JPS60160782A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60160782A JPS60160782A JP59015239A JP1523984A JPS60160782A JP S60160782 A JPS60160782 A JP S60160782A JP 59015239 A JP59015239 A JP 59015239A JP 1523984 A JP1523984 A JP 1523984A JP S60160782 A JPS60160782 A JP S60160782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- solid
- photodiode
- parts
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、プラズマ結合型デバイス（以下１）ＣＤ
と称す）を用いた固体撮像装置に関するものである。
と称す）を用いた固体撮像装置に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来のＰＣＤを用いた１次元固体撮像装置２ビット分の
平面図を第１図に示す。また、第１図のＸＹライン部の
断面図を第２図に示す。
平面図を第１図に示す。また、第１図のＸＹライン部の
断面図を第２図に示す。
１はＮ型半導体基板、１１．１２はＰＣＤのベースを構
成するＮ型拡散、２０．３０はＰ形拡散１３Ｃｌ）のエ
ミツタ、 ２１．３１はＰ形、４０．５０はＮ形拡散で
あり、その複合構造が ＰＣＤのコレクタを表わす。
成するＮ型拡散、２０．３０はＰ形拡散１３Ｃｌ）のエ
ミツタ、 ２１．３１はＰ形、４０．５０はＮ形拡散で
あり、その複合構造が ＰＣＤのコレクタを表わす。
４１引はコレクタ電位シ威１ｐｎ−ＦＡ ＰＣＤの出力
（支）であり、Ｎ形拡散で構成される。
（支）であり、Ｎ形拡散で構成される。
２２．２３．３２．３３はＰ散拡散、４２，４３，５２
．５３はＮ形拡散である。２３．３３はホト・ダイオー
ドとして働き、同時に４３．５３をベース、２２．３２
をコレクタとするＰＮＰ ）ランジスタのエミッタとし
て働く。
．５３はＮ形拡散である。２３．３３はホト・ダイオー
ドとして働き、同時に４３．５３をベース、２２．３２
をコレクタとするＰＮＰ ）ランジスタのエミッタとし
て働く。
また、３２．．３２はｌの基板をコレクタとし、４２．
５２をエミッタとするＮＰＮ ）ランジスタのベースと
して働く。
５２をエミッタとするＮＰＮ ）ランジスタのベースと
して働く。
バイアス電圧は、Ｐｃｔ）のベース（１１，１２） −
コレクタ（４０，５０）間に加えられ通常、このコレク
タは接地される。
コレクタ（４０，５０）間に加えられ通常、このコレク
タは接地される。
１）ＣＩ）がＯＮ すると、コレクタ４０．５０近傍の
電位はＧＮＤ近くまで下がり、４１．５１ がその電位
を検知する。ＰＣＤ 出力端４１．５１は、それぞれベ
ース４３．５３に接続されており、ＰＣＤ７！ｌ″−Ｏ
Ｎすることにより、 ４３．５３をベースとするＩ）Ｎ
Ｐ ）ランジスタがＯＮとなる。これにより、ホト・ダ
イオードに蓄積されていた光電荷は、このＰＮＰ ）ラ
ンジスタを通り、ＮＰＮ トランジスタのベースにはい
り、そこで増幅され、光出力電流として取り出される。
電位はＧＮＤ近くまで下がり、４１．５１ がその電位
を検知する。ＰＣＤ 出力端４１．５１は、それぞれベ
ース４３．５３に接続されており、ＰＣＤ７！ｌ″−Ｏ
Ｎすることにより、 ４３．５３をベースとするＩ）Ｎ
Ｐ ）ランジスタがＯＮとなる。これにより、ホト・ダ
イオードに蓄積されていた光電荷は、このＰＮＰ ）ラ
ンジスタを通り、ＮＰＮ トランジスタのベースにはい
り、そこで増幅され、光出力電流として取り出される。
このようにして構成されたＰＣＤ固体撮像装置は、その
プロセスにおいて、Ｎ形半導体基板にＰ形拡散１次にＮ
形拡散が行なわれるため、ホト・ダイオード（２３，３
３）や、このホト・ダイオードをエミッタとするＰＮＰ
）ランジスタのコレクタ部分（２２，３２）における
Ｎ形基板とのＰ Ｎ接合のために、第５図の５に示すよ
うにその接合部分のリーク電流つまり暗電流が多いとい
う欠点があった。
プロセスにおいて、Ｎ形半導体基板にＰ形拡散１次にＮ
形拡散が行なわれるため、ホト・ダイオード（２３，３
３）や、このホト・ダイオードをエミッタとするＰＮＰ
）ランジスタのコレクタ部分（２２，３２）における
Ｎ形基板とのＰ Ｎ接合のために、第５図の５に示すよ
うにその接合部分のリーク電流つまり暗電流が多いとい
う欠点があった。
（目的）
本発明は、Ｉ）ＣＤ固体撮像装置においてホト・ダイオ
ードを作成する際にＮ＋Ｐ型接合構成とすることを特徴
とし、その目的は、接合部分のリーク電流を低下させ感
度を向上させることにある。
ードを作成する際にＮ＋Ｐ型接合構成とすることを特徴
とし、その目的は、接合部分のリーク電流を低下させ感
度を向上させることにある。
（実施例）
以下１本発明の一実施例を示す。
第３図は、この実施例の平面図、第４図は第１３図のＸ
Ｙの断面図である。
Ｙの断面図である。
この実施例は、第１図、第２図に示すＮ形半導体基板１
のかわりに第３図、第４図に示すようにＰ形半導体基板
２を用いて、また、第１図、第２図の１１．１２．４．
０．４’ｌ、 ４２．４３．５０．５１．５２．５３の
に拡散のがわりに、第３図、第４図に示す１３．１４．
４４．４．５．４６．４７゜５４、５５．５６．５７の
Ｐ十拡散を行い、また、第１図、第２図の２０．２１，
