JPS60158417A - 光制御装置 - Google Patents
光制御装置Info
- Publication number
- JPS60158417A JPS60158417A JP1274784A JP1274784A JPS60158417A JP S60158417 A JPS60158417 A JP S60158417A JP 1274784 A JP1274784 A JP 1274784A JP 1274784 A JP1274784 A JP 1274784A JP S60158417 A JPS60158417 A JP S60158417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- control device
- lead wires
- electric field
- optical control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0551—Constructional details
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気光学結晶素子を利用した光制御装置会ｍに
関するものである。
関するものである。
電圧印加によって光学的異方性を示す電気光学結晶、例
えば透明−に７ミツクＰＬＺＴ （（Ｐｂ 、 Ｌａ）
（Ｚｒ 、 Ｔｉ） Ｏ，）は、印加される電圧に応じ
て偏光の偏光面を回転させる。したがって、直交ニコル
の状態に組合わされた偏光子と検光子との間に置かれた
ＰＬＺＴは、ＰＬ、ＺＴに供給される電気信号に基づい
て、光が偏光子を通った後に得られる直線偏光の偏光面
を回転させて検光子に対する前記直線偏光の通過を制御
する光制御装置、即ち光シヤツターとして作動し、かつ
その応答速度は高い。そのために、この光シヤツターを
一次元的に配列して構成された光シヤツターアレイは高
速プリンター（例えば電子写真プリンター）、高輝プ四
ジエクタなどへの応用が期待されている。
えば透明−に７ミツクＰＬＺＴ （（Ｐｂ 、 Ｌａ）
（Ｚｒ 、 Ｔｉ） Ｏ，）は、印加される電圧に応じ
て偏光の偏光面を回転させる。したがって、直交ニコル
の状態に組合わされた偏光子と検光子との間に置かれた
ＰＬＺＴは、ＰＬ、ＺＴに供給される電気信号に基づい
て、光が偏光子を通った後に得られる直線偏光の偏光面
を回転させて検光子に対する前記直線偏光の通過を制御
する光制御装置、即ち光シヤツターとして作動し、かつ
その応答速度は高い。そのために、この光シヤツターを
一次元的に配列して構成された光シヤツターアレイは高
速プリンター（例えば電子写真プリンター）、高輝プ四
ジエクタなどへの応用が期待されている。
背景技術とその問題点
従来、透明ＰＬＯＴを利用した光シヤツターアレイは、
第１図に示すように、表面電極型のものであった。即ち
、ＰＬＺＴ基板１の一方の面に電極２．６が所定ピッチ
で２列に形成され、これに対応する位置で他方の面にも
対向電極（図示せず）が形成されている。
第１図に示すように、表面電極型のものであった。即ち
、ＰＬＺＴ基板１の一方の面に電極２．６が所定ピッチ
で２列に形成され、これに対応する位置で他方の面にも
対向電極（図示せず）が形成されている。
このような表面電極型光シャッターアレイでは、駆動電
圧が高いこと、電極近傍の不平行電界に起因する散乱効
果を生じること、隣接する電極間容量によるクロストー
クが発生し、誤動作が起こりやすいこと、および応答速
度が低いことなどの問照点があった。
圧が高いこと、電極近傍の不平行電界に起因する散乱効
果を生じること、隣接する電極間容量によるクロストー
クが発生し、誤動作が起こりやすいこと、および応答速
度が低いことなどの問照点があった。
これらの問題点を解決するため、先に、平行電界型光シ
ャッターアレイが提案された。この型の光シヤツターア
レイは第２図に示すようｉこ、透明基体４、例えば透明
なガラス基板の上にＰＬＺＴ素子５が機械的切断加工に
よって所定ピンチで分離されて配列され、素子５の両側
面に電極６＆。
ャッターアレイが提案された。この型の光シヤツターア
レイは第２図に示すようｉこ、透明基体４、例えば透明
なガラス基板の上にＰＬＺＴ素子５が機械的切断加工に
よって所定ピンチで分離されて配列され、素子５の両側
面に電極６＆。
６ｂが設けられ、各電極＜Ｓａ、６ｂは素子５に電気信
号を供給するリード線７，８にそれぞれ接続され、リー
ド線７．８は溝９によって各隣接リード線から分離され
て構成されている。この平行電界型光シャッター７レイ
では、各ＰＬＺＴ素子５に完全に平行な電界が形成され
、隣接リード線間のりμストークがなくなり、駆動電圧
も、駆動回路のＩＣ化を容易にする程度（５０ｖ以下）
