリアの移動方向に長軸を有する多結晶構造を有
   し、該第４の半導体上にゲイト絶縁膜とディト電極とを
   設けた絶縁ゲイト型半導体装置。 ３、基板上または基板上の電極上の第１の半導体上に第
   ２の半導体または絶縁体および第３の半導体を概略同一
   形状に積層した積層体を有し、前記第１および第３の半
   導体をしてソースおよびドレインを構成せしめ、前記積
   層体の側部にｌ！ｊｌＪｆ９シて第４の半導体のチャネ
   ル形成領域はキャリアの移動方向に長軸を有する多結晶
   構造を有し、該第４の半導体上にゲイト絶縁膜とゲイト
   電極とを設けた絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法にお
   いて、チャネル形成領域を構成する第４の半導体に前記
   基板上面に対し垂直ま°たは概略垂直方向より強光また
   はレーザ光を照射してキャリアの移動方向に長軸を有す
   る多結晶構造を有セしめたこと蕃特徴とする絶縁ゲイト
   型半導体装置作製方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、第４の半導体に強
   光またばレーザ光をチ、トネル形成領域照射して、単結
   晶または多結晶構造に変成−ｌしめた後、該第４の半導
   体上にディト電極を積層して形成することを特徴とする
   絶縁ゲイト−型半導体装置作製方法。 ５、特許請求の範囲第３項において、強光または□　レ
   ーザ光を第４の半導体におけるチャネル形成領域を構成
   する領域に選択的に照射し、単結晶または多結晶に変成
   するとともに、該領域に隣接する第４の半導体をアモル
   ファスまたはセミアモルファス構造としぞ残存させるこ
   とを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置作製方法。 ６、特許請求の範囲第３項において、強光またはレーザ
   光を第４の半導体におけるチャネル形成領域を構成する
   領域に選択的に照射する際、その照射方向を電流（電子
   もしくはホールの流れ）の向きと同一にすることにより
   、キャリアの移動度を商めることを特徴とする絶縁ゲイ
   ト型半導体装置作製方法。