JPS60169824A - 光制御素子とその製造方法 - Google Patents
光制御素子とその製造方法Info
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- JPS60169824A JPS60169824A JP2443484A JP2443484A JPS60169824A JP S60169824 A JPS60169824 A JP S60169824A JP 2443484 A JP2443484 A JP 2443484A JP 2443484 A JP2443484 A JP 2443484A JP S60169824 A JPS60169824 A JP S60169824A
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- JP
- Japan
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- electrode
- light control
- control element
- etching
- mask
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0553—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic specially adapted for gating or modulating in optical waveguides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各種光情報処理機器に用いられ、光信号を連
続的に制御する光制御素子及びその製造方法に関するも
のである。
続的に制御する光制御素子及びその製造方法に関するも
のである。
（従来例の構成とその問題点）
近佐情報処理技術の分野の発展は目ざましいものがある
。こういう時代の中で情報の出力機器としてのプリンタ
ーの役割が重要になってきている。
。こういう時代の中で情報の出力機器としてのプリンタ
ーの役割が重要になってきている。
現在各種のプリンターが開発されてきているが、その中
で最も注目されているのが非衝撃形（ノンイン・ぐクト
形）のプリンターであり、その中でも固体の電気光学効
果を用いた光制御素子（光シャッター菓子）が注目を集
めている。
で最も注目されているのが非衝撃形（ノンイン・ぐクト
形）のプリンターであり、その中でも固体の電気光学効
果を用いた光制御素子（光シャッター菓子）が注目を集
めている。
現在上期の光制御素子として知られているものは、Ｌａ
添加のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ ）等の透光性
磁気の平板上に、少なくとも片面に複数個の帯状電極を
設けた基板を上記電極に電圧を印加した時に生じる電界
ベクトルの方向に対して±４５０の偏光軸を有する偏光
板ではさんだ構造を有したものである。
添加のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ ）等の透光性
磁気の平板上に、少なくとも片面に複数個の帯状電極を
設けた基板を上記電極に電圧を印加した時に生じる電界
ベクトルの方向に対して±４５０の偏光軸を有する偏光
板ではさんだ構造を有したものである。
以下図面を参１ｆｆｉ Ｌながら従来の光制御素子の構
成について説明する。
成について説明する。
第１図は、このような光制御素子の従来例を示すもので
、第１図（ａ）は全体構成を示す斜視図、第１図（ｂ）
は第１図（ａ）におけるｈ−Ａ′線の断面図である。図
において１１はＰＬＺＴ平板、１２はＰＬＺＴ平板１１
上に設けられた共通電極、１３は電圧印加用電極群、１
４は光制御部（理論的光シヤツタ一部）である。１５は
偏光子、１６は検光子であり、共通電極１２と′紙圧印
加用電極群１３間に電圧を印加した時に生じる電界ベク
トルの方向に対して±４５°の方向に偏光軸を有する様
に構成されている。また、第１図（ｃ）は、光制御部１
４以外の光もれを防止するため電極１２．１３およびＰ
ＬＺＴ平板１１上に反射防止膜を兼た絶縁膜１７を付着
させその上に金属薄膜のマスク（スリット）１８を形成
した状態を第１図（ａ）におけるＢ−Ｂ’線の断面にお
いて示したものである。
、第１図（ａ）は全体構成を示す斜視図、第１図（ｂ）
は第１図（ａ）におけるｈ−Ａ′線の断面図である。図
において１１はＰＬＺＴ平板、１２はＰＬＺＴ平板１１
上に設けられた共通電極、１３は電圧印加用電極群、１
４は光制御部（理論的光シヤツタ一部）である。１５は
偏光子、１６は検光子であり、共通電極１２と′紙圧印
加用電極群１３間に電圧を印加した時に生じる電界ベク
トルの方向に対して±４５°の方向に偏光軸を有する様
に構成されている。また、第１図（ｃ）は、光制御部１
４以外の光もれを防止するため電極１２．１３およびＰ