まで低減され、前記従来例の補記表面電界型光シャッタ
ーアレイの問題点を解決することができる。
号を供給するリード線７，８にそれぞれ接続され、リー
ド線７．８は溝９によって各隣接リード線から分離され
て構成されている。この平行電界型光シャッター７レイ
では、各ＰＬＺＴ素子５に完全に平行な電界が形成され
、隣接リード線間のりμストークがなくなり、駆動電圧
も、駆動回路のＩＣ化を容易にする程度（５０ｖ以下）
まで低減され、前記従来例の補記表面電界型光シャッタ
ーアレイの問題点を解決することができる。
前記平行電界型光シャッターアレイを、隣接するＰＬＺ
Ｔ素子５のピンチを小さくして高密度化させることがで
きれば、このシャッターアレイを例えば光プリンターに
応用した場合、解像度を向上させることができ、５０μ
ｍピッチの場合には２０ドツト／間の解像度が得られ、
現状のレーザープリンターの最高解像度１６ドツト／鰭
をしのぐものとなる。
Ｔ素子５のピンチを小さくして高密度化させることがで
きれば、このシャッターアレイを例えば光プリンターに
応用した場合、解像度を向上させることができ、５０μ
ｍピッチの場合には２０ドツト／間の解像度が得られ、
現状のレーザープリンターの最高解像度１６ドツト／鰭
をしのぐものとなる。
しかし、前記平行電界型光シャッターアレイでは、ＰＬ
ＺＴ素子５が機械的切断加工によって分離されている。
ＺＴ素子５が機械的切断加工によって分離されている。
そのため、機械的切断に用いられる切断刃の厚さから生
ずる切断幅に限界があり、ピッチ１００μｍ以下の高密
度化が困難であった。
ずる切断幅に限界があり、ピッチ１００μｍ以下の高密
度化が困難であった。
発明の目的
本発明は、上述の問題に鑑み、高密度平行電界型の光制
御装置を提供するものである。
御装置を提供するものである。
発明の概要
本発明の光制御装置は、両側面に電極が設けられて透明
基体上ｌこ配列された電気光学結晶素子と、前記電極に
それぞれ接続されて前記電気光学結晶素子に電気信号を
供給するリード線とを有し、前記電極と前記リード線と
が金属エツチング法によって形成されている。
基体上ｌこ配列された電気光学結晶素子と、前記電極に
それぞれ接続されて前記電気光学結晶素子に電気信号を
供給するリード線とを有し、前記電極と前記リード線と
が金属エツチング法によって形成されている。
前記電極窓よび前記リード線は、フォトリソグラフィを
利用して金属導電層に所定のパターンを形成した後にエ
ツチングを行う金属エツチング法によって形成されたも
のである。したがって、機械的切断法では困難であった
、ピッチ１００．ｃ４ｍ以下に高密度化された平行電界
型光シャッターアレイの製造が可能となり、この高密度
化はフォトリソグラフィの限界まで上昇させることがで
きる。
利用して金属導電層に所定のパターンを形成した後にエ
ツチングを行う金属エツチング法によって形成されたも
のである。したがって、機械的切断法では困難であった
、ピッチ１００．ｃ４ｍ以下に高密度化された平行電界
型光シャッターアレイの製造が可能となり、この高密度
化はフォトリソグラフィの限界まで上昇させることがで
きる。
実施例
次に、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第６図はこの実施例を示す。この図において、ｘ ５０
ｔｔｔｔｉ＝ｐ柱状の透明セラミックＰＬＺＴ１１が
設けられている。ＰＬＺＴＩ １の両側面には幅３０μ
ｍの電極１２ａ、１２ｂが隣接電極との間隔６０μｍで
形成されている。これらの電極１２ａ。
ｔｔｔｔｉ＝ｐ柱状の透明セラミックＰＬＺＴ１１が
設けられている。ＰＬＺＴＩ １の両側面には幅３０μ
ｍの電極１２ａ、１２ｂが隣接電極との間隔６０μｍで
形成されている。これらの電極１２ａ。
１２ｂにそれぞれ接続されてＰＬＺＴｌｌに電気信号を
供給する幅６０μｍのリード線１３．１４が隣接リード
線との間隔３０μｍでガラス基板１゜上ｔこ形成されて
いる。
供給する幅６０μｍのリード線１３．１４が隣接リード
線との間隔３０μｍでガラス基板１゜上ｔこ形成されて
いる。
このように構成された高密度化平行電界型光シャッター
アレイ１５は、散乱効果に起因するコントラスト比の低
下がなく、応答速度が高く、駆動電圧が５０ｖ以下であ
るため駆動回路のＩＣ化が容易となり、その上、例えば
光プリンターに応用した場合、従来の平行電界型光シャ
ッターアレイに比べて解像度が著しく向上する。
アレイ１５は、散乱効果に起因するコントラスト比の低
下がなく、応答速度が高く、駆動電圧が５０ｖ以下であ
るため駆動回路のＩＣ化が容易となり、その上、例えば
光プリンターに応用した場合、従来の平行電界型光シャ
ッターアレイに比べて解像度が著しく向上する。
前記実施例の光制御装置は例えば次のようにして製造す
