JPS60154325A - 薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は非磁性基体−ＦにＣｏ、旧、　ｐｅ等を主体と
する強磁性層を形成してなる薄膜型磁気記録媒体に関す
る。

背景技術とその問題点 従来一般の磁気記録媒体は、針状の磁性粉と高分子結合
剤を主体とする磁性塗料を非磁性基体上に塗布して磁ｉ
’ＣＩＶｊを形成する。

これに対して、Ｃｏ＋　Ｆｅ、　Ｎｉの磁性層・属或い
はこれらの合金を真空蒸着等によって非磁性基体」−に
被着して強磁性層を形成するようにした薄膜型磁気記録
媒体は、前述した塗布型の磁気記録媒体におけるように
非磁性の高分子結合剤が用いられていないことから、高
い残留磁束密度が得られ、またその磁性層を極めて薄く
形成することができることから商出力且つ短波長応答性
に優れているという利点がある。

しかしながら、このようなＣｏ等の磁性金属を単に非磁
性支持体上に例えば蒸着しただけでは大きな抗磁力を有
する磁性層を得ることは難しい。この種の金属磁性層に
おいて１Ｂ＋抗磁力を有する磁性層を形成する方法とし
ては、斜め蒸着法によるものが考えられているが、この
場合蒸着効率が低く生産性に劣るという欠点がある。

このような斜め蒸着によるごとなく、はぼ垂直蒸着によ
っ°（もｊｏｌい抗磁力を示し、且つ高い角型比を有す
る薄膜型磁気記録媒体が先に本出願人によって提供され
た。この磁気記録媒体は、非磁性基体上に一ド地層とし
ての例えばＢｉ等の非磁性金属を被着した後、これの上
にＣｏ等の金属蒸着膜を形成するものである。ところで
、かかる薄映型磁気記録媒体では、電磁変換特性におい
てそのノイズを充分低減−Ｉしめ、Ｓ／Ｎ比をより向−
１，せしめることが望まれる。

発明の目的 本発明は、上述の点に鑑み、ノイズを低減し、Ｓ／Ｎ比
を向上せしめた薄膜型磁気記録媒体を提供するものであ
る。

発明の概要 本発明は、基体上に形成された強磁性層内に非磁性金属
が所定の濃度勾配をもって分布され、強磁性１−の基体
に近い領域では非磁性金属と相憤の濃度分布を有する酸
素が存在して成る薄膜型磁気記録媒体である。この発明
の薄膜型磁気記録媒体では、磁気特性を維持した状態で
ノイズが低減し、Ｓ／Ｎ比が向上する。

実施例 以）、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明に適用される蒸着装置である。

この蒸着装置（１）は真空チャンバー（２）内に金属キ
ャン（３）が設けられ、これを繞って例えば非磁性基体
（４）が供給リール（５）及び巻取リール（６）間に走
行するようなされる。一方金属キャン（３）に対向し′
ζ非磁竹金属による一ト地層の蒸着源例えばＢｉ蒸着源
（７）と強磁性層の蒸着源例えばＣｏの蒸着源（８）が
配置される。（９）は蒸着源（７）及び（８）よりの各
金属蒸気流を相、７Ｖ−に遮蔽する遮蔽板で、両蒸着源
（７）及び（８）間から金属キャン（３）の前方に渡っ
て設けられる。（１（１１は各蒸着源（７）及び（８）
と金属キャン（３）との間に配置されたシャッターであ
る。この装置では、非磁性基体（４）の走行途上におい
て先ず例えばＢｉ蒸着源（７）がらＢｉの蒸着をなして
基体（４）十にＢｉの蒸着躾による下地層を形成し、こ
れの上に続いて例えばＣｏ蒸着源（８）からのＣｏを蒸
着して強磁性層を被着形成するようになす。

実施例１ ＝上記蒸着装置（１１を使用し、５　Ｘ　１０−　Ｔｏ
ｒｒの圧力下でポリイミドフィルムよりなる非磁性基体
（４）を供給リール（５）から巻取リール（６）へと金
属キャン（３）を繞って走行さセ、このとき非磁性基体
（４）の温度を１５０℃となして蒸着源（７）より旧を
１００人の厚さに蒸着し、続いて蒸着源（８）よりＣｏ
を３００人の厚さに蒸着してＢｉ下地層上にＣｏ磁性層
を被着した。蒸着後、真空中で１５０℃１１時間のアニ
ールを施し、その１ｇ＜　５　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ
以下の圧力に保ったまま真空チャンバー中で放冷し、１
時間後に取出した。この様にして得たサンプルテープを
実施例１とした。

