JPS6014409B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6014409B2 JPS6014409B2 JP8446578A JP8446578A JPS6014409B2 JP S6014409 B2 JPS6014409 B2 JP S6014409B2 JP 8446578 A JP8446578 A JP 8446578A JP 8446578 A JP8446578 A JP 8446578A JP S6014409 B2 JPS6014409 B2 JP S6014409B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度記録に適する磁気テープ等の磁気録音
、銭国用の磁気記録媒体の製法の改良を目的とし、特に
記録層を強磁性金属薄膜とする記録媒体を真空蒸着法で
製造する上での改良に関する。
、銭国用の磁気記録媒体の製法の改良を目的とし、特に
記録層を強磁性金属薄膜とする記録媒体を真空蒸着法で
製造する上での改良に関する。
近年、磁気記録は高密度化指向が強く、これに有利な金
属薄膜形磁気記録媒体の開発が進められている。薄膜化
技術として真空黍着法、イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法、気相蒸着法、湿メッキ法等の有用性は既
に知られているところである。
属薄膜形磁気記録媒体の開発が進められている。薄膜化
技術として真空黍着法、イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法、気相蒸着法、湿メッキ法等の有用性は既
に知られているところである。
しかし、磁気記録に必要な薄膜の製法に課せられる要求
は厳しく、長尺を安定に得るに最も適した方法は、電子
ビーム蒸着法に代表される真空梨着法とこれの変形とし
て知られているイオンプレーティング法である。
は厳しく、長尺を安定に得るに最も適した方法は、電子
ビーム蒸着法に代表される真空梨着法とこれの変形とし
て知られているイオンプレーティング法である。
記録密度を向上するのに必要な保磁力の向上を達成する
には、特公昭４１−１９３８計号公報に開示されている
。
には、特公昭４１−１９３８計号公報に開示されている
。
いわゆる斜方蒸着が安定性の面で優れているが、この技
術では基材上にたてた法線と基材に差し向けられる蒸気
流のなす角で表わされる入射角が４５ｏ以上必要である
としており、例えば鉄の１０００Ａの膜で４５のｅの保
磁力をうるには７００以上の入射角が必要となり、原理
的に２竹ラジアンに渡って放射される蒸気流の、ごく一
部を使用するだけとなり、おのずと蒸着効率が下がる欠
点があった。本発明は、このような欠点に鑑み、入射角
の大きい成分のみによらずに高い保磁力を得ることで蒸
着効率の向上を図ることを目的としたものである。
術では基材上にたてた法線と基材に差し向けられる蒸気
流のなす角で表わされる入射角が４５ｏ以上必要である
としており、例えば鉄の１０００Ａの膜で４５のｅの保
磁力をうるには７００以上の入射角が必要となり、原理
的に２竹ラジアンに渡って放射される蒸気流の、ごく一
部を使用するだけとなり、おのずと蒸着効率が下がる欠
点があった。本発明は、このような欠点に鑑み、入射角
の大きい成分のみによらずに高い保磁力を得ることで蒸
着効率の向上を図ることを目的としたものである。
第１図に本発明を実施するための装置、第２図に本発明
により達成される保磁力と入射角の関係の一例を示し、
これに沿って本発明を説明する。
により達成される保磁力と入射角の関係の一例を示し、
これに沿って本発明を説明する。
第１図において、真空槽１内に蒸発源２と高分子成形物
よりなる基村３とを対向して配設する。記録層の形成の
説明のみに限ったので、簡略化した装置構成となってい
るが、多層構造を効率良く製造するための蒸発源数およ
び紙面に垂直な方向である基材の幅方向の均一葵着のた
めの蒸発源の形状、数量、配置関係は目的に応じて適宜
工夫されるものであり、説明を略した。そして基材３は
円筒状の回転キャン４の周側面に沿って移動するよう配
設される。
よりなる基村３とを対向して配設する。記録層の形成の
説明のみに限ったので、簡略化した装置構成となってい
るが、多層構造を効率良く製造するための蒸発源数およ
び紙面に垂直な方向である基材の幅方向の均一葵着のた
めの蒸発源の形状、数量、配置関係は目的に応じて適宜
工夫されるものであり、説明を略した。そして基材３は
円筒状の回転キャン４の周側面に沿って移動するよう配
設される。
キャン４の回転方向がＡ方向である時、５は基村３の捲
き出し軸、６は同捲き取り軸となる。またこれらを反転
可能なように構成し、Ａと逆方向にして薄膜形成を行っ
ても良いし、またそれに応じた蒸発源の複数配置も実施
態様の一つである。７はローラ系である。
き出し軸、６は同捲き取り軸となる。またこれらを反転
可能なように構成し、Ａと逆方向にして薄膜形成を行っ
ても良いし、またそれに応じた蒸発源の複数配置も実施
態様の一つである。７はローラ系である。
本発明の要点は、蒸発源にあり、最も効果あらしめるに
は、後述する蒸気流の噴射孔（ノズル）を煩斜させるこ
とにある。
