JPS60150232A - 垂直磁化用ナフタレ−トポリエステルフイルム - Google Patents
垂直磁化用ナフタレ−トポリエステルフイルムInfo
- Publication number
- JPS60150232A JPS60150232A JP694784A JP694784A JPS60150232A JP S60150232 A JPS60150232 A JP S60150232A JP 694784 A JP694784 A JP 694784A JP 694784 A JP694784 A JP 694784A JP S60150232 A JPS60150232 A JP S60150232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- naphthalate
- temperature
- naphthalate polyester
- polyester film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はナフタレートポリエステルを分子配向およびヒ
ートセットしてなる最大表面粗さが500A以下である
垂直磁化用ベースフィルムに関するものである。ここで
最大表面粗さとはJI8 430601に規定されてい
る表面粗さであり触針法により測定できる。
ートセットしてなる最大表面粗さが500A以下である
垂直磁化用ベースフィルムに関するものである。ここで
最大表面粗さとはJI8 430601に規定されてい
る表面粗さであり触針法により測定できる。
本発明方法においていうナフタレートポリエステルとは
、ポリエチレン−2,6−ナフタレート及び20モル%
以下の第8成分を含むポリエチレン−2,6−ナフタレ
ートである。一般にポリエチレン−2,6−ナフタレー
トはナフタレン−2,6−ジカルボン酸又は、その機能
的誘導体及びエチレングリコール又は、その機能的誘導
体とを触媒の存在下で適当な反応条件の下に結合せしめ
ることによって合成される。
、ポリエチレン−2,6−ナフタレート及び20モル%
以下の第8成分を含むポリエチレン−2,6−ナフタレ
ートである。一般にポリエチレン−2,6−ナフタレー
トはナフタレン−2,6−ジカルボン酸又は、その機能
的誘導体及びエチレングリコール又は、その機能的誘導
体とを触媒の存在下で適当な反応条件の下に結合せしめ
ることによって合成される。
このポリエチレン−2,6−ナフタレートの重合完結前
に適当な1m又は2種以上の第3成分を添加し共重合又
は混合ポリエステルとしたものでもよいが、その適当な
第8成分としては、2価のエステル形成官能基を有する
混合物、例えば、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、セ
パシン酸、ダイマー酸などの脂肪族ジカルボン酸、シク
ロプロパンジカルボン酸、シクロブタンジカルボン酸、
ヘキサヒドロテレフタル酸などの脂肪族ジカルボン酸、
フタル酸、イソフタル酸、ナツタレーン−2,フージカ
ルボン酸、ジフェニルジカルボン酸などの芳香族ジカル
ボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニル
スルホンジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン
酸、8.5−ジカルボキシベンセンスルホン酸ナトリウ
ムなどのカルボン酸、グリコール酸、p−オキシ安息香
酸、p−オキシエトキシ安息香酸などのオキシカルボン
酸、トリメチレングリコール、ジエチレングリコール、
テトラメチレングリコール−へキサメチレングリコール
、2.2−ジメチルプロパン−1,8−ジオール、p−
キシリレングリコール、1.4−シク′ロヘキサンジメ
タノール、ビスフェノールA1 ビスフェノール性スル
ホン、1.4−ヒゞス(β−ヒドロキシエトキシ)ベン
ゼン、2.2−ビス(p−β−ヒドロキシエトキシフェ
ニル)プロパン、ポリアルキレングリコール、p−フェ
ニレンビス(ジメチルシロキサン)などのオキシ化合物
、Jもその機能的誘導体など、その他前記カルボン酸類
、オキシカルボン酸類、オキシ化合物類又は、その機能
的誘導体から誘導せられる高重合度化合物などや1個の
エステル形成官能基を有する化合物、例えば安息香酸、
ベンゾイル安息香酸、ベンジルオキシ安息香酸、メトキ
シポリアルキレングリコールなどが挙げられる。又8個
以上のエステル形成官能基を有する化合物、例えばグリ
セリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパ
ンなども重合体が実質的に線状である範囲内で使用する
こと(5) ができる。
に適当な1m又は2種以上の第3成分を添加し共重合又
は混合ポリエステルとしたものでもよいが、その適当な
第8成分としては、2価のエステル形成官能基を有する
混合物、例えば、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、セ
パシン酸、ダイマー酸などの脂肪族ジカルボン酸、シク
ロプロパンジカルボン酸、シクロブタンジカルボン酸、
ヘキサヒドロテレフタル酸などの脂肪族ジカルボン酸、
フタル酸、イソフタル酸、ナツタレーン−2,フージカ
ルボン酸、ジフェニルジカルボン酸などの芳香族ジカル
ボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニル
スルホンジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン
酸、8.5−ジカルボキシベンセンスルホン酸ナトリウ
ムなどのカルボン酸、グリコール酸、p−オキシ安息香
酸、p−オキシエトキシ安息香酸などのオキシカルボン
酸、トリメチレングリコール、ジエチレングリコール、
テトラメチレングリコール−へキサメチレングリコール
、2.2−ジメチルプロパン−1,8−ジオール、p−
キシリレングリコール、1.4−シク′ロヘキサンジメ
タノール、ビスフェノールA1 ビスフェノール性スル
ホン、1.4−ヒゞス(β−ヒドロキシエトキシ)ベン
ゼン、2.2−ビス(p−β−ヒドロキシエトキシフェ
ニル)プロパン、ポリアルキレングリコール、p−フェ
ニレンビス(ジメチルシロキサン)などのオキシ化合物
、Jもその機能的誘導体など、その他前記カルボン酸類
、オキシカルボン酸類、オキシ化合物類又は、その機能
的誘導体から誘導せられる高重合度化合物などや1個の
エステル形成官能基を有する化合物、例えば安息香酸、
ベンゾイル安息香酸、ベンジルオキシ安息香酸、メトキ
シポリアルキレングリコールなどが挙げられる。又8個
以上のエステル形成官能基を有する化合物、例えばグリ
セリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパ
ンなども重合体が実質的に線状である範囲内で使用する
こと(5) ができる。
第8成分が20モル%を越えると本願発明で重要な項目
の1つである耐熱性が、不十分となるため、20モル%
以下であることが必要である。また、極限粘度は該フィ
ルムの機械的性能の点から0.85以上が必要である。
の1つである耐熱性が、不十分となるため、20モル%
以下であることが必要である。また、極限粘度は該フィ
ルムの機械的性能の点から0.85以上が必要である。
0.85未満の場合には熱処理前のフィルムについて引
裂強度、耐哲度が極端に悪く形、取扱いにくい。又熱処
理後のフィルムについても漸次性能が劣化するので好ま
しくない。なお、本発明で言う極限粘度は85℃のオル
ソクロルフェノール中で測定したものである。
裂強度、耐哲度が極端に悪く形、取扱いにくい。又熱処
理後のフィルムについても漸次性能が劣化するので好ま
しくない。なお、本発明で言う極限粘度は85℃のオル
ソクロルフェノール中で測定したものである。
現在、磁気記録はテープレコーダー、VTRをはじめコ
ンピューター分野でも外部メモリとして大きな役割を果
しており特にオフィスオートメーシロンやパソコンには
フロッピーディスクがますます重要になっている。この
様に磁気記録はテープやディスク状で使用され、ベース
フィルムとしてはポリエステルフィルムが主流をなして
いる。一方、最近では、記録密度を高め(6) るだめに垂直磁化方式が提案され、業界では実用化にむ
けて開発が進められている。しかし、垂直磁化用ベース
フィルムとしては表面平滑性、耐熱性、低吸湿性、線膨
張係数が小さいことなどが要求され、現存する市販フィ
ルムではいずれも問題があり、実用的でない。例えばポ
リエステルフィルムでは磁性膜形成時の耐熱性が不足し
ているため生産性が極めて悪く、実用的でない。また耐
熱性良好なポリイミドフィルムの場合は吸湿した水分の
影響により磁性膜形成時に高真空にできずフィルムと磁
性膜との密着強度が不十分であることおよび表面が粗い
ことなどにより実用的でない。
ンピューター分野でも外部メモリとして大きな役割を果
しており特にオフィスオートメーシロンやパソコンには
フロッピーディスクがますます重要になっている。この
様に磁気記録はテープやディスク状で使用され、ベース
フィルムとしてはポリエステルフィルムが主流をなして
いる。一方、最近では、記録密度を高め(6) るだめに垂直磁化方式が提案され、業界では実用化にむ