ＬＺＴ平板１１上に反射防止膜を兼た絶縁膜１７を付着
させその上に金属薄膜のマスク（スリット）１８を形成
した状態を第１図（ａ）におけるＢ−Ｂ’線の断面にお
いて示したものである。
この様に構成された光制御素子（光シヤツター素子）の
動作と製造方法を以下に説明する。
動作と製造方法を以下に説明する。
第１図（ａ）の偏光Ｉ子１５の後部に設けられた５ ４
０ ｎｍにピーク感度を持つ光源Ｓ、から光を照射した
場合、ＰＬｚＴ平板１１上に形成された電圧印加用電極
群１３と共通電極１２の電極間に電圧を印加しない時は
、電気光学効果による複屈折は生じず、偏光子１５およ
び検光子１６によって光は遮断されるが、電圧印加用電
極群１３に電圧を印加すると電気光学効果によって複屈
折を生じ光の偏光状態が変化し、光制御部１４において
光が透過する。従って電圧印加用電極群１３の任意の電
極を印加すれば任意の部分の光を透過することができ、
検光子１６の前部に感光体などを置いておけば、任意の
パターンを表示することが可能であり、ノンインパクト
形の光プリンターの書き込みヘッドとして利用できる。
０ ｎｍにピーク感度を持つ光源Ｓ、から光を照射した
場合、ＰＬｚＴ平板１１上に形成された電圧印加用電極
群１３と共通電極１２の電極間に電圧を印加しない時は
、電気光学効果による複屈折は生じず、偏光子１５およ
び検光子１６によって光は遮断されるが、電圧印加用電
極群１３に電圧を印加すると電気光学効果によって複屈
折を生じ光の偏光状態が変化し、光制御部１４において
光が透過する。従って電圧印加用電極群１３の任意の電
極を印加すれば任意の部分の光を透過することができ、
検光子１６の前部に感光体などを置いておけば、任意の
パターンを表示することが可能であり、ノンインパクト
形の光プリンターの書き込みヘッドとして利用できる。
ところで現在プリンター等に利用される書き込み用ヘッ
ドには、少なくとも１０ライン／鏑以上の分解能が要求
されかつ上記固体の光シヤツターアレイを利用する場合
などでは、２００ｍｍ以上の長尺の光シヤツターヘッド
が要求される。このような高分解能で長尺の光シヤツタ
ーヘッドでは、理論的な光シヤツタ一部のみ光が通過す
るように透明な絶縁層（反射防止膜層をかねている）を
介して第１図Ｃに示すごとく光のもれを防ぐ金属マスク
が必要となる。しかし第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示し
た従来例の電極構造であれば、細かいピッチ（１０本／
−以上）で大きな段差の電極構造（ワイヤービンディン
グを行なうため１μｍ以上の電極厚みが必要である）を
有しているため、第１図（ｃ）のように光もれを防止す
るためニ絶縁層１７を介して金属薄膜のマスク（スリッ
ト）１８設けた場合、電極１２．１３のエツジ部分１９
にあたる絶縁層１７が薄くなったシフラックが入ったり
し、金属マスク１８と電極１２．１３との間に導通がお
こるという欠点を有していた。
ドには、少なくとも１０ライン／鏑以上の分解能が要求
されかつ上記固体の光シヤツターアレイを利用する場合
などでは、２００ｍｍ以上の長尺の光シヤツターヘッド
が要求される。このような高分解能で長尺の光シヤツタ
ーヘッドでは、理論的な光シヤツタ一部のみ光が通過す
るように透明な絶縁層（反射防止膜層をかねている）を
介して第１図Ｃに示すごとく光のもれを防ぐ金属マスク
が必要となる。しかし第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示し
た従来例の電極構造であれば、細かいピッチ（１０本／
−以上）で大きな段差の電極構造（ワイヤービンディン
グを行なうため１μｍ以上の電極厚みが必要である）を
有しているため、第１図（ｃ）のように光もれを防止す
るためニ絶縁層１７を介して金属薄膜のマスク（スリッ
ト）１８設けた場合、電極１２．１３のエツジ部分１９
にあたる絶縁層１７が薄くなったシフラックが入ったり
し、金属マスク１８と電極１２．１３との間に導通がお
こるという欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は、上述したような欠点を解消するものであり、
ｔＫ極と金属マスクの間にピンホールや絶縁不良の生じ
ない歩留りのよい光制御素子及びその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
ｔＫ極と金属マスクの間にピンホールや絶縁不良の生じ
ない歩留りのよい光制御素子及びその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明の光制御素子は電圧印加用の複数個の帯状電極を
ＰＬＺＴ基板の主面よシ凹ませて形成するようにしたも
のであり、これによシ、光もれを防止するための金属薄
膜のマスクを形成しても、従来のように電極のエツジ部
分で絶縁不良が発生するという様な欠点を解消すること
