JPS60146251A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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- JPS60146251A JPS60146251A JP59003798A JP379884A JPS60146251A JP S60146251 A JPS60146251 A JP S60146251A JP 59003798 A JP59003798 A JP 59003798A JP 379884 A JP379884 A JP 379884A JP S60146251 A JPS60146251 A JP S60146251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- photoreceptor
- si2h6
- glow discharge
- material gas
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
水元ＩＪ」ｉ−、ｉアモルファスンリコンを用いた感光
体に関し、特にジンランを主原料とした窒素及びボロン
奮含むアモルファスソリコンを利用した電子写真感光体
の製造方法に関するものである。
体に関し、特にジンランを主原料とした窒素及びボロン
奮含むアモルファスソリコンを利用した電子写真感光体
の製造方法に関するものである。
〈従来技術〉
一般１／Ｃ電子写真用感光体材料としては硫化カドミニ
ウム（ＣｄＳ）、アモルファスセレン（ａ−８ｅ）、ア
モルファスセレン化ヒｉ’（Ａｓ２Ｓｅ３）がよ＜用い
られて来た。Ｃｄ Ｓ ｔ”Ｊ樹脂分散系として用いら
れるために機織的強度がなく耐久性を欠くという欠点が
あり、ａ−８ｅはバンドギャップが広いために長波長感
度がない上に、熱的に不安定で高？７１７１になると結
晶化し、感光体としての動作をしなくなる。又、ａＡｓ
２Ｓｅ ３は熱的に不安定であムＡｓという人体にと
って非常に有害な物質を含むため好ましくない感光体月
別である。更にＣｄ及びＳｅについても人体に有害な物
質であり感光体としては好ましくない利料である。
ウム（ＣｄＳ）、アモルファスセレン（ａ−８ｅ）、ア
モルファスセレン化ヒｉ’（Ａｓ２Ｓｅ３）がよ＜用い
られて来た。Ｃｄ Ｓ ｔ”Ｊ樹脂分散系として用いら
れるために機織的強度がなく耐久性を欠くという欠点が
あり、ａ−８ｅはバンドギャップが広いために長波長感
度がない上に、熱的に不安定で高？７１７１になると結
晶化し、感光体としての動作をしなくなる。又、ａＡｓ
２Ｓｅ ３は熱的に不安定であムＡｓという人体にと
って非常に有害な物質を含むため好ましくない感光体月
別である。更にＣｄ及びＳｅについても人体に有害な物
質であり感光体としては好ましくない利料である。
上記のような電子写真用感光１４（に対して、ｉｐ）
：ｉ！ｌアモルファスンリコン（ａ−５ｉ）が注目され
ている。
：ｉ！ｌアモルファスンリコン（ａ−５ｉ）が注目され
ている。
特に水素で不飽和結合を安定化した水素化アモルファス
ソリコン（ａ−５ｉ ： Ｈ） ｉｄ：、一般にキャッ
プ中状態密度が少ないため価電子制御が可能というで感
度があり可視域全体にわたってずくれた光感度があると
いう特長を有する上に、ビッカース硬度が１５００〜２
０００に？／ｍＡ Ｌいう機械的強度のために耐久性が
期待される。又、Ｓｉなる元紫は人体に対して無害であ
るため無公害性も特徴の１つとなり有る。このようにａ
−５ｉ：Ｈは電子写真用感光体として用いることが出来
れば従来の物質にない秀れた特長を有してはいるが、そ
れ自身の比抵抗（ｐ）が〜１０９ｎｔｒｎと感光体とし
て必要な０〜１０１３０口より４ケタ小さいため十分な
帯電能がな（゛、単独では電子写真用感光体とはなり得
ず、種々の工夫のもとに使用されて来た。例えば比抵抗
をトげるために窒素とボロンを同時に添加することによ
り感光体として供されて米た〇一般にこれらの材料はグ
ロー放電分解法を利用し、原料ガスとしてＳｉＨ４’（
ｉ−用いるため所定の導電性支持体上に所望の特性を有
する電子写真用感光体を形成しようとする場合に、殊に
大面積の場合には全面積にわたってその膜厚並ひに電気
的、光学的、光導電的特性の均−化及び品質の均一化を
