JPS6015720A - 低温補償形位相制御回路 - Google Patents
低温補償形位相制御回路Info
- Publication number
- JPS6015720A JPS6015720A JP12164083A JP12164083A JPS6015720A JP S6015720 A JPS6015720 A JP S6015720A JP 12164083 A JP12164083 A JP 12164083A JP 12164083 A JP12164083 A JP 12164083A JP S6015720 A JPS6015720 A JP S6015720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- gate
- temperature
- resistor
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
- G05F1/44—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only
- G05F1/45—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load
- G05F1/455—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load with phase control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は位相制御回路に温度依存性抵抗器を用いた回路
において、低温時の動作を安定にするための回路である
。
において、低温時の動作を安定にするための回路である
。
従来の位相制御回路に負特性の温度依存性抵抗器を用い
た調光器では、低温時に温度依存性抵抗器の抵抗値が大
きくなりすぎて、ｎゲートサイリスタが正常に動作せず
、低温でランプが起動しないような欠点があった。
た調光器では、低温時に温度依存性抵抗器の抵抗値が大
きくなりすぎて、ｎゲートサイリスタが正常に動作せず
、低温でランプが起動しないような欠点があった。
本発明の目的は常温では温度依存性抵抗器によって位相
角を制御し、低温ではツェナーダイオードにより位相角
を制御するこ♂を目的とすることにある。
角を制御し、低温ではツェナーダイオードにより位相角
を制御するこ♂を目的とすることにある。
温度依存性抵抗器を用いた調光器では、Ｎゲート サイ
リスクのゲート電位を負特性の温度依存性抵抗器で制御
していたが、低温になるとこの抵抗値が大きくなりすぎ
て、Ｎゲート サイリスクが正常に動作しなくなる。従
って、温度依存性抵抗器と並列にツェナーダイオードを
接続することにより低温時に抵抗値が大きくなっても、
Ｎゲートサイリスタの動作に影響のない様にした。
リスクのゲート電位を負特性の温度依存性抵抗器で制御
していたが、低温になるとこの抵抗値が大きくなりすぎ
て、Ｎゲート サイリスクが正常に動作しなくなる。従
って、温度依存性抵抗器と並列にツェナーダイオードを
接続することにより低温時に抵抗値が大きくなっても、
Ｎゲートサイリスタの動作に影響のない様にした。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図？こ
より説明する。
より説明する。
第１図は一実施例としての基本回路である。
電源１と全波整流器１２とツェナーダイオード１１力）
ら成る電源回路。Ｎゲートサイリスタ８とサイリスタ１
０から成る位相制御回路。負特性をもつ温度依存性抵抗
器２をＮゲートサイリスタ８のゲート側に挿入した温度
補償回路。更にその温度依存性抵抗器２と並列にツェナ
ーダイオード３を接続した低温補償回路から成る。
ら成る電源回路。Ｎゲートサイリスタ８とサイリスタ１
０から成る位相制御回路。負特性をもつ温度依存性抵抗
器２をＮゲートサイリスタ８のゲート側に挿入した温度
補償回路。更にその温度依存性抵抗器２と並列にツェナ
ーダイオード３を接続した低温補償回路から成る。
次に動作を説明する。
第２、第３図はＮゲートサイリスタ８のアノードカソー
ド、ゲートの電圧波形であり、第２図はツェナーダイオ
ード３を挿入していない時の常温での電圧波形で、第３
図は低温時での波形である。
ド、ゲートの電圧波形であり、第２図はツェナーダイオ
ード３を挿入していない時の常温での電圧波形で、第３
図は低温時での波形である。
常温時はツェナーダイオード１１の両端には第２、第３
図に見られる様なゲート電圧ＶＧと同様の台形波形が現
わわ、る。Ｎゲートサイリスタ８のゲート電圧■Ｇは抵
抗４．７の分圧された電圧が、アノード電圧ＶＡは抵抗
６とコンデンサ５によって充電される電圧が現われる。
図に見られる様なゲート電圧ＶＧと同様の台形波形が現
わわ、る。Ｎゲートサイリスタ８のゲート電圧■Ｇは抵
抗４．７の分圧された電圧が、アノード電圧ＶＡは抵抗
６とコンデンサ５によって充電される電圧が現われる。
そして、ゲート電圧Ｖａとアノード電圧ＶＡの電位差が
ＶＡ−ＭＧ＞ａ５〜ｏ、８ｖの条件の時にオンし、コン
デンサ５に充電された電荷がＮゲートサイリスタ８と抵
抗９を介←７て放電し力゛ノード電圧ＶＫが誘起され、
サイリスタ１ｏをトリガする。
デンサ５に充電された電荷がＮゲートサイリスタ８と抵
抗９を介←７て放電し力゛ノード電圧ＶＫが誘起され、
サイリスタ１ｏをトリガする。
次に低温時 であるが、温度依存性抵抗器２が負特性を
有している為、その抵抗値は下記の式で算出される。
有している為、その抵抗値は下記の式で算出される。
Ｒ−几ｏｅ：ｘ：ＰＢ（小−＋。）
ＴＯ： ２９８’Ｋ（２５°Ｃ）
肋＝ＴＯのときの抵媚直
Ｂ：定数
例えば、２５°ＣでｌＯＫ＃（７）抵抗はｏ ’ ｃ
−ｃハ、中３７．５ ＫΩ この様な特性により低温になる（ｌ！：Ｎゲートサイリ
スタ８のゲート電圧は低下し、Ｎゲートサイリスタ８の