２２．２３．３０．３１．３２．３３ のＰ１°拡散の
がわりに。
のかわりに第３図、第４図に示すようにＰ形半導体基板
２を用いて、また、第１図、第２図の１１．１２．４．
０．４’ｌ、 ４２．４３．５０．５１．５２．５３の
に拡散のがわりに、第３図、第４図に示す１３．１４．
４４．４．５．４６．４７゜５４、５５．５６．５７の
Ｐ十拡散を行い、また、第１図、第２図の２０．２１，
２２．２３．３０．３１．３２．３３ のＰ１°拡散の
がわりに。
第３図、第４図に示ず２４．２５．２６．２７．３４．
３５．３６．３７ ＯＮ 拡散を行うものである。
３５．３６．３７ ＯＮ 拡散を行うものである。
ここで、Ｐ’Ｎ接合と Ｎ ＋ １）接合のリーク電流
を比べたものを第５図に示す。横軸は、各接合に印加す
る逆方向電圧、縦軸はリーク電流である。
を比べたものを第５図に示す。横軸は、各接合に印加す
る逆方向電圧、縦軸はリーク電流である。
第５図において５のラテンが１） −１−Ｎ接合のリー
ク電流、６のラインがＮ ＋１）接合のリーク電流であ
り、Ｎ”Ｉ） 接合の方がＰ −） Ｎ接合に比べてリ
ーク電流が少ないことがわかる。
ク電流、６のラインがＮ ＋１）接合のリーク電流であ
り、Ｎ”Ｉ） 接合の方がＰ −） Ｎ接合に比べてリ
ーク電流が少ないことがわかる。
すなわちこの実施例により、ＰＣＤ固体撮像装置の接合
部分のリーク電流を低重さぜることができる。とれによ
り、ＰＣＩ）固体撮像装置の高感度化が可能になる。
部分のリーク電流を低重さぜることができる。とれによ
り、ＰＣＩ）固体撮像装置の高感度化が可能になる。
（効果）
この発明によれば、ＰＣＤ固体撮像装置のホト・ダイオ
ード部におけるリーク電流が低下し、撮像装置の高感度
化が可能になる。
ード部におけるリーク電流が低下し、撮像装置の高感度
化が可能になる。
第１図、第２図は従来例による平面図および断面図。第
３図、第４図は本発明の実施例の平面図および断面図。 第５図は１）−ｌ〜ＮおよびＮ月）接合のリーク電流を
比較した特性図を示１−０１．２はＮ形半導体基板およ
びＰ形半導体基板。 ５はＰ”Ｎ接合のリーク電流のグラフ、６はＮ＋１）接
合のリーク電流のグラフ。］ １，１２．２４ 、２５
．２６．２７．３／ｌ 。 ３５、３６．３７，４０．４１．４２．４３．５０．５
１．５２．５３はＮ形拡散、 １３．１４゜２０．２Ｆ
、２２，２３，３０，３］、３２，３３．４／Ｉ、４５
，４６，４７，５４，５５，５６．５７はＰ形拡散。 第１図 第３図 第４図 第５図 Ｍ：ｌ （Ｖ）
３図、第４図は本発明の実施例の平面図および断面図。 第５図は１）−ｌ〜ＮおよびＮ月）接合のリーク電流を
比較した特性図を示１−０１．２はＮ形半導体基板およ
びＰ形半導体基板。 ５はＰ”Ｎ接合のリーク電流のグラフ、６はＮ＋１）接
合のリーク電流のグラフ。］ １，１２．２４ 、２５
．２６．２７．３／ｌ 。 ３５、３６．３７，４０．４１．４２．４３．５０．５
１．５２．５３はＮ形拡散、 １３．１４゜２０．２Ｆ
、２２，２３，３０，３］、３２，３３．４／Ｉ、４５
，４６，４７，５４，５５，５６．５７はＰ形拡散。 第１図 第３図 第４図 第５図 Ｍ：ｌ （Ｖ）
Claims (1)
- （１）半導体基板上に、コンダクタンス・トランジスタ
を複数個並べ、該コンダクタンス・トランジスタのＯＮ
電圧が隣接したコンダクタンストランジスタのＯＮ状態
の影響を受けるように配置したプラズマ結合型デバイス
シフトレジスタとｌ）Ｎ接合型ホト・ダイオードおよび
該ホト・ダイオードからの信号を読み出すためのスイッ
チ部とを備えた固体撮像装置において、ホト・ダイオー
ドにＮ＋Ｐ型接合を使用したことを特徴とする固体撮像
装置。 （２９半導体基板上に、コンダクタンス・トランジスタ
を複数個並べ、該コンダクタンス・トランジスタのＯＮ
電圧が接接したコンダクタンストランジスタのＯＮ状態
の影響を受けるトレジスタとＮ＋Ｐ型接合ホト・ダイオ
ードおよびスイッチ部を持ち、前記プラズマ結合型シフ
トレジスタ、Ｎ＋Ｐ型接合ホト・ダイオードおよびスイ
ッチ部の一部あるいは全部がＮ型領域で分離されたこと
を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015239A JPS60160782A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015239A JPS60160782A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160782A true JPS60160782A (ja) | 1985-08-22 |
Family
ID=11883309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015239A Pending JPS60160782A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105471A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59015239A patent/JPS60160782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105471A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
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