JPS60143315A - 液晶光スイツチアレイ - Google Patents

液晶光スイツチアレイ

Info

Publication number
JPS60143315A
JPS60143315A JP58248159A JP24815983A JPS60143315A JP S60143315 A JPS60143315 A JP S60143315A JP 58248159 A JP58248159 A JP 58248159A JP 24815983 A JP24815983 A JP 24815983A JP S60143315 A JPS60143315 A JP S60143315A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
film
electrode substrate
optical switch
common electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58248159A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Umeda
梅田 高雄
Kazuya Oishi
一哉 大石
Tatsuo Ikawa
伊川 辰夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58248159A priority Critical patent/JPS60143315A/ja
Publication of JPS60143315A publication Critical patent/JPS60143315A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は液晶光スイッチアレイに係シ、特に解像度に優
れた液晶光スイッチアレイに関する。
〔発明の背景〕
電子計算機やパソコンの発展に伴い、その出力機器とし
て各種の印字装置が開発されている。特に最近ではノン
インパクトで、解像度が高く、印字速度の速いレーザ・
ビームプリンタが注目されている。しかし、この方式は
レーザ光をポリゴンミラーを用いて走査する機械的走査
方式であるため装置が大型になる。特に、レーザ発振器
や子種類にも及ぶ多くのレンズ群を用いるため、低コス
ト化、/J1型化に限界があり、広く普及するに致って
いない。これに対し、液晶光スイッチアレイを用いる方
式が提案されている。(特開昭57−63509号公報
参照)。この方式では印写ヘッド部が光源、液晶光スイ
ッチアレイ、光結偉素子の3つの要素のみから構成され
るため、印写ヘッド部がコンパクトになシ、コストも大
幅(レーザビームプリンタの1/2程度)に低減出来る
第1図は液晶光スイッチアレイを用いた光プリンタの構
成を示したものである。
感光体ドラム1は帯電器2のコロナ放電によって一様に
静電荷を帯びる。これに光源3、液晶光スイッチアレイ
4、光結像素子5からなる印写ヘッド6によって光が照
射されると感光体の性質によ9元の照射された填域の静
電荷のみが消失し、静電潜像が形成される。次に現像器
7によって電気的に極性を持ったトナーが感光体表面に
付着されると静電潜像が可視化される。次にカセットか
ら送られた用紙8が転写儲9に送られると電界の力によ
りトナー像が用紙上に転写され、さらに定着器10によ
り圧力や熱によりトナー像は用紙に定着され、永久像と
なる。感光ドラムに残留するトナーや表向電荷は清掃器
12や消去う/プ11により除去され、感光体は初期状
態にもどる。
第2図(a) 、 (b) 、 (C)は従来の液晶光
スイッチアレイにおいて用いられた信号電極基板13a
((a)図)共通電極基板:tab((b)図)の電極
形状と液晶光スイッチアレイの構造((C)図)を示し
たものであする複数個のストライプ状の透明導電膜15
からなシ、共通電極16は同様に解像度で決る幅を有す
る一本のストライプ状の透明導電膜15からなυ、信号
電極14と共通電極1にの対向する部分が光シヤツタ一
部となる。
液晶光スイッチアレイは両基板13a、13bの電極上
に配向処理膜17を形成後、電極面が対向するようにシ
ール材19を用いて一定間隔で組立て後、液晶材料18
を封入したものであシ、基板の外側に2枚の偏光板20
a、20bを設けている。
液晶光スイッチアレイの駆動方式としては印字のための
電気信号に応じて信号電極と共通電極間に印加する電圧
値を変えることによシ、光を透過させfcシ、光を遮断
しfc#)する。
液晶光スイッチアレイを印写ヘッドに用いる場合の重要
な特性は高速応答性と解像度(コントラスト)である。
従来、電卓や時計などに用いられているTN型゛液晶素
子は応答時間が数十In liiと長いためプリンタ用
液晶光スイツチアVイへの適用が離しい。そこで、応答
性を改善した二周波駆動液晶素子を用いる方式(特開昭
56−94377号公報)が知られ、また、本質的に高
速応答性に優れたカイラルスメクチックCやカイラルス
メクチックH液晶などの強誘電性液晶を用いる方式が提
案嘔れている。特に後者の方式は応答時間を1ms以下
にすることが出来るため、非常に有望である。もう1つ
の重要な特性は解像度であり、光シヤツタ一部以外の領
域での光の漏れが、この解像度を著しく低下させる。
第3図(a)は二周波駆動液晶素子の印加電圧Vと光透
過量の関係を示すグラフ、第3図(b)は強誘電性液晶
素子の印加電圧Vと光透過量の関係を示すグラフである
。二周波駆動液晶素子の場合、電圧が零の時、光の漏れ
はBICIとなり、実効電圧が飽和電圧v8よシも太き
くなると光透過量はB’sとなる。
一方、強誘電性液晶素子では二周波駆動液晶素子とは異