ができる。また、本発明の光制御素子の製造方法は、前
記複数個の帯状電極部をエツチング法を用いたリフトオ
フ法により形成することを特徴とするもので、これＫよ
シミ極部を面精度に形成でき、電極材料を所定の箇所に
蒸着することができる。
ＰＬＺＴ基板の主面よシ凹ませて形成するようにしたも
のであり、これによシ、光もれを防止するための金属薄
膜のマスクを形成しても、従来のように電極のエツジ部
分で絶縁不良が発生するという様な欠点を解消すること
ができる。また、本発明の光制御素子の製造方法は、前
記複数個の帯状電極部をエツチング法を用いたリフトオ
フ法により形成することを特徴とするもので、これＫよ
シミ極部を面精度に形成でき、電極材料を所定の箇所に
蒸着することができる。
（実施例の説明）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第２図は本発明における光制御素子の一例を示すもので
、第２図（、）はその外観を示す斜視図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）におけるＣ−σ線の断面図である。図に
おいて２１はＰＬＺＴ平板、２２はＰＬＺＴ平板２１上
にエツチング法を用いたリフトオフ法によって設けられ
た共通電極２３は同じくエツチングを用いたリフトオフ
法によって設けられた電圧印加用電極群、２４は光制御
部、２５はサイドエッチされて電極材料が付着していな
い部分である。
、第２図（、）はその外観を示す斜視図、第２図（ｂ）
は第２図（ａ）におけるＣ−σ線の断面図である。図に
おいて２１はＰＬＺＴ平板、２２はＰＬＺＴ平板２１上
にエツチング法を用いたリフトオフ法によって設けられ
た共通電極２３は同じくエツチングを用いたリフトオフ
法によって設けられた電圧印加用電極群、２４は光制御
部、２５はサイドエッチされて電極材料が付着していな
い部分である。
次に、上記のごとき構成の光制御素子の製造方法につい
て、第３図の製造工程図を参照しながら説明する。第３
図（ａ）は鏡面研摩されたＰＬＺＴ平板を示し、このＰ
ＬＺＴ平板３１上にネガタイプのフォトレジスト３２を
回転塗布しく第３図（ｂ）’Ｌ次いで、電極のマスクパ
ターンを用いて露光現像を行なめ光制御部３３となる部
分のレジスト３２′を残し、電極部となる部分３４のレ
ジストを取シ除く（第３図（Ｃ））。この状態でレジメ
）癲３２”ｋマスクとしてＰＬＺＴを化学エツチングあ
るいは、プラズマエツチングすることにより、電極部３
５が形成され、レノスト３２′の下の部分３６がサイド
エッチ（アンダーカット）される第３図（ｄ）。そのた
めこのレノスト３２′の上から金３７を蒸着した場合、
第３図（ｅ）に示すようにレジスト３２′の下の部分（
サイドエッチされたＰＬＺＴ部分）３６には、金３７が
付着しない。したがってレジスト３２′を発煙硝酸等で
取シ除いた場合（リフトオフした場合）第３図（ｆ）の
ような電極構造が得られる。このような電極構造であれ
ば、第３図（ｇ）に示すようにこの上に透明絶縁膜３８
を付着させさらにこの上に金属のマスク３９を付着させ
ても第１図（ｂ） （ｃ）のような電極のエツジ部分が
なくなっているために（エツジ部分は第３図（ｆ） −
３６のようにＰＬＺＴとなっている）金属マスク３９と
電極３７との間に導通がおこらなくなる。
て、第３図の製造工程図を参照しながら説明する。第３
図（ａ）は鏡面研摩されたＰＬＺＴ平板を示し、このＰ
ＬＺＴ平板３１上にネガタイプのフォトレジスト３２を
回転塗布しく第３図（ｂ）’Ｌ次いで、電極のマスクパ
ターンを用いて露光現像を行なめ光制御部３３となる部
分のレジスト３２′を残し、電極部となる部分３４のレ
ジストを取シ除く（第３図（Ｃ））。この状態でレジメ
）癲３２”ｋマスクとしてＰＬＺＴを化学エツチングあ
るいは、プラズマエツチングすることにより、電極部３
５が形成され、レノスト３２′の下の部分３６がサイド
エッチ（アンダーカット）される第３図（ｄ）。そのた
めこのレノスト３２′の上から金３７を蒸着した場合、
第３図（ｅ）に示すようにレジスト３２′の下の部分（
サイドエッチされたＰＬＺＴ部分）３６には、金３７が
付着しない。したがってレジスト３２′を発煙硝酸等で
取シ除いた場合（リフトオフした場合）第３図（ｆ）の
ような電極構造が得られる。このような電極構造であれ
ば、第３図（ｇ）に示すようにこの上に透明絶縁膜３８
を付着させさらにこの上に金属のマスク３９を付着させ
ても第１図（ｂ） （ｃ）のような電極のエツジ部分が
なくなっているために（エツジ部分は第３図（ｆ） −
３６のようにＰＬＺＴとなっている）金属マスク３９と
電極３７との間に導通がおこらなくなる。
次に本発明の実施例を具体的に説明する。
まず鏡面に研摩された長さ２００ｍｍ、幅１５閾、厚さ
０．４ ｖａｎのＰＬＺＴ平板、を用意する。次にネガ
型のフォトレジストをＰＬＺＴ平板上に回転塗布し約２
μｍの厚さに堆積させる。次いで電極のマスクパターン