ることができる。
ることができる。
（ＰｂＯ０９２５”０．０７７ ） （Ｚｒｇ、６５
Ｔ’ｔＯ’、５５ ） ０５の組成で表わされるＰＬＺ
Ｔを用いて、直径４０ｍｔ、厚さ３００μｍのウェハー
を作製する。このウェハーの片面にフェノール系耐酸レ
ジストを印刷、焼付した後、ダイヤモンドカッターを用
いて１５０μｍｘ５００μｍ×３０ｍｍの角柱状ＰＬＺ
Ｔ１６を切り取る（第４図）。
Ｔ’ｔＯ’、５５ ） ０５の組成で表わされるＰＬＺ
Ｔを用いて、直径４０ｍｔ、厚さ３００μｍのウェハー
を作製する。このウェハーの片面にフェノール系耐酸レ
ジストを印刷、焼付した後、ダイヤモンドカッターを用
いて１５０μｍｘ５００μｍ×３０ｍｍの角柱状ＰＬＺ
Ｔ１６を切り取る（第４図）。
このＰＬＺＴＩ６を、耐酸レジスト面１７を上ｌζ向け
て透明なガラス基板１８に透ＢＡ接着剤のレンズボンド
（商品名）１９で接着固定した後、Ｎｉ無電解メッキを
施し、さらにＮｉ上にＡｕの電解メッキを行い、Ａｕメ
ッキ層２０を形成する（第５図）。
て透明なガラス基板１８に透ＢＡ接着剤のレンズボンド
（商品名）１９で接着固定した後、Ｎｉ無電解メッキを
施し、さらにＮｉ上にＡｕの電解メッキを行い、Ａｕメ
ッキ層２０を形成する（第５図）。
次いで、フォトレジスト０ＭＲ８５（東京応化工業製品
）２１をＡｕメッキ層２０とＰＬＺＴＩ６に塗布した。
）２１をＡｕメッキ層２０とＰＬＺＴＩ６に塗布した。
幅６０μｍ１間隔６０μｍの写真パターン２２がそれぞ
れに形成された２個の箱形ガラス乾板２６をガラス基板
１８上にＰＬＺＴＩ ６を囲むように配置する（第６図
）。この状態で露光、現像を行い、次いで、ガラス乾板
２′５を取り外した後、金エツチング液に浸漬して電解
エツチングを行い、さらに残留フォトレジストおよび耐
酸レジストを除去すると、第６図に示す光シヤツターア
レイ１５、即ち光制御装置が得られる。
れに形成された２個の箱形ガラス乾板２６をガラス基板
１８上にＰＬＺＴＩ ６を囲むように配置する（第６図
）。この状態で露光、現像を行い、次いで、ガラス乾板
２′５を取り外した後、金エツチング液に浸漬して電解
エツチングを行い、さらに残留フォトレジストおよび耐
酸レジストを除去すると、第６図に示す光シヤツターア
レイ１５、即ち光制御装置が得られる。
この光シャックーアレイの半波長電圧を第７図に示す方
法で測定した。即ち、Ｈｅ −Ｎｏレーザー２４、偏光
子２５、シャッターアレイ１５、偏光子２５と直交ニコ
ルの状態に組合わされた検光子２６および光検出器２７
から構成された系において、シャッターアレイ１５に印
加した電圧と光の透過量との関係をｘ−ｙレコーダー２
８に記録して半波長電圧Ｖλを測定し、８０℃環境で４
０Ｖ丁 の結果を得た。この駆動電圧は駆動回路のＩＣ化を容易
にする。また、シャッタ一応答速度は０．５μ（６）で
あった。
法で測定した。即ち、Ｈｅ −Ｎｏレーザー２４、偏光
子２５、シャッターアレイ１５、偏光子２５と直交ニコ
ルの状態に組合わされた検光子２６および光検出器２７
から構成された系において、シャッターアレイ１５に印
加した電圧と光の透過量との関係をｘ−ｙレコーダー２
８に記録して半波長電圧Ｖλを測定し、８０℃環境で４
０Ｖ丁 の結果を得た。この駆動電圧は駆動回路のＩＣ化を容易
にする。また、シャッタ一応答速度は０．５μ（６）で
あった。
発明の効果
本発明で育檻は、電気光学結晶素子の両側面電極と、こ
の電極に電気信号を供給するリード線とが、フォトリソ
グラフ法を利用した金属エツチング法で形成されている
ため、機械的切断法では不可能であった１００μｍピッ
チ以下の高密度シャ解像度を著しく向上させることがで
きる。
の電極に電気信号を供給するリード線とが、フォトリソ
グラフ法を利用した金属エツチング法で形成されている
ため、機械的切断法では不可能であった１００μｍピッ
チ以下の高密度シャ解像度を著しく向上させることがで
きる。
第１図および第２図は従来例を示す斜視図、第６図は本
発明の実施例を示す斜視図、第４図ないし第６図は第６
図の実施例の製造方決を説明するための図、第７図は第
３図の実施例の光制御装置の半波長電圧測定法を説明す
るための図である。 なお、図面に用いられた符号において、１５・・・・・
・・・・・・・光シヤツターアレ〆ｆ１６・・・・・・
・・・・・・・ ＰＬＺＴ１７・・・・・・・・・・・
・・耐酸レジスト１８・・・・・・・・・ ガラス基板 ２０・・・・・・・・・・・・・Ａｕメッキ層２１・・
・・・・・・・・・・・・フォトレジスト２２・・・・
・・・・・・・・・写真パターン２６・・・・・・・・
・・・・・ガラス乾板Ｖλ・・・・・・・・・・・・・
半波長電圧である。 代理人 土用 勝 常包芳男 第１図 第３図
発明の実施例を示す斜視図、第４図ないし第６図は第６
図の実施例の製造方決を説明するための図、第７図は第