けて開発が進められている。しかし、垂直磁化用ベース
フィルムとしては表面平滑性、耐熱性、低吸湿性、線膨
張係数が小さいことなどが要求され、現存する市販フィ
ルムではいずれも問題があり、実用的でない。例えばポ
リエステルフィルムでは磁性膜形成時の耐熱性が不足し
ているため生産性が極めて悪く、実用的でない。また耐
熱性良好なポリイミドフィルムの場合は吸湿した水分の
影響により磁性膜形成時に高真空にできずフィルムと磁
性膜との密着強度が不十分であることおよび表面が粗い
ことなどにより実用的でない。
これに対し本発明の分子配向およびヒートセットされた
ナフタレートポリエステルフィルムは、これらの問題点
を殆んど解決したものであり、ガラス転移点118〜1
15℃、融点272℃と、ポリエステルに比ベガラス転
移点で約50℃、融点で約10℃耐熱性が優れている。
ナフタレートポリエステルフィルムは、これらの問題点
を殆んど解決したものであり、ガラス転移点118〜1
15℃、融点272℃と、ポリエステルに比ベガラス転
移点で約50℃、融点で約10℃耐熱性が優れている。
また、吸湿性はポリエステルと同等で、線膨張係数はポ
リエステルの約1/2であり、しかも分子配向に伴なっ
て最大表面粗さが500λ以下となるため垂直磁化用ベ
ースフィルムとして必要な特性を全て備えている。
リエステルの約1/2であり、しかも分子配向に伴なっ
て最大表面粗さが500λ以下となるため垂直磁化用ベ
ースフィルムとして必要な特性を全て備えている。
なお、最大表面粗さが500λを越えると磁性膜形成後
の表面平滑性が不十分となり記録再生時に主磁極との接
触によるトラブルを生じる。
の表面平滑性が不十分となり記録再生時に主磁極との接
触によるトラブルを生じる。
従って最大表面粗さは5ook以下でなければならない
。
。
本発明者等は垂直磁化用ベースフィルム□について鋭意
検討した結果、前述の如く、最大表面粗さが500λ以
下で、ナフタレートポリエステルを分子配向およびヒー
トセットしたフィルムが極めて優れた適性を有すること
をつきとめ本発明に到達したものである。
検討した結果、前述の如く、最大表面粗さが500λ以
下で、ナフタレートポリエステルを分子配向およびヒー
トセットしたフィルムが極めて優れた適性を有すること
をつきとめ本発明に到達したものである。
本発明のナフタレートポリエステルフィルムの分子配向
手段としては延伸およびロール圧延があげられる。
手段としては延伸およびロール圧延があげられる。
また、本発明者等ぽ、垂直磁化用ベースフィルムとして
特に重要な表面平滑性の向上についてさらに検討を加え
た結果、ロール圧延法が極めて優れた手法であることを
見い出した。すなわち、延伸の場合はフィルム表面は自
由であるのに対し、ロール圧延では加圧ロールにより表
面が規制されるためより表面平滑性の優れたフィルムを
製造できることを見い出した。なお、圧延時に液状潤滑
液を使用すればさらに効果的であるが必要条件ではない
。但し、ロール圧延は基本的にはフィルム長さ方向の分
子配向手段であるためテープ用途ではそのまま使用する
ことができるものの、フロッピーディスクの様′に等方
性が要求される場合にはフィルム巾方向の分子配向も行
なう方が好ましく、その手段としては延伸が必要である
。
特に重要な表面平滑性の向上についてさらに検討を加え
た結果、ロール圧延法が極めて優れた手法であることを
見い出した。すなわち、延伸の場合はフィルム表面は自
由であるのに対し、ロール圧延では加圧ロールにより表
面が規制されるためより表面平滑性の優れたフィルムを
製造できることを見い出した。なお、圧延時に液状潤滑
液を使用すればさらに効果的であるが必要条件ではない
。但し、ロール圧延は基本的にはフィルム長さ方向の分
子配向手段であるためテープ用途ではそのまま使用する
ことができるものの、フロッピーディスクの様′に等方
性が要求される場合にはフィルム巾方向の分子配向も行
なう方が好ましく、その手段としては延伸が必要である
。
また、テープ用途でもロール圧延だけでなく、フィルム
巾方向に延伸し長さ方向にも延伸を加えれば、極めて高
度に分子配向したフィルムが得られるため薄肉化するこ
とができる。なお、いずれの場合でもロール圧延と延伸
との順序はどちらが先でも良い。圧延を行なうに際して
は(9) 加圧ロールの入側で少なくとも80 Kg/ci以上の
後方張力を付与しなければならない。
巾方向に延伸し長さ方向にも延伸を加えれば、極めて高
度に分子配向したフィルムが得られるため薄肉化するこ
とができる。なお、いずれの場合でもロール圧延と延伸
との順序はどちらが先でも良い。圧延を行なうに際して