オンする時間が第３図の様に短かくなり、従って位相角
は小さくなる。
−ｃハ、中３７．５ ＫΩ この様な特性により低温になる（ｌ！：Ｎゲートサイリ
スタ８のゲート電圧は低下し、Ｎゲートサイリスタ８の
オンする時間が第３図の様に短かくなり、従って位相角
は小さくなる。
こイア、を例えばけい光灯の調光
器に使用すると低温時は全光状態に近くなる。ここで低
温時に第３図の様にゲート電圧Ｖｏが小さくなるとコン
デンサ５に充分電荷が充電されないうちにＮゲートサイ
リスク８がオンし、抵抗９に流れる電流とサイリスク１
０のゲートＩこ流れ込む電流は減少し、カソード電圧”
ｈｃも小さくなる。
温時に第３図の様にゲート電圧Ｖｏが小さくなるとコン
デンサ５に充分電荷が充電されないうちにＮゲートサイ
リスク８がオンし、抵抗９に流れる電流とサイリスク１
０のゲートＩこ流れ込む電流は減少し、カソード電圧”
ｈｃも小さくなる。
これによってサイリスタ１０は導通不可能になる。
これに対して温度によって変化する温度依存性抵抗器２
の両端にツェナーダイオード３８挿入することにより低
温時でも高温時でもゲート電圧ＶＧをツェナーダイオー
ド３により制限することができる。例えば、ツェナーダ
イオード３の電圧値を温度依存性抵抗器２が１００Ｃの
抵抗値になった時両端に印加される電圧に設定する七高
温から１０’Ｃまでは温度依存性抵抗器２によってＮゲ
ートサイリスク３によって、Ｎゲートサイリスクの位相
角は制凱さＩ７１．１０°Ｃ以−１・ではツェナーダイ
オード３によって温度依存性抵抗器２の両端電圧はクリ
ップされ、サイリスタがトリガされない問題を解消する
効果がある。
の両端にツェナーダイオード３８挿入することにより低
温時でも高温時でもゲート電圧ＶＧをツェナーダイオー
ド３により制限することができる。例えば、ツェナーダ
イオード３の電圧値を温度依存性抵抗器２が１００Ｃの
抵抗値になった時両端に印加される電圧に設定する七高
温から１０’Ｃまでは温度依存性抵抗器２によってＮゲ
ートサイリスク３によって、Ｎゲートサイリスクの位相
角は制凱さＩ７１．１０°Ｃ以−１・ではツェナーダイ
オード３によって温度依存性抵抗器２の両端電圧はクリ
ップされ、サイリスタがトリガされない問題を解消する
効果がある。
本発明によれば、位相制御回路に温度依存性抵抗器を用
いた回路を低温で動作させるとその負特性により、抵抗
値が増力畦、Ｎゲートサイリスタのゲート電位は、低温
になるに従って減少する。
いた回路を低温で動作させるとその負特性により、抵抗
値が増力畦、Ｎゲートサイリスタのゲート電位は、低温
になるに従って減少する。
ここで、 電源が印加された場合、アノード側のコンデ
ンサに充分電荷が蓄積されない状態でＮゲートサイリス
タが導通し、カソード電圧が充分でなく、次段のサイリ
スタを導通させることが不可能となる。そこで低温ども
変らぬ特性を持たせる為に、温度依存性抵抗器と並列に
ツェナーダイオードを挿入し、温度依存性抵抗器の抵抗
値が増加しても、その両端に印加される電圧を一定とし
たので、常温と同等の機能を有する効果がある。
ンサに充分電荷が蓄積されない状態でＮゲートサイリス
タが導通し、カソード電圧が充分でなく、次段のサイリ
スタを導通させることが不可能となる。そこで低温ども
変らぬ特性を持たせる為に、温度依存性抵抗器と並列に
ツェナーダイオードを挿入し、温度依存性抵抗器の抵抗
値が増加しても、その両端に印加される電圧を一定とし
たので、常温と同等の機能を有する効果がある。
第１図は本発明による低温補償回路付位相制御回路図、
第２図はその常温時Ｎゲートサイリスタ各部波形図、
第３図はその低温時Ｎゲートサイリスタ各部の波形図で
ある。 符号の説明 １・・・間流電源、２・・・負特性温度依存性抵抗器、
３・・ツェナーダイオード、 ４．６．７．９．・・・
固定抵抗器、５・・・コンデンサ、８・・Ｎゲートサイ
リスタ、１０・・・サイリスタ、１１・・・ツェナーダ
イオード、１２・・・全波整流器、■・・・アノード、
［相］・・・カソード、■・・・ゲート
ある。 符号の説明 １・・・間流電源、２・・・負特性温度依存性抵抗器、
３・・ツェナーダイオード、 ４．６．７．９．・・・
固定抵抗器、５・・・コンデンサ、８・・Ｎゲートサイ
リスタ、１０・・・サイリスタ、１１・・・ツェナーダ
イオード、１２・・・全波整流器、■・・・アノード、
［相］・・・カソード、■・・・ゲート
Claims (1)
- 電源から全波整流器を介してツェナーダイオードによっ
て電圧をクランプし、ツェナーダイオードのアノードと
カソードをサイリスクのカソードとアノードにそれぞわ
、接続しゲートはｎゲートサイリスタのカソードと接続
する。ｎゲートサイリスタのゲートは抵抗と温度依存性
抵抗器によって分圧し、アノードは抵抗とコンデンサに
よる充電電圧が印加される位相制御回路において温度依
存性抵抗器さ並列にツェナーダイオードを設けたことを
特徴とする低温補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12164083A JPS6015720A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温補償形位相制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12164083A JPS6015720A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温補償形位相制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015720A true JPS6015720A (ja) | 1985-01-26 |