計りながらその成膜速度を増大させることは非常に困難
である。例えばＳ Ｉ Ｈ４の流量を増しグロー放電時
のＲＦ電力を増せばたし力）に成膜速度は増すが、上記
特性の不均一化及び低下が起こり好しくない。従って現
状ではＳｔＨ，＋ガスを使用する限り感光体に必要な厚
みを得るためには８〜ｌＯ時間が必要になり生産性及び
量産性の面から成膜速度の向上が望まれている。尚Ｓｉ
ＨおよびＳｉ２■Ｉ６を用いて作製される単なるａｓｉ
：Ｈ膜は、感光体に必要な程度に厚膜にした場合堆積
中の構造ストレスが太きいためひび割れやハクリ等の起
こる確率が高くなり実用に耐えない。
ソリコン（ａ−５ｉ ： Ｈ） ｉｄ：、一般にキャッ
プ中状態密度が少ないため価電子制御が可能というで感
度があり可視域全体にわたってずくれた光感度があると
いう特長を有する上に、ビッカース硬度が１５００〜２
０００に？／ｍＡ Ｌいう機械的強度のために耐久性が
期待される。又、Ｓｉなる元紫は人体に対して無害であ
るため無公害性も特徴の１つとなり有る。このようにａ
−５ｉ：Ｈは電子写真用感光体として用いることが出来
れば従来の物質にない秀れた特長を有してはいるが、そ
れ自身の比抵抗（ｐ）が〜１０９ｎｔｒｎと感光体とし
て必要な０〜１０１３０口より４ケタ小さいため十分な
帯電能がな（゛、単独では電子写真用感光体とはなり得
ず、種々の工夫のもとに使用されて来た。例えば比抵抗
をトげるために窒素とボロンを同時に添加することによ
り感光体として供されて米た〇一般にこれらの材料はグ
ロー放電分解法を利用し、原料ガスとしてＳｉＨ４’（
ｉ−用いるため所定の導電性支持体上に所望の特性を有
する電子写真用感光体を形成しようとする場合に、殊に
大面積の場合には全面積にわたってその膜厚並ひに電気
的、光学的、光導電的特性の均−化及び品質の均一化を
計りながらその成膜速度を増大させることは非常に困難
である。例えばＳ Ｉ Ｈ４の流量を増しグロー放電時
のＲＦ電力を増せばたし力）に成膜速度は増すが、上記
特性の不均一化及び低下が起こり好しくない。従って現
状ではＳｔＨ，＋ガスを使用する限り感光体に必要な厚
みを得るためには８〜ｌＯ時間が必要になり生産性及び
量産性の面から成膜速度の向上が望まれている。尚Ｓｉ
ＨおよびＳｉ２■Ｉ６を用いて作製される単なるａｓｉ
：Ｈ膜は、感光体に必要な程度に厚膜にした場合堆積
中の構造ストレスが太きいためひび割れやハクリ等の起
こる確率が高くなり実用に耐えない。
普通ａ−３ｉ：Ｈ（（感光体として使用する場合には感
光体としての十分な帯電能を得るための高抵抗化の方法
としてＢ ２Ｈ６’に添加するがρ〜ｌＯΩＱｎ程度の
抵抗値しか得られず十分な帯電能を得ることができない
。
光体としての十分な帯電能を得るための高抵抗化の方法
としてＢ ２Ｈ６’に添加するがρ〜ｌＯΩＱｎ程度の
抵抗値しか得られず十分な帯電能を得ることができない
。
〈発明の目的〉
本発明は、上記のような難点を克服すべくなされたもの
であって、生産的、量産的に極めて秀れ大面積にわたっ
て電気的、光学的、光導電的特性の秀れた均一外電子写
真感光体を提供するもので、ボロンの添加されたアモル
ファス窒化膜（ａ−５ｉ Ｎ ： Ｂ ： Ｈ）を作製
するにあたり、主原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６ガスを使用
してグロー放電分解法により電子写真用感光体を製造す
る。
であって、生産的、量産的に極めて秀れ大面積にわたっ
て電気的、光学的、光導電的特性の秀れた均一外電子写
真感光体を提供するもので、ボロンの添加されたアモル
ファス窒化膜（ａ−５ｉ Ｎ ： Ｂ ： Ｈ）を作製
するにあたり、主原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６ガスを使用
してグロー放電分解法により電子写真用感光体を製造す
る。
〈実施例〉
主原料ガスとしてＳｉ２Ｈ６、添加用ガスとしてＮＨ３
（７’ンモニア）、Ｂ２Ｈ６（ジボラン）を用いた場合
の例について述べる。添加用ガスとしては上記以外に種
々の窒素化合物硼素化合物例えばＮ２゜ＢＣ，１３，Ｂ
Ｆ３及び高次の水素化ボロン等も同様の効果を与える。
（７’ンモニア）、Ｂ２Ｈ６（ジボラン）を用いた場合
の例について述べる。添加用ガスとしては上記以外に種
々の窒素化合物硼素化合物例えばＮ２゜ＢＣ，１３，Ｂ
