JPS60163845A - 液晶性炭酸エステル誘導体 - Google Patents
液晶性炭酸エステル誘導体Info
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- JPS60163845A JPS60163845A JP1808684A JP1808684A JPS60163845A JP S60163845 A JPS60163845 A JP S60163845A JP 1808684 A JP1808684 A JP 1808684A JP 1808684 A JP1808684 A JP 1808684A JP S60163845 A JPS60163845 A JP S60163845A
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- liquid crystal
- compound
- phase
- carbon atoms
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶性物質及び該液晶性物質を含有する
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカ
イラル液晶性物質及びそれらを含有するカイラル液晶組
成物に関する。
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカ
イラル液晶性物質及びそれらを含有するカイラル液晶組
成物に関する。
現在、液晶表示素子としてはＴ Ｎ （Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ ）型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子（エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマディスプレイ等）と比較して
劣っておシ、この点に於ける改善は種々試みられている
にも拘らず、大巾な改善の可能性はあまシ残っていない
様である。
Ｎｅｍａｔｉｃ ）型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子（エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマディスプレイ等）と比較して
劣っておシ、この点に於ける改善は種々試みられている
にも拘らず、大巾な改善の可能性はあまシ残っていない
様である。
そのためＴＮ型表示素子に代わる別の原理による液晶表
示装置が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式がある（Ｎ、 Ａ、 Ｃムｒｋら
； Ａｐｐｔｉｅｄ Ｐｈｙｓ、 ｔｅｔｔ、 、 ３
６゜８９９（１９８０））。この方式は強誘電性液晶の
カイラルスメクチックＣ相（以下ＳＣ＊相と略称する）
或はカイラルスメクチックＨ相（以下ＳＨ＊相と略称す
る）をオリ用するもので、それが室温付近にあるものが
望捷しい。この様な目的に使用される化合物も、既にい
くつか知られているが、安定性などの点で実用には問題
がある。
示装置が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式がある（Ｎ、 Ａ、 Ｃムｒｋら
； Ａｐｐｔｉｅｄ Ｐｈｙｓ、 ｔｅｔｔ、 、 ３
６゜８９９（１９８０））。この方式は強誘電性液晶の
カイラルスメクチックＣ相（以下ＳＣ＊相と略称する）
或はカイラルスメクチックＨ相（以下ＳＨ＊相と略称す
る）をオリ用するもので、それが室温付近にあるものが
望捷しい。この様な目的に使用される化合物も、既にい
くつか知られているが、安定性などの点で実用には問題
がある。
本発明者らは、この表示方式に利用されるに適した液晶
物質の開発を主たる目的として、光学活性基を含む液晶
物質を種々探索して本発明に到達した。
物質の開発を主たる目的として、光学活性基を含む液晶
物質を種々探索して本発明に到達した。
即ち本発明は一般式
％式％（１）
（上式に於てＲ１＊は炭素数４〜８の光学活性アルキル
基を示しＲ２は炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖のアル
キル基又はアルコキシ基を示し、１、ｍは夫々１又は２
である） で表わされる炭酸エステル誘導体及びそれを含有する液
晶組成物である。
基を示しＲ２は炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖のアル
キル基又はアルコキシ基を示し、１、ｍは夫々１又は２
である） で表わされる炭酸エステル誘導体及びそれを含有する液
晶組成物である。
（Ｉ）式の化合物のうちｔ＝１＋ｍ−２の化合物（Ｉａ
ｚ）の大部分及び７＝２．ｍ−１の化合物（Ｉｂｌ）は
、強誘電性を利用する液晶表示方式に適したＳＣ＊相を
広い温度範囲で示す。又他のＳＣ＊相やＳＨ＊相を呈す
る化合物及びコレステリック相を呈する化合物との相溶
性にすぐれているので、それらと混合して、そのＳＣ＊
相温度範囲を拡大するために使用できる。