| JPH0444777B2 JPH0444777B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=14816259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12164083A Granted JPS6015720A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温補償形位相制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021151159A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置、パワーモジュール、インバータ装置、および電動車両 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220662A (en) * | 1975-08-07 | 1977-02-16 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Waste water treating apparatus |
| JPS5332865A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-28 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Dry denitrating method for exhaust combustion gas |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP12164083A patent/JPS6015720A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220662A (en) * | 1975-08-07 | 1977-02-16 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Waste water treating apparatus |
| JPS5332865A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-28 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Dry denitrating method for exhaust combustion gas |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021151159A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置、パワーモジュール、インバータ装置、および電動車両 |
| WO2021192530A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置、パワーモジュール、インバータ装置、および電動車両 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444777B2 (ja) | 1992-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5825099A (ja) | 電気制御システム | |
| JPS60229124A (ja) | 電気制御システム及び駆動装置 | |
| JPS58119016A (ja) | 低電圧負荷用電源装置 | |
| US6121731A (en) | Discharge lamp lighting system with overcurrent protection for an inverter switch or switches | |
| JP2005522177A (ja) | ライン周波数スイッチング・レギュレータ | |
| TWI604757B (zh) | Line voltage compensation system for LED constant current control | |
| JPS6015720A (ja) | 低温補償形位相制御回路 | |
| CN110035579B (zh) | 兼容可控硅调光器的高功率因数无频闪线性控制方法及所用控制装置 | |
| JP2514925B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
| JPS59136028A (ja) | 直流安定化電源の保護装置 | |
| JP2583914B2 (ja) | 直流モータ駆動回路 | |
| JPS6111436B2 (ja) | ||
| JPS642554Y2 (ja) | ||
| JPS6036655B2 (ja) | 二線式交流開閉装置 | |
| SU1244755A2 (ru) | Тиристорный регул тор напр жени | |
| JPS6115600Y2 (ja) | ||
| JP2835666B2 (ja) | 白熱灯用電源装置 | |
| JP2854632B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
| JPS6011439B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
| JPH05109491A (ja) | 高周波点灯装置 | |
| JPS6225822A (ja) | サ−ジ吸収回路 | |
| JPS6135116A (ja) | サ−ジ吸収回路 | |
| JPS6337478B2 (ja) | ||
| KR950023232A (ko) | 전자식 형광등 안정기의 구동제어회로 | |
| JPS60151993A (ja) | 電界発光装置 |