は、後述する蒸気流の噴射孔（ノズル）を煩斜させるこ
とにある。
これにより、従来の斜方蒸着をさらに強調しうるのであ
る。また噴射孔より同時に、例えば酸素等の反応性気体
、または酸素とアルゴンの混合気体を噴射させることで
さらに効果を高めることもできる。上記蒸発源の構成は
、その一例を第１図に示したように、鉄族元素、または
それらの合金、または池元素を添加した強磁性材料２′
を気化するための抵抗加熱ボート８（加熱電源９に接続
される）を包囲した１個または複数個の噴射孔１０を有
するモリブデン等の耐熱材料で構成された脱着可能な容
器１１と、容器１１内に外部より気体を強制導入するた
めの調節弁１２とを有するとともに噴射蒸気の放射分布
を改善するために、補助筒１３を設けてある。
る。また噴射孔より同時に、例えば酸素等の反応性気体
、または酸素とアルゴンの混合気体を噴射させることで
さらに効果を高めることもできる。上記蒸発源の構成は
、その一例を第１図に示したように、鉄族元素、または
それらの合金、または池元素を添加した強磁性材料２′
を気化するための抵抗加熱ボート８（加熱電源９に接続
される）を包囲した１個または複数個の噴射孔１０を有
するモリブデン等の耐熱材料で構成された脱着可能な容
器１１と、容器１１内に外部より気体を強制導入するた
めの調節弁１２とを有するとともに噴射蒸気の放射分布
を改善するために、補助筒１３を設けてある。
なお、１４は真空排気系、１５は可変リーク弁、１６は
絶縁導入端子である。なお、蒸気化方法は、アーク法、
差圧式の電子ビーム加熱法などであっても良く本発明を
拘束するものではない。斜方蒸着の効果を高めるためと
同時に蒸着効率を高めることの調和をとった煩斜が選択
されるのであるが、少なくとも傾斜はＡ方向に対向する
方法（矢印Ｂで図示した方向）に選ぶのが好ましい。
絶縁導入端子である。なお、蒸気化方法は、アーク法、
差圧式の電子ビーム加熱法などであっても良く本発明を
拘束するものではない。斜方蒸着の効果を高めるためと
同時に蒸着効率を高めることの調和をとった煩斜が選択
されるのであるが、少なくとも傾斜はＡ方向に対向する
方法（矢印Ｂで図示した方向）に選ぶのが好ましい。
以下本発明の具体的実施例について説明する。
共通条件噴射孔径：約１４叫、容器内圧力：ｌＩＴｏｒ
ｒ強磁性材料：Ｃｏ、蒸発源一キャン距離：２２仇奴頃
斜角ａ：２０ｏ、キャン温度：３５ｏＣ実施例 １ 基材としてポリエチレンテレフタレートフイルム（１０
ｒ厚）を用い、Ｃｏ厚み０．０５ｒで保磁力４５０×を
得る入射角は２０ｏ 、またＣｏ厚み０．１山で同保磁
力を得る入射角は２〆であった。
ｒ強磁性材料：Ｃｏ、蒸発源一キャン距離：２２仇奴頃
斜角ａ：２０ｏ、キャン温度：３５ｏＣ実施例 １ 基材としてポリエチレンテレフタレートフイルム（１０
ｒ厚）を用い、Ｃｏ厚み０．０５ｒで保磁力４５０×を
得る入射角は２０ｏ 、またＣｏ厚み０．１山で同保磁
力を得る入射角は２〆であった。
実施例 ２
基材としてポリエチレンテレフタレートフィルム（１０
〆厚）を用い、その上に非磁性層（Ｔｉ）を３０ｏ以上
の斜方蒸着で０．０私形成したものを用い、Ｃｏ厚み０
．０＆で保磁力４５止おを得る入射角は１４０、またＣ
ｏ厚み０．１籍で同保磁力を得る入力角は１６０であっ
た。
〆厚）を用い、その上に非磁性層（Ｔｉ）を３０ｏ以上
の斜方蒸着で０．０私形成したものを用い、Ｃｏ厚み０
．０＆で保磁力４５止おを得る入射角は１４０、またＣ
ｏ厚み０．１籍で同保磁力を得る入力角は１６０であっ
た。
実施例 ３
基材としてポリフイルム（４．秋厚）を用い、非磁性層
は実施例２と同一にして、Ｃｏ厚み０．０５ｒで保磁力
４５はおを得る入射角は１が またＣｏ厚み０．１１仏
で同保磁力を得る入射角は１９０であった。
は実施例２と同一にして、Ｃｏ厚み０．０５ｒで保磁力
４５はおを得る入射角は１が またＣｏ厚み０．１１仏
で同保磁力を得る入射角は１９０であった。
また、鉄については基材をポリエチレンテレフタレート
フィルム（１蚊厚）とし、キャン温度：３ｙｏ〜４５ｑ
０、噴射孔径：１００一、容器内圧力：２Ｍｏｒｒ、榎
斜角ｏ：２６０ 、蒸発源一キャン距離：２５０肋で、
０．０７ム形成した時の入射角と保磁力の関係を従来の
公知の斜方蒸着と比較して第２図に示した。実施例１〜
３、並びに第２図より明らかなように、本発明により、
高保磁力の達成は、より低入射角側へシフトすることに
なり、結果的に蒸着効率は第２図の条件比較でも６倍〜
１３倍と大きくとれ、その有価値性が理解される。
フィルム（１蚊厚）とし、キャン温度：３ｙｏ〜４５ｑ
０、噴射孔径：１００一、容器内圧力：２Ｍｏｒｒ、榎
斜角ｏ：２６０ 、蒸発源一キャン距離：２５０肋で、
０．０７ム形成した時の入射角と保磁力の関係を従来の
公知の斜方蒸着と比較して第２図に示した。実施例１〜
３、並びに第２図より明らかなように、本発明により、
高保磁力の達成は、より低入射角側へシフトすることに
なり、結果的に蒸着効率は第２図の条件比較でも６倍〜
１３倍と大きくとれ、その有価値性が理解される。
また、第３図は、ガス効果を示すもので前述の鉄の系で
、導入ガスを酸素単独と、酸素１．０に対し０．４のＡ
ｒを導入した時の導入量と保磁力の関係で保磁力を倍加
させるほどの効果を物語っている。