Ｆ３及び高次の水素化ボロン等も同様の効果を与える。
一般にａ−５ｉ：Ｈ膜は同一作製条件で作製しても各装
置で異なる諸物性を示すので、ここでは具体的な電子写
真用感光体を作製するまでを工程順に従って説明する。
置で異なる諸物性を示すので、ここでは具体的な電子写
真用感光体を作製するまでを工程順に従って説明する。
従って以下で説明する工程により作製すれば種々の作製
装置で同様の電子写真用感光体を得ることができる。
装置で同様の電子写真用感光体を得ることができる。
まず組成及び成膜条件の決定方法について説り１する。
作製装置としては容量結合型ＧＤ−ＣＶＤ装置を用いる
。その装置の真空槽内に表面が洗浄された厚さ１ｍｍ、
２ｃｍ角の基板（Ｃ＃７０５９）を基板ホルダーに固定
し、真空槽内ｆＩＸＩＯ’ｔｏｒｒまで真空引きする。
。その装置の真空槽内に表面が洗浄された厚さ１ｍｍ、
２ｃｍ角の基板（Ｃ＃７０５９）を基板ホルダーに固定
し、真空槽内ｆＩＸＩＯ’ｔｏｒｒまで真空引きする。
その間基板は加熱用ヒーターで２５０℃の温度に加熱保
持される。次に主原料ガスＳｉ２Ｈ６’に９０ｓｃｃｍ
、添加用ガスＮＨ３ｆ３ｓｃｃｒｎ夫々真空槽内に導入
しガス圧１ｔｏｒｒ、ＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ出力
３００Ｗの条件でグロー放電プラズマを発生させ約１０
分間で約２μｍの膜を作製する。基板上のａ−５ｉＮ：
Ｈにっｂて暗抵抗ρｄ、及びＨｅ−Ｎｅ レーザ（λ＝
６３２８Ａ）、０．８ｍＷの光照射下での明抵抗ρｐｔ
夫々測定する。窒素濃度の抵抗依存性を確認するため同
様に５ｘ２Ｈ６ｆｌ一定（９０ｓｅｃｍ）とし、ＮＨ３
＝９．２７．８１ （ｓｃ ｃｍ）の３種について膜作
製、各抵抗値を測定する。必要に応じてＮＨ８流量範囲
は変える。第１図はその測−定結果を示しｐｄ、ρｐ共
にＮＨ３の添加量を増加してゆく過程で極小値をとるこ
とが判る。
持される。次に主原料ガスＳｉ２Ｈ６’に９０ｓｃｃｍ
、添加用ガスＮＨ３ｆ３ｓｃｃｒｎ夫々真空槽内に導入
しガス圧１ｔｏｒｒ、ＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ出力
３００Ｗの条件でグロー放電プラズマを発生させ約１０
分間で約２μｍの膜を作製する。基板上のａ−５ｉＮ：
Ｈにっｂて暗抵抗ρｄ、及びＨｅ−Ｎｅ レーザ（λ＝
６３２８Ａ）、０．８ｍＷの光照射下での明抵抗ρｐｔ
夫々測定する。窒素濃度の抵抗依存性を確認するため同
様に５ｘ２Ｈ６ｆｌ一定（９０ｓｅｃｍ）とし、ＮＨ３
＝９．２７．８１ （ｓｃ ｃｍ）の３種について膜作
製、各抵抗値を測定する。必要に応じてＮＨ８流量範囲
は変える。第１図はその測−定結果を示しｐｄ、ρｐ共
にＮＨ３の添加量を増加してゆく過程で極小値をとるこ
とが判る。
−次に上記極小値の流量比（本実施例ではＮｌ−１３７
５１２Ｈ６〜１０ ’）で添加したＮＨ３・Ｓｉ２Ｈ６
ガスに対して更にＢ２Ｈ６を添加し、ｃｄ、ρｐのＢ２
■］６依存性を調べる。作製条件はＳｉ２Ｈ６＝９０ｓ
ｅｃｍ＋ＮＨ３＝９ｓｅｃｍ ｋ一定としボロン添加用
ガスとしてＨ２希釈Ｂ２Ｈ６ガス（０３％Ｂ２Ｉ■６ｍ
Ｈ２）ヲ用い、流量１０，３０，９０，２７０ｓｃｃｒ
ｎと変化させて同様に各抵抗値を測定する。第２図はそ
の結果であり、Ｂ２１１６／（Ｓｌ ２Ｈ６＋ＮＨａ
）＝１０ ”でｃｄ”ｌ ｏ ”Ωａｎとなり電子写真
用感光体として十分な比抵抗を有し、またこの混合割合
でρｐ〜１０ Ｑｏｎであるから光感度として６ケタ変
化する。このようにあるホロン量で電子写真用感光体と
して十分な特性を有する組成（補償領域）が存在する。
５１２Ｈ６〜１０ ’）で添加したＮＨ３・Ｓｉ２Ｈ６
ガスに対して更にＢ２Ｈ６を添加し、ｃｄ、ρｐのＢ２
■］６依存性を調べる。作製条件はＳｉ２Ｈ６＝９０ｓ
ｅｃｍ＋ＮＨ３＝９ｓｅｃｍ ｋ一定としボロン添加用
ガスとしてＨ２希釈Ｂ２Ｈ６ガス（０３％Ｂ２Ｉ■６ｍ
Ｈ２）ヲ用い、流量１０，３０，９０，２７０ｓｃｃｒ
ｎと変化させて同様に各抵抗値を測定する。第２図はそ
の結果であり、Ｂ２１１６／（Ｓｌ ２Ｈ６＋ＮＨａ
）＝１０ ”でｃｄ”ｌ ｏ ”Ωａｎとなり電子写真
用感光体として十分な比抵抗を有し、またこの混合割合
でρｐ〜１０ Ｑｏｎであるから光感度として６ケタ変
化する。このようにあるホロン量で電子写真用感光体と