比較例Ｉ Ｒｉ−Ｆ地層の蒸着、　Ｃｏ磁性層の蒸着及びアニール
までの処理は実施例１と同じ条件で行う。その後、Ｉ　
Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒまで計を導入し、数回計で真空
チャンバー（２）内を置換したのち、肖びＡｒを導入し
、ｌ　Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒに保ったまま放冷し、１
時間後に取出した。この様にし°ζ得たサンプルテープ
を比較例１とした。

上記各側のテープに関して磁気特性を測定した結果を表
１にボす。

表　１ また、実施例１と比較例１のテープの電磁変換時ｔ！Ｌ
を測定した結果を表２に不ず。この測定は、ギャップ長
０．２μｍのフェライトヘッドを用い、テープ相対速度
を３．８ｍ／　ｓｅｃとして実施例１及び比較例１のテ
ープを夫々ソニー社製ビデオテープレコーダにて走行さ
せ、出力及びノイズレベルをスペクトルアナライザで測
定した。これは５Ｍ１ｌｚの信号での比較であり、比較
例１の出カ、ノイズ及びＳ／Ｎ比をＯｄＢとした。

表　２ 実施例１と比較例１を比較すると、磁気特性は互いにほ
ぼ同じであるが、電磁変換特性において実施例１の方が
ノイズが低減し、Ｓ／Ｎ比が向上しているのが認められ
る。

次に、オージェ分光分析により実施例１及び比較例１の
磁性層に関する厚み方向への濃度分布を測定した結果を
第２図及び第３図に不ず。第２図は実施例１の場合、第
３図は比較例１の場合で、いずれもコバルトＣｏ、ビス
マスＢｉ＋酸素０に関する濃度分布を示し′ζいる。こ
の第２図及び第３図において磁性層を厚み方向に２等分
し、基体側を領域（１）とし、表面側を領域（ＴＩ）と
する。ＢｉはＧｏ磁性層内を全厚に亘って拡散され、い
ずれの場合も基体側が濃度が１０１＜中間より表面に向
って低濃度となる所定濃度勾配をもって分布している。

そこで、基体に近い領域（１）における酸素Ｏの濃度分
布に注目すると、実施例１では第２図に丞ずように酸素
Ｏの濃度分布は旧のそれと相似であり、Ｂｉの一部が１
酸化物に変化していることが判る。他方、比較例１にお
ける酸素Ｏの憑度分布は第３図に不ずように表面を除い
て一様であり、旧の酸化物の生成は特に顕著ではない。

この様な厚み方向における酸素濃度分布の違いは次の様
に考えられる。放冷時の真空チャンバー内の残留酸素濃
度は比較例１の方がＡｒガス置換効果により低くなり、
テープの冷却時における酸素の影響が少ない。他方、実
施例１では残留酸素が磁性層に吸着し、磁性層内部に拡
散し、酸素との親和力がＣｏより大きいＢ１１１ｌＪの
一部が優先的に酸化される。これが為に実施例１ではＧ
ｏ磁性層の粒子がＢｉ酸化物により細分化され、その結
果電磁変換特性におけるノイズが低減し、Ｓ／Ｎ比が向
上する。従って、本発明の′ｈ膜型磁気記録媒体におい
てその磁性層の非磁性基体側に近い領域（ｒ）における
非磁性金属原子と酸素原子との厚み方向の濃度分布を相
似とする理由がごごにある。

尚、非磁性下地層としては、旧の他、Ｓｈ、　Ｇａ。

Ｇｅ、　Ｓｔ及びその合金、金属間化合物等の非磁性金
属を用いることができ、磁性層としてはＣｏ、　Ｎｉ＋
　ＩＦｅ及びその合金（例えばＣｏ−Ｎ１）等を用いる
ことができる。

発明の効果 上述の本発明によれば、基体上に形成した強磁性層内に
非磁性金属が所定の濃度勾配で分布して成る薄膜型磁気
記録媒体において、強磁性１−の基体側の領域での厚み
方向における酸素の濃度分布を非磁性金属のそれと相似
させることにより、強磁性層の粒子が非磁性金属の酸化
物によって細分化される。その結果、この棟の薄膜型磁
気記録媒体において、その磁気特性を低下させることな
く、電磁変換特性におけるノイズを低減し、Ｓ／Ｎ比を
向上することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に適用される蒸着装置の例を不す構成図
、第２図及び第３図は実施例１と比較例１の磁性層につ
い°Ｃオージェ分光法で測定した膜厚方向での組成分布
図である。 （２）は真空チャンバー、（３）は金属キャン、（４）
は非磁性基体、＋５１．１６）はリール、（７）は非磁
性金属の蒸着源、（８）は強磁性材の蒸着源である。 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に形成された強磁性層内に非磁性金属が所定の濃
   度勾配をもって分布され、該強磁性層の上記基体に近い
   領域では厚み方向に関して上記非磁性金属と相僚の濃度
   分布を肴する＃素が存在することを特徴とするＳ成型磁
   気記録媒体。