ｚ）の大部分及び７＝２．ｍ−１の化合物（Ｉｂｌ）は
、強誘電性を利用する液晶表示方式に適したＳＣ＊相を
広い温度範囲で示す。又他のＳＣ＊相やＳＨ＊相を呈す
る化合物及びコレステリック相を呈する化合物との相溶
性にすぐれているので、それらと混合して、そのＳＣ＊
相温度範囲を拡大するために使用できる。
表１に本発明の（Ｉ）式の化合物の主要なものの相転移
点を示す。
点を示す。
５−
表１
＊１）Ｒ−はすべて２−メチルブチル基上表に於てＣは
結晶相を、ＳＡはスメクチック人相を、ＳＢはスメクチ
ックＢ相を、■は等方性液体相、Ｃｈはコレステリック
相を夫々表 ６− わし各相の欄の・及び右側の数字はその相から右側の相
への相転移温度を示し、−はその相を示さないことを示
す。
結晶相を、ＳＡはスメクチック人相を、ＳＢはスメクチ
ックＢ相を、■は等方性液体相、Ｃｈはコレステリック
相を夫々表 ６− わし各相の欄の・及び右側の数字はその相から右側の相
への相転移温度を示し、−はその相を示さないことを示
す。
（１）式の化合物を使用してカイラルスメクチック液晶
組成物を構成する場合、（１）式の複数の化合物のみよ
り構成することもｂ」能であり、又（１）式の化合物と
他のスメクチック液晶と混合してＳＣ＊相を呈する液晶
組成物を製造することも可能である。ＳＣ＊相の光スイ
ツチング効果を表示素子として応用する場合ＴＮ表示万
方式くらべて３つのすぐれた特徴がある。第１の特徴は
非常に高速で応答し、その応答時間は通常のＴＮ表示方
式の素子と比較すると、応答時間は１／１００以下であ
る。第２の特徴はメモリー効果があることであり、上記
の高速応答性とあいまって、時分割駆動が容易である。
組成物を構成する場合、（１）式の複数の化合物のみよ
り構成することもｂ」能であり、又（１）式の化合物と
他のスメクチック液晶と混合してＳＣ＊相を呈する液晶
組成物を製造することも可能である。ＳＣ＊相の光スイ
ツチング効果を表示素子として応用する場合ＴＮ表示万
方式くらべて３つのすぐれた特徴がある。第１の特徴は
非常に高速で応答し、その応答時間は通常のＴＮ表示方
式の素子と比較すると、応答時間は１／１００以下であ
る。第２の特徴はメモリー効果があることであり、上記
の高速応答性とあいまって、時分割駆動が容易である。
第３の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階調をとるには、印
加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧の温度依存性
や応答速度の電圧依存性などの難問がある。
加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧の温度依存性
や応答速度の電圧依存性などの難問がある。
しかしＳＣ＊相の光スイツチング効果を応用する場合に
は極性の反転時間を調節することによシ、容易に階調を
得ることができ、グラフィック表示に非常に適している
。
は極性の反転時間を調節することによシ、容易に階調を
得ることができ、グラフィック表示に非常に適している
。
表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲスト・ホスト型である。ＳＣ＊
相は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転するこ
とにより、らせん軸を回転軸として分子が反転する。Ｓ
Ｃ＊相を肩する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行に
ならぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、
液晶分子のダイレクタ−と一方の偏光面を平行になるよ
うに配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、
電圧を印加して、極性を反転することにより、明視野お
よび暗視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られ
る。一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電
圧の極性を反転することによシ明視野及び着色視野（偏
光板の配置により決まる）を得ることができる。
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲスト・ホスト型である。ＳＣ＊
相は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転するこ
とにより、らせん軸を回転軸として分子が反転する。Ｓ
Ｃ＊相を肩する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行に
ならぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、
液晶分子のダイレクタ−と一方の偏光面を平行になるよ
うに配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、
電圧を印加して、極性を反転することにより、明視野お