、導入ガスを酸素単独と、酸素１．０に対し０．４のＡ
ｒを導入した時の導入量と保磁力の関係で保磁力を倍加
させるほどの効果を物語っている。
この効果は、他のＣｏ、Ｎｉ、ＣＯＮｉ合金等について
も広範囲に渡って認められた。
も広範囲に渡って認められた。
また可変リーク弁１５の調節により酸素を徴量関与させ
ることでさらに保磁力を高めることができるとともに、
磁場中蒸着を応用することでもさらに効果を強調できる
ことも併せ確認した。
ることでさらに保磁力を高めることができるとともに、
磁場中蒸着を応用することでもさらに効果を強調できる
ことも併せ確認した。
本発明に適用して、例えばポリエチレンテレフタレート
フイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイルム、
ポリエチレン２・６ナフタレートフィルムなどの高分子
成形物基材上に、Ｍ（）０．０４ｒ、Ｃｏｏ．０７ムを
交互に積層して得た（全厚０．３３仏）磁気記録媒体（
保磁力７８は史、角形比０．９８）は記録波長５〆以下
の短波長記録において現行品よりＳ／Ｎ比で数船の改善
をみることができた。以上のように本発明の製造方法に
よれば、高い裸磁力を有する磁気記録媒体を効率よく得
ることができるものであり、その産業性は大なるもので
ある。
フイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイルム、
ポリエチレン２・６ナフタレートフィルムなどの高分子
成形物基材上に、Ｍ（）０．０４ｒ、Ｃｏｏ．０７ムを
交互に積層して得た（全厚０．３３仏）磁気記録媒体（
保磁力７８は史、角形比０．９８）は記録波長５〆以下
の短波長記録において現行品よりＳ／Ｎ比で数船の改善
をみることができた。以上のように本発明の製造方法に
よれば、高い裸磁力を有する磁気記録媒体を効率よく得
ることができるものであり、その産業性は大なるもので
ある。
第１図は本発明の製造方法を実施するための装置の概略
断面正面図、第２図、第３図は磁気記録媒体の保磁力を
示す図である。 １・・・・・・真空槽、２・…・・蒸発源、２′・・・
・・・磁性材料、３・・…・基材、１０・・・・・・噴
射孔。 第１図第２図 第３図
断面正面図、第２図、第３図は磁気記録媒体の保磁力を
示す図である。 １・・・・・・真空槽、２・…・・蒸発源、２′・・・
・・・磁性材料、３・・…・基材、１０・・・・・・噴
射孔。 第１図第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空雰囲気内に高分子成形物よりなる基材と蒸発源
を対向して配設するとともに、磁性材料を加熱して得た
蒸気流を過冷却状態で噴射する噴射孔を設け、その噴射
孔を傾斜させてその噴射孔より噴射した蒸気流を基材に
差し向けて基材上に磁性層を形成することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 ２ 噴射孔より過冷却状態で噴射する磁性材料の蒸気流
とともに、反応性気体を同時に噴射することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8446578A JPS6014409B2 (ja) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8446578A JPS6014409B2 (ja) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5512548A JPS5512548A (en) | 1980-01-29 |
| JPS6014409B2 true JPS6014409B2 (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=13831366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8446578A Expired JPS6014409B2 (ja) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014409B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737740A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS57137462A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vacuum depositing method |
| JPH0439483A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Kubota Corp | 地下埋設配管 |
-
1978
- 1978-07-10 JP JP8446578A patent/JPS6014409B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5512548A (en) | 1980-01-29 |
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