JPS6015720A - 低温補償形位相制御回路 - Google Patents
低温補償形位相制御回路Info
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- JPS6015720A JPS6015720A JP12164083A JP12164083A JPS6015720A JP S6015720 A JPS6015720 A JP S6015720A JP 12164083 A JP12164083 A JP 12164083A JP 12164083 A JP12164083 A JP 12164083A JP S6015720 A JPS6015720 A JP S6015720A
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- JP
- Japan
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- thyristor
- gate
- temperature
- resistor
- voltage
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
- G05F1/44—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only
- G05F1/45—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load
- G05F1/455—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load with phase control
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は位相制御回路に温度依存性抵抗器を用いた回路
において、低温時の動作を安定にするための回路である
。
において、低温時の動作を安定にするための回路である
。
従来の位相制御回路に負特性の温度依存性抵抗器を用い
た調光器では、低温時に温度依存性抵抗器の抵抗値が大
きくなりすぎて、nゲートサイリスタが正常に動作せず
、低温でランプが起動しないような欠点があった。
た調光器では、低温時に温度依存性抵抗器の抵抗値が大
きくなりすぎて、nゲートサイリスタが正常に動作せず
、低温でランプが起動しないような欠点があった。
本発明の目的は常温では温度依存性抵抗器によって位相
角を制御し、低温ではツェナーダイオードにより位相角
を制御するこ♂を目的とすることにある。
角を制御し、低温ではツェナーダイオードにより位相角
を制御するこ♂を目的とすることにある。
温度依存性抵抗器を用いた調光器では、Nゲート サイ
リスクのゲート電位を負特性の温度依存性抵抗器で制御
していたが、低温になるとこの抵抗値が大きくなりすぎ
て、Nゲート サイリスクが正常に動作しなくなる。従
って、温度依存性抵抗器と並列にツェナーダイオードを
接続することにより低温時に抵抗値が大きくなっても、
Nゲートサイリスタの動作に影響のない様にした。
リスクのゲート電位を負特性の温度依存性抵抗器で制御
していたが、低温になるとこの抵抗値が大きくなりすぎ
て、Nゲート サイリスクが正常に動作しなくなる。従
って、温度依存性抵抗器と並列にツェナーダイオードを
接続することにより低温時に抵抗値が大きくなっても、
Nゲートサイリスタの動作に影響のない様にした。
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図、第3図?こ
より説明する。
より説明する。
第1図は一実施例としての基本回路である。
電源1と全波整流器12とツェナーダイオード11力)
ら成る電源回路。Nゲートサイリスタ8とサイリスタ1
0から成る位相制御回路。負特性をもつ温度依存性抵抗
器2をNゲートサイリスタ8のゲート側に挿入した温度
補償回路。更にその温度依存性抵抗器2と並列にツェナ
ーダイオード3を接続した低温補償回路から成る。
ら成る電源回路。Nゲートサイリスタ8とサイリスタ1
0から成る位相制御回路。負特性をもつ温度依存性抵抗
器2をNゲートサイリスタ8のゲート側に挿入した温度
補償回路。更にその温度依存性抵抗器2と並列にツェナ
ーダイオード3を接続した低温補償回路から成る。
次に動作を説明する。
第2、第3図はNゲートサイリスタ8のアノードカソー
ド、ゲートの電圧波形であり、第2図はツェナーダイオ
ード3を挿入していない時の常温での電圧波形で、第3
図は低温時での波形である。
ド、ゲートの電圧波形であり、第2図はツェナーダイオ
ード3を挿入していない時の常温での電圧波形で、第3
図は低温時での波形である。
常温時はツェナーダイオード11の両端には第2、第3
図に見られる様なゲート電圧VGと同様の台形波形が現
わわ、る。Nゲートサイリスタ8のゲート電圧■Gは抵
抗4.7の分圧された電圧が、アノード電圧VAは抵抗
6とコンデンサ5によって充電される電圧が現われる。
図に見られる様なゲート電圧VGと同様の台形波形が現
わわ、る。Nゲートサイリスタ8のゲート電圧■Gは抵