して十分な特性を有する組成（補償領域）が存在する。
以上の場合はρｄ極小乏なるＮＨ８／５１２Ｈ６流量比
でＢ２１１６添加量を決定したが、ｃｄのＮＨ３／５１
２Ｈ６依存性がゆるやかに変化しているために、極小流
量比以外でも容易に電子写真用感光体に必要な比抵抗を
得ることができる。第３図にはＳｉ Ｈ＝９０ｓｃｃｍ
、ＮＨ３＝３ｓｅｃｍの場合の６ Ｂ２Ｈ６添加依存性を抛４図にはＳ ｉ ２Ｈ６＝９０
ｓ ｃ （！ｍｌＮＨ３＝２７ｓｃｃｍ の場合のＢ
２Ｈ６添加依存性を示す。共に電子写真用感光体に必要
な比抵抗（ρ〜１０′３ΩＣｒｎ）及び光感度（ρｄ／
ｌ〜ＩＯＪ を有する組成比（補償領域）が存在する。
でＢ２１１６添加量を決定したが、ｃｄのＮＨ３／５１
２Ｈ６依存性がゆるやかに変化しているために、極小流
量比以外でも容易に電子写真用感光体に必要な比抵抗を
得ることができる。第３図にはＳｉ Ｈ＝９０ｓｃｃｍ
、ＮＨ３＝３ｓｅｃｍの場合の６ Ｂ２Ｈ６添加依存性を抛４図にはＳ ｉ ２Ｈ６＝９０
ｓ ｃ （！ｍｌＮＨ３＝２７ｓｃｃｍ の場合のＢ
２Ｈ６添加依存性を示す。共に電子写真用感光体に必要
な比抵抗（ρ〜１０′３ΩＣｒｎ）及び光感度（ρｄ／
ｌ〜ＩＯＪ を有する組成比（補償領域）が存在する。
次に上記補償領域内から選ばれた組成でＮＨ３ガス及び
Ｂ２Ｈ６ガスを添加したＳｉ２Ｈ６ガスを原料ガスとし
て、電子写真用感光体ドラムを作製する。
Ｂ２Ｈ６ガスを添加したＳｉ２Ｈ６ガスを原料ガスとし
て、電子写真用感光体ドラムを作製する。
表面が十分に平滑でかつ洗浄されたＡｔ製ドラムを真空
槽内に入れ真空ポンプで真空引きしながら加熱用ヒータ
ーで基板温度全２５０°に保持し、到達真空度が１ｘｌ
Ｏ−６ｔｏｒｒになるようにする。次に原料ガス５ｉ２
Ｈ６＝９０ｓｃｃｒｎ、ＮＨ３＝９ｓｃｃｍ。
槽内に入れ真空ポンプで真空引きしながら加熱用ヒータ
ーで基板温度全２５０°に保持し、到達真空度が１ｘｌ
Ｏ−６ｔｏｒｒになるようにする。次に原料ガス５ｉ２
Ｈ６＝９０ｓｃｃｒｎ、ＮＨ３＝９ｓｃｃｍ。
Ｂ２Ｉ］６（Ｉ］２希釈）＝３０ｓｅｃｍｋ真空槽内に
導入しカス圧を１ｔｏｒｒと一定にし１３．５６ＭＨｚ
の高周波１ａｏｏｗで印加し約２時間グロー放電プラズ
マを発生させドラム上にａ−５ｉＮ：Ｂ：Ｈ膜を作製す
る０ 以上のように作製されたａ−５ｉＮ：Ｂ二Ｈ感光体ドラ
ム全帯電露光用実験装置に設置し＋６．ＯＫＶのコロナ
放電によって正帯電を行い波長６３５ｎｒｎ光量５−５
ｐ Ｗの発光ダイオードを用いて露光を行なったとこ
る帯電能〜４０■／μｍ半減露光量約５ｅｒｇ／ｃｒｉ
の極めて良好な帯電露光特性を示し、また市販の複写機
に同一ドラムを設置し画像出しを行ったところ解像力に
秀れ階調再現性のよい解り］な高濃度の画像が得られた
。尚このドラムの膜厚は約２５μｍであった。
導入しカス圧を１ｔｏｒｒと一定にし１３．５６ＭＨｚ
の高周波１ａｏｏｗで印加し約２時間グロー放電プラズ
マを発生させドラム上にａ−５ｉＮ：Ｂ：Ｈ膜を作製す
る０ 以上のように作製されたａ−５ｉＮ：Ｂ二Ｈ感光体ドラ
ム全帯電露光用実験装置に設置し＋６．ＯＫＶのコロナ
放電によって正帯電を行い波長６３５ｎｒｎ光量５−５
ｐ Ｗの発光ダイオードを用いて露光を行なったとこ
る帯電能〜４０■／μｍ半減露光量約５ｅｒｇ／ｃｒｉ
の極めて良好な帯電露光特性を示し、また市販の複写機
に同一ドラムを設置し画像出しを行ったところ解像力に
秀れ階調再現性のよい解り］な高濃度の画像が得られた
。尚このドラムの膜厚は約２５μｍであった。
感光体特性にすぐれたドラムは、土に記した組成比以外
に第３図及び第４図の補償領域でも作製され、たとえ量
産中に何らかの原因で最適の組成比からすれても、Ｂ２
Ｈ６の流量を少々補正するたりで安定して良好なドラム
を作製することができ、生産性に秀れている。又５１２
Ｈ６にＮＨ３やＢ２■Ｉ６を添加しても成膜速度はほと
んど変化しないため、添加用ガスによる主原料ガスの希
釈でドラム作製時間が延長される心配がなくＳｉＨ４ガ
スを原料とする場合に比べて５〜１０倍の成膜速度が得
られ、経済性に秀れた安定生産が可能になる。特にＳｉ
Ｈガスの代りに５ｉ２１１６ガスを用いることによって
成膜速度が向上するため窒素及びボロンの添加効率が悪
くなり、原料ガス比の広範囲の領域で感光体に必要な比
抵抗が得られやすくなる。例えばＳ ＩＨ４ガスの場合