シ、直流電圧に応答し、正の直流電圧を印加すると光が
透過し漁の電圧を印加すると光が遮断される。印加電圧
が零の時の光の漏れ量BK2は飽和値Bgの約1/2に
も達し、二周波駆動液晶素子の場合の光の漏れ量BKl
の約5倍となる。
第2図に示すように液晶光スイッチアレイでは光シヤツ
タ一部以外の領域では液晶層に電圧が印加されないため
、光の漏れ量をB、oまで小さくすることが出来ず、B
N2となってしまう。
いずれ?方式にしても光シヤツタ一部以外の領域での光
の漏れが問題である。
また、共通電極16は複数の信号電極14に対向する様
に設けられるために、長くなシ、共通電極16の抵抗が
非常に大きくなる。このため、電圧降下を原因とする解
像度のムラが生じ易くなるという問題点を有している。
〔発明の目的〕
本発明の目的は光シヤツタ一部以外の領域での光の漏れ
を無くシ、かつ共通電極での電圧降下を防止することに
より解像度の高い液晶光スイッチアレイを提供すること
にある 〔発明の概要〕 上記目的を達成する本発明の特徴とするところ゛は、主
面に透明導電膜からなる複数の信号電極群が形成された
信号電極基板と、該信号電極基板の主面に対向する主面
に透明導・電膜からなる共通電極が形成される共通電極
基板と、上記信号電極基板と上記共通基板との間に保持
される液晶と、を具備する液晶光スイッチアレイに於い
て、上d己信号電極と上記共通電極とが対向する部分を
除いて、上記信号電極基板あるいは上記共通電極基板の
内側あるいは外側に、上記透明導電膜よシ低抵抗の光遮
断膜を設けることにある。
光遮断膜としては、Aue C’ I At、 pJ 
i及びこれらを主成分とする合金等の金属の単層膜、ま
たはこれらの単層を重ね合わせた多層膜が用いられる。
〔発明の実施例〕
〈実施例1ン 第4図は本発明の第1の実施例を示す図であシ、第4図
(a)は信号電極基板の平面図、第4図(b)は第4図
(a)のa−a’断面図、第4図(C)は第4図(a)
のb−b’断面図、第4図(d)は共通電極基板の平面
図、第4図(e)は第4図(d)のc−c’断面図、第
4図(f>は両基板の組立て状態を示す図である。
ガラス板21の表面に厚み800人の8jOa膜22を
形成し、その上に厚み400人で透明導電膜となるIn
xOs膜15を膜着5によシ形成、その上に厚み100
OAのニクロム膜23を蒸着し、さらに厚み1000人
で金24を蒸着する。
S j Ox膜22はガラス板からのNaの溶出を防ぐ
ために用いられる。光遮断膜として用いる金はInzO
s との密着力に劣るため、金24と1120315と
のインターフェースとしてニクロム膜23を用いた。金
蒸着後、ホトエツチングにより、金24、ニクロム膜2
3を除き、光シヤツタ一部を除く対向面に光遮断膜が設
けられる信号電極基板13a1共通電極基板13bを得
る。
金は抵抗率がきわめて低い良導体であるため、液晶パネ
ル駆動時の電圧降下は問題とならない。
両基板を用いて第4図(f)に示すような構成の液晶光
スイッチアレイを形成する。
配向処理膜(図示せず)はポリイミド系の樹脂膜をラビ
ング処理したもので、信号電極基板13aと共通電極基
板13bとの間に保持される液晶は63Cから95Gの
間でカイラルスメクチックC相を示すDOBAMBCで
アシ、液晶層の厚み′f:4μmとした。第4図(f)
の素子組み立て状態かられかるように光シャッタ部25
以外の領域は光透過率が著しく小さい(1チ以下)金魚
着膜が設けられているため光シャッタ部以外の領域での
漏れ光量をほぼ完全に除去できる。
この結果、応答時間0.2ms、コントラスト15解像
度lO本/ws以上ときわめて優れfc特性を有するこ
とを本発明者等は確認している。
なお、透明導電膜の材質としてIn2O3を用いたが8
0203でも良いし、InaOaと5n203 の混合
物でも良い。
また、光遮断膜としてニクロムと金の二層構造膜を用い
たが、クロム蒸7flIX単独でも良い。
〈実施例2ン 第5図は第2の実施例を示す図である。
第5図(a)は信号電極基板13aの平面図、第5図(
b)は第5図(a)のa−a’断面図であり、第4図(
a)、 (b)、 (C)との違いは光遮断膜としてク
ロム膜26を用いたことにある。また第5図(C)は共
通電極基板13bの平面図、第5図(d)は第5図(C
)のbb/断面図、第5図(e)は第5図(C)のc 
c/断面図を示すが、第4図(d)、(e)との違いは
素子組立て時に信号電極の光遮断腰部と重なる領域とな
る部分では光遮断膜を設けていないことである。また、
他の領域ではクロム膜26を形成する。
素子組立て状態を第5図(f)に示すが、第4図の実施
例と同様、光シヤツタ部25以外の領域は光透過率が著
しく小さい(1チ以下)クロム蒸層膜が設けられている
ため光シャッタ部以外の領域での漏れ光量をはぼ完全に
除去できるう 〈実施例3〉 なお、第5図の信号電極基板13bにおいて、・ 領域
27はエツチングによjlJInz03膜15を除去し
ているが、除去しているが、除去しなくても同じ効果が
得られることは言うまでもない。
この場合の信号電極基板13bの平面図及び断面図を本
発明の第3の実施例として第6図(a)、 (b)に示
す。第6図(b)は第6図(a)のc−c’萌断面であ
ろう 尚、第5図及び第6図に示す実施例に於いては、クロム
膜の場合、ハンダがのらないため基板からのリード線取
出しは導電ゴムなどを用いる必要がある。
〈実施例4〉 第7図は第4の実施例を示す図であり、第7図(a)は
信号電極基板13aの平面図、第7図(b)は第7図(
a)のa−a’断面図、第7図(C)は共通電極基板1
3bの平面図、第7図(Φは第7図(C)のb−b’断
面図、第7図(e)は第7図(C)のCC/断面図であ
る。