（１０本／咽で２０００ダートの電極で電極部分が黒色
のマスク）を用意し、このマスクを用いて露光、現像を
行なって（ネガタイプのフォトレジストであるため、電
極部分は露光されず、したがって現像すると、電極部の
レジストがなくなる。）電極および光制御部が作成され
たＰＬＺＴ平板とする。次にこれを、Ｉ（２０−ＨＮＯ
３−ＨＦ （重量比が、１００対、２対、１）の溶液中
に１ｏ分間浸して、電極部をエツチングした。この時の
エツチングの深さは約２μｍで、サイドエッチされた深
さは（アンダーカット部は）横方向に０．５μｍであっ
た。次に金をこの上から約１μｍの厚さに蒸着し、次い
でこの平板を発煙硝酸中に浸してリフトオンした結果、
第３図（ｆ）に示すような電極構造の素子を得た。
０．４ ｖａｎのＰＬＺＴ平板、を用意する。次にネガ
型のフォトレジストをＰＬＺＴ平板上に回転塗布し約２
μｍの厚さに堆積させる。次いで電極のマスクパターン
（１０本／咽で２０００ダートの電極で電極部分が黒色
のマスク）を用意し、このマスクを用いて露光、現像を
行なって（ネガタイプのフォトレジストであるため、電
極部分は露光されず、したがって現像すると、電極部の
レジストがなくなる。）電極および光制御部が作成され
たＰＬＺＴ平板とする。次にこれを、Ｉ（２０−ＨＮＯ
３−ＨＦ （重量比が、１００対、２対、１）の溶液中
に１ｏ分間浸して、電極部をエツチングした。この時の
エツチングの深さは約２μｍで、サイドエッチされた深
さは（アンダーカット部は）横方向に０．５μｍであっ
た。次に金をこの上から約１μｍの厚さに蒸着し、次い
でこの平板を発煙硝酸中に浸してリフトオンした結果、
第３図（ｆ）に示すような電極構造の素子を得た。
次にこの上に電極のリード引き出し部分を除いて、Ａｔ
２０３膜を約１μｍス・セックした後、光制御部のみ光
が通過するようにマスクを用いてＣｒを０．２μｍ電極
上および光制御部以外の所に付着させ光制御素子を作成
した結果、電極とＣｒマスク（Ｃｒスリット）の間の導
通はなく、正常に素子が動作した。
２０３膜を約１μｍス・セックした後、光制御部のみ光
が通過するようにマスクを用いてＣｒを０．２μｍ電極
上および光制御部以外の所に付着させ光制御素子を作成
した結果、電極とＣｒマスク（Ｃｒスリット）の間の導
通はなく、正常に素子が動作した。
この結果を表の試料番号１に示す。以下同様にエツチン
グ法、およびエツチング深さを変えた時の導通の有無お
よび動作状態についての実施例の結果を表の試料番号２
〜１０に示す。
グ法、およびエツチング深さを変えた時の導通の有無お
よび動作状態についての実施例の結果を表の試料番号２
〜１０に示す。
比較のためにエツチングしていない場合（従来例）およ
びエツチング量の少ない場合について、本発明の範囲外
として試料番号１１〜１４にあわせて示している。これ
ら実施例および比較例の実験結果からエツチングの深さ
が２μｍ以下の場合は、導通やピンホールが発生し、シ
ャッター動作をしなくなる。またエツチングの深さにつ
いては１０本／閣の電極パターンの場合、電極間隔が５
０８膜程度であるため２５μｍ以下でないと精度の良い
電極パターンが得られない。ただし電極間隔が広くなれ
ばエツチングの深さも深くすることが可能である。
びエツチング量の少ない場合について、本発明の範囲外
として試料番号１１〜１４にあわせて示している。これ
ら実施例および比較例の実験結果からエツチングの深さ
が２μｍ以下の場合は、導通やピンホールが発生し、シ
ャッター動作をしなくなる。またエツチングの深さにつ
いては１０本／閣の電極パターンの場合、電極間隔が５
０８膜程度であるため２５μｍ以下でないと精度の良い
電極パターンが得られない。ただし電極間隔が広くなれ
ばエツチングの深さも深くすることが可能である。
＊１１〜１４は比較例
（発明の効果）
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、電極と
光もれ防止のための金属マスクとの間にピンホールや絶
縁不良の生じない高精度の光制御素子の作成が可能とな
シ、素子の歩留シが大幅に向上でき、その工業的価値は
極めて大きい。
光もれ防止のための金属マスクとの間にピンホールや絶
縁不良の生じない高精度の光制御素子の作成が可能とな
シ、素子の歩留シが大幅に向上でき、その工業的価値は
極めて大きい。
第１図（ａ）は従来の光制御素子の全体構成を示す斜視
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ −Ａ’線の断面
図、第１図（ｃ）は第１図（、）のＢ −Ｂ’線の断面
図、第２図（ａ）は本発明の一実施例における光制御素
子の全体構成を示す斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）のｃ −ｃ’線の断面図、第３図は本発明の一実施例
における光制御素子の製造工程図である。 １１．２１．３１・・・ＰＬＺＴ平板、１２．２２・・