は(9) 加圧ロールの入側で少なくとも80 Kg/ci以上の
後方張力を付与しなければならない。
ここで後方張力とは繰出張力と□も呼ばれるがフィルム
の進行方向に対し逆向きに作用する力のことであり80
.if/−より低ければ加圧ロールにおける中立点(最
高圧力点)がロール入側に移行してくいこみ不″良が発
生しやすくなり、安定加工が国難である。従って後方張
力は801f/d以上付与することが必要である。 □ 次に圧延温度に関しては、加圧ロールを□゛60℃60
℃以上℃以下の温度範囲で任意に設定することができる
。該温度域より低ければ、所望の圧延倍率を得るために
多数の加圧ロール群を要するこ□とや、ロール間の加圧
に非常に大きな力を必要とし装置上問題を生ずると共に
設備的にも高価なものどなり、圧延の条件として不適切
である。逆に該温度域より高い場合は:十分な配向効果
が認められず、極端な場合には、ロールに粘着する現象
がおこる。
の進行方向に対し逆向きに作用する力のことであり80
.if/−より低ければ加圧ロールにおける中立点(最
高圧力点)がロール入側に移行してくいこみ不″良が発
生しやすくなり、安定加工が国難である。従って後方張
力は801f/d以上付与することが必要である。 □ 次に圧延温度に関しては、加圧ロールを□゛60℃60
℃以上℃以下の温度範囲で任意に設定することができる
。該温度域より低ければ、所望の圧延倍率を得るために
多数の加圧ロール群を要するこ□とや、ロール間の加圧
に非常に大きな力を必要とし装置上問題を生ずると共に
設備的にも高価なものどなり、圧延の条件として不適切
である。逆に該温度域より高い場合は:十分な配向効果
が認められず、極端な場合には、ロールに粘着する現象
がおこる。
また線圧は100 Q/cta以上が必要であり100
(lO) 躬勉より低ければ十分に配向させることができない。
(lO) 躬勉より低ければ十分に配向させることができない。
以上の条件で1゜5〜5倍に圧延するが1.5倍以下の
場合は配向効果が不十分であり、また5倍以上に圧延す
ると破断が頻発し安定加工が困難となる。なお、これら
のことは延伸の場合も同様であり倍率としては1.5〜
5倍が良い。
場合は配向効果が不十分であり、また5倍以上に圧延す
ると破断が頻発し安定加工が困難となる。なお、これら
のことは延伸の場合も同様であり倍率としては1.5〜
5倍が良い。
また延伸温度は120℃以上、160℃以下の範囲で行
なうことが必要である。該温度域より低ければ均一な延
伸ができず、厚み精度の著しく悪いフィルムとなり、逆
に該温度域より高ければ結晶化が進んで降伏応力が高く
なり延伸が困難となる。なお、フィルム長さ方向につい
て圧延だけでなく延伸を併用する場合の延伸倍率は安定
加工性および配向効果の点から1.1〜2倍が適当であ
る。さらに、ヒートセットに関しては200℃以上融点
以下で行なうが200℃より低ければ十分な寸法安定性
が得られない。
なうことが必要である。該温度域より低ければ均一な延
伸ができず、厚み精度の著しく悪いフィルムとなり、逆
に該温度域より高ければ結晶化が進んで降伏応力が高く
なり延伸が困難となる。なお、フィルム長さ方向につい
て圧延だけでなく延伸を併用する場合の延伸倍率は安定
加工性および配向効果の点から1.1〜2倍が適当であ
る。さらに、ヒートセットに関しては200℃以上融点
以下で行なうが200℃より低ければ十分な寸法安定性
が得られない。
以上により垂直磁化に適したベースフィルムが得られ0
0− Or金合金酸化鉄、Co−P 合金、Co−Ni
合金、Co −P −Ni 合金等の磁性体を薄膜形成
することかできる。薄膜形成手段としてはスパッタリン
グ、真空蒸看、イオンブレーティング、電気メッキ等が
挙げられるが、本発明のベースフィルムはいずれにも適
用できるものである。
0− Or金合金酸化鉄、Co−P 合金、Co−Ni
合金、Co −P −Ni 合金等の磁性体を薄膜形成
することかできる。薄膜形成手段としてはスパッタリン
グ、真空蒸看、イオンブレーティング、電気メッキ等が
挙げられるが、本発明のベースフィルムはいずれにも適
用できるものである。
以下、実施例により本発明を具体的に示すが、本発明は
これらにより何んら限定されるものではない。
これらにより何んら限定されるものではない。
実施例1〜2、比較例1〜B
ナフタレートポリエステル(音大、Qポリマー■ナチュ
ラル、極限粘度0.55)を80φ押出機を用いて40
0mm巾のTダイから押出すことにより厚さ0.2電の
原反フィルムを作成した。この原反フィルムを直径26
0φ、面長’100mの1対の加圧ロールにより圧延し
、さらにヒートセットを施した。得られたフィルムノ最