本実施例は電極基板からリード線をハンダ付けによシ、
取出すために、リード線の取出し部となる場所にクロム
蒸溜膜の上にさらに金蒸着膜24を設けた・ものである
。リード線をノ・ンダ付けにより取出す場合、ノ・ンダ
付は面は鋼の膜で・あることが密着力など信頼性の面か
ら望ましい。銅の膜はクロム膜との密着力が悪いが、金
の膜とは密着力が良く、メッキ法によシ簡単に金の上に
鋼の膜を形成できる。
〈実施例5ン 実施例1〜4においては光遮断膜を基板の電極側に設け
る方式について述べたが、電極面と反対側(外側)に設
けることも可能である。第8図は共通電極基板に通用し
た場合を示し、、第8図(a)は共通電極基板13bの
平面図、第8図(b)は第8図(a)のa −a ’断
面図でめる、 第2図(a)に示す共通電極基板13bの電極面と反対
側のガラス面にカーボンブラックの塗料28金光シャッ
タ部となる領域を除く全領域に印刷によシ形成したもの
でおる。基板の外側に光遮断効果のある導電膜を設けた
。場合、この膜を素子温度上昇のためのヒータとして使
用できる効果がある。
・特に液晶としてカイラルスメクチックC相を示すDO
BAMBC′t−用いる場合には液晶の温度を63C〜
95Cの温度範囲に維持する必要があシ、ヒータの使用
は不可欠になる。
この場合の光遮断膜は素子の外側に設けられるため液晶
との化学反応などが生じないため、銅など、光遮断効果
のあるすべての一14it111Xを使用することが出
来る。
〔発明の効果〕
本発明によれば光遮断膜の形成によシ、元シャッタ部以
外の領域での光の漏れを防止し、かつ共通電極での電圧
降下が防止できるため、解像度がきわめて高い液晶光ス
イッチアレイを得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は液晶光スイッチアレイ式印写ヘッドを用いたプ
リンタの構造を示す図、第2図は従来の液晶光スイッチ
アレイの基板及び組立て状態を示す図、第3図は二周波
駆動液晶素子及び強誘電性液晶素子の印加電圧と光透過
量の関係を示す図、第4図から第8図は本発明の実施例
を示す平面図及び断面図である。 13a・・・信号電極基板、13b・・・共通電極基板
。 第1図 1υ 第2図 ttb 第1+図 第5図 1り 第C図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、主面に透明導電膜からなる複数の信号電極群が形成
    された信号電極基板と、該信号電極基板の主面に対向す
    る主面に透明導電膜からなる共通電極が形成される共通
    電極基板と、上記信号電極基板と上記共通基板との間に
    保持される液晶とを具備する液晶光スイッチアレイに於
    いて、上記信号電極と上記共通電極とが対向する部分を
    除いて、上記信号電極基板あるいは上記共通電極基板の
    内側あるいは外側に、上記透明導電膜よシ低抵抗の光遮
    断膜を設けることを特徴とする液晶光スイッチプレイ。 2、特許請求の範囲第1項に於いて、上記液晶は、強誘
    電性液晶であることを特徴とする液晶光スイッチアレイ
    。 3、%許請求の範囲第2項に於いて、上記強誘電性液晶
    はカイラルスメクチックC相あるいはカイラルスメクチ
    ックH相を示す液晶であることを特徴とする液晶光スイ
    ッチアレイ。
JP58248159A 1983-12-29 1983-12-29 液晶光スイツチアレイ Pending JPS60143315A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58248159A JPS60143315A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 液晶光スイツチアレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58248159A JPS60143315A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 液晶光スイツチアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60143315A true JPS60143315A (ja) 1985-07-29

Family

ID=17174096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58248159A Pending JPS60143315A (ja) 1983-12-29 1983-12-29 液晶光スイツチアレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60143315A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62135119U (ja) * 1986-02-17 1987-08-25
JPS62270921A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Casio Comput Co Ltd 液晶装置
JPS6429818A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Toppan Printing Co Ltd Electrode plate for display device
JPS6484224A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Casio Computer Co Ltd Electrode forming method