・共通電極、１３．２３・・・電圧印加用電極群、１４
゜２４．３３・・・光制御部（光シヤツタ一部）、１５
・・・偏光子、１６・・・検光子、３２・・・ネガタイ
プのフォトレジスト、３４・・・電極となる部分、３５
・・・エツチングされた電極部、３６・・・エツチング
によ勺サイドエッチされた部分、３７・・・電極（金）
、３８・・・透明絶縁膜、３９・・・金属マスク。 第１因 第２図 （０） （ｂ） 第３図 （ａｌ （ｂｌ ス２ ５（５ｂ
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ −Ａ’線の断面
図、第１図（ｃ）は第１図（、）のＢ −Ｂ’線の断面
図、第２図（ａ）は本発明の一実施例における光制御素
子の全体構成を示す斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）のｃ −ｃ’線の断面図、第３図は本発明の一実施例
における光制御素子の製造工程図である。 １１．２１．３１・・・ＰＬＺＴ平板、１２．２２・・
・共通電極、１３．２３・・・電圧印加用電極群、１４
゜２４．３３・・・光制御部（光シヤツタ一部）、１５
・・・偏光子、１６・・・検光子、３２・・・ネガタイ
プのフォトレジスト、３４・・・電極となる部分、３５
・・・エツチングされた電極部、３６・・・エツチング
によ勺サイドエッチされた部分、３７・・・電極（金）
、３８・・・透明絶縁膜、３９・・・金属マスク。 第１因 第２図 （０） （ｂ） 第３図 （ａｌ （ｂｌ ス２ ５（５ｂ
Claims (3)
- （１）電気光学効果を有する平板状透光性基板の少なく
とも一方の主面上に電圧印加用の複数個の帯状電極を有
し、絶縁膜を介して前記帯状電極部を含む光制御部以外
の部分を光もれ防止のために金属膜で覆うようにした光
制御素子でおって、前記帯状電極部は前記主面よシ凹ま
せて形成されていることを％徴とする光制御素子。 - （２）電気光学効果を有する平板状透光性基板の少なく
とも一方の主面上に電圧印加用の複数個の帯状電極を有
し、絶縁膜を介して前記帯状電極部を含む光制御部以外
の部分を光もれ防止のために金属膜で覆うようにした光
制御素子において、前記帯状電極部をエツチング法を用
いたリフトオフ法により形成することを特徴とする光制
御素子の製造方法。 - （３） 前記エツチングは化学エツチングあるいはプラ
ズマエツチングであることを特徴とする特許梢求の範囲
第（２）項記載の光制御素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2443484A JPS60169824A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 光制御素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2443484A JPS60169824A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 光制御素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169824A true JPS60169824A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12138044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2443484A Pending JPS60169824A (ja) | 1984-02-14 | 1984-02-14 | 光制御素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169824A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046810A1 (fr) * | 1998-03-12 | 1999-09-16 | Hitachi, Ltd. | Procede permettant de traiter la surface d'un echantillon |
| EP1526400A4 (en) * | 2003-06-10 | 2006-07-05 | Nippon Telegraph & Telephone | ELECTROOPTICAL MODULATION ELEMENT |
| CN102714089A (zh) * | 2010-07-07 | 2012-10-03 | 欧姆龙株式会社 | 网络设备和通信模块 |
-
1984
- 1984-02-14 JP JP2443484A patent/JPS60169824A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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