大表面粗さをfLank Taylor Hobso。
ラル、極限粘度0.55)を80φ押出機を用いて40
0mm巾のTダイから押出すことにより厚さ0.2電の
原反フィルムを作成した。この原反フィルムを直径26
0φ、面長’100mの1対の加圧ロールにより圧延し
、さらにヒートセットを施した。得られたフィルムノ最
大表面粗さをfLank Taylor Hobso。
社のTALY8TEP に断面0.1μ×2.5μ の
ダイヤ製8tylus sipを取り付けて測定した。
ダイヤ製8tylus sipを取り付けて測定した。
加工条件および最大表面粗さ測定結果を表1に示す。
実施例8〜4、比較例4〜5
実施例1と同様にして作成した原反フィルムを圧延もし
くはタテ延伸し、さらに横延伸を行なった後、ヒートセ
ットを施した。得られたフィルムの最大表面粗さを実施
例1と同様の方法で測定シた。加工条件および最大表面
粗さ測定結果を表1に示す。
くはタテ延伸し、さらに横延伸を行なった後、ヒートセ
ットを施した。得られたフィルムの最大表面粗さを実施
例1と同様の方法で測定シた。加工条件および最大表面
粗さ測定結果を表1に示す。
実施例5
実施例1と同様にして作成した原反フィルムを圧延し、
さらに横延伸およびタテ延伸を行なった後、ヒートセッ
トを施した。得られたフィルムの最大表面粗さを実施例
1と同様の方法で測定した。加工条件および最大表面粗
さ測定結果を表1に示す。
さらに横延伸およびタテ延伸を行なった後、ヒートセッ
トを施した。得られたフィルムの最大表面粗さを実施例
1と同様の方法で測定した。加工条件および最大表面粗
さ測定結果を表1に示す。
実施例6
実施例8で得られたフィルムの両面にスパッタリング法
により軟磁性層として平均膜厚8000 A (7)パ
ーマロイを飛着させ、ついで同(1B) じくスパッタリング法により20%0r−Co合金を飛
着させ、平均膜厚5000Aの垂直磁化膜を容易にかつ
安定して形成することができた。
により軟磁性層として平均膜厚8000 A (7)パ
ーマロイを飛着させ、ついで同(1B) じくスパッタリング法により20%0r−Co合金を飛
着させ、平均膜厚5000Aの垂直磁化膜を容易にかつ
安定して形成することができた。
比較例6
ナフタレートポリエステルの50μの押出フィルムを用
いて実施例4と同様の方法にて、パーマロイおよび20
%Or −(3o 合金の飛着を試みたが、スパッタリ
ングによりフィルムが変形し、良好な製品は得られなか
った。
いて実施例4と同様の方法にて、パーマロイおよび20
%Or −(3o 合金の飛着を試みたが、スパッタリ
ングによりフィルムが変形し、良好な製品は得られなか
った。
比較例7〜8
市販ホリエステルフィルム(東し、ルミラー[F])5
0μ品およびポリイミドフィルム(Dupont 、
Kapton(9Hタイプ)50μ品を用いて各々実施
例4と同様の方法にてパーマロイおよび20%0r−C
o合金の飛着を試みたが、ルミラー[F]は、耐熱性が
低いため生産性は極めて悪く実用的ではなかった。
0μ品およびポリイミドフィルム(Dupont 、
Kapton(9Hタイプ)50μ品を用いて各々実施
例4と同様の方法にてパーマロイおよび20%0r−C
o合金の飛着を試みたが、ルミラー[F]は、耐熱性が
低いため生産性は極めて悪く実用的ではなかった。
またKapton■については吸湿した水分により高真
空が得られず磁性層とフィルムとの密着(14) 性が悪く容易に剥離してしまった。また剥離前の状態で
も平面平滑性不良で良好な製品は得られなかった。
空が得られず磁性層とフィルムとの密着(14) 性が悪く容易に剥離してしまった。また剥離前の状態で
も平面平滑性不良で良好な製品は得られなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) ナフタレートポリエステルフィルムを分子配向
およびヒートナツトしてなる、最大表面粗さが500X
以下である垂直磁化用ベースフィルム。 (2) ナフタレートポリエステルフィルムに少くとも
80即/−以上の後方張力を付与し60℃以上160℃
以下の温度範囲にある対をなす加圧ロールにより少くと
も1004Δ以上の線圧にて1.5〜5倍にロール圧延
し、200℃以上融点以下の温度で熱固定することを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の重置磁化用ベ
ースフィルム。 (8) ナフタレートポリエステルフィルムに少くと、
も80 即/d以上の後方張力を付与し、60℃以上1
60℃以下の温度範囲にある対をなす加圧ロールにより