EP0321797A2 (en) * 1987-12-14 1989-06-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Liquid crystal cell array and method for driving the same
US7081929B2 (en) * 2002-02-05 2006-07-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal shutter panel, an optical printer head and a method for manufacturing the liquid crystal shutter panel

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62135119U (ja) * 1986-02-17 1987-08-25
JPS62270921A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Casio Comput Co Ltd 液晶装置
JPS6429818A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Toppan Printing Co Ltd Electrode plate for display device
JPS6484224A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Casio Computer Co Ltd Electrode forming method
EP0321797A2 (en) * 1987-12-14 1989-06-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Liquid crystal cell array and method for driving the same
US7081929B2 (en) * 2002-02-05 2006-07-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal shutter panel, an optical printer head and a method for manufacturing the liquid crystal shutter panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI285780B (en) Liquid crystal display device
US8107038B2 (en) Liquid crystal display device with light-shielding color filter pattern and method for fabricating the same
US7576721B2 (en) Display device substrate and liquid crystal display device having the same
US10437115B2 (en) Liquid crystal display device
US20070024790A1 (en) Method of fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure
US7570330B2 (en) Liquid crystal display cell and liquid crystal display
JP4813050B2 (ja) 表示板及びこれを含む液晶表示装置
JP2600929B2 (ja) 液晶画像表示装置およびその製造方法
WO2000041033A1 (fr) Substrat de dispositif a cristaux liquides et son procede de fabrication
US20020127857A1 (en) Active matrix substrate and method for producing the same
JPS60143315A (ja) 液晶光スイツチアレイ
GB2139394A (en) Optical modulating element and method for driving the same
JP3777201B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
JPH1020338A (ja) 液晶表示装置
US20080191211A1 (en) Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device
JP3083712B2 (ja) 液晶表示装置
JPH07111521B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPS58130321A (ja) 光スイツチングアレイ素子
JPS61270729A (ja) 電極付基板
JP2001033816A (ja) 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法
JPH1138442A (ja) アクティブマトリクス型表示基板
JPH0611674A (ja) 光シャッタ素子
JP4203155B2 (ja) 電極基板の製造方法
JP2596820B2 (ja) 電子写真記録装置
JPS60169824A (ja) 光制御素子とその製造方法