よび暗視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られ
る。一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電
圧の極性を反転することによシ明視野及び着色視野（偏
光板の配置により決まる）を得ることができる。
一般にスメクチック状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆつくｐと冷却する（１℃
〜２°Ｃ／ｈｒ）ことにより、液晶分子を配向させてい
るが、コレステリック相を有する液晶物質では磁場の代
わりに５０Ｖ〜１００Ｖの直流電圧を印加しなから１°
Ｃ／ｍｉｎの冷却速度で冷却することによシ、容易に均
一に配向したモノドメイン状態を得ることができる。
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆつくｐと冷却する（１℃
〜２°Ｃ／ｈｒ）ことにより、液晶分子を配向させてい
るが、コレステリック相を有する液晶物質では磁場の代
わりに５０Ｖ〜１００Ｖの直流電圧を印加しなから１°
Ｃ／ｍｉｎの冷却速度で冷却することによシ、容易に均
一に配向したモノドメイン状態を得ることができる。
（Ｉ）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を訪起する能力を有する。
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を訪起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチック液晶、即ちカイラルネマ
チック液晶はＴＮ型表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン（ｒｅｖｅｒｓｅ ｄｏｍａｉｎ ｓ しま模様）
を生成することがないので（Ｉ）式の化合物はリバース
・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
チック液晶はＴＮ型表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン（ｒｅｖｅｒｓｅ ｄｏｍａｉｎ ｓ しま模様）
を生成することがないので（Ｉ）式の化合物はリバース
・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
尚（１）式の光学活性体に対応するラセミ体は、 ９
− 後記する光学活性体の製法に於いて原料としてＳ−フル
キルクロルフォーメイトの代シにラセミ体のものを使用
することによって、同様に製造され（１）とほぼ同じ相
転移点を示す。ラセミ体はＳＣ＊相の代りにＳＣ相を示
し、光学活性体（Ｉ）に添加してカイラルスメクチック
のピンチの調整に使用できる。
− 後記する光学活性体の製法に於いて原料としてＳ−フル
キルクロルフォーメイトの代シにラセミ体のものを使用
することによって、同様に製造され（１）とほぼ同じ相
転移点を示す。ラセミ体はＳＣ＊相の代りにＳＣ相を示
し、光学活性体（Ｉ）に添加してカイラルスメクチック
のピンチの調整に使用できる。
本発明の（１）式の化合物でｔ−１９ｍ−１又は２であ
る物質（以下１ａと略記）は次の様な工程によシ製造す
ることができる。
る物質（以下１ａと略記）は次の様な工程によシ製造す
ることができる。
ＨＯ釡ＣＨＯ０１）
Ｒ１＊ｏｃｏｏ（ｃ瀘ＣＨＯＱｌｌ）
Ｒ，”Ｏｃｏｏ發Ｃ０ＯＨ（至）
１０−
Ｒき０ＣＯＯ＋Ｃ００−Ｃ＠％Ｒ２（Ｉａ）即ち、既知
物質であるｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド（１１）を
ピリジン存在下でＳ−アルキルクロルフォーメートと反
応して化合物（ｌｌ［）を得る。
物質であるｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド（１１）を
ピリジン存在下でＳ−アルキルクロルフォーメートと反
応して化合物（ｌｌ［）を得る。
化合物（］［）を酢酸溶媒中、無水クロム酸等の酸化剤
を作用して化合物Φりを得る。化合物（ＩＶ）に塩化チ
オニルと反応して化合ｖＩＪ（Ｖ）とし、（Ｖ）をピリ
ジン存在下で、最終目的化合物に対応する■式のフェノ
ール類（ｐ−アルキルフェノール、ｐ−アルコキシフェ
ノール、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルビフェニル、
ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルコキシビフェニル等）と反
応して目的の（Ｉａ）の化合物を得る。
を作用して化合物Φりを得る。化合物（ＩＶ）に塩化チ
オニルと反応して化合ｖＩＪ（Ｖ）とし、（Ｖ）をピリ
ジン存在下で、最終目的化合物に対応する■式のフェノ
ール類（ｐ−アルキルフェノール、ｐ−アルコキシフェ
ノール、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルビフェニル、
ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルコキシビフェニル等）と反
応して目的の（Ｉａ）の化合物を得る。
次に（１）式の化合物でｔ＝２．ｍ＝１又は２である物
質（以下１ｂと略記）は次の様な工程で製造することが
できる。
質（以下１ｂと略記）は次の様な工程で製造することが
できる。
ＨＯやＸキＣＮ ■
ＨＯ％ ｃｎｏ ６’１ｌ）
Ｒ１′＊０Ｃ００色）−＠−ＣＨＯ（ＩＸ）Ｒ”ｏ ｃ
ｏ ｏ −＠−＠−ｃ ｏＯＨα）ＲＷｏｃｏｏ −
＠−＠−ｃ ｏ ｃｔ ■）ＲＷｏｃｏｏ −＠−＠−
ｃ ｏｏ舒謄Ｒ２（Ｉｂ）即ち、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′
−シアノビフェニル■のをギ酸及びラネーニッケル等の
触媒と反応して化合物や１１しを得る。化合物（’ｎｓ
をピリジン存在下でＳ−アルキルクロルフｚ−トと反応
して化合物α）を得る。化合物０りを酢ｅｌｌ？、溶媒
中、無水クロム酸等の酸化剤を作用して化合物α）を得
る。
ｏ ｏ −＠−＠−ｃ ｏＯＨα）ＲＷｏｃｏｏ −
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ｃ ｏｏ舒謄Ｒ２（Ｉｂ）即ち、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′
−シアノビフェニル■のをギ酸及びラネーニッケル等の
触媒と反応して化合物や１１しを得る。化合物（’ｎｓ
をピリジン存在下でＳ−アルキルクロルフｚ−トと反応
して化合物α）を得る。化合物０りを酢ｅｌｌ？、溶媒
中、無水クロム酸等の酸化剤を作用して化合物α）を得
る。
化合物α）に塩化チオニルと反応して化合物■とし、■
をピリジン存在下で、最終目的化合物に対応する測成の
フェノール類（ｐ−フルキルフェノール、ｐ−アルコキ
シフェノール、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルビフェ
ニル、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルオキシビフェニ
ル等）色反応して目的の（Ｉｂ）の化合物を得る。
をピリジン存在下で、最終目的化合物に対応する測成の
フェノール類（ｐ−フルキルフェノール、ｐ−アルコキ
シフェノール、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルビフェ
ニル、ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルオキシビフェニ
ル等）色反応して目的の（Ｉｂ）の化合物を得る。
以下実施例により本発明の液晶性化合物及び液晶組成物
につき更に詳ｍｌに説明する。
につき更に詳ｍｌに説明する。
実施例１
（Ｓ−（ｐ−２−メチルブチルオキシカルボニルオキシ
）安息香酸−ｐ−ノニルオキシ−ｐ′−ビフェニリルエ
ステル（（Ｉ）弐に於イーｒｚ ＝ １ 。
）安息香酸−ｐ−ノニルオキシ−ｐ′−ビフェニリルエ
ステル（（Ｉ）弐に於イーｒｚ ＝ １ 。
＊
ｍ ＝ ２ ＋ Ｒ＋ −２−メチルブチル＋ Ｒ２＝
Ｃ９ＨＩ９０のもの）の製造〕 ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド１６Ｆ（０，１３１モ
ル）を乾燥ピリジン１００ ｖｔｌに溶解したものに、
５−２−メチルブチルクロルツバづ一ト１７．９９ （
０，１１９モル）を加え反応した。よく攪拌し一夜放置
後、トルエン１００− 詔 − 鰐ｔ、水１００ｙｔを加え、６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−
苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗し
た。トルエンを留去し残留物２７、５１ （０，１０９
モル）の化合物Ｇｌ［）を得た。
Ｃ９ＨＩ９０のもの）の製造〕 ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド１６Ｆ（０，１３１モ
ル）を乾燥ピリジン１００ ｖｔｌに溶解したものに、
５−２−メチルブチルクロルツバづ一ト１７．９９ （
０，１１９モル）を加え反応した。よく攪拌し一夜放置
後、トルエン１００− 詔 − 鰐ｔ、水１００ｙｔを加え、６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−
苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗し
た。トルエンを留去し残留物２７、５１ （０，１０９
モル）の化合物Ｇｌ［）を得た。
化合ｍ個）を酢Ｈ７７ｙｔｔｌに溶ＭＷｔ、拌したとこ
ろへ、無水クロム酸２１．８ｇ（０，２１８モル）を水
１７ｍ１と酢酸２７ ｍｌに溶解した溶液を系の温度が
８０°Ｃ以下を保つ様にしながら滴下した。滴下終了後
、水浴上で内温４０°Ｃを４時間保ったのち冷却した。
ろへ、無水クロム酸２１．８ｇ（０，２１８モル）を水
１７ｍ１と酢酸２７ ｍｌに溶解した溶液を系の温度が
８０°Ｃ以下を保つ様にしながら滴下した。滴下終了後
、水浴上で内温４０°Ｃを４時間保ったのち冷却した。