少くとも100 K910n以上の線圧にて1.5〜5
倍にロール圧延し、フィルム巾方向に120℃以上16
0℃以下の温度で1.5〜5倍に延伸し、さらに200
℃以上融点以下の温度で熱固定することを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載の垂直磁化用ベースフィル
ム。 (4) ナフタレートポリエステルフィルムに少くとも
804/d以上の後方張力を付与し、60℃以上160
℃以下の温度範囲にある対をなす加圧ロールにより少く
ともl 00 jf/am以上の線圧にて1.5〜5倍
にロール圧延し、120℃以上、160℃以下の温度で
フィルム巾方向に1.5〜5倍、フィルム長さ方向に1
y、1〜2倍それぞれ延伸し、さらに200℃以上融点
以下の温度で熱固定することを特徴とする特許請求の範
囲第(1)項記載の垂直磁化用ベースフィルム・ (5) ナフタレートポリエステルフィルムを120℃
以上、160℃以下の温度でフィルム長さ方向および/
又はフィルム巾方向に1.5〜5倍にそれぞれ延伸し、
さらに200℃以上融点以下の温度で熱固定することを
特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の垂直磁化用
ベースフィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP694784A JPS60150232A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 垂直磁化用ナフタレ−トポリエステルフイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP694784A JPS60150232A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 垂直磁化用ナフタレ−トポリエステルフイルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60150232A true JPS60150232A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11652421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP694784A Pending JPS60150232A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 垂直磁化用ナフタレ−トポリエステルフイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60150232A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0625442A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-02-01 | Teijin Ltd | 磁気記録テープ用ベースフイルム |
WO1994029374A1 (fr) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Nkk Corporation | Film constitue d'une resine polyethylene- 2,6-naphtalate, procede de production d'un tel film, et enveloppement realise au moyen dudit film |
Citations (4)
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JPS4843198A (ja) * | 1971-10-02 | 1973-06-22 | ||
JPS5046303A (ja) * | 1973-08-29 | 1975-04-25 | ||
JPS59203230A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Teijin Ltd | 二軸配向ポリエステルフイルム |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP694784A patent/JPS60150232A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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