窒素添加用ガスとの混合比において比抵抗が極小になる
値がありそこでボロン添加用ガスを補償に必要なだけ添
加して感光体に必要な高抵抗化がなされているが、５ｊ
２Ｉ］６カス全使用する場合成膜速度が速（添加効率が
悪いため、窒素添加する場合にＳ Ｉ Ｈ４の場合と同
し混合比の範囲では比抵抗の変化がゆるやかになり感光
体に必要な比抵抗を得る補償領域が実効的に増えたこと
になる。従って高抵抗化し得る窒素添加用ガス流量範囲
が広がったことになり組成の制御がしやすく生産性の面
で安定した材料を供給しつる。
に第３図及び第４図の補償領域でも作製され、たとえ量
産中に何らかの原因で最適の組成比からすれても、Ｂ２
Ｈ６の流量を少々補正するたりで安定して良好なドラム
を作製することができ、生産性に秀れている。又５１２
Ｈ６にＮＨ３やＢ２■Ｉ６を添加しても成膜速度はほと
んど変化しないため、添加用ガスによる主原料ガスの希
釈でドラム作製時間が延長される心配がなくＳｉＨ４ガ
スを原料とする場合に比べて５〜１０倍の成膜速度が得
られ、経済性に秀れた安定生産が可能になる。特にＳｉ
Ｈガスの代りに５ｉ２１１６ガスを用いることによって
成膜速度が向上するため窒素及びボロンの添加効率が悪
くなり、原料ガス比の広範囲の領域で感光体に必要な比
抵抗が得られやすくなる。例えばＳ ＩＨ４ガスの場合
窒素添加用ガスとの混合比において比抵抗が極小になる
値がありそこでボロン添加用ガスを補償に必要なだけ添
加して感光体に必要な高抵抗化がなされているが、５ｊ
２Ｉ］６カス全使用する場合成膜速度が速（添加効率が
悪いため、窒素添加する場合にＳ Ｉ Ｈ４の場合と同
し混合比の範囲では比抵抗の変化がゆるやかになり感光
体に必要な比抵抗を得る補償領域が実効的に増えたこと
になる。従って高抵抗化し得る窒素添加用ガス流量範囲
が広がったことになり組成の制御がしやすく生産性の面
で安定した材料を供給しつる。
く効果〉
以上本発明にＬ：ｈば電子写真用感光体に必要な電気的
のみならす機械的特性全備えた光導電層を速い速度で成
膜させることができ感光体製造のための生産性を著しく
一改善することができる。
のみならす機械的特性全備えた光導電層を速い速度で成
膜させることができ感光体製造のための生産性を著しく
一改善することができる。
第１図はｃｄ（暗抵抗）、ρｐ（明抵抗）のＮＨ３依存
性を示す図、第２図はｃｄ、ρｐのＢ２■Ｉ６依存性を
示す図、第３図及び第４図は異なるＮＨ３流量における
ρｄ、ρｐのＢ２Ｈ６依存性を示す図である。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１図
第２７゛ 第３１ ４゜図
性を示す図、第２図はｃｄ、ρｐのＢ２■Ｉ６依存性を
示す図、第３図及び第４図は異なるＮＨ３流量における
ρｄ、ρｐのＢ２Ｈ６依存性を示す図である。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）第１図
第２７゛ 第３１ ４゜図
Claims (1)
- １）導電性支持体上に光導電層としてアモルファスセレ
ンを形成してなる電子写真用感光体の製造法において、
光導電層であるアモルファスソリコンは主原料ガスとし
て５１２１１６（ジンラン）衾用いてグロー放電法によ
り製造され、上記主原料カスに同時に窒素とボロンが添
加され不飽和結合を水素又は水素及びフッ素で安定化し
たことを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003798A JPS60146251A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 電子写真用感光体の製造方法 |
| DE19853500381 DE3500381A1 (de) | 1984-01-10 | 1985-01-08 | Verfahren zur herstellung eines elektrophotographischen photorezeptors |
| GB08500649A GB2154013B (en) | 1984-01-10 | 1985-01-10 | Manufacturing electrophotographic photoreceptor comprising amorphous silicon |
| US06/902,042 US4666816A (en) | 1984-01-10 | 1986-08-26 | Method of manufacturing an amorphous Si electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003798A JPS60146251A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60146251A true JPS60146251A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11567211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59003798A Pending JPS60146251A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4666816A (ja) |
| JP (1) | JPS60146251A (ja) |
| DE (1) | DE3500381A1 (ja) |
| GB (1) | GB2154013B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087580A (en) * | 1996-12-12 | 2000-07-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Semiconductor having large volume fraction of intermediate range order material |
| US6214705B1 (en) * | 1998-12-15 | 2001-04-10 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating a gate eletrode |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2100759B (en) * | 1977-12-22 | 1983-06-08 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
| US4394425A (en) * | 1980-09-12 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer |
| US4394426A (en) * | 1980-09-25 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
| GB2088628B (en) * | 1980-10-03 | 1985-06-12 | Canon Kk | Photoconductive member |
| JPS57177156A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Canon Inc | Photoconductive material |
| US4536460A (en) * | 1981-11-09 | 1985-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| US4423133A (en) * | 1981-11-17 | 1983-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of amorphous silicon |
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| US4460669A (en) * | 1981-11-26 | 1984-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si and C, U or D and dopant |
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Also Published As
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