水３００ ＊ｉを加え析出した結晶を濾過し結晶を水洗
した。結晶をエタノールより再結晶して、化合物ＧＶ）
１４．７ｇを得た。このものの融点は１７６°Ｃ〜１７
９°Ｃであった。
した。結晶をエタノールより再結晶して、化合物ＧＶ）
１４．７ｇを得た。このものの融点は１７６°Ｃ〜１７
９°Ｃであった。
化合物ｑ％’）１４．７１（０，０５８モル）に塩化チ
オニル１８ ｆ （０，１０８モル）を加え１時間加熱
還流したのち過剰の塩化チオニルを留去して化合物（Ｖ
）１５．Ｏｆを得た。
オニル１８ ｆ （０，１０８モル）を加え１時間加熱
還流したのち過剰の塩化チオニルを留去して化合物（Ｖ
）１５．Ｏｆを得た。
ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−ノニルオキシビフエニ＃１．５
９ （０，００５モル）をピリジン５ ｍｌに溶解し化
合物（Ｖ）０．９９ （０，００８モル）を加え反１４
− 応した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン５０Ｗｌｔ
＋水５０ｍ１を加え攪拌抽出したのち分液漏斗に移し、
有機層を６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で
洗浄し、更に洗液が中性になる１で水洗した。トルエン
を留去し残留物をエタノールから再結晶して目的の５−
（ｐ−２−メチルブチルオキシカルボニルオキシ）安息
香ｆｆ１−−ｐ−ノ＝ルオキシーｐ′−ビフェニリルエ
ステルｏ、８ｙを得た。このものはスメクチック及びコ
レステリック液晶でそのｃ−ｓｃ＊点は１０２．８°Ｃ
，ＳＣ＊−Ｃｈ点は１Ｂ９．８°Ｃ，Ｃｈ−１点は１７
０．４°Ｃであった。又、この化合物の元素分析値は次
の如く計算値とよく一致した。
９ （０，００５モル）をピリジン５ ｍｌに溶解し化
合物（Ｖ）０．９９ （０，００８モル）を加え反１４
− 応した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン５０Ｗｌｔ
＋水５０ｍ１を加え攪拌抽出したのち分液漏斗に移し、
有機層を６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で
洗浄し、更に洗液が中性になる１で水洗した。トルエン
を留去し残留物をエタノールから再結晶して目的の５−
（ｐ−２−メチルブチルオキシカルボニルオキシ）安息
香ｆｆ１−−ｐ−ノ＝ルオキシーｐ′−ビフェニリルエ
ステルｏ、８ｙを得た。このものはスメクチック及びコ
レステリック液晶でそのｃ−ｓｃ＊点は１０２．８°Ｃ
，ＳＣ＊−Ｃｈ点は１Ｂ９．８°Ｃ，Ｃｈ−１点は１７
０．４°Ｃであった。又、この化合物の元素分析値は次
の如く計算値とよく一致した。
実測値 計算値（Ｃ３４Ｈ４２０６として）Ｃ７４，８
％ ７４．６９％ Ｈ７，４％ ７．７５％ 実施例２〜５ 実ｍ例１のｐ−ヒドロキシ−ｐ′−ノニルオキシビフェ
ニルの代シに各柚のｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルビ
フェニル又はｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルオキシビ
フェニルを使用する他は実施例１に準じて操作を行い表
１に示す（１）式の（ヒ合物を合成した。それらの相転
移点は表１に示した通りである。
％ ７４．６９％ Ｈ７，４％ ７．７５％ 実施例２〜５ 実ｍ例１のｐ−ヒドロキシ−ｐ′−ノニルオキシビフェ
ニルの代シに各柚のｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルビ
フェニル又はｐ−ヒドロキシ−ｐ′−アルキルオキシビ
フェニルを使用する他は実施例１に準じて操作を行い表
１に示す（１）式の（ヒ合物を合成した。それらの相転
移点は表１に示した通りである。
実施例６
（Ｓ−（１）−２−メチルブチルオキシカルボニルオキ
シ） −ｐ’−ビフェニルカルボン酸−ｐ −ノニルオ
キシフェニルエステル（（１）式ニ於いてｔ＝２．ｍ＝
１． Ｒ，”＝２−メチルブチル＋ Ｒ２＝ Ｃ０Ｈ，
、Ｏのもの）の製造） ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−シアノビフェニル化合物（Ｑｌ
ｌ１８８．４１ （０，４２７モル）、ラネーニッケル
７９ｇ、ギ酸８２５渭ｌ、水２７５譚ｌを入れ、還流下
に４時間加熱攪拌する。冷却し結晶を戸別した後、結晶
を１．５４のエタノールに溶解し熱濾過する。エタノー
ルを留去し残留物をトルエン５００ｇ／とエタノール５
０ゴから再結晶する。ＩＰ別し結晶を乾燥すると化合物
６’ｌｌ ４０．８ｙを得た。このものの融点は１７７
．８°Ｃ〜１７８．９°Ｃであった。
シ） −ｐ’−ビフェニルカルボン酸−ｐ −ノニルオ
キシフェニルエステル（（１）式ニ於いてｔ＝２．ｍ＝
１． Ｒ，”＝２−メチルブチル＋ Ｒ２＝ Ｃ０Ｈ，
、Ｏのもの）の製造） ｐ−ヒドロキシ−ｐ′−シアノビフェニル化合物（Ｑｌ
ｌ１８８．４１ （０，４２７モル）、ラネーニッケル
７９ｇ、ギ酸８２５渭ｌ、水２７５譚ｌを入れ、還流下
に４時間加熱攪拌する。冷却し結晶を戸別した後、結晶