抗4.7の分圧された電圧が、アノード電圧VAは抵抗
6とコンデンサ5によって充電される電圧が現われる。
そして、ゲート電圧Vaとアノード電圧VAの電位差が
VA−MG>a5〜o、8vの条件の時にオンし、コン
デンサ5に充電された電荷がNゲートサイリスタ8と抵
抗9を介←7て放電し力゛ノード電圧VKが誘起され、
サイリスタ1oをトリガする。
デンサ5に充電された電荷がNゲートサイリスタ8と抵
抗9を介←7て放電し力゛ノード電圧VKが誘起され、
サイリスタ1oをトリガする。
次に低温時 であるが、温度依存性抵抗器2が負特性を
有している為、その抵抗値は下記の式で算出される。
有している為、その抵抗値は下記の式で算出される。
R−几oe:x:PB(小−+。)
TO: 298’K(25°C)
肋=TOのときの抵媚直
B:定数
例えば、25°CでlOK#(7)抵抗はo ’ c
−cハ、中37.5 KΩ この様な特性により低温になる(l!:Nゲートサイリ
スタ8のゲート電圧は低下し、Nゲートサイリスタ8の
オンする時間が第3図の様に短かくなり、従って位相角
は小さくなる。
−cハ、中37.5 KΩ この様な特性により低温になる(l!:Nゲートサイリ
スタ8のゲート電圧は低下し、Nゲートサイリスタ8の
オンする時間が第3図の様に短かくなり、従って位相角
は小さくなる。
こイア、を例えばけい光灯の調光
器に使用すると低温時は全光状態に近くなる。ここで低
温時に第3図の様にゲート電圧Voが小さくなるとコン
デンサ5に充分電荷が充電されないうちにNゲートサイ
リスク8がオンし、抵抗9に流れる電流とサイリスク1
0のゲートIこ流れ込む電流は減少し、カソード電圧”
hcも小さくなる。
温時に第3図の様にゲート電圧Voが小さくなるとコン
デンサ5に充分電荷が充電されないうちにNゲートサイ
リスク8がオンし、抵抗9に流れる電流とサイリスク1
0のゲートIこ流れ込む電流は減少し、カソード電圧”
hcも小さくなる。
これによってサイリスタ10は導通不可能になる。
これに対して温度によって変化する温度依存性抵抗器2
の両端にツェナーダイオード38挿入することにより低
温時でも高温時でもゲート電圧VGをツェナーダイオー
ド3により制限することができる。例えば、ツェナーダ
イオード3の電圧値を温度依存性抵抗器2が100Cの
抵抗値になった時両端に印加される電圧に設定する七高
温から10’Cまでは温度依存性抵抗器2によってNゲ
ートサイリスク3によって、Nゲートサイリスクの位相
角は制凱さI71.10°C以−1・ではツェナーダイ
オード3によって温度依存性抵抗器2の両端電圧はクリ
ップされ、サイリスタがトリガされない問題を解消する
効果がある。
の両端にツェナーダイオード38挿入することにより低
温時でも高温時でもゲート電圧VGをツェナーダイオー
ド3により制限することができる。例えば、ツェナーダ
イオード3の電圧値を温度依存性抵抗器2が100Cの
抵抗値になった時両端に印加される電圧に設定する七高
温から10’Cまでは温度依存性抵抗器2によってNゲ
ートサイリスク3によって、Nゲートサイリスクの位相
角は制凱さI71.10°C以−1・ではツェナーダイ
オード3によって温度依存性抵抗器2の両端電圧はクリ
ップされ、サイリスタがトリガされない問題を解消する
効果がある。
本発明によれば、位相制御回路に温度依存性抵抗器を用
いた回路を低温で動作させるとその負特性により、抵抗
値が増力畦、Nゲートサイリスタのゲート電位は、低温
になるに従って減少する。
いた回路を低温で動作させるとその負特性により、抵抗
値が増力畦、Nゲートサイリスタのゲート電位は、低温
になるに従って減少する。
ここで、 電源が印加された場合、アノード側のコンデ
ンサに充分電荷が蓄積されない状態でNゲートサイリス
タが導通し、カソード電圧が充分でなく、次段のサイリ
スタを導通させることが不可能となる。そこで低温ども
変らぬ特性を持たせる為に、温度依存性抵抗器と並列に
ツェナーダイオードを挿入し、温度依存性抵抗器の抵抗
値が増加しても、その両端に印加される電圧を一定とし
たので、常温と同等の機能を有する効果がある。
ンサに充分電荷が蓄積されない状態でNゲートサイリス
タが導通し、カソード電圧が充分でなく、次段のサイリ
スタを導通させることが不可能となる。そこで低温ども
変らぬ特性を持たせる為に、温度依存性抵抗器と並列に
ツェナーダイオードを挿入し、温度依存性抵抗器の抵抗
値が増加しても、その両端に印加される電圧を一定とし
たので、常温と同等の機能を有する効果がある。
第1図は本発明による低温補償回路付位相制御回路図、
第2図はその常温時Nゲートサイリスタ各部波形図、
第3図はその低温時Nゲートサイリスタ各部の波形図で
ある。 符号の説明 1・・・間流電源、2・・・負特性温度依存性抵抗器、
3・・ツェナーダイオード、 4.6.7.9.・・・
固定抵抗器、5・・・コンデンサ、8・・Nゲートサイ
リスタ、10・・・サイリスタ、11・・・ツェナーダ
イオード、12・・・全波整流器、■・・・アノード、
[相]・・・カソード、■・・・ゲート
ある。 符号の説明 1・・・間流電源、2・・・負特性温度依存性抵抗器、
3・・ツェナーダイオード、 4.6.7.9.・・・
