JPS60154532A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS60154532A
JPS60154532A JP1117284A JP1117284A JPS60154532A JP S60154532 A JPS60154532 A JP S60154532A JP 1117284 A JP1117284 A JP 1117284A JP 1117284 A JP1117284 A JP 1117284A JP S60154532 A JPS60154532 A JP S60154532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chemical solution
level
chemical
solution
vessel
Prior art date
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Pending
Application number
JP1117284A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Watanabe
章 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS60154532A publication Critical patent/JPS60154532A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造装置にかかり、とくに半導体
ウェハースのバッチ処理を行う為の薬液槽を有しり、#
ウェハースの自動搬送による湿式半導体製造装置に関す
るものである。
従来それらの装置の薬液槽部の一般的な構造断面t@1
図に示す。薬液槽lに所定の薬液2が表面を露出された
状態で入っている。薬液槽lは必要に応じ複数個5図の
様に配列されている。ウェハース4はキャリア3に収納
されておシ、キャリア3はロボットアーム5によシ保持
されている。
ロボットアーム5は第1図に対して上下及び左右動作が
可能でbjヤリ73に一所定のシーケンスにのりと凱各
薬液槽l内へ順次出し入れt行い。
最終的には純水9が入りた水洗槽8に送られる。
一方、各薬液槽1t−包括して覆った保護カバー6に排
気ダクト7が接続されてお夕、各薬液槽lの 。
薬液2から発生する蒸気ガスを排気している。一般的に
半導体装置の製造プロセスに用いられる。
それらの薬液は弗−溶液等の酸系溶液ならび有機溶剤等
であり、それらの多くは加熱状態で用いられる為、常時
多量の蒸気ガスr発生する事が知られている。半導体装
置の製造ラインに於いては。
通常24H稼動体制tとるところが多く、常時ウェハー
ス処理が可能な様に準備されている為、ウェハースt[
後処理しない時でも多量の蒸気ガスを発生している。一
般的に実際の薬液処理の槽当9の稼動率は50〜80チ
と考えられる為、残pの20〜50チの間に無駄な蒸発
がなされる事になる。その為、薬液の減少、薬液の酸素
による劣化、及び有害ガス排出量の増大等の欠点を持り
ていた。
本発明の目的はこれらの欠点を除く事により経済的、か
つ高安全な半導体装置の製造装置を提供するものである
本発明によれば液槽内の露出した液面の大部分を覆う底
面を有し、さらに適当な浮力kWす浮き板と、該浮き板
が液槽内の上下移動の為の液槽内に設置されたガイドと
t具備した薬液槽が得られ、その浮き板によるカバーに
よる蒸気ガスの発生を防止した半導体装置の製造装置が
得られる。
以下1本発明の実施例を第2図及び第3図により説明す
る。
@2図はウェハースを処理していない時の浮き板による
蒸発を防止している断面図である。薬液槽lに薬液2が
入っており浮き板11は適当な浮力を持った浮き袋12
に一有しており、その為浮き板11の底面積分は完全に
薬液面を覆っている。
浮@板11の液槽内での上下動を案内する、ガイド棒1
3とガイド穴11−それぞれ薬液槽11及び浮き板11
に有してiる。第3図はウニI・−入処理時のウェハー
スを収納し7t’Pヤリアが本薬液槽に入っている断面
図である。ウェハースを収納したキャリア3が浮き板i
tの上に置かれた事によりヤヤリア3の荷重により浮き
板11が薬液2内tガイド13及び14により槽底面へ
沈んだものである。勿論浮き板11の浮力は、キャリア
3の荷重によシ十分に薬液内を沈む程贋の値に設定され
なければならない。そして薬液内の処理が終pキャリア
3がロボットアームにより引き上げられると同時に浮き
板3も上昇し、さらにキャリア3が完全に引き上げられ
ると、浮き板11は薬液面上に浮上して、蒸発防止に寄
与することになる。
この様に本発明によれば、浮き板による蒸発防 i止及
び薬液劣化防止により、薬液使用量の大幅な低減と排ガ
ス処理費用の低減が達成される。又その実施についても
、浮き板tわざわざ外したシ。
又、浮き板に依らない専用蓋の開閉tする事無しに容易
にかつ経済的に採用出来るという特徴【持。
つている。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の薬液槽を使用した湿式半導体製造装置の
断面図。第2図及び第3図は本発明による薬液槽の実施
態様を示す断面図である。 図において、■・・・・・・薬液槽、2・・・・・・薬
液、3・・・・・・キャリア、4・・・・・・ウェハー
ス、5・・・・・・ロボットアーム、6・・・・・・保
膿カバー、7・・・・・・排気ダクト。 8・・・・・・水洗槽、9・・・・・・純水、ll・・
・・・・浮き板。 12・・・・・・浮き袋、13・・・・・・ガイド棒、
14・・・・・・ガイド穴である。 ■ φ ■ 茅1プ j Y2ゾ 茅3制

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 薬液を使用する半導体装置の製造装置において。 液槽内の露出しm液面の大部分を覆う底面を有し。 さらに適当な浮力を有す浮き板と、蚊浮き板が液槽内の
    上下移動の為の該液槽内に設置されたガイドとt具備す
    る事t−特徴とする半導体装置の製造装置。
JP1117284A 1984-01-24 1984-01-24 半導体装置の製造方法 Pending JPS60154532A (ja)

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JPS60154532A true JPS60154532A (ja) 1985-08-14

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7553457B2 (en) * 2003-05-30 2009-06-30 Seiko Epson Corporation Chemical processing apparatus for manufacturing circuit substrates
JP2009281669A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Espec Corp 加湿装置及びこれを含む環境試験装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7553457B2 (en) * 2003-05-30 2009-06-30 Seiko Epson Corporation Chemical processing apparatus for manufacturing circuit substrates
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