を１．５４のエタノールに溶解し熱濾過する。エタノー
ルを留去し残留物をトルエン５００ｇ／とエタノール５
０ゴから再結晶する。ＩＰ別し結晶を乾燥すると化合物
６’ｌｌ ４０．８ｙを得た。このものの融点は１７７
．８°Ｃ〜１７８．９°Ｃであった。
化合物４Ｉ伸１９．８１ （０，１００モル）を乾燥ピ
リジン１００ゴに溶解したものに、５−２−メチルブチ
ルクロルフ卒と一ト１８．６ Ｍｏ、０９０モル）を加
え反応した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン１００＊
ｌ水１００譚ｌを加え６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。トル
エンを留去し残留！ｆ１２０．３ｙの化合物ωを得た。
リジン１００ゴに溶解したものに、５−２−メチルブチ
ルクロルフ卒と一ト１８．６ Ｍｏ、０９０モル）を加
え反応した。よく攪拌し一夜放置後、トルエン１００＊
ｌ水１００譚ｌを加え６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗した。トル
エンを留去し残留！ｆ１２０．３ｙの化合物ωを得た。
化合物Ｇ￥）２０ｇ（０，０６４モル）を酢酸６０ｍ１
に溶解攪拌したところへ、無水クロム酸１２．８ｆ （
０，１２８モル）を水１０ｚｔと酢酸１６肩ｌに溶解し
た溶液を系の温度が８０°Ｃ以下を保つ様に１〜ながら
滴下した。滴下終了後、水浴上で内温４０°Ｃを４時間
保ったのち冷却した。水３００πｌを加え、析出した結
晶をｐ過し結晶を水洗した。結晶をエタノール４００
ｍｌから再結晶して化合物α）１２．５Ｆを得た。この
ものの融点はＣ−ｃｈ点２ｆ３０．６°Ｃ，Ｃｈ−Ｉ点
２５０．８°Ｃであった。
に溶解攪拌したところへ、無水クロム酸１２．８ｆ （
０，１２８モル）を水１０ｚｔと酢酸１６肩ｌに溶解し
た溶液を系の温度が８０°Ｃ以下を保つ様に１〜ながら
滴下した。滴下終了後、水浴上で内温４０°Ｃを４時間
保ったのち冷却した。水３００πｌを加え、析出した結
晶をｐ過し結晶を水洗した。結晶をエタノール４００
ｍｌから再結晶して化合物α）１２．５Ｆを得た。この
ものの融点はＣ−ｃｈ点２ｆ３０．６°Ｃ，Ｃｈ−Ｉ点
２５０．８°Ｃであった。
化合物α）ｉｏＢｏ、ｏｓｏモル）に塩化チオ１７−
ニル９ｙ（０，０７５モル）を加え１時間還流したのち
過剰の塩化チオニルを留去して化合物ｃＡ）９．２ｆを
得た。
過剰の塩化チオニルを留去して化合物ｃＡ）９．２ｆを
得た。
ｐ−ノニルオキシフェノール１．２１７（０，００５モ
ル）をピリジン５ ｔｔｔｌに溶解し化合物（Ｖ） １
．５９（０，００４モル）を加え反応した。よく攪拌し
一夜放置後、トルエン５０ｒ／、水５（Ｊｔｔｌを加え
攪拌抽出したのち分ｇ漏斗に移し７有機層を６Ｎ−塩酸
、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に洗液が
中性になるまで水洗した。トルエンを留去し残留物をエ
タノールから再結晶して目的のＳ−（ｐ−２−メチルブ
チルオキシカルボニルオキシ） −ｐ’−ビフェニルカ
ルボン酸ｐ−ノニルオキシフェニルエステル０．９９を
得た。このものはスメクチック及びコレステリック液晶
でそのｃ −ＳＣＩ点は８２．１℃、ＳＣ＊−ｃｈ点は
１４９．４°Ｃ，Ｃｈ−Ｉ点は１７５．０’Ｏであった
。又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく
一致した。
ル）をピリジン５ ｔｔｔｌに溶解し化合物（Ｖ） １
．５９（０，００４モル）を加え反応した。よく攪拌し
一夜放置後、トルエン５０ｒ／、水５（Ｊｔｔｌを加え
攪拌抽出したのち分ｇ漏斗に移し７有機層を６Ｎ−塩酸
、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に洗液が
中性になるまで水洗した。トルエンを留去し残留物をエ
タノールから再結晶して目的のＳ−（ｐ−２−メチルブ
チルオキシカルボニルオキシ） −ｐ’−ビフェニルカ
ルボン酸ｐ−ノニルオキシフェニルエステル０．９９を
得た。このものはスメクチック及びコレステリック液晶
でそのｃ −ＳＣＩ点は８２．１℃、ＳＣ＊−ｃｈ点は
１４９．４°Ｃ，Ｃｈ−Ｉ点は１７５．０’Ｏであった
。又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく
一致した。
１８−
笑測値 計算値（Ｃ３４Ｈ４２０６として）Ｃ７４，２
％ ７４．６９％ Ｈ７，５％ ７．７５％ 実施例７〜１１ 実施例６のｐ−ノニルオキシフェノールの代シに各棟の
ｐ−アルキルフェノール又はｐ−アルコキシフェノール
を使用する他は実施例６に準じて操作を行い表１に示す
（Ｉ）式の化合物を合成した。それらの相転移点は表１
に示した通シである。
％ ７４．６９％ Ｈ７，５％ ７．７５％ 実施例７〜１１ 実施例６のｐ−ノニルオキシフェノールの代シに各棟の
ｐ−アルキルフェノール又はｐ−アルコキシフェノール
を使用する他は実施例６に準じて操作を行い表１に示す
（Ｉ）式の化合物を合成した。それらの相転移点は表１
に示した通シである。
実施列１２（使用例１）