固定抵抗器、5・・・コンデンサ、8・・Nゲートサイ
リスタ、10・・・サイリスタ、11・・・ツェナーダ
イオード、12・・・全波整流器、■・・・アノード、
[相]・・・カソード、■・・・ゲート
Claims (1)
- 電源から全波整流器を介してツェナーダイオードによっ
て電圧をクランプし、ツェナーダイオードのアノードと
カソードをサイリスクのカソードとアノードにそれぞわ
、接続しゲートはnゲートサイリスタのカソードと接続
する。nゲートサイリスタのゲートは抵抗と温度依存性
抵抗器によって分圧し、アノードは抵抗とコンデンサに
よる充電電圧が印加される位相制御回路において温度依
存性抵抗器さ並列にツェナーダイオードを設けたことを
特徴とする低温補償回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12164083A JPS6015720A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温補償形位相制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12164083A JPS6015720A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温補償形位相制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6015720A true JPS6015720A (ja) | 1985-01-26 |
JPH0444777B2 JPH0444777B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=14816259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12164083A Granted JPS6015720A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 低温補償形位相制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6015720A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021151159A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置、パワーモジュール、インバータ装置、および電動車両 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5220662A (en) * | 1975-08-07 | 1977-02-16 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Waste water treating apparatus |
JPS5332865A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-28 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Dry denitrating method for exhaust combustion gas |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP12164083A patent/JPS6015720A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5220662A (en) * | 1975-08-07 | 1977-02-16 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | Waste water treating apparatus |
JPS5332865A (en) * | 1976-09-09 | 1978-03-28 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Dry denitrating method for exhaust combustion gas |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021151159A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置、パワーモジュール、インバータ装置、および電動車両 |
WO2021192530A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 日立Astemo株式会社 | 半導体装置、パワーモジュール、インバータ装置、および電動車両 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0444777B2 (ja) | 1992-07-22 |
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