３図の実施例の光制御装置の半波長電圧測定法を説明す
るための図である。 なお、図面に用いられた符号において、１５・・・・・
・・・・・・・光シヤツターアレ〆ｆ１６・・・・・・
・・・・・・・ ＰＬＺＴ１７・・・・・・・・・・・
・・耐酸レジスト１８・・・・・・・・・ ガラス基板 ２０・・・・・・・・・・・・・Ａｕメッキ層２１・・
・・・・・・・・・・・・フォトレジスト２２・・・・
・・・・・・・・・写真パターン２６・・・・・・・・
・・・・・ガラス乾板Ｖλ・・・・・・・・・・・・・
半波長電圧である。 代理人 土用 勝 常包芳男 第１図 第３図
Claims (1)
- 両側面に電極が設けられ！透明基体上に配列された電気
光学結晶素子と、前記電極にそれぞれ接続されて前記電
気光学結晶素子に電気信号を供給するリード線とを有す
る光制御装置において、前記電極と前記リード線とが金
属エツチング法によって形成されていることを特徴とす
る光制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274784A JPS60158417A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274784A JPS60158417A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60158417A true JPS60158417A (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=11814011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274784A Pending JPS60158417A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60158417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4707081A (en) * | 1985-09-27 | 1987-11-17 | Eastman Kodak Company | Linear light valve arrays having transversely driven electro-optic gates and method of making such arrays |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983460A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-10 | ||
| JPS51136431A (en) * | 1975-05-21 | 1976-11-25 | Hagiwara Denki Kk | Diferacted electric sound transducer |
| JPS57197515A (en) * | 1981-05-13 | 1982-12-03 | Philips Nv | Light beam switching device |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1274784A patent/JPS60158417A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983460A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-10 | ||
| JPS51136431A (en) * | 1975-05-21 | 1976-11-25 | Hagiwara Denki Kk | Diferacted electric sound transducer |
| JPS57197515A (en) * | 1981-05-13 | 1982-12-03 | Philips Nv | Light beam switching device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4707081A (en) * | 1985-09-27 | 1987-11-17 | Eastman Kodak Company | Linear light valve arrays having transversely driven electro-optic gates and method of making such arrays |
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