４−エチル−４７−シアノビフェニル
２０重量％
４−ペンチル−４′−シアノビフェニル４ＯＮ量％
４−オクチルオキシ−４′−シアノビフェニル２５重量
％ ４−ペンチルー４７−シアツタ−フェニル１５ｉｆｉ量
％ からなるネマチック液晶組成物を配向処理剤としてポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗布し、その表面をラビ
ングして平行配向処理を施した透明電極からなるセル（
電極間隔１０μｍ）に注入してＴＮ型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメイン
を生じているのが観察された。
％ ４−ペンチルー４７−シアツタ−フェニル１５ｉｆｉ量
％ からなるネマチック液晶組成物を配向処理剤としてポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗布し、その表面をラビ
ングして平行配向処理を施した透明電極からなるセル（
電極間隔１０μｍ）に注入してＴＮ型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメイン
を生じているのが観察された。
上記のネマチック液晶組成物に本願の（１）式で＊
Ｚ ’＝ １ ＋ ｍ ＝ ２ ＋ Ｒ１＝ ２−メチ
ルブチルで８２ｍ Ｃ７Ｈ，５なる化合物（実施例２）
を０．１重量％添加したものを使用して、同様にＴＮセ
ルとして観桜したところ、リバースドメインは解消され
均一なネマチック相が観察された、。
ルブチルで８２ｍ Ｃ７Ｈ，５なる化合物（実施例２）
を０．１重量％添加したものを使用して、同様にＴＮセ
ルとして観桜したところ、リバースドメインは解消され
均一なネマチック相が観察された、。
実施例１３（使用例２）
化学式
（但し、＊は光学活性炭素を示す）
で表わされる化合９勿６０重量％及び（【）式において
、ｌ＝１．ｍ＝２． Ｒ，＊＝２−メチルブチルでＲ２
＝ Ｃ＋Ｈ０ｏＯ（実施例１ ） 、 Ｒ２−Ｃｌ０Ｈ
２１０（実施例５）なる化合物各々２０重量％からなる
混合物は、６５℃までＳＣ＊相を示し、それ以上の温度
でＣｈ相を示し１００°Ｃで等方性液体となる。
、ｌ＝１．ｍ＝２． Ｒ，＊＝２−メチルブチルでＲ２
＝ Ｃ＋Ｈ０ｏＯ（実施例１ ） 、 Ｒ２−Ｃｌ０Ｈ
２１０（実施例５）なる化合物各々２０重量％からなる
混合物は、６５℃までＳＣ＊相を示し、それ以上の温度
でＣｈ相を示し１００°Ｃで等方性液体となる。
この混合物を配向処理としてＰＶＡを塗布し、表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセル
に注入し、５０ｖの直流電圧全印加しながら等方性液体
領域よ５ ＳＣ＊相になるまで徐冷したところ均一なモ
ノドメインセルが得られた。この液晶セルを）育交ニコ
ル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさみ、０．５服
、１５Ｖの低周波数の交流を印加したところ、明瞭なス
イッチング動作が観察され、非常にコントラストも良く
、応答速度が速い（２ｍｓｅｃ）液晶表示素子が得られ
た。
ビングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセル
に注入し、５０ｖの直流電圧全印加しながら等方性液体
領域よ５ ＳＣ＊相になるまで徐冷したところ均一なモ
ノドメインセルが得られた。この液晶セルを）育交ニコ
ル状態に配置した２枚の偏光子の間にはさみ、０．５服
、１５Ｖの低周波数の交流を印加したところ、明瞭なス
イッチング動作が観察され、非常にコントラストも良く
、応答速度が速い（２ｍｓｅｃ）液晶表示素子が得られ
た。
尚、この液晶組成物の自発分極（■）Ｓ）の値は２ｎＣ
／ｄであった。
／ｄであった。
実施例１４（使用例８）
化学式
（但し、＊は光学活性炭素を示す）
で表わされる化合物６０笹ｆｆｔ％及び（１）式におい
＊ で、ｔ−２、ｍ ＝ １、Ｒ１＝２−メチルブチルでＲ
２−Ｃ６Ｈ１３（実施例７）、＆ ＝ ０９ＨＩ９０（
実施例６）なる化合智者々２０’ｔｉ：ｔ％からなる混
合物は７０°ＣまでＳＣ＊相を示し、それ以上の温度で
ｃｈ相を示し、１０３°Ｃで等方性液体となる。
＊ で、ｔ−２、ｍ ＝ １、Ｒ１＝２−メチルブチルでＲ
２−Ｃ６Ｈ１３（実施例７）、＆ ＝ ０９ＨＩ９０（
実施例６）なる化合智者々２０’ｔｉ：ｔ％からなる混
合物は７０°ＣまでＳＣ＊相を示し、それ以上の温度で
ｃｈ相を示し、１０３°Ｃで等方性液体となる。
この混合物にアントラギノン系色素のＤ−１６（ＢＤＨ
社製品）を３重量％添加していわゆるゲスト・ホスト型
にしたものを実施例１８と同様なセルに注入し、１枚の
（ｆｆ、を光子を偏光面が分子軸に平行になるように配
置し、０．５服、１５Ｖの低周波数の交流を印加１−た
とこる明瞭なスイッチング動作が観察され、非常にコン
トラストも良く、応答速度が速い（２ｍｓｅｃ）カラー
液晶表示素子が得られた。
社製品）を３重量％添加していわゆるゲスト・ホスト型
にしたものを実施例１８と同様なセルに注入し、１枚の
（ｆｆ、を光子を偏光面が分子軸に平行になるように配
置し、０．５服、１５Ｖの低周波数の交流を印加１−た
とこる明瞭なスイッチング動作が観察され、非常にコン
トラストも良く、応答速度が速い（２ｍｓｅｃ）カラー
液晶表示素子が得られた。
尚、この液晶組成！吻の自発分極の値は８ｎＣ／−汐
− ｉであった。
− ｉであった。
以上
−詔 −
Claims (6)
- （１）一般式 ％式％（１） （上式に於てＲぎは炭素数４〜８の光学活性アルキル基
を示し、 Ｒ２は炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖のア
ルキル基又はアルコキシ基を示し、ｔ、ｍは夫々１又は
２である）で表わされる炭酸エステル誘導体。 - （２）（１）式でｔ＝１．ｍ＝２であるところの一般式
Ｒ１＊ｏｃｏｏ−＠−ｃｏｏ知Ｘ瞭Ｒ２（Ｉａ２）（上
式に於てＲＩ＊、 Ｒ２は（１）と同じ）で表わされる
特許請求の範囲第１項記載の炭酸エステル誘導体。 - （３） （１）式でｔ＝２．ｍ＝１であるところの一般
式Ｒぎｏｃｏｏ知）−＠−ｃｏｏ釡Ｒ２（Ｉｂ＋）（上
式に於てＲ”、Ｒ２は（１）と同じ）で表わされる特許
請求の範囲第１項記載の炭酸エステル誘導体。 - （４）一般式 ％式％（１） （上式に於てＲ７＊は炭素数４〜８の光学活性アルキル
基を示し、Ｒ２は炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖のア
ルキル基又はアルコキシ基を示し、ｔ、ｍは夫々１又は
２である） で表わされる炭酸エステル誘導体を少くとも１種含有す
ることを特徴とするカイラルスメクチック液晶組成物。 - （５）複数の（Ｉ）式の化合物のみよりなる特許請求の
範囲第２項記載のカイラルスメクチック液晶組成物。 - （６）一般式 Ｒ１＊０ＣＯＯ−＠ケｃｏｏへＲ２（１）（上式に於て
Ｒ１＊は炭素数４〜８の光学活性アルキル基を示し、Ｒ
２は炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖のアルキル基を示
し、ｔ、ｍは夫々１又は２である） で表わされる炭酸エステル誘導体を少くとも１種含有す
るカイ２ルスメクチツクＣ相を程する液晶組成物を使用
して構成された光スイツチング素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1808684A JPS60163845A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 液晶性炭酸エステル誘導体 |
| US06/692,164 US4647398A (en) | 1984-02-03 | 1985-01-17 | Liquid-crystalline carbonic acid esters and liquid crystal compositions containing same |
| EP85300550A EP0152217B1 (en) | 1984-02-03 | 1985-01-28 | Liquid crystalline carbonic acid esters and liquid crystal compositions containing them |
| DE8585300550T DE3579330D1 (de) | 1984-02-03 | 1985-01-28 | Fluessigkristallcarbonsaeureester und diese enthaltende fluessigkristallkompositionen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1808684A JPS60163845A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 液晶性炭酸エステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163845A true JPS60163845A (ja) | 1985-08-26 |
| JPH0452258B2 JPH0452258B2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=11961832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1808684A Granted JPS60163845A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 液晶性炭酸エステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163845A (ja) |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP1808684A patent/JPS60163845A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452258B2 (ja) | 1